JPS60129921A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60129921A JPS60129921A JP23816683A JP23816683A JPS60129921A JP S60129921 A JPS60129921 A JP S60129921A JP 23816683 A JP23816683 A JP 23816683A JP 23816683 A JP23816683 A JP 23816683A JP S60129921 A JPS60129921 A JP S60129921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic recording
- permalloy
- recording medium
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は垂直磁気記録方式に適した磁気記録媒体に関す
る。
る。
従来例の構成とその問題点
近年磁気記録の高密度化の進歩は著しく、金属薄膜型磁
気記録媒体の実用化が待たれている。
気記録媒体の実用化が待たれている。
特に磁気記録媒体の磁気記録層の厚さ方向、いわゆる垂
直磁化による記録を行う時は、短波長になるにつれて減
磁界が小さくなる性質をもつため高密度記録に有利であ
り、注目されている。
直磁化による記録を行う時は、短波長になるにつれて減
磁界が小さくなる性質をもつため高密度記録に有利であ
り、注目されている。
とりわけ第１図に示した２層媒体を用いて第２図に示し
た補助磁極励磁形へノドによる記録は、ｒｌｉ層膜に比
べて起磁力で約１柘近い改善がなされることが知られる
ようになり垂直記録への期待は更に強１ってきている。
た補助磁極励磁形へノドによる記録は、ｒｌｉ層膜に比
べて起磁力で約１柘近い改善がなされることが知られる
ようになり垂直記録への期待は更に強１ってきている。
第１図は２層媒体の拡大断面図で、基板２上に透磁率の
大きいパーマロイ薄膜層３とＧｏ−Ｊｒに代表されるＧ
ｏ−Ｍ合金（ＭはＧｒの他に、Ｗ、Ｍｏ。
大きいパーマロイ薄膜層３とＧｏ−Ｊｒに代表されるＧ
ｏ−Ｍ合金（ＭはＧｒの他に、Ｗ、Ｍｏ。
Ｒｕ 、 Ｔｉ 、Ｖ等が垂直方向に磁化可能になる条
件がある？熱願元素として知られている。）からなる垂
直磁化可能な磁気記録層である垂直磁化膜４とで構成さ
れる磁気記録媒体１で、第２図の矢印で示した方向に運
動させて磁気記録を行う際に用いられる。
件がある？熱願元素として知られている。）からなる垂
直磁化可能な磁気記録層である垂直磁化膜４とで構成さ
れる磁気記録媒体１で、第２図の矢印で示した方向に運
動させて磁気記録を行う際に用いられる。
磁気へノドば、第２図では、主磁極５と補助磁極子が媒
体１を挾んで対向配設される構成の場合で、６は励磁巻
線である。主磁極は実際には、セラミック等の支持体に
スパッタリング法等でパーマロイ薄膜を形成して得られ
るが第２図では模式的に主磁極部のみを示した。
体１を挾んで対向配設される構成の場合で、６は励磁巻
線である。主磁極は実際には、セラミック等の支持体に
スパッタリング法等でパーマロイ薄膜を形成して得られ
るが第２図では模式的に主磁極部のみを示した。
かかる構成で記録再生を短波長域で行った時、２層媒体
構成による記録感度は著しく向上しだが磁気記録に必輪
な再生時の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）は必ずしも満足し
得ないので改善が望捷れるっ特に実用面からみるとリン
グへメトによる垂直磁気記録再生で充分なＳ／Ｎがとれ
る媒体は強く望寸れている。
構成による記録感度は著しく向上しだが磁気記録に必輪
な再生時の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）は必ずしも満足し
得ないので改善が望捷れるっ特に実用面からみるとリン
グへメトによる垂直磁気記録再生で充分なＳ／Ｎがとれ
る媒体は強く望寸れている。
発明の目的
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、Ｓ／Ｈの優れ
た垂直磁気記録用の磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
た垂直磁気記録用の磁気記録媒体を提供することを目的
とする。
発明の構成
本発明は、基板上に積層したパーマロイ層と垂直磁化膜
