JPS60117629A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPS60117629A JPS60117629A JP22412283A JP22412283A JPS60117629A JP S60117629 A JPS60117629 A JP S60117629A JP 22412283 A JP22412283 A JP 22412283A JP 22412283 A JP22412283 A JP 22412283A JP S60117629 A JPS60117629 A JP S60117629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- vacuum
- pressure
- high vacuum
- pump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 abstract 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空処理装置に係り、特に、基板を処理する
真空処理装置に関するものである。
真空処理装置に関するものである。
従来の真空処理装置としては、第１図に示す方式のもの
が開示されている（昭和５５年７月、産業図書出版、１
半導体プラズマプロセス技術”、特開昭５６−７７３８
１号公報等）。
が開示されている（昭和５５年７月、産業図書出版、１
半導体プラズマプロセス技術”、特開昭５６−７７３８
１号公報等）。
前記開示の方法は、基板の処理の前後舎こ真空室ｌを高
真空に排気する高真空排気装置５と基板を処理中の圧力
制御をする排気装置８とを具備しているが、次のような
欠点を有している。
真空に排気する高真空排気装置５と基板を処理中の圧力
制御をする排気装置８とを具備しているが、次のような
欠点を有している。
（１）２系統の排気装置を有しているが、圧力制御には
１系統しか使用できない。
１系統しか使用できない。
（２）圧力制御は、ポンプに制約され、低真空領域の狭
い範囲に限定されてしまうこと。
い範囲に限定されてしまうこと。
本発明の目的は、基板の真空処理に要求される低真空か
ら高真空まで広範囲の圧力制御が可能な排気手段を有す
る真空処理装置を提供することにある。
ら高真空まで広範囲の圧力制御が可能な排気手段を有す
る真空処理装置を提供することにある。
本発明は、真空室の圧力制御手段を排気手段薔こ２系統
具備せしめたことを特徴とするもので、基板の真空処理
に要求される低真空から高真空まで広範囲な圧力制御を
可能壷こしようとじたものである。
具備せしめたことを特徴とするもので、基板の真空処理
に要求される低真空から高真空まで広範囲な圧力制御を
可能壷こしようとじたものである。
以下、本発明の真空処理装置をドライエツチング装置と
して適用した一実施例を１１７（２図により説明する。
して適用した一実施例を１１７（２図により説明する。
基板を真空中でドライエツチングする場合、対象材料に
よって低真空から高真空まで各種圧力下で行うプロセス
が開発されてきた。
よって低真空から高真空まで各種圧力下で行うプロセス
が開発されてきた。
本発明は、上記の要求を満足するために、基板の処理の
前後に真空室を排気する高真空排気装置と圧力制御用の
排気装置とを組合せて新しいυを気装置を構成するよう
にしたもので、その構成を第２図に示す。
前後に真空室を排気する高真空排気装置と圧力制御用の
排気装置とを組合せて新しいυを気装置を構成するよう
にしたもので、その構成を第２図に示す。
すなわち、高真空排気系をバルブ１０２ｅ、大口径可変
コンダクタンスバルブ１θ４ａ、 バルブ１０２ｄ、
高真空ポンプ１０５．バルブ１０２ｃ、メカニカルブー
スタポンプ１０７並びに油回転ポンプ１０８とで構成し
、バルブ１０２ｅと大口径可変コンダクタンスバルブ１
０４ａの系にバルブ１０２ａと小口径可変コンダククン
スバルブ１０４ｂの系に並列に配設した。さらには、高
真空ポンプ１０５をバイパスする系をバルブｌ ０２ｂ
によって形成するようにした。すなわち、大小口径可変
コンダクタンスバルブ１０４ａ、 １０４ｂ並びにバル
ブ１０２ｄ、 １０２ｂのそれぞれを任意に選択するこ
とにより、プロセスに必要な圧力を得られるようにした
ものである。上述の排気モードを表１に示す。
コンダクタンスバルブ１θ４ａ、 バルブ１０２ｄ、
高真空ポンプ１０５．バルブ１０２ｃ、メカニカルブー
スタポンプ１０７並びに油回転ポンプ１０８とで構成し
、バルブ１０２ｅと大口径可変コンダクタンスバルブ１
０４ａの系にバルブ１０２ａと小口径可変コンダククン
スバルブ１０４ｂの系に並列に配設した。さらには、高
真空ポンプ１０５をバイパスする系をバルブｌ ０２ｂ
によって形成するようにした。すなわち、大小口径可変
コンダクタンスバルブ１０４ａ、 １０４ｂ並びにバル
ブ１０２ｄ、 １０２ｂのそれぞれを任意に選択するこ
とにより、プロセスに必要な圧力を得られるようにした
ものである。上述の排気モードを表１に示す。
表 １
また、材料によっては処理ガスとして、塩素系のガスを
使用するので、メカニカルブースタポンプ１０７．油回
転ポンプ１０８を保護するために、塩化物を捕集するＬ
Ｎ、 トラップ系Ｘ＜ルブｌ ０２ｃの系に並列に配設
し、任意に選択できるようにもした。
使用するので、メカニカルブースタポンプ１０７．油回
転ポンプ１０８を保護するために、塩化物を捕集するＬ
Ｎ、 トラップ系Ｘ＜ルブｌ ０２ｃの系に並列に配設
し、任意に選択できるようにもした。
以上、詳述したように本実施例によれば、低真空から高
真空領域まで広範囲の圧力制御が可能となるので、１台
で各種の材料のエツチングプロセスに対応できる効果が
ある・ 〔−５を明の効果〕 以上詳述した如く、本発明によれば、可変コンダクタン
スと排気ポンプ群の組合わせを選択することによτて、
低真空から高真空領域まで広範囲の圧力制御が可能とな
ったので、プロセスの巾広い要求に十分対応することが
できるので極めて有効な圧力制御機能をもつ真空処理装
置を提供できるという効果がある。
真空領域まで広範囲の圧力制御が可能となるので、１台
で各種の材料のエツチングプロセスに対応できる効果が
ある・ 〔−５を明の効果〕 以上詳述した如く、本発明によれば、可変コンダクタン
スと排気ポンプ群の組合わせを選択することによτて、
低真空から高真空領域まで広範囲の圧力制御が可能とな
ったので、プロセスの巾広い要求に十分対応することが
できるので極めて有効な圧力制御機能をもつ真空処理装
置を提供できるという効果がある。
第１図は、従来の真空処理装置の一実施例を示す構成図
、第２図は、本発明の真空処理装置のうちドライエツチ
ング装置蕃こ適用した一実施例を示す構成図である。
、第２図は、本発明の真空処理装置のうちドライエツチ
ング装置蕃こ適用した一実施例を示す構成図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 真空中で基板を処理する機能を有する真空室。 該真空室へ処理ガスを供給する手段と前記真空室の圧力
を制御する排気手段とから成る真空処理装置において、
前記真空室の圧力制御手段を前記排気手段に２系統具備
せしめたことを特徴とする真空処理装置。 ２、前記排気手段の２系統の前記圧力制御手段蒼こおい
て、コンダクタンス可変手段を並列配置し、さらには、
ポンプ群を並列配置したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の真空処理装置。 ３、前記並列配置のポンプ群において、一方を高真空ポ
ンプ群、他の一方を低真空ポンプ群としたことを特徴と
