JPS584984A - 太陽電池の性能を改善する方法 - Google Patents

太陽電池の性能を改善する方法

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JPS584984A JP57108271A JP10827182A JPS584984A JP S584984 A JPS584984 A JP S584984A JP 57108271 A JP57108271 A JP 57108271A JP 10827182 A JP10827182 A JP 10827182A JP S584984 A JPS584984 A JP S584984A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は太陽電池の性能を改善する方法、特に太陽電
池の製造工程中に発生する電気的短絡と分路な除去する
方法に関する・ 米国特許第４０６４５２１号明細書記載のアモルファス
シリコン太陽電池の様な薄膜太陽電池では電圧と電流の
出力がその製造工程中に発生する電気的短絡または分路
によって著しく減少したね、完全になくなることがある
。電気的短絡は半導体基体中に表裏両面の電極を接続す
るピンホールの様な孔がある場合や半導体基体中を導電
性金属が貫通している場合に生じる。
分路とは不完全な障壁の形成やショットキ障壁の代９に
高仕事函数金属によるオーム接触の形成による半導体基
体中の電荷の損失である。これらの短絡や分路を引き起
す太陽電池の・欠陥の問題は太陽電池が大型になるにつ
れて着しく増加する。
大面積の太陽電池を経済的に製造するにＦｉ、製造工程
中で短絡や分路な除去する方法か製造後のこれらの欠陥
を除去する方法を開発せねばならない。米国特許第４１
６６９１８号明細書には大面積太陽電池の電気的短絡と
分路の欠陥を除去する方法が記載されている０この方法
は降伏電圧以下の十分高い逆バイアス電圧を用いて太陽
１陽の欠陥を焼き取るものであるが為この方法は改良の
余地があることがわかっている。
この発明によれば１短絡や分路を持つ太陽電池を電解液
に浸漬して逆バイアスを印加するが１このとき電流は短
絡や分路だけを流れて残りの電池部分には流れず為電気
メツキ作用が気泡衝撃による機械的作用によると考えら
れる動作によって短絡や分路が除去されることが判った
。この除去の機構は正確にはわかっていないが１この発
明は従来法で成功しなかった太陽電池の短絡と分路の除
去ができることを示した。以下添付図面を参照しつつこ
の発明の詳細な説明する。
この発明ではまず図示の様に電解液１２を入れた容器１
０を準備し１短絡や分路を持つ太陽電池１４を電極１６
と共に電解液１２に浸漬する。電ｆＭ１６を電源１８の
１端子に接続し）電源１８の他端子を太陽電池１４の１
端子に接続する。後述のように電源１８＆ｔ１：対する
太陽電池１４と電極１６の接続は太陽電池１４の整流接
合が逆バイアスされる様に決める。この結果電流は太陽
電池１４中の短絡や分路だけを流れ１しかもこの電流は
ある種のエツチングにより短絡や分路が十分除去される
時間しか流れない。この機構は現在の所正確ｖｃＦｉわ
かつていないが為短絡や分路がその周囲に孔が形成され
ることによって太陽電池１４から電気的に除去されるこ
とになる。
例トシてアモルファスシリコン太陽電池１４ヲ２ボルト
の逆バイアス電圧を印加しつつ１３分間希釈しｆｅ硫酸
（Ｈ２ＳＯ４）の電解液に浸漬したところ１その太陽電
池中にあって従来法すなわち米国特許第４１６６９１８
号の方法では除去されない短絡や分路が除去される。
一般にこの発明の方法では溶液が”適正極性の電流が流
れるときしかエツチング作用のない電解液である必要が
ある。このときエツチング速度は電流が最大のと、こる
すなわち短絡や分路があるところで最大になる。この電
流の極性は電源１８の極性で決まるが、その太陽電池１
４の構造に適したものでなければならない。従って１こ
の方法では一般にＰ型とＮ型領域の間に真性領域を持つ
ダイオード構造の太陽電、池１４の場合電源１８を太陽
電池が逆バイアスされる様に接続する必要がある。こう
すれば電流は短絡や分路が存在するところ以外を流れな
いようになる。短絡または分路のあるところでは逆バイ
アスされた半導体の障壁の存在によりこの電流が阻止さ
れないため１−この高電流密度の　　”領域で電解エツ
チングが進行する。このエツチングは高電流領域が存在
する間すなわち短絡や分路が除去されるまで続くこ七に
なる。
図示の実施例では１太陽電池１４がステンレヌ鋼金シミ
ソトキ障壁層２６が接触している。適業者、の認知する
ようにこの太陽電池１４わ構造は１つの代表例を示した
ものにすぎず、この構造しか使用されないというもので
はない。
ステンレス鋼の基板２ｏは絶縁導線２８を介して電源１
８の正端子に接続するが、この導線２８は電解液１２中
にある部分に電流が流れない様に絶縁しておく必要があ
る。同様の理由でステンレス鋼の基板２０の露出部も塗
料の様な絶縁層３ｏで被覆する。この発明の推奨実施例
では通常金か白金から成る電極１６を同様に電解液１２
に侵されない様に絶縁した導線３２により電源１８の負
端子に接続する。
電流は太陽電池の短絡や分路のある部分から電解液１２
を通って電極１６に流れるＯＮ型領域を電源１８の正端
子に接続する電池構造では通常電解液に硫酸か希釈硫酸
銅（ＣｕＳｏ４’）溶液を用いる。
逆に太陽電池が導電性基板にＰ型領域が隣接したヌテン
レス鋼基板７ｐ−ｘ−Ｎ／酸化インジウム錫（工Ｔｏ）
の構造を持つ場合は、ステンレス鋼の基板を電源１８の
負端子に接続し１水酸化アンモニウム（ＮＨ４０Ｈ）の
２０％溶液の様な電解液を用いればより。
【図面の簡単な説明】
図はこの発明の方法を示す断面図である。 １０・・・容器・１２・・・電解液）１４・・・太陽電
池１６・・・電極１１８・・・電源％　２８Ｓ３２・・
・導線。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　高導電度の電極が１つの層に接触している型
    の太陽電池の性能を改善する方法であって、その太陽電
    池を電解液に浸漬し、その電解液を介して上記高導電度
    の電極に逆バイアス電圧を印加し１これによって太陽電
    池中の短絡または分路を除去することを特徴とする方法
    。
JP57108271A 1981-06-26 1982-06-22 太陽電池の性能を改善する方法 Granted JPS584984A (ja)

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US277983 1981-06-26
US06/277,983 US4385971A (en) 1981-06-26 1981-06-26 Electrolytic etch for eliminating shorts and shunts in large area amorphous silicon solar cells

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JPS584984A true JPS584984A (ja) 1983-01-12
JPH0473306B2 JPH0473306B2 (ja) 1992-11-20

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