の界面に実質的に配化層をもたないことを特徴とするも
ので、垂直磁化膜の配向性が均一でＳ／Ｎの良好な磁気
記録媒体が得られるものである。
の界面に実質的に配化層をもたないことを特徴とするも
ので、垂直磁化膜の配向性が均一でＳ／Ｎの良好な磁気
記録媒体が得られるものである。
実施例の説明
本発明の磁気記録媒体は第１図に拡大断面図を示した構
成を基本とし、磁気ディスク、磁気テープの形態に応じ
、必要な場合、表面保護層、バソクコ−１・層を配して
成るも、のである。
成を基本とし、磁気ディスク、磁気テープの形態に応じ
、必要な場合、表面保護層、バソクコ−１・層を配して
成るも、のである。
基板２としては、高分子フィルムが主として用いられ、
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリヒダントイン
、ポリパラパニック酸、ポリイミド等から選んで用いら
れる。
ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリヒダントイン
、ポリパラパニック酸、ポリイミド等から選んで用いら
れる。
パーマロイとしては、Ｎｉ−Ｆｅ以外に添加することも
可能であるが、８０％Ｎ１を含むＮｉ−Ｆｅ合金が代表
的であるが、高透磁率層であれば良い。
可能であるが、８０％Ｎ１を含むＮｉ−Ｆｅ合金が代表
的であるが、高透磁率層であれば良い。
垂直磁化膜は、Ｇｏ−Ｏｒ 、 Ｇｏ−Ｔｉ 、 Ｇｏ
−Ｍｎ 。
−Ｍｎ 。
Ｇｏ−Ｍｏ 、 Ｇｏ −Ｖ 、 Ｇｏ −Ｗ 、 Ｇ
ｏ−Ｒｕ 、Ｇｏ−Ｃｒ−Ｒｈ。
ｏ−Ｒｕ 、Ｇｏ−Ｃｒ−Ｒｈ。
Ｇｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の中から選ばれる。
パーマロイ簿膜の製法は、電子ビーム蒸着法。
スパッタリング法のいずれかが好捷しく、垂直磁化膜の
製法は、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法、無電解めっき法等から選ばれる。
製法は、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオン
ブレーティング法、無電解めっき法等から選ばれる。
本発明の磁気記録媒体は、パーマロイ薄膜と、垂直磁化
膜の界面に酸化層がないことを特徴とするもので、かか
る媒体を得るのに、上記した製法に於て、膜形成速度、
真空度等の条件の最適化を図るのは勿論、必要であれば
ドライエツチング法によりパーマロイ薄膜表面を必要量
エツチングするなど適宜下失するべきである。
膜の界面に酸化層がないことを特徴とするもので、かか
る媒体を得るのに、上記した製法に於て、膜形成速度、
真空度等の条件の最適化を図るのは勿論、必要であれば
ドライエツチング法によりパーマロイ薄膜表面を必要量
エツチングするなど適宜下失するべきである。
本発明の磁気記録媒体の構成によりＳ／Ｎが改良される
ことは、後述する実施例で明らかであるがそれは、パー
マロイ薄膜の配向性の影響を垂直磁化膜の特性が強く受
けることに原因がある。
ことは、後述する実施例で明らかであるがそれは、パー
マロイ薄膜の配向性の影響を垂直磁化膜の特性が強く受
けることに原因がある。
即ち結晶配向性が酸化層により乱れるために、垂直磁化
膜の特性が微視的にゆらぐために、高密度記録になると
、このゆらぎがノイズになるためと考えられるものであ
る。
膜の特性が微視的にゆらぐために、高密度記録になると
、このゆらぎがノイズになるためと考えられるものであ
る。
以下に更に具体的に実施例で本発明を訂しく説明するが
、これらに限定を受けるものではないのは勿論である。
、これらに限定を受けるものではないのは勿論である。
（実施例−１〕
厚さ１Ｏ，ｌ１ｍのポリアミドイミド基板を１×１σ３
Ｔｏｒｒノｋｒ雰囲気テ１３．５ＯＭＨｚの高周波を５
６○Ｗ投人ｊ−でのグロー放電処理を、基板の巻取り速
度４ｏｍ／ｍｉｎで行った後、２Ｘ１０−７Ｔｏｒｒで
Ｎ１−Ｆｅ（Ｎｉ８０％）を電子ビーム蒸着した、蒸着
速度ｉ１．ｌ：２７○○入／ｓｅｃで、入射角は±７．
σ以内に制限し、基板１１１ｉ１度は５°Ｃ〜１○°Ｃ
に保持した。厚みは○、４７ハｔであった。
Ｔｏｒｒノｋｒ雰囲気テ１３．５ＯＭＨｚの高周波を５
６○Ｗ投人ｊ−でのグロー放電処理を、基板の巻取り速
度４ｏｍ／ｍｉｎで行った後、２Ｘ１０−７Ｔｏｒｒで
Ｎ１−Ｆｅ（Ｎｉ８０％）を電子ビーム蒸着した、蒸着
速度ｉ１．ｌ：２７○○入／ｓｅｃで、入射角は±７．