する特許請求の範囲第２項記戦の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22412283A JPS60117629A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22412283A JPS60117629A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 真空処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60117629A true JPS60117629A (ja) | 1985-06-25 |
| JPH0354458B2 JPH0354458B2 (ja) | 1991-08-20 |
Family
ID=16808881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22412283A Granted JPS60117629A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60117629A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63219130A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-09-12 | テクニメディックス コーポレイション | 集積回路デバイスの歩留りを改良する方法および装置 |
| JPH01218013A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Tel Sagami Ltd | 反応装置 |
| JPH02224231A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-09-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516475A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Nec Corp | Plasma processing unit |
| JPS57133633A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 | Anelva Corp | Dry-etching device |
| JPS59114814A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-03 | Fujitsu Ltd | 真空排気方法 |
| JPS6091642A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | 半導体製造用真空装置 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22412283A patent/JPS60117629A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516475A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-05 | Nec Corp | Plasma processing unit |
| JPS57133633A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 | Anelva Corp | Dry-etching device |
| JPS59114814A (ja) * | 1982-12-21 | 1984-07-03 | Fujitsu Ltd | 真空排気方法 |
| JPS6091642A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-23 | Toshiba Corp | 半導体製造用真空装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63219130A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-09-12 | テクニメディックス コーポレイション | 集積回路デバイスの歩留りを改良する方法および装置 |
| JPH01218013A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Tel Sagami Ltd | 反応装置 |
| JPH02224231A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-09-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0354458B2 (ja) | 1991-08-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1081380A4 (en) | APPARATUS AND METHOD FOR PUMPING | |
| EP0690235B1 (en) | Method and apparatus for evacuating vacuum system | |
| JPS60117629A (ja) | 真空処理装置 | |
| KR910007100A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리방법 | |
| JPS6244576A (ja) | 多電極放電反応処理装置 | |
| JPS5825742B2 (ja) | プラズマエッチング処理方法及び処理装置 | |
| JPS62106627A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03102820A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH06224097A (ja) | 真空排気装置 | |
| JPS5685826A (en) | Vacuum treatment device | |
| JPH0334540A (ja) | プラズマ処理装置およびその装置におけるウエハ温度制御方法 | |
| JPH03161042A (ja) | 真空排気系 | |
| JPS5638587A (en) | Vacuum device | |
| JPS6299482A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| KR970052153A (ko) | 이온주입시스템의 진공처리장치 | |
| JP2833917B2 (ja) | 溶剤蒸気処理装置 | |
| JPS5987134U (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH02159018A (ja) | 減圧式気相成長装置 | |
| JPH03129821A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01125933A (ja) | 真空処理方法及び装置 | |
| JPS59154025A (ja) | 半導体製造装置反応室のリ−ク方法 | |
| JP3778296B2 (ja) | 真空装置 | |
| JPH01187380A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS5516475A (en) | Plasma processing unit | |
| JPS6333962Y2 (ja) |