JPH02254199A - 粒子被覆膜の形成方法 - Google Patents
粒子被覆膜の形成方法Info
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- JPH02254199A JPH02254199A JP7476589A JP7476589A JPH02254199A JP H02254199 A JPH02254199 A JP H02254199A JP 7476589 A JP7476589 A JP 7476589A JP 7476589 A JP7476589 A JP 7476589A JP H02254199 A JPH02254199 A JP H02254199A
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- Pending
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Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、粒子被覆膜の形成方法に関する。
従来の技術
導電性の電極の上に粒子被覆膜を形成する例として、例
えば、特開昭６１−２０３５３１号公報に記載されてい
るように、光プリンタにおける螢光体ドツトアレイがあ
る。この螢光体ドツトアレイの基板は、直線上に配列さ
れた多数のセグメント電極を有し、これらのセグメント
電極の表面に被覆膜としての螢光面を形成したものであ
る。その形成方法は、セグメント電極が形成された基板
と対向電極とを粒子が分散された分散液中に浸漬し、セ
グメント電極と対向電極とに電圧を印加し、電気泳動作
用により粒子をセグメント電極に電着する方法である。
えば、特開昭６１−２０３５３１号公報に記載されてい
るように、光プリンタにおける螢光体ドツトアレイがあ
る。この螢光体ドツトアレイの基板は、直線上に配列さ
れた多数のセグメント電極を有し、これらのセグメント
電極の表面に被覆膜としての螢光面を形成したものであ
る。その形成方法は、セグメント電極が形成された基板
と対向電極とを粒子が分散された分散液中に浸漬し、セ
グメント電極と対向電極とに電圧を印加し、電気泳動作
用により粒子をセグメント電極に電着する方法である。
すなわち、第９図に示すように、基板２０の一面にセグ
メント電極２１と被覆膜２２（螢光面）とが二層構造を
もって形成される。
メント電極２１と被覆膜２２（螢光面）とが二層構造を
もって形成される。
２３は絶縁層である。第８図は基板２０の平面図である
。
。
発明が解決しようとする課題
電気泳動作用により被覆膜２２を形成する特徴は、被覆
膜２２を広範囲に均一に厚く形成する場合に適している
が、セグメント電極２１上の被覆膜２２は微小なドツト
が要求される。分散液中の導電性の粒子の径に対して比
較的薄い膜厚をもって被覆膜２２を形成しようとすると
、セグメント電極２Ｉの粒子表面の特性と異なるのでピ
ンホールが発生（−７易い。これにより、周囲のエツジ
が不揃いになったり、膜厚にムラが生じたりする問題が
ある。
膜２２を広範囲に均一に厚く形成する場合に適している
が、セグメント電極２１上の被覆膜２２は微小なドツト
が要求される。分散液中の導電性の粒子の径に対して比
較的薄い膜厚をもって被覆膜２２を形成しようとすると
、セグメント電極２Ｉの粒子表面の特性と異なるのでピ
ンホールが発生（−７易い。これにより、周囲のエツジ
が不揃いになったり、膜厚にムラが生じたりする問題が
ある。
課題を解決するための手段
表面に形成する導電性の被覆膜と同種又は別種の導電性
の薄膜を蒸着、スパッタリング等により電極に形成し、
粒子が分散された懸濁液中に相対向させて浸漬した前記
電極と対向電極とに電圧を印加し前記導電性の薄膜の表
面に前記導電性の被覆膜を電気泳動作用により形成する
ようにした。
の薄膜を蒸着、スパッタリング等により電極に形成し、
粒子が分散された懸濁液中に相対向させて浸漬した前記
電極と対向電極とに電圧を印加し前記導電性の薄膜の表
面に前記導電性の被覆膜を電気泳動作用により形成する
ようにした。
作用
導電性の薄膜を蒸着、スパッタリング等により電極に形
成してその薄膜の特性をその表面に被覆する被覆膜の特
