JPS60124882A - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
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- JPS60124882A JPS60124882A JP58231539A JP23153983A JPS60124882A JP S60124882 A JPS60124882 A JP S60124882A JP 58231539 A JP58231539 A JP 58231539A JP 23153983 A JP23153983 A JP 23153983A JP S60124882 A JPS60124882 A JP S60124882A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[利用分野]
本発明は、基板上にシリコンを主成分とした:11品質
半導体層からなる非晶質太陽電池の製造方法に関する。
半導体層からなる非晶質太陽電池の製造方法に関する。
1−
更に詳しくは非晶質半j■1の局所的不良を大+11に
減少させ、大面積化を可能とする方法に関する。
減少させ、大面積化を可能とする方法に関する。
[従来技術]
光起電力層としてシリコンを主成分とりるJ1品質半導
体岡を用いた非晶質太陽電池は、1976′J口〕。
体岡を用いた非晶質太陽電池は、1976′J口〕。
I三、 Carlson等によって試作されていらいそ
の光電変換効率(以下、「変換効率」と略記り−る。)
を向−1−さける努力が、種々の角度から41されでい
る。そして、小面積の太陽電池では10%を越える′−
で、小面積での成果がそのまま反映されず、J:Iごそ
の変換効率は十分でなく、この面からの改善が望まれで
いる。
の光電変換効率(以下、「変換効率」と略記り−る。)
を向−1−さける努力が、種々の角度から41されでい
る。そして、小面積の太陽電池では10%を越える′−
で、小面積での成果がそのまま反映されず、J:Iごそ
の変換効率は十分でなく、この面からの改善が望まれで
いる。
E本発明の目的]
本発明をよ、かかる現状に鑑みなされたもので、前)ホ
の局所的不良を減少さ「、大面積化を可能とする太陽電
池の製造1ノ法をl]的としたものである。
の局所的不良を減少さ「、大面積化を可能とする太陽電
池の製造1ノ法をl]的としたものである。
[本発明の構成及び作用効果]
上述の目的は以下の本発明により達成される。
すなわち、本発明は、シリコンを主成分とした非晶質半
導体層からなる太陽電池の製造方法において、少なくと
も非晶質半導体層形成後、水蒸気存在下で熱処理するこ
とを特徴とするものである。
導体層からなる太陽電池の製造方法において、少なくと
も非晶質半導体層形成後、水蒸気存在下で熱処理するこ
とを特徴とするものである。
本発明は、公知のシリコンを主成分とした非晶質半導体
層からなる太陽電池に適用できる。その具体例としては
以下のものが挙げられる。
層からなる太陽電池に適用できる。その具体例としては
以下のものが挙げられる。
基板としては、ガラス、セラミックス、高分子フィルム
、又はシート上に低抵抗金属層又は透明導電膜を電極と
して設けたもの、あるいは鏡面研磨した金属板などがあ
げられる。
、又はシート上に低抵抗金属層又は透明導電膜を電極と
して設けたもの、あるいは鏡面研磨した金属板などがあ
げられる。
シリコンを主成分とした非晶質半導体層として0−放電
分解法では、10〜0.ITorrに相持された真空槽
内で、基板を100〜400℃に加熱した基板ホルダー
に密着させる。この基板ホルダーに密着させる。この基
板ボルダ−を一方の電極どし、それと対向J−る電極と
の間に13.56 M l−I Zの高周波電力を供給
する。真空槽内にはシラン(Si1−14)、ジボラン
(132L16) 、小スフィン(Pl−13)などの
ガスを順次導入してグロー放電を起こし、所定の潜込に
前記ガスの分解生成物をJN積せしめ、非晶質半導体層
を設【ノる。炭素原子を第三成分元素どして導入する時
はメタン、二Fタンなどの炭化水素をシランガスあるい
は水素ガス中に適当量混入させる事によつC可能である
。ま1=、投入高周波電力を増加ざけ非晶質シリコ2層
の中に一部微結晶層を導入さlても良い。非晶質シリニ
1ン層は、ボ[1ンを含lυだp型層、リンを含lυだ
n型層、これらを含まない1型層などJ:りなるが、こ
れらの構成類はp −1−n型またはn −i −pを
のいずれかに1.Tる。また、これらの非晶質シリコン
層を複数個積層したタンデム型でもよい。
分解法では、10〜0.ITorrに相持された真空槽
内で、基板を100〜400℃に加熱した基板ホルダー
に密着させる。この基板ホルダーに密着させる。この基
板ボルダ−を一方の電極どし、それと対向J−る電極と
の間に13.56 M l−I Zの高周波電力を供給
する。真空槽内にはシラン(Si1−14)、ジボラン
(132L16) 、小スフィン(Pl−13)などの
ガスを順次導入してグロー放電を起こし、所定の潜込に
前記ガスの分解生成物をJN積せしめ、非晶質半導体層
を設【ノる。炭素原子を第三成分元素どして導入する時
はメタン、二Fタンなどの炭化水素をシランガスあるい
