DE3223432A1 - Verfahren zum beseitigen von kurz- oder nebenschluessen in einer solarzelle - Google Patents

Verfahren zum beseitigen von kurz- oder nebenschluessen in einer solarzelle

Info

Publication number
DE3223432A1
DE3223432A1 DE19823223432 DE3223432A DE3223432A1 DE 3223432 A1 DE3223432 A1 DE 3223432A1 DE 19823223432 DE19823223432 DE 19823223432 DE 3223432 A DE3223432 A DE 3223432A DE 3223432 A1 DE3223432 A1 DE 3223432A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
solar cell
electrolyte
shunts
short circuits
conductive electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19823223432
Other languages
English (en)
Other versions
DE3223432C2 (de
Inventor
George Allan 08902 North Brunswick N.J. Swartz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE3223432A1 publication Critical patent/DE3223432A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3223432C2 publication Critical patent/DE3223432C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/20Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
    • H01L31/208Particular post-treatment of the devices, e.g. annealing, short-circuit elimination
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S136/00Batteries: thermoelectric and photoelectric
    • Y10S136/29Testing, calibrating, treating, e.g. aging

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Weting (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beseitigen von Kurz- oder Nebenschlüssen in einer Solarzelle durch Anlegen einer Sperrspannung an die Zelle*
Die von einer Dünnschicht-Solarzelle, z.B. einer Solarzelle aus amorphem Silizium gemäß US-PS 40 64 521 gelieferten Spannungen und Ströme können durch beim Herstellen der Zelle gebildete elektrische Kurz- oder Nebenschlüsse wesentlich vermindert oder vollständig aufgehoben werden. Elektrische Kurzschlüsse treten entweder auf, wenn im Halbleiterkörper ein die Vorder- und Rückseiten-Elektroden verbindendes Loch, z.B. ein Nadelloch, vorhanden ist oder wenn sich ein leitendes Metall durch den Halbleiterkörper erstreckt.
Unter dem Begriff Nebenschluß wird der Ladungsverlust in dem Halbleiterkörper verstanden, der entweder durch eine unvollkommene Sperrschichtbildung oder - anstelle einer Schottkyschen Randschicht - das Entstehen eines ohmschen Kontakts durch ein Metall mit hoher Austrittsarbeit begründet wird. Die zur Kurz- und Nebenschlüssen in Solarzellen führenden Schwierigkeiten nehmen mit zunehmender Solarzellenfläche stark zu.
Wenn großflächige Solarzellen wirtschaftlich hergestellt werden sollen, muß das Entstehen der Kurz- und Nebenschlüsse entweder beim Herstellen unterdrückt werden, oder diese Defekte müssen nach der Herstellung geheilt werden. In der US-PS 41 66 918 wird ein Verfahren zum Beseitigen der Wirkung elektrischer Kurz- und Nebenschlüsse in großflächigen Solarzellen beschrieben. Bei diesem Verfahren wird eine Sperrspannung ausreichender Größe zum
-A-
Aus- bzw. Durchbrennen der Defekte in der Solarzelle angewendet. Die Sperrspannung soll dabei kleiner als die Durchbruchspannung der jeweiligen Solarzelle sein. Das Verfahren hat aber nicht in allen Fällen den gewünschten Erfolg gebracht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Leistungsfähigkeit von Solarzellen noch weiter zu verbessern und insbesondere ein gegenüber dem aus der US-PS 41 66 918 bekannten Verfahren zum Beseitigen von während der Herstellung der Solarzellen entstandenen elektrischen Kurz- und Nebenschlüssen überlegenes Verfahren zu schaffen. Die erf indungsgernäße Lösung besteht bei dem Verfahren eingangs genannter Art, bei dem eine Sperrspannung an die Zelle angelegt wird, darin, daß die Solarzelle in einen Elektrolyten getaucht und die Sperrspannung über den Elektrolyten an eine eine der Schichten der Solarzelle kontaktierende, gutleitende Elektrode angelegt wird.
Erfindungsgemäß wird eine einen Kurzschluß oder einen Nebenschluß enthaltende Solarzelle in eine elektrolytische Lösung gesetzt und mit einer Sperrvorspannung beaufschlagt. Dabei hat sich gezeigt, daß der der Sperrspannung entsprechende Sperrstrom nur durch den Kurz- oder Nebenschluß und nicht durch den übrigen Teil der Zelle fließt. Nach Auffassung des Erfinders wird der Kurzschluß oder Nebenschluß dabei entweder durch Elektroplattieren von der Zelle oder durch mechanisches Entfernen über ein "Blasen-Spreng"-Verfahren (bubble blasting process) beseitigt. Worin auch immer das Wesentliche des Wirkungsmechanismus des erfindungsgemäßen Verfahrens liegen mag, im Ergebnis konnten jedenfalls hierdurch Kurz- und Neben-
Schlüsse von Solarzellen in solchen Fällen geheilt werden, in denen das aus der US-PS 41 66 918 bekannte Verfahren versagte. Verbesserungen und weitere Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens werden in den Unteransprüchen beschrieben.
Anhand der schematischen Zeichnung eines Querschnitts einer Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens werden Einzelheiten der Erfindung erläutert.