σ以内に制限し、基板１１１ｉ１度は５°Ｃ〜１○°Ｃ
に保持した。厚みは○、４７ハｔであった。
その上に電子ビーム蒸着法によりＧｏ−Ｃｒ（Ｃｒ２０
ｗｔ％）の垂［α磁化膜○、２ｐｒｎを形成したものを
テープＡ ＋ １＝＋周波マグネトロンスパッタリング
法に」：すＧｏ−Ｃｒ（Ｏｒ２ｏｗｔ％）の垂直磁化膜
０．２ノ１ｍを形成したものをテープＢとした。
ｗｔ％）の垂［α磁化膜○、２ｐｒｎを形成したものを
テープＡ ＋ １＝＋周波マグネトロンスパッタリング
法に」：すＧｏ−Ｃｒ（Ｏｒ２ｏｗｔ％）の垂直磁化膜
０．２ノ１ｍを形成したものをテープＢとした。
Ｇ ｏ−Ｏｒの電子ビーム蒸着時の基板温度は１１５℃
蒸着速度は２１○○入／’ｓｅｅ、真空度は１×１○−
７Ｔｏｒｒで、入９」角は５．２度以内に制限した。
蒸着速度は２１○○入／’ｓｅｅ、真空度は１×１○−
７Ｔｏｒｒで、入９」角は５．２度以内に制限した。
マグネトロンスパッタリング時の基板温度は６゜°Ｃ蒸
着速度は３００人／ｓｅａ、真空度はあらかじめ９Ｘ１
０ Ｔｏｒｒまで排気してから９９．９９％のアルゴン
ガスを導入して３ Ｘ １０ Ｔｏｒｒで１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を２．４ＫＷ投入した。
着速度は３００人／ｓｅａ、真空度はあらかじめ９Ｘ１
０ Ｔｏｒｒまで排気してから９９．９９％のアルゴン
ガスを導入して３ Ｘ １０ Ｔｏｒｒで１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波電力を２．４ＫＷ投入した。
雨音を０，２／１ｍのパーマロイの電着膜を主磁極とし
、約６００ノｒｍのＭｎ−ＺＨフェライトを補助磁極と
して垂直型ヘッドにより、記録密度９５ＫＥＰＩでのＳ
／Ｎで比較した。テープＡは４７ｄＢ。
、約６００ノｒｍのＭｎ−ＺＨフェライトを補助磁極と
して垂直型ヘッドにより、記録密度９５ＫＥＰＩでのＳ
／Ｎで比較した。テープＡは４７ｄＢ。
テープＢはλ６（ＩＢと良好であった。
これらに比べて、パーマロイ蒸着時の真空度を３×１０
−” Ｔｏｒｒで行う以外は前記した条件で、同様にテ
ープＣ，テープＤを得だ。これらのテープのＳ／／Ｎは
テープＣが３ ｓ ｄＢテープＤが３３ｄＢと悪化して
いた。
−” Ｔｏｒｒで行う以外は前記した条件で、同様にテ
ープＣ，テープＤを得だ。これらのテープのＳ／／Ｎは
テープＣが３ ｓ ｄＢテープＤが３３ｄＢと悪化して
いた。
本発明品と比較例の差は、Ｘ線回折による解析でＧｏ−
Ｏｒ’ｆ４膜の結晶配向性に殆んど差がみられなかった
が、テープＡ、ＢはＮｉ−ＦｅとＣｒｏ−Ｏｒの界面に
酸化層が検出限界以下であったのに対してテープＣとテ
ープＤは約３６人の酸化層が検出された。
Ｏｒ’ｆ４膜の結晶配向性に殆んど差がみられなかった
が、テープＡ、ＢはＮｉ−ＦｅとＣｒｏ−Ｏｒの界面に
酸化層が検出限界以下であったのに対してテープＣとテ
ープＤは約３６人の酸化層が検出された。
〔実施例−２）
厚み２６ノｉｍのポリイミド基板を１００°Ｃに３日間
保存してからこの基板上にＮニーＦｅ（Ｎｉ−８０％）
膜を高周波マグネトロンスパッタリング法により○、５
、ｉｉｍ形成した。形成時の真空度は１×１σ２Ｔｏ
ｒｒで１３．５６ ＭＨ２の高周波電力を２．６ＫＷ投
入してスパッタリングした。
保存してからこの基板上にＮニーＦｅ（Ｎｉ−８０％）
膜を高周波マグネトロンスパッタリング法により○、５
、ｉｉｍ形成した。形成時の真空度は１×１σ２Ｔｏ
ｒｒで１３．５６ ＭＨ２の高周波電力を２．６ＫＷ投
入してスパッタリングした。
この上に直接実施例−１と同一の条件で、Ｃ０−Ｇｒの
電子ビーム蒸着膜とＧｏ−Ｃａｒのスパッタリング膜を
夫々０．２ ／ＩＮ形成し、それぞれテープＥ、テープ
Ｆとし、前記Ｎ ｉ −、Ｆ ｅ膜をＡｒで１．Ｘ １
０−４’ＴＯｒｒ。
電子ビーム蒸着膜とＧｏ−Ｃａｒのスパッタリング膜を
夫々０．２ ／ＩＮ形成し、それぞれテープＥ、テープ
Ｆとし、前記Ｎ ｉ −、Ｆ ｅ膜をＡｒで１．Ｘ １
０−４’ＴＯｒｒ。
１．２ ＫＷ （１３，５６ＭＨｚ ）の条件で表面を
スノ々ツタエッチ／グしてから、同様にＧｏ−Ｏｒ垂直
磁化膜を電子ビーム蒸着法と高周波マグネトロンスパッ
タリング法とで形成し夫々テープＧ、テープＨとした。
スノ々ツタエッチ／グしてから、同様にＧｏ−Ｏｒ垂直
磁化膜を電子ビーム蒸着法と高周波マグネトロンスパッ
タリング法とで形成し夫々テープＧ、テープＨとした。
これらを実施例−１で用いた磁気ヘッドを用いて、１２
０ＫＢＰＩでのＳ／Ｎを比較検討した結果テープＥは３