性と同じにし又は適合性を向上させることができ、これ
により、被覆膜の吸着力、密着力を大きくしてピンホー
ルの発生を防止することができ、これにより、被覆膜の
エツジの欠落やはみ出しを防ｆ１−することができ、し
たがって、輪郭のはっきりした微小で膜厚の薄い被覆膜
を形成することかできる。
成してその薄膜の特性をその表面に被覆する被覆膜の特
性と同じにし又は適合性を向上させることができ、これ
により、被覆膜の吸着力、密着力を大きくしてピンホー
ルの発生を防止することができ、これにより、被覆膜の
エツジの欠落やはみ出しを防ｆ１−することができ、し
たがって、輪郭のはっきりした微小で膜厚の薄い被覆膜
を形成することかできる。
実施例
本発明の一実施例を第１図ないし第７図に基づいて説明
する。まず、第１図及び第２図に示ずように、ガラス製
の基板ｌの一面に電極であるアルミニュウム製のセグメ
ント電極２をプラズマ蒸着法により形成する。
する。まず、第１図及び第２図に示ずように、ガラス製
の基板ｌの一面に電極であるアルミニュウム製のセグメ
ント電極２をプラズマ蒸着法により形成する。
続いて、第３図及び第４図に示すように、１１′ｌｊ記
セグメント電極２の上に導電性の薄膜としてＺ ｒ〕Ｏ
薄膜３を形成する。この工程は蒸着又はスパッタリング
等により行う。
セグメント電極２の上に導電性の薄膜としてＺ ｒ〕Ｏ
薄膜３を形成する。この工程は蒸着又はスパッタリング
等により行う。
さらに、第５図及び第６図に示すように、ＡｊＪ記Ｚｎ
Ｏ薄膜；３の−Ｆに、導電性の被覆膜としてＺｎＯ粒子
被覆膜４を形成する。この工程は曲工程と異なり電気泳
動作用により行う。すなわち、第７図に示すように、イ
ソプロピルアルコール３Ｑ、に対して５０ｍｇのＡ Ｑ
（Ｎ Ｏ，）、、−９８，０を溶解し、Ｚ ｎ ０粒
子５ｇを分散させた懸濁液６を容器７に入れ、この懸濁
液６中に前記基板ｌと対向電極８とを浸漬し、毎分６０
０回転する直径６０ｍｍのファン９で懸濁液６を撹拌し
ながら、１．ｏｍｍの間隔で対向させたＩＹｊ記セグメ
ント電極２と前記対向電極８とに２０〜４０Ｖの電圧を
１分以内印加することにより、セグメント電極２にＺ
ｎ ０粒子・被覆膜４を形成するものである。続いて、
Ｚ ｎ Ｏ＄）シ子被覆膜４とセグメント電極２の−・
部とを除いて絶縁層５を被覆する。
Ｏ薄膜；３の−Ｆに、導電性の被覆膜としてＺｎＯ粒子
被覆膜４を形成する。この工程は曲工程と異なり電気泳
動作用により行う。すなわち、第７図に示すように、イ
ソプロピルアルコール３Ｑ、に対して５０ｍｇのＡ Ｑ
（Ｎ Ｏ，）、、−９８，０を溶解し、Ｚ ｎ ０粒
子５ｇを分散させた懸濁液６を容器７に入れ、この懸濁
液６中に前記基板ｌと対向電極８とを浸漬し、毎分６０
０回転する直径６０ｍｍのファン９で懸濁液６を撹拌し
ながら、１．ｏｍｍの間隔で対向させたＩＹｊ記セグメ
ント電極２と前記対向電極８とに２０〜４０Ｖの電圧を
１分以内印加することにより、セグメント電極２にＺ
ｎ ０粒子・被覆膜４を形成するものである。続いて、
Ｚ ｎ Ｏ＄）シ子被覆膜４とセグメント電極２の−・
部とを除いて絶縁層５を被覆する。
このように、蒸着、スパッタリング等によりセグメント
電極２にＺｎＯ薄膜３を形成してこのＺｎＯ薄膜３の特
性をＺｎＯ粒子の特性と等し・くすることにより吸着力
、密着力を大きくすることができ、このＺ ｎ Ｏ薄膜
３の上にＺｎＯ粒子被覆膜４を重ねて形成するが、Ｚ
ｎ ０粒子がセグメント電極２の近傍で放電した後セグ
メント電極２」二に析出する過程において、ＺｎＯ薄膜
３とＺｎＯ粒子被覆膜４とが同物質で性質も差がなく、
雨音の吸着力、密着力を促進することができ、また、最
初にＺｎＯ粒子か付着した場所を中心にＺ ｎ Ｏ粒子
被覆膜４が成長するのではなく、セグメント電極２全体
で一様にＺｎＯ粒子被覆膜４が成長する。
電極２にＺｎＯ薄膜３を形成してこのＺｎＯ薄膜３の特
性をＺｎＯ粒子の特性と等し・くすることにより吸着力
、密着力を大きくすることができ、このＺ ｎ Ｏ薄膜
３の上にＺｎＯ粒子被覆膜４を重ねて形成するが、Ｚ
ｎ ０粒子がセグメント電極２の近傍で放電した後セグ
メント電極２」二に析出する過程において、ＺｎＯ薄膜
３とＺｎＯ粒子被覆膜４とが同物質で性質も差がなく、