Die Zeichnung zeigt einen Behälter 10 mit darin befindlichem Elektrolyten 12. In den Elektrolyten 12 wird eine Kurzschlüsse und/oder Nebenschlüsse enthaltende Solarzelle 14 ebenso wie eine gesonderte Elektrode 16 eingesetzt. Die Elektrode wird mit einem Pol einer Spannungsquelle 18 verbunden, deren anderer Pol auf eine Klemme der Solarzelle 14 geschaltet wird. Wie sich aus dem folgenden ergibt, wird die Spannungsquelle 18 dabei so geschaltet, daß der gleichrichtende Übergang der Solarzelle- 14 in Sperr-Richtung belastet wird. Als Folge dieser Schaltung flxeßt der Strom nur durch die Kurzschlüsse und/oder Nebenschlüsse der Zelle und zwar nur solange, bis die Kurzschlüsse und/oder Nebenschlüsse durch einen eine Art Ätzung umfassenden Vorgang beseitigt sind. Der genaue Wirkungsmechanismus kann jedoch auch anderer Natur sein. Das Ergebnis besteht insbesondere darin, daß rund um einen Kurzschluß und/oder Nebenschluß ein Loch gebildet und dadurch der Kurzschluß oder Nebenschluß elektrisch aus der Solarzelle 14 entfernt wird.
In einem Ausführungsbeispiel wurden Solarzellen aus amorphem Silizium drei Minuten lang in einen aus verdünnter Schwefelsäure (H2SO4) bestehenden Elektrolyten gesetzt und dabei mit einer Sperrspannung von zwei Volt belastet. Es zeigte sich, daß Kurzschlüsse und/oder Nebenschlüsse, die nach bisherigen Verfahren, namentlich nach dem Verfahren nach der US-PS 41 66 918 nicht beseitigt werden konnten, nach Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens entfernt waren.
Im allgemeinen kann gesagt werden, daß für das erfindungsgemäße Verfahren als Elektrolyt eine Lösung anzuwenden ist, die nur bei Anlegen eines Stroms geeigneter Polarität ätzt. Dabei wird dann dort am stärksten bzw. schnellsten geätzt, wo der Strom am stärksten ist, d.h. wo ein Kurzschluß oder Nebenschluß liegt. Die durch die Polarität der Spannungsquelle 18 bestimmte Polarität des Stroms muß der speziellen Struktur der jeweiligen Solarzelle 14 angepaßt werden. Da die Solarzelle 14 typisch eine diodenartige Struktur mit einer eigenleitenden Zone zwischen einer p-leitenden Zone und einer η-leitenden Zone besitzt, erfordert das erfindungsgemäße Verfahren es also, die Spannungsquelle so gepolt anzulegen, daß die Solarzelle in Sperr-Richtung belastet wird. Es wird also im wesentlichen - außer am Ort eines Kurzschlusses oder Nebenschlusses - kein Strom fließen. Im Bereich eines Kurzschlusses oder Nebenschlusses wird der Stromfluß durch einen in Sperr-Richtung vorgespannten Halbleiterübergang nicht behindert. In den entsprechenden Bereichen hoher Stromdichte ergibt sich demnach eine elektrolytische Ätzung. Diese wird solange fortgesetzt, wie der hohe Strom existiert, d.h. bis der Kurzschluß und/oder Nebenschluß entfernt worden ist.
Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 stellt eine spezielle Solarzelle 14 dar, die ein Substrat 20 aus rostfreiem Stahl mit darauf gebildeter η-leitender Schicht 22, typisch aus amorphem Silizium, besitzt. An die n-leitende Zone 22 grenzt eine eigenleitende Zone 24, die von einer aus Platin bestehenden Schottkyschen Sperrschicht 26 kontaktiert wird. Es sei jedoch darauf hingewiesen, daß die spezielle in der Zeichnung dargestellte und beschriebene Solarzellenstruktur lediglich zur Illustration der Erfindung dient und daß Solarzellen, insbesondere Dünnschicht-Solarzellen, verschiedenster Art erfindungsgemäß zu behandeln sind.
Das aus rostfreiem Stahl bestehende Substrat 20 wird über einen isolierten, leitenden Draht 28 mit der positiven Klemme der Spannungsquelle 18 verbunden. Der Draht 28 muß isoliert werden, um einen Stromfluß durch die in den Elektrolyten 12 eingetauchten Teile des Drahts zu verhindern. Aus ähnlichen Gründen wird eine Isolierschicht 30, z.B. eine Farbe, auf die freigelegten Teile des aus rostfreiem Stahl bestehenden Substrats 20 aufgebracht. Eine vorzugsweise entweder aus Gold oder Platin bestehende Elektrode 16 wird über einen leitenden Draht 32 mit der negativen Klemme der Spannungsquelle 18 verbunden. Auch der Draht ist vorzugsweise isoliert, um zu verhindern, daß er durch den Elektrolyten 12 angegriffen wird.
Im beschriebenen Ausführungsbeispiel kann der Strom nur von den Kurzschlüsse und/oder Nebenschlüsse aufweisenden Teilen der Solarzelle 14 durch den Elektrolyten 12 zu der Elektrode 16 fließen. Ein typischer Elektrolyt zur Anwendung bei einer Zelle mit auf den positiven Pol der Spannungsquelle 18 geschaltetem n-Anschluß ist entweder verdünnte Schwefelsäure (HpSO4) oder verdünntes Kupfersulfat (CuSO4).
Wenn dagegen eine Zelle mit an das leitende Substrat angrenzender p-leitender Zone, d.h. eine Struktur mit der Schichtenfolge rostfreier Stahl/p-i-n/ITO, zu behandeln ist, wird das Substrat mit dem negativen Pol der Spannungsquelle 18 verbunden und als Elektrolyt eine etwa 20%-ige Ammoniumhydroxyd-Lösung (NH.OH) verwendet.