６ｄＢ、テープＦは３２ｄＢ、、テープＧは４ｓｄＢ、
テープＨは４ ｅ ｄＢであった。夫々のテープのＮｉ
−Ｆｅ 、 ｃｏ−Ｏｒの界面の酸化層について調べた
ところ、テープ゛Ｅは５５人、テープＦは了０入、テー
プＧ、テープＨ，１ｌ−ｉ検出限界以下であった。
０ＫＢＰＩでのＳ／Ｎを比較検討した結果テープＥは３
６ｄＢ、テープＦは３２ｄＢ、、テープＧは４ｓｄＢ、
テープＨは４ ｅ ｄＢであった。夫々のテープのＮｉ
−Ｆｅ 、 ｃｏ−Ｏｒの界面の酸化層について調べた
ところ、テープ゛Ｅは５５人、テープＦは了０入、テー
プＧ、テープＨ，１ｌ−ｉ検出限界以下であった。
これらのテープはリングヘッド、薄膜ヘッド等の他のタ
イプの磁気へノドでも本発明品のＳ／Ｎは実用になる値
を示したのに対し、比較例は６６Ｂから１ｓｄＢぐらい
劣っていた。
イプの磁気へノドでも本発明品のＳ／Ｎは実用になる値
を示したのに対し、比較例は６６Ｂから１ｓｄＢぐらい
劣っていた。
発明の効果
本発明は、２層媒体構造の垂直記録媒体にあって、パー
マロイ薄膜と垂直磁化膜の界面に酸化層をもたない構成
にすることにより、微視的に均一な垂直磁化膜を得、そ
の結果、高記録密度領域でのＳ／Ｎを大幅に改良し、実
用化を可能にするものである。
マロイ薄膜と垂直磁化膜の界面に酸化層をもたない構成
にすることにより、微視的に均一な垂直磁化膜を得、そ
の結果、高記録密度領域でのＳ／Ｎを大幅に改良し、実
用化を可能にするものである。
第１図は垂直記録用の磁気記録媒体の拡大断面図、第２
図は補助磁極励磁型の垂直磁気へノドによる磁気記録を
説明するだめの図である。 １− 垂直磁気記録用磁気記録媒体、２− 基板、３
・ パーマロイ薄膜層、４ 垂直磁化膜、５−主磁極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
図は補助磁極励磁型の垂直磁気へノドによる磁気記録を
説明するだめの図である。 １− 垂直磁気記録用磁気記録媒体、２− 基板、３
・ パーマロイ薄膜層、４ 垂直磁化膜、５−主磁極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図
Claims (1)
- 基板上にパーマロイ薄膜と垂直磁化膜を積層して成る磁
気記録媒体であって、前記パーマロイ薄膜と垂直磁化膜
の界面に酸化層がないことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23816683A JPS60129921A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23816683A JPS60129921A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60129921A true JPS60129921A (ja) | 1985-07-11 |
Family
ID=17026163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23816683A Pending JPS60129921A (ja) | 1983-12-16 | 1983-12-16 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60129921A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5891A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 熱交換装置 |
| JPS58158028A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-16 JP JP23816683A patent/JPS60129921A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5891A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 熱交換装置 |
| JPS58158028A (ja) * | 1982-03-15 | 1983-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
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