は水素ガス中に適当量混入させる事によつC可能である
。ま1=、投入高周波電力を増加ざけ非晶質シリコ2層
の中に一部微結晶層を導入さlても良い。非晶質シリニ
1ン層は、ボ[1ンを含lυだp型層、リンを含lυだ
n型層、これらを含まない1型層などJ:りなるが、こ
れらの構成類はp −1−n型またはn −i −pを
のいずれかに1.Tる。また、これらの非晶質シリコン
層を複数個積層したタンデム型でもよい。
この非晶質半導体層の1−に、例えばショッ1〜キー接
合セルの場合には、ショッ1−キー障壁金属どして白金
、金、パラジウム等をスパッタ法や真空3− 蒸着法で堆積する。またへゾロ接合セルの場合には、酸
化インジウム、酸化スズ等の、薄膜を200〜2000
人前後の膜厚になるようにスパッタ法や真空蒸着法でi
tt積し、表面電極を形成する。
合セルの場合には、ショッ1−キー障壁金属どして白金
、金、パラジウム等をスパッタ法や真空3− 蒸着法で堆積する。またへゾロ接合セルの場合には、酸
化インジウム、酸化スズ等の、薄膜を200〜2000
人前後の膜厚になるようにスパッタ法や真空蒸着法でi
tt積し、表面電極を形成する。
次に、収集電極をショッ1−キー障壁金属、ヘラロ電極
表面−トに設けて非晶質シリコン太陽電池とする。
表面−トに設けて非晶質シリコン太陽電池とする。
ところで、本発明の熱処理は、非晶質半導体層の局所欠
陥を修復するものであるから、少なくとも非晶質半導体
形成後に行なわれる。具体的には、上述の非晶質半導体
形成直後、あるいは表面電極形成後、更には収集電極形
成後のいずれか又は重複して行なわれるが、電極形成等
の中間プロセスで発生1゛る欠陥も修復できる貞から、
出来るだけ最終プロセス以後で行なわれることが好まし
い。
陥を修復するものであるから、少なくとも非晶質半導体
形成後に行なわれる。具体的には、上述の非晶質半導体
形成直後、あるいは表面電極形成後、更には収集電極形
成後のいずれか又は重複して行なわれるが、電極形成等
の中間プロセスで発生1゛る欠陥も修復できる貞から、
出来るだけ最終プロセス以後で行なわれることが好まし
い。
水蒸気存在下での熱処理とは、水蒸気が適度に存在すれ
ば良く、その背狽雰囲気は真空でも、空気中でも、不活
性ガス等の特定ガス中でも良い。
ば良く、その背狽雰囲気は真空でも、空気中でも、不活
性ガス等の特定ガス中でも良い。
かかる熱処理の具体的手順としては以下のものが挙げら
れる。すなわち、真空高温下で水蒸気を真 4− 空槽内へ侵入させ処理する方法、空気中室温で高温水蒸
気を吹き付けて処理する方法、あるいは断金、水蒸気の
温度は40〜300℃にする。恒温恒湿槽内に放置して
処理する場合、温度40℃以」二、好ましくは温度70
℃以上、湿度60%以上にする。さらに短絡部等の欠陥
部を短時間に確実に減少させるために温度は80℃以上
が好ましい。
れる。すなわち、真空高温下で水蒸気を真 4− 空槽内へ侵入させ処理する方法、空気中室温で高温水蒸
気を吹き付けて処理する方法、あるいは断金、水蒸気の
温度は40〜300℃にする。恒温恒湿槽内に放置して
処理する場合、温度40℃以」二、好ましくは温度70
℃以上、湿度60%以上にする。さらに短絡部等の欠陥
部を短時間に確実に減少させるために温度は80℃以上
が好ましい。
処理時間は温度、湿度によって異なるが、一般に高温、
高湿の方が処理時間は短くなる。例えば80℃95%で
は1時間で・充分である。
高湿の方が処理時間は短くなる。例えば80℃95%で
は1時間で・充分である。
従って、実用的な時間、数時間以内で所望の効果を1q
る点からは熱処理条件は温度が70℃以上で、70℃で
の相対湿度が60%以上の水蒸気が存在することが好ま
しい。真空中、特定ガス中でも同様である。
る点からは熱処理条件は温度が70℃以上で、70℃で
の相対湿度が60%以上の水蒸気が存在することが好ま
しい。真空中、特定ガス中でも同様である。
以下、本発明の実施例を比較例と共に説明Jる。
[実施例1.2]
基板として、厚さ75μmのポリエチレンテレフタレー
トフィルムを240℃で3分間熱処理したものを用いた
。このフィルムの上に0.16μmのAg3引き続いて
その上に100人のステンレス合金をスパッタリング法
によって積層し電極とした。この電極を設けた基板をグ
ロー放電反応装圃内の平行H4/H2(10容量%)混
合ガスをB2H6/SiH4が1.0容量%になるにう
に調節して導入し、IOWの高周波電力を投入して厚さ
500人のn型シリコン層を設けた。続いて5iL14
/112(10容M%)ガスのみを導入し、IOWの高
周波電力を投入して厚さ4500人のi型シリコン層を
設けた。さらに続いて、PH3/H2(2容量%)十S
i H4/H2(3,3容量%)混合ガスをP l−1
3/Sfl」4が0.5容量%になるように導入し、2
00Wの高周波電力を投入して厚さ180人のn型シリ
コン層を設けた。
トフィルムを240℃で3分間熱処理したものを用いた
。このフィルムの上に0.16μmのAg3引き続いて
その上に100人のステンレス合金をスパッタリング法
によって積層し電極とした。この電極を設けた基板をグ
ロー放電反応装圃内の平行H4/H2(10容量%)混
合ガスをB2H6/SiH4が1.0容量%になるにう
に調節して導入し、IOWの高周波電力を投入して厚さ