雨音の吸着力、密着力を促進することができ、また、最
初にＺｎＯ粒子か付着した場所を中心にＺ ｎ Ｏ粒子
被覆膜４が成長するのではなく、セグメント電極２全体
で一様にＺｎＯ粒子被覆膜４が成長する。
これにより、ピンホールの発生を防止することができる
。これにより、ＺｎＯ粒子被覆膜４のエツジの欠落やは
み出しを防止することができ、したがって、３０μｍＸ
３０４ｍの微小で薄いＺｎＯ粒子被覆膜４を形成する場
合においても、輪郭をはっきりさせることができる３、 なお、最終的に形成する被覆膜４の１ζ地となる薄膜３
はＺｎＯに限られることはなく、Ｃｄ０１ＺｎＳ 、
に ｄＳ 、 ＳｎＯ，、１，ｎ、（）、 、
ＩＴＯ（Ｓｒｉ ０２−Ｉ −１” Ｑ）等の被覆
膜に代えても良々ｆなυ・す覆膜がａ）られた１また、
最表層の７． ｎ ０１１７子被ＢＨ膜４を、Ｓ ｎＯ
，、Ｔ ｎ２０．、、ｌ’ ｉ （：ｌ、、ｙ 、 ０
、＋、χｎＳ、ＣｄＳ、’ｌ’、０２Ｓ等のマ鈴了−
Ｐ）Ｊ ＋”Ｊ ＩＩ！Ｊて・も同様の効坐がＩＨ４ら
れた。さらに、セグメンｊ・型枠２か゛７′ルミニュウ
ムやＳ？１１或いは白介″、９の金属で衣）るＪ場合は
良好なｌ ｎ （−）粒子被覆膜／１を形成することか
できることは、ｉ“うまでもないか、Ｊ［金属のＩ ’
ｌ’ ０、Ｓ ｎ Ｃ） 、等によりセグメント電極；
也イ；す［ユ成した場合でも、あｌ＼かじめχｒ１０で
７皮）ですること（こより良好な／、ｎ ＯＩｔ？−ｆ
被々υ膜・１を形成することかできる。Ｉ ｉ’ Ｏの
電極にＡＱ、Ｃ１１、Ｆｅ等の金属粒ｊ′を？ａ首する
場合においても、それぞれ同ｖ′ｆの金属を前もって被
覆するとよい。
。これにより、ＺｎＯ粒子被覆膜４のエツジの欠落やは
み出しを防止することができ、したがって、３０μｍＸ
３０４ｍの微小で薄いＺｎＯ粒子被覆膜４を形成する場
合においても、輪郭をはっきりさせることができる３、 なお、最終的に形成する被覆膜４の１ζ地となる薄膜３
はＺｎＯに限られることはなく、Ｃｄ０１ＺｎＳ 、
に ｄＳ 、 ＳｎＯ，、１，ｎ、（）、 、
ＩＴＯ（Ｓｒｉ ０２−Ｉ −１” Ｑ）等の被覆
膜に代えても良々ｆなυ・す覆膜がａ）られた１また、
最表層の７． ｎ ０１１７子被ＢＨ膜４を、Ｓ ｎＯ
，、Ｔ ｎ２０．、、ｌ’ ｉ （：ｌ、、ｙ 、 ０
、＋、χｎＳ、ＣｄＳ、’ｌ’、０２Ｓ等のマ鈴了−
Ｐ）Ｊ ＋”Ｊ ＩＩ！Ｊて・も同様の効坐がＩＨ４ら
れた。さらに、セグメンｊ・型枠２か゛７′ルミニュウ
ムやＳ？１１或いは白介″、９の金属で衣）るＪ場合は
良好なｌ ｎ （−）粒子被覆膜／１を形成することか
できることは、ｉ“うまでもないか、Ｊ［金属のＩ ’
ｌ’ ０、Ｓ ｎ Ｃ） 、等によりセグメント電極；
也イ；す［ユ成した場合でも、あｌ＼かじめχｒ１０で
７皮）ですること（こより良好な／、ｎ ＯＩｔ？−ｆ
被々υ膜・１を形成することかできる。Ｉ ｉ’ Ｏの
電極にＡＱ、Ｃ１１、Ｆｅ等の金属粒ｊ′を？ａ首する
場合においても、それぞれ同ｖ′ｆの金属を前もって被
覆するとよい。
発明の効果
本＃ｌ！ ｆ！＃は上述のように構ルにしたので、導１
“；討′１．０薄膜を蒸着、スパッタ１．ノング等によ
り電４Ｊ＋に形成してその薄膜の１、？性をその表面に
被覆する被玲１１１′、′！の特性と同じにし又は適合
性を向１ユさせることができ、これにより、被覆膜の吸
着力、密着力を大きくしてピンホールの発生を１１方Ｉ
Ｉ−することかでき、これによシ、１、被覆膜のエツジ
の欠落やはみ出しを防止することができ、したかって、
輪郭のはっきりした微小で膜厚の薄い被覆膜を形成する
ことかできる効果を有する。３
“；討′１．０薄膜を蒸着、スパッタ１．ノング等によ
り電４Ｊ＋に形成してその薄膜の１、？性をその表面に
被覆する被玲１１１′、′！の特性と同じにし又は適合
性を向１ユさせることができ、これにより、被覆膜の吸
着力、密着力を大きくしてピンホールの発生を１１方Ｉ
Ｉ−することかでき、これによシ、１、被覆膜のエツジ
の欠落やはみ出しを防止することができ、したかって、
輪郭のはっきりした微小で膜厚の薄い被覆膜を形成する
ことかできる効果を有する。３
第１図ないし第７図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は基板にセグメンＩ・電極を形成する工程を示す