Claims (6)

  1. Dn.-lng. Reiman König · Dipl.-lng. Klaus
    Cecilienallee 76 4 Düsseldorf 3O Telefon 45SOO8 Patentanwälte
    16. Juni 1982 34 504 B
    RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza,
    New York, M.Y. 10020 (V.St.A.)
    "Verfahren zum Beseitigen von Kürz- oder
    Nebenschlüssen in einer Solarzelle"
    Patentansprüche:
    Verfahren zum Beseitigen von Kurz- oder Nebenschlüssen in einer Solarzelle (14) durch Anlegen einer Sperrspannung an die Zelle, dadurch gekennzeichnet, daß die Solarzelle (14) in einen Elektrolyten (12) getaucht und die Sperrspannung über den Elektrolyten (12) an eine eine der Schichten (22) der Solarzelle (14) kontaktierende, gut leitende Elektrode (12) angelegt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die gut leitende Elektrode (20) der Solarzelle (14) gegenüber dem Elektrolyten (12) isoliert wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die gut leitende Elektrode (20) der Solarzelle (14) mit einer p-leitenden Halbleiterzone (22) in Kontakt gebracht und ein aus einer schwachen Ammoniumhydroxydlösung (NH4OH) bestehender Elektrolyt (12) verwendet wird.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die gut leitende Elektrode (20) der Solarzelle
    (14) mit einer η-leitenden Halbleiterzone in Kontakt gebracht und ein aus verdünnter Schwefelsäure (HpSO4) oder verdünntem Kupfersulfat (CuSO4) bestehender Elektrolyt (12) verwendet wird.
  5. 5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    4, dadurch gekennzeichnet, daß die Kurz- oder Nebenschlüsse unter dem Einfluß des Elektrolyten (12) bei Stromdurchfluß beseitigt werden.
  6. 6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis
    5, dadurch gekennzeichnet, daß die Kurz- oder Nebenschlüsse durch elektrolytisches Ätzen beseitigt werden.
DE3223432A 1981-06-26 1982-06-18 Verfahren zum Beseitigen von Kurz- oder Nebenschlüssen des Halbleiterkörpers einer Solarzelle Expired - Fee Related DE3223432C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/277,983 US4385971A (en) 1981-06-26 1981-06-26 Electrolytic etch for eliminating shorts and shunts in large area amorphous silicon solar cells

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3223432A1 true DE3223432A1 (de) 1983-01-20
DE3223432C2 DE3223432C2 (de) 1995-08-17