500人のn型シリコン層を設けた。続いて5iL14
/112(10容M%)ガスのみを導入し、IOWの高
周波電力を投入して厚さ4500人のi型シリコン層を
設けた。さらに続いて、PH3/H2(2容量%)十S
i H4/H2(3,3容量%)混合ガスをP l−1
3/Sfl」4が0.5容量%になるように導入し、2
00Wの高周波電力を投入して厚さ180人のn型シリ
コン層を設けた。
このn型シリコン層の十にI n /Sn ==<15
15重圓%組成のターゲラ1〜を用いて電子ビーム蒸着
法で透明電極を設()、更にAgの収集電極を設りた。
15重圓%組成のターゲラ1〜を用いて電子ビーム蒸着
法で透明電極を設()、更にAgの収集電極を設りた。
これらのセルのセル特+11をAMl、1(lomW/
ctAの条件だツーラージコミレータ−を用いて測定し
1こ 。
ctAの条件だツーラージコミレータ−を用いて測定し
1こ 。
該太陽電池の初期持重11は解放ミル0.57 V、短
絡電流10.4771.△/ cri、曲線因子24.
4%であったが、この太陽電池を本発明になる高温水蒸
気雰囲気下7− [比較例1,実施例3] 実施例1,2ど同様の基板を用いて、実施例1。
絡電流10.4771.△/ cri、曲線因子24.
4%であったが、この太陽電池を本発明になる高温水蒸
気雰囲気下7− [比較例1,実施例3] 実施例1,2ど同様の基板を用いて、実施例1。
2と同様の方法で非晶質シリコン層を設【プた。
この非晶質シリコン層の上に実施例1,2と同様の方法
で3 X 3 mrhの透明電極を40個形成した。
で3 X 3 mrhの透明電極を40個形成した。
更にAgの収集電極をもう【プた。
これらの40讃のセルの特徴をAMl,100mW/c
dの条件でソーラシコミレーターを用いて測定した。測
定したセルのうち開放電圧0,8V以上のセせる処理を
行なった。その結果下表に示すごとく高温水蒸気を接触
させる処理が点欠陥を修復することができ、太陽電池の
生存率が向上した。
dの条件でソーラシコミレーターを用いて測定した。測
定したセルのうち開放電圧0,8V以上のセせる処理を
行なった。その結果下表に示すごとく高温水蒸気を接触
させる処理が点欠陥を修復することができ、太陽電池の
生存率が向上した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 シリコンを主成分とした非晶質半導体層かで60
%以上である特許請求範囲第1項記載の太陽電池の製造
方法。 3、 非晶質半導体層がp−1−n型またはn−(−p
型構造を有する、特許請求の範囲第1項若しくは第2項
記載の太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58231539A JPS60124882A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58231539A JPS60124882A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60124882A true JPS60124882A (ja) | 1985-07-03 |
JPH0515070B2 JPH0515070B2 (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16925080
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58231539A Granted JPS60124882A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60124882A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5421265A (en) * | 1977-07-19 | 1979-02-17 | Mitsubishi Electric Corp | Forming method of semiconductor oxide film |
JPS5633889A (en) * | 1979-08-28 | 1981-04-04 | Rca Corp | Amorphous silicon solar battery |
JPS584984A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-12 | ア−ルシ−エ−・コ−ポレ−シヨン | 太陽電池の性能を改善する方法 |
JPS58158977A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-21 | ユニバ−シテイ・オブ・デラウエア | 薄膜太陽電池を製造する方法及び装置 |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58231539A patent/JPS60124882A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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