平面図、第２図はその側面図、第３図はセグメント電（
Φ７１−にｌ ｎ Ｏ薄膜を形１戊する工程を示す・］
伯酊図、第４図はその側面図、第５図は最表層のＺ ｒ
ｉ Ｏ粒子被覆膜及び絶縁層を形成する工程を示す平面
図、第６図はその側面図、第７図はセグメント電極にＺ
ｎ Ｏ粒子被覆膜を電着する状態を示す断面図、第８
図は従来例を示す平面図、第９図はその側面図である。
第１図は基板にセグメンＩ・電極を形成する工程を示す
平面図、第２図はその側面図、第３図はセグメント電（
Φ７１−にｌ ｎ Ｏ薄膜を形１戊する工程を示す・］
伯酊図、第４図はその側面図、第５図は最表層のＺ ｒ
ｉ Ｏ粒子被覆膜及び絶縁層を形成する工程を示す平面
図、第６図はその側面図、第７図はセグメント電極にＺ
ｎ Ｏ粒子被覆膜を電着する状態を示す断面図、第８
図は従来例を示す平面図、第９図はその側面図である。
Claims (1)
- 表面に形成する導電性の被覆膜と同種又は別種の導電
性の薄膜を蒸着、スパッタリング等により電極に形成し
、粒子が分散された懸濁液中に相対向させて浸漬した前
記電極と対向電極とに電圧を印加し前記導電性の薄膜の
表面に前記導電性の被覆膜を電気泳動作用により形成す
るようにしたことを特徴とする粒子被覆膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7476589A JPH02254199A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 粒子被覆膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7476589A JPH02254199A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 粒子被覆膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254199A true JPH02254199A (ja) | 1990-10-12 |
Family
ID=13556705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7476589A Pending JPH02254199A (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 粒子被覆膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254199A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6613603B1 (en) | 1997-07-25 | 2003-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device, process for production thereof, and zinc oxide thin film |
| JP2014507551A (ja) * | 2010-11-30 | 2014-03-27 | クイックハッチ・コーポレーション | 基板上のナノ粒子堆積方法、及び高エネルギー密度素子製作 |
-
1989
- 1989-03-27 JP JP7476589A patent/JPH02254199A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6613603B1 (en) | 1997-07-25 | 2003-09-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device, process for production thereof, and zinc oxide thin film |
| JP2014507551A (ja) * | 2010-11-30 | 2014-03-27 | クイックハッチ・コーポレーション | 基板上のナノ粒子堆積方法、及び高エネルギー密度素子製作 |
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