Family

ID=23063194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3223432A Expired - Fee Related DE3223432C2 (de) 1981-06-26 1982-06-18 Verfahren zum Beseitigen von Kurz- oder Nebenschlüssen des Halbleiterkörpers einer Solarzelle

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4385971A (de)
JP (1) JPS584984A (de)
DE (1) DE3223432C2 (de)
FR (1) FR2508708B1 (de)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4640002A (en) * 1982-02-25 1987-02-03 The University Of Delaware Method and apparatus for increasing the durability and yield of thin film photovoltaic devices
US4510674A (en) * 1982-10-21 1985-04-16 Sovonics Solar Systems System for eliminating short circuit current paths in photovoltaic devices
US4451970A (en) * 1982-10-21 1984-06-05 Energy Conversion Devices, Inc. System and method for eliminating short circuit current paths in photovoltaic devices
US4464823A (en) * 1982-10-21 1984-08-14 Energy Conversion Devices, Inc. Method for eliminating short and latent short circuit current paths in photovoltaic devices
AU2042183A (en) * 1983-08-03 1985-02-07 Energy Conversion Devices Inc. Eliminating short circuits in photovoltaic devices
US4510675A (en) * 1983-08-03 1985-04-16 Sovonics Solar Systems System for eliminating short and latent short circuit current paths in photovoltaic devices
JPS60124882A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 Agency Of Ind Science & Technol 太陽電池の製造方法
US4543171A (en) * 1984-03-22 1985-09-24 Rca Corporation Method for eliminating defects in a photodetector
US4590327A (en) * 1984-09-24 1986-05-20 Energy Conversion Devices, Inc. Photovoltaic device and method
KR900006772B1 (ko) * 1985-11-06 1990-09-21 세미콘닥터 에너지 라보라토리 컴파니 리미티드 반도체층을 통한 전기적 단락이 없는 반도체 장치와 그 제조방법
US4749454A (en) * 1986-11-17 1988-06-07 Solarex Corporation Method of removing electrical shorts and shunts from a thin-film semiconductor device
US5055416A (en) * 1988-12-07 1991-10-08 Minnesota Mining And Manufacturing Company Electrolytic etch for preventing electrical shorts in solar cells on polymer surfaces
EP0400387B1 (de) * 1989-05-31 1996-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum grossflächigen elektrischen Kontaktieren eines Halbleiterkristallkörpers mit Hilfe von Elektrolyten
US5192400A (en) * 1989-07-31 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of isolating shorted silicon spheres
JPH04266068A (ja) * 1991-02-20 1992-09-22 Canon Inc 光電変換素子及びその製造方法
US5893967A (en) * 1996-03-05 1999-04-13 Candescent Technologies Corporation Impedance-assisted electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device
US6027632A (en) * 1996-03-05 2000-02-22 Candescent Technologies Corporation Multi-step removal of excess emitter material in fabricating electron-emitting device
US6120674A (en) * 1997-06-30 2000-09-19 Candescent Technologies Corporation Electrochemical removal of material in electron-emitting device
JP3648255B2 (ja) * 1997-06-30 2005-05-18 キャンデセント・インテレクチュアル・プロパティ・サービシーズ・インコーポレイテッド 電子放出デバイスにおいて材料、特に余分なエミッタ材料を除去するためのインピーダンス利用電気化学技術及び電気化学的方法
AU2003295880A1 (en) * 2002-11-27 2004-06-23 University Of Toledo, The Integrated photoelectrochemical cell and system having a liquid electrolyte
US7150820B2 (en) * 2003-09-22 2006-12-19 Semitool, Inc. Thiourea- and cyanide-free bath and process for electrolytic etching of gold
US7667133B2 (en) * 2003-10-29 2010-02-23 The University Of Toledo Hybrid window layer for photovoltaic cells
US7098058B1 (en) 2004-01-15 2006-08-29 University Of Toledo Photovoltaic healing of non-uniformities in semiconductor devices
WO2005101510A2 (en) * 2004-04-16 2005-10-27 The University Of Toledo Light-assisted electrochemical shunt passivation for photovoltaic devices
WO2006110613A2 (en) * 2005-04-11 2006-10-19 The University Of Toledo Integrated photovoltaic-electrolysis cell
WO2009073501A2 (en) * 2007-11-30 2009-06-11 University Of Toledo System for diagnosis and treatment of photovoltaic and other semiconductor devices
US8574944B2 (en) * 2008-03-28 2013-11-05 The University Of Toledo System for selectively filling pin holes, weak shunts and/or scribe lines in photovoltaic devices and photovoltaic cells made thereby
US20110253545A1 (en) * 2010-04-19 2011-10-20 International Business Machines Corporation Method of direct electrodeposition on semiconductors
US9331217B2 (en) 2010-04-27 2016-05-03 University Of Florida Research Foundation, Inc. Electronic gate enhancement of Schottky junction solar cells

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4166918A (en) * 1978-07-19 1979-09-04 Rca Corporation Method of removing the effects of electrical shorts and shunts created during the fabrication process of a solar cell
US4197141A (en) * 1978-01-31 1980-04-08 Massachusetts Institute Of Technology Method for passivating imperfections in semiconductor materials

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4180439A (en) * 1976-03-15 1979-12-25 International Business Machines Corporation Anodic etching method for the detection of electrically active defects in silicon
JPS5683981A (en) * 1979-12-13 1981-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and manufacture

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4197141A (en) * 1978-01-31 1980-04-08 Massachusetts Institute Of Technology Method for passivating imperfections in semiconductor materials
US4166918A (en) * 1978-07-19 1979-09-04 Rca Corporation Method of removing the effects of electrical shorts and shunts created during the fabrication process of a solar cell

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM Technical Disclosure Bulletin Bd. 15, No. 5, Okt. 1972, S. 1598-1599 *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2508708A1 (fr) 1982-12-31
US4385971A (en) 1983-05-31
DE3223432C2 (de) 1995-08-17
JPS584984A (ja) 1983-01-12
JPH0473306B2 (de) 1992-11-20
FR2508708B1 (fr) 1986-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3223432A1 (de) Verfahren zum beseitigen von kurz- oder nebenschluessen in einer solarzelle
DE3121350C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Sonnenbatterie
DE2036139A1 (de) Dunnfümmetallisierungsverfahren fur Mikroschaltungen
DE102007031958A1 (de) Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Bauelement sowie Verfahren zur Herstellung desselben
DE69921607T2 (de) Verfahren zum Entfernen von Kurzschluss-Abschnitten einer Solarzelle
DE1521625A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstueckchen kleiner raeumlicher Abmessungen
DE1614306A1 (de) Verfahren zum Anbringen eines elektrischen Anschlusses auf einer Flaeche einer elektronischen Schaltungsanordnung und durch Anwendung dieses Verfahrens hergestellte Schaltungsanordnung
DE2315710A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung
DE2620998A1 (de) Verfahren zur herstellung von traegern fuer die verarbeitung von ic-chips
DE1231812B (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Halbleiterbauelementen nach der Mesa-Diffusionstechnik
DE1018555B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, insbesondere einer Kristalldiode oder eines Transistors, deren halbleitender Koerper mit wenigstens einer aufgeschmolzenen Elektrode versehen ist
DE1160547B (de) Verfahren zum elektrolytischen AEtzen eines Halbleiterbauelementes mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und einem an die Oberflaeche tretenden pn-UEbergang
DE3516760A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aetzen von kupfer auf einer leiterplatte
DE1002472B (de) Verfahren zum Anloeten von Elektroden an einen Halbleiter
DE2615620A1 (de) Monolithische struktur und verfahren zur speicherung von elektrischen ladungen
DE1952499A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE3114181A1 (de) Beruehrungsfreie technik fuer galvanische roentgenstrahllithographie
DE1019765B (de) Verfahren zur galvanischen Herstellung eines Elektroden-Anschlusses fuer die p-Zone eines stabfoermigen Halbleiterkoerpers mit zwei zu beiden Seiten der p-Zone angeordneten n-Zonen
DE2041035A1 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Erzeugen einer Vielzahl von gleichen Halbleiterbauelementen mit pn-UEbergang aus einer einzigen Halbleiterscheibe
DE1089892B (de) Verfahren zur Herstellung flaechenhafter ohmscher Elektroden auf einem Siliziumhalbleiterkoerper einer Halbleiteranordnung
DE2725858A1 (de) Vorrichtung fuer magnetische zylinderdomaenen
DE1564383A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE530798C (de) Trockengleichrichterzelle
DE2310284B2 (de) Verfahren zu elektrischem Aufbringen von Glasteilchen auf einen Körper aus Halbleitermaterial
DE1123406B (de) Verfahren zur Herstellung von legierten Halbleiteranordnungen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: GENERAL ELECTRIC CO. (N.D.GES.D.STAATES DELAWARE),

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee