JPS60115278A - 半導体レ−ザの駆動方式 - Google Patents
半導体レ−ザの駆動方式Info
- Publication number
- JPS60115278A JPS60115278A JP58223482A JP22348283A JPS60115278A JP S60115278 A JPS60115278 A JP S60115278A JP 58223482 A JP58223482 A JP 58223482A JP 22348283 A JP22348283 A JP 22348283A JP S60115278 A JPS60115278 A JP S60115278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor laser
- current
- signal
- light emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体レーザの駆動方式に関し、特にレーザ発
光の開始時におけろ過大出力を防止できるようにした半
導体レーザ駆動方式に関するものである。
光の開始時におけろ過大出力を防止できるようにした半
導体レーザ駆動方式に関するものである。
例えば、情報書き込み動作時には高パワーの光ビームを
照射して記録媒体上の記録膜に穴開け（ビット形成）を
行い、情報読み取り動作時には低パワーの光ビームを照
射して記録膜からの反射光の変化によりピットの有無を
判断するようにした光デイスク装置においては、読み出
し用と書き込み用の２種類の光ビームを、１つのレーザ
光源の駆動電流切り換えにより得ている。この場合、光
源として半導体レーザを用いると、発光特性の温度 ゛
依存性が大きいため、読み出し動作時の駆動電流でも出
力パワーが過大となり、記録膜に損傷を与えるおそれが
ある。
照射して記録媒体上の記録膜に穴開け（ビット形成）を
行い、情報読み取り動作時には低パワーの光ビームを照
射して記録膜からの反射光の変化によりピットの有無を
判断するようにした光デイスク装置においては、読み出
し用と書き込み用の２種類の光ビームを、１つのレーザ
光源の駆動電流切り換えにより得ている。この場合、光
源として半導体レーザを用いると、発光特性の温度 ゛
依存性が大きいため、読み出し動作時の駆動電流でも出
力パワーが過大となり、記録膜に損傷を与えるおそれが
ある。
第１図は、光デイスク装置に用いられている従来の半導
体レーザ駆動回路の構成図である。
体レーザ駆動回路の構成図である。
Ｍ１図において、１は半導体レーザ、２はレーザ駆動′
亀流発生回路、３は上記半導体レーザからの出力光量を
モニタするための光検出器、昼は目標光量に相当する信
号を発生する回路、凸は目標光量信号と光検出器出力信
号とを比較して誤差信号１３を発生する比較回路、６は
誤差信号１３から高周波雑音成分を減衰させてフィード
バック信号１４を得るためのローパス・フィルタ、７は
半導体レーザ１を駆動するための所定のバイアス２１（
以下、バイアス電流という）を発生する回路、８はフィ
ードバック信号１４とバイアス電流２１とを加算する加
算器、９および３２はスイッチであり、レーザ発光／非
発光を指示するレーザ・オン信号１０により、第２図に
示すように、オン・オフ制御される。また、３０は書き
込み情報に応じてレーザーパワーを変調するための変調
回路である。
亀流発生回路、３は上記半導体レーザからの出力光量を
モニタするための光検出器、昼は目標光量に相当する信
号を発生する回路、凸は目標光量信号と光検出器出力信
号とを比較して誤差信号１３を発生する比較回路、６は
誤差信号１３から高周波雑音成分を減衰させてフィード
バック信号１４を得るためのローパス・フィルタ、７は
半導体レーザ１を駆動するための所定のバイアス２１（
以下、バイアス電流という）を発生する回路、８はフィ
ードバック信号１４とバイアス電流２１とを加算する加
算器、９および３２はスイッチであり、レーザ発光／非
発光を指示するレーザ・オン信号１０により、第２図に
示すように、オン・オフ制御される。また、３０は書き
込み情報に応じてレーザーパワーを変調するための変調
回路である。
レーザ駆動電流発生回路２は、加算器８の出力３１に応
じて半導体レーザ１を駆動し、半導体レーザを読み出し
用の所定のパワーで発光動作させる。また、変調回路３
０は、書き込み動作時に変調出力を発生し、その出力電
流はレーザ駆動を流発生回路２の出力電流に重畳した形
で半導体レーザ１に与えられる。したがって、半導体レ
ーザ１の出力パワーは、第３図に示すように変化する。
じて半導体レーザ１を駆動し、半導体レーザを読み出し
用の所定のパワーで発光動作させる。また、変調回路３
０は、書き込み動作時に変調出力を発生し、その出力電
流はレーザ駆動を流発生回路２の出力電流に重畳した形
で半導体レーザ１に与えられる。したがって、半導体レ
ーザ１の出力パワーは、第３図に示すように変化する。
第３図において、Ｐｏは読み出し時のレーザ出力レベル
、Ｐ８は書き込み時のレーザ出力レベルであって、書き
込み情報に応じて変調された出力が読み出し時の出力に
０重畳された形となっている。ここで、読み出し時のレ
ーザ出力Ｐ。は、光デイスク上の記録膜が溶融温度に達
する閾値レベルｐｏｖよりも低い値になるように股引さ
れているが、次に述べるように、半導体レーザの温度特
性によっては、読み出し時のレーザ出力Ｐ。がこの閾値
レベルＰ（ＩＶを越えてしまうおそれがある。すなわち
、駆動電流変化に対する半導体レーザの出力特性は、第
４図の１５．１６に示すように、ある傾斜（微分量子効
率） ｖ 、 ｑ’を持つ直線で近似される。ここで、
１５は温度Ｔのときの特性、１６は温度Ｔ′のときの特
性であって、’ｒ （Ｔの関係にある。このことから、
半導体レーザは温度が高いほど微分量子効率η、つまり
直線の傾斜が小さく、閾値電流（発光開始電流） Ｉｔ
ｈが大きいことがわかる。
、Ｐ８は書き込み時のレーザ出力レベルであって、書き
込み情報に応じて変調された出力が読み出し時の出力に
０重畳された形となっている。ここで、読み出し時のレ
ーザ出力Ｐ。は、光デイスク上の記録膜が溶融温度に達
する閾値レベルｐｏｖよりも低い値になるように股引さ
れているが、次に述べるように、半導体レーザの温度特
性によっては、読み出し時のレーザ出力Ｐ。がこの閾値
レベルＰ（ＩＶを越えてしまうおそれがある。すなわち
、駆動電流変化に対する半導体レーザの出力特性は、第
４図の１５．１６に示すように、ある傾斜（微分量子効
率） ｖ 、 ｑ’を持つ直線で近似される。ここで、
１５は温度Ｔのときの特性、１６は温度Ｔ′のときの特
性であって、’ｒ （Ｔの関係にある。このことから、
半導体レーザは温度が高いほど微分量子効率η、つまり
直線の傾斜が小さく、閾値電流（発光開始電流） Ｉｔ
ｈが大きいことがわかる。
第４図において、Ｐｏｖを光ディスクの記録膜が溶融す
る閾値レベル（第３図のｐｏｖと同じ）、Ｐｏを読み出
し動作時のレーザ出力レベル（第３図のＰｏと同じ）と
すると、温度がＴであれば、レーザ駆動電流Ｉ Ｌ Ｄ
において、適正な読み出し時の出力レベルＰ０が得られ
る。しかしながら、何らかの原因で素子温度がＴからＴ
′に低下した場合、出力特性が１５から１６に変化する
ため、同一の駆動電流’ＬＤ Ｋよるレーザ出力が閾値
レベルＰ。■まで増大し、読み出し動作中に光ディスク
の記録膜が損傷するおそれがある。また、温度Ｔ′で、
読み出し出力レベルがＰｏとなるように駆動電流を設定
した後、半導体レーザ１の温度が１゛に上昇した場合に
は、出力特性が１６から１５に変化するため、それまで
流れていた駆動電流ではレーザ出力は殆んど零になって
しまう。このように、半導体レーザの閾値電流１ｔｈｓ
微分量子効率ηは、温度変イしにより大きく変化するた
め、常時一定の駆動電流を供給するだけでは、レーザ出
力が大きく変化することが判る。
る閾値レベル（第３図のｐｏｖと同じ）、Ｐｏを読み出
し動作時のレーザ出力レベル（第３図のＰｏと同じ）と
すると、温度がＴであれば、レーザ駆動電流Ｉ Ｌ Ｄ
において、適正な読み出し時の出力レベルＰ０が得られ
る。しかしながら、何らかの原因で素子温度がＴからＴ
′に低下した場合、出力特性が１５から１６に変化する
ため、同一の駆動電流’ＬＤ Ｋよるレーザ出力が閾値
レベルＰ。■まで増大し、読み出し動作中に光ディスク
の記録膜が損傷するおそれがある。また、温度Ｔ′で、
読み出し出力レベルがＰｏとなるように駆動電流を設定
した後、半導体レーザ１の温度が１゛に上昇した場合に
は、出力特性が１６から１５に変化するため、それまで
流れていた駆動電流ではレーザ出力は殆んど零になって
しまう。このように、半導体レーザの閾値電流１ｔｈｓ
微分量子効率ηは、温度変イしにより大きく変化するた
め、常時一定の駆動電流を供給するだけでは、レーザ出
力が大きく変化することが判る。
第１図の駆動方式によれば、検出器３σ）出力しこよる
フィードバックがかけであるため、発光中Ｖこ温度変化
があっても、レーザ出力を所定のレベル圧制御すること
ができる。しかしながら、レーリ′発光開始時、すなわ
ちレーザ・オン１ｔ１号１０力ｔ″Ｌ”から“Ｈ”に変
化した直後では、フィートノ（ツク１１１号１４がＯと
なっているため、レーザ駆動＋ｌｉ （Ａｔ、 ”ｉ色
土回路２は温度に関係なく、〕（イアス屯流２１１こし
たがった一定の駆動電流をレーザ素子に与えることにな
る。こσ５ため、従来の回路では、レーリ′発光開始時
のレーザ出力が、温度によって第５図に示す如く大きく
変化し、ある温度′ｌ゛、σ〕ときには、曲線１７に示
すように、発光開始と同ＩＩ与に閾値レベルＩ’ｏｖを
越えるレベルＰ、に達して、＋１１１）ｆｌの経過とと
もに徐々に目標出力（ａみ出し出力）Ｐｏに到達し、他
の温度Ｔ、のときには、曲線１６に示すように、目標出
力Ｐ０より低い出力レベルＰ、から弾性曲線を描いてＰ
ｏに収斂する。また、Ｔ１と′ｒ、の中間温度Ｔ、で発
光を開始するときには、曲線１８に示すように、発光開
始と同時に急傾斜で出力レベルが上昇し、閾値レベルＰ
ＯＴを越えた点をピークとして弾性曲線を描き、Ｐｏに
収斂する場合もある。このように、温度によって、発光
開始時のレーザ出力が大きく変化するため、従来の駆動
方式では、レーザ出力が閾値Ｐｏｖを越えて記録膜を溶
融してしまう場合（曲線１７）、あるいは発光開始時の
過渡応答で閾値レベルＰＯＶを越えて記録膜を溶融して
しまう場合があり、また目標出力Ｐ０に達する時間が長
くかかつていた。
フィードバックがかけであるため、発光中Ｖこ温度変化
があっても、レーザ出力を所定のレベル圧制御すること
ができる。しかしながら、レーリ′発光開始時、すなわ
ちレーザ・オン１ｔ１号１０力ｔ″Ｌ”から“Ｈ”に変
化した直後では、フィートノ（ツク１１１号１４がＯと
なっているため、レーザ駆動＋ｌｉ （Ａｔ、 ”ｉ色
土回路２は温度に関係なく、〕（イアス屯流２１１こし
たがった一定の駆動電流をレーザ素子に与えることにな
る。こσ５ため、従来の回路では、レーリ′発光開始時
のレーザ出力が、温度によって第５図に示す如く大きく
変化し、ある温度′ｌ゛、σ〕ときには、曲線１７に示
すように、発光開始と同ＩＩ与に閾値レベルＩ’ｏｖを
越えるレベルＰ、に達して、＋１１１）ｆｌの経過とと
もに徐々に目標出力（ａみ出し出力）Ｐｏに到達し、他
の温度Ｔ、のときには、曲線１６に示すように、目標出
力Ｐ０より低い出力レベルＰ、から弾性曲線を描いてＰ
ｏに収斂する。また、Ｔ１と′ｒ、の中間温度Ｔ、で発
光を開始するときには、曲線１８に示すように、発光開
始と同時に急傾斜で出力レベルが上昇し、閾値レベルＰ
ＯＴを越えた点をピークとして弾性曲線を描き、Ｐｏに
収斂する場合もある。このように、温度によって、発光
開始時のレーザ出力が大きく変化するため、従来の駆動
方式では、レーザ出力が閾値Ｐｏｖを越えて記録膜を溶
融してしまう場合（曲線１７）、あるいは発光開始時の
過渡応答で閾値レベルＰＯＶを越えて記録膜を溶融して
しまう場合があり、また目標出力Ｐ０に達する時間が長
くかかつていた。
本発明の目的は、上記のような従来の問題を解消し、半
纏体レーザの温度変化および発光開始時の過渡応答忙対
してレーザ出力の過大を防止できるようにした半導体レ
ーザの駆動方式を提供することにある。
纏体レーザの温度変化および発光開始時の過渡応答忙対
してレーザ出力の過大を防止できるようにした半導体レ
ーザの駆動方式を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明による半導体レーザの
駆動方式は、半導体レーザからの出力光を検出して目標
光量との誤差をめ１．、Ｉｌ、ｆＡ差に対応した信号を
フィードバック回路を介して加算回路にフィードバック
し、該フィートノくツク信号と所定のバイアス値との加
算結果に応じて上記半導体レーザを駆動するようにした
半導体レーザの駆動回路において、レーザ発光を抑制す
る極性の信号を発生する手段を設け、上記半導体レーザ
がオフ状態の期間中は上記誤差信号に代えて上記レーザ
発光を抑制する極性の信号が上記加算回路処フィードバ
ックされるようにしたことに特徴がある。
駆動方式は、半導体レーザからの出力光を検出して目標
光量との誤差をめ１．、Ｉｌ、ｆＡ差に対応した信号を
フィードバック回路を介して加算回路にフィードバック
し、該フィートノくツク信号と所定のバイアス値との加
算結果に応じて上記半導体レーザを駆動するようにした
半導体レーザの駆動回路において、レーザ発光を抑制す
る極性の信号を発生する手段を設け、上記半導体レーザ
がオフ状態の期間中は上記誤差信号に代えて上記レーザ
発光を抑制する極性の信号が上記加算回路処フィードバ
ックされるようにしたことに特徴がある。
以下、本発明の一実施例を、回出１により説明する。
第６図は、本発明による半導体レーザの駆動回路の構成
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
第６図において、第１図の構成と異なる点は、新たにレ
ーザ・オン信号１０でローパス・フィルタ６への人力を
切替えるスイッチ２０と、例えばツェナ・ダイオードか
らなる発光抑制信号発生回路２６と、発光動作開始直後
のフィードバック回路の応答特性を高めるために、ロー
パス・フィルタ６および８の定数、次数を切替えるスイ
ッチ２４゜２５を追加した点である。
ーザ・オン信号１０でローパス・フィルタ６への人力を
切替えるスイッチ２０と、例えばツェナ・ダイオードか
らなる発光抑制信号発生回路２６と、発光動作開始直後
のフィードバック回路の応答特性を高めるために、ロー
パス・フィルタ６および８の定数、次数を切替えるスイ
ッチ２４゜２５を追加した点である。
上記発光抑制信号発生回路２６は、第５図において特性
曲線１７で示した過大レベルからの発光動作をなくすた
めに設けられる。また、上記スイッチ２４．２５は指示
信号２３により制御され、発光開始時に第５図の特性曲
線１８で示した過渡応答をなくシ、レーザ出力を特性面
ｌ１１ｉｌ１６に比べて、さらに迅速に目標出力に収斂
させるため忙設けられる。
曲線１７で示した過大レベルからの発光動作をなくすた
めに設けられる。また、上記スイッチ２４．２５は指示
信号２３により制御され、発光開始時に第５図の特性曲
線１８で示した過渡応答をなくシ、レーザ出力を特性面
ｌ１１ｉｌ１６に比べて、さらに迅速に目標出力に収斂
させるため忙設けられる。
第７図は、第６図の回路における動作原理を示すタイム
チャートである。
チャートである。
第６図において、加算器８から出力されるレーザ駆動指
示電流３１は、バイアス電流２１とフィードバック電流
１４の和である。
示電流３１は、バイアス電流２１とフィードバック電流
１４の和である。
本発明では、レーザ・オフ期間中、すなわちレーザ・オ
ン信号３１が“Ｌ”の期間中はスイッチ２０をオンＫＬ
、発光抑制信号発生回路２６からの負供給されるように
しである。このため、ノ；イアス電流２１に上記フィー
ドバック電流を加算して得られるレーザ駆動指示電流３
１は、第７図にノドすように、レーザ・オフの間は発光
閾値３１′以下の値に確実に保持される。そして、レー
ザ・オンと同時にスイッチ２０がオフとなり、抑制′電
流２６′に代って誤差信号１３が加Ｊｌ器８にフィート
ノ（ツクされる。このように、フィードバック電流１４
を切替えることにより、等節約にレーザ発光開始時のバ
イアス電流２１を下げたことになるため、発光直後の過
大出力発生を避けることができる。
ン信号３１が“Ｌ”の期間中はスイッチ２０をオンＫＬ
、発光抑制信号発生回路２６からの負供給されるように
しである。このため、ノ；イアス電流２１に上記フィー
ドバック電流を加算して得られるレーザ駆動指示電流３
１は、第７図にノドすように、レーザ・オフの間は発光
閾値３１′以下の値に確実に保持される。そして、レー
ザ・オンと同時にスイッチ２０がオフとなり、抑制′電
流２６′に代って誤差信号１３が加Ｊｌ器８にフィート
ノ（ツクされる。このように、フィードバック電流１４
を切替えることにより、等節約にレーザ発光開始時のバ
イアス電流２１を下げたことになるため、発光直後の過
大出力発生を避けることができる。
上記回路において、ローパス・フィルタ６は誤差信号１
３に含まれる雑音成分を除去するためのものであるが、
このローパス・フィルタ６の挿入により、フィードバッ
ク系の応答性が低下しているため、上述した抑制電流フ
ィートノ（ツクによるレーザ発光開始レベルの低下を図
っても、このままでは、第５図の特性曲線１８．１６に
示すような過渡応答を示すおそれがある。そこで、本発
明では、発光開始直後の一足期間ｔ。の間、指示信号２
３１Ｃよりローパス・フィルタ６のスイッチ２４をオフ
状態にしてコンデンサ３６を切り離し、ローパス・フィ
ルタ６の応答性を高める。また、これと同時に、スイッ
チ２５を閉じてコンデンサ３４による積分機能を加算器
８に与え、これによって過渡応答をなくシ、迅速に目標
出力に到達させるようにしである。
３に含まれる雑音成分を除去するためのものであるが、
このローパス・フィルタ６の挿入により、フィードバッ
ク系の応答性が低下しているため、上述した抑制電流フ
ィートノ（ツクによるレーザ発光開始レベルの低下を図
っても、このままでは、第５図の特性曲線１８．１６に
示すような過渡応答を示すおそれがある。そこで、本発
明では、発光開始直後の一足期間ｔ。の間、指示信号２
３１Ｃよりローパス・フィルタ６のスイッチ２４をオフ
状態にしてコンデンサ３６を切り離し、ローパス・フィ
ルタ６の応答性を高める。また、これと同時に、スイッ
チ２５を閉じてコンデンサ３４による積分機能を加算器
８に与え、これによって過渡応答をなくシ、迅速に目標
出力に到達させるようにしである。
第８図は、上記実施例回路によるレーザ発光開始時のレ
ーザ出力を示す図である。
ーザ出力を示す図である。
図から明らかなように、本発明によれば、レーデ発光が
常に目標出力Ｐ０よりも低い出力レベルから始まり、か
つ発光開始後の過渡応答圧よる過大出力がなくなるため
、目標出力Ｐ０への到達時間が短縮されることが判る。
常に目標出力Ｐ０よりも低い出力レベルから始まり、か
つ発光開始後の過渡応答圧よる過大出力がなくなるため
、目標出力Ｐ０への到達時間が短縮されることが判る。
以上説明したように、本発明によれば、簡単な回路を付
加するだけで、レーザ発光動作開始時の過大出力を防止
できるため、レーザにより記録媒体上の情報を読み取る
光デイスク装置に適用した場合、すでに記録された情報
を破壊するおそれがなく、その効果はきわめて大である
。
加するだけで、レーザ発光動作開始時の過大出力を防止
できるため、レーザにより記録媒体上の情報を読み取る
光デイスク装置に適用した場合、すでに記録された情報
を破壊するおそれがなく、その効果はきわめて大である
。
第１図は従来の半導体レーザ駆動回路の一例を示すブロ
ック図、第２図は第１図におけるスイッチの動作タイム
チャート、第３図は第１図における書き込み時／読み出
し時のレーザ出力を示す図、第４図はレーザ駆動電流と
発光出力との関係を示す特性図、第５図は従来回路にお
けムレーザ発光開始時のレーザ出力を示す特性図、第６
図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施例を示
すブロック図、第７図は第６図の回路の動作説明のため
のタイムチャート、第８図は本発明を適用した場合のレ
ーザ発光開始時のレーザ出力を示す図である。 ｌ：半導体レーザ、２：レーザ駆動電流発生回路、３：
光検出器、４：信号発生回路、５：比較回路、６：ロー
パス・フィルタ、７：ノ々イアス電流発生回路、８：加
算器、９，３２：レーザオン・スイッチ、１０：レーザ
・オン信号、２０：レーザオフ・スイッチ、２４．２５
：スイッチ、２６二発光抑制信号発生回路、３０＝書き
込み信号変調回路。 第１図 第２図 第７図 −Ｉ′Ｊ ８ 図 １１守 １ｉｉＪ
ック図、第２図は第１図におけるスイッチの動作タイム
チャート、第３図は第１図における書き込み時／読み出
し時のレーザ出力を示す図、第４図はレーザ駆動電流と
発光出力との関係を示す特性図、第５図は従来回路にお
けムレーザ発光開始時のレーザ出力を示す特性図、第６
図は本発明による半導体レーザ駆動回路の一実施例を示
すブロック図、第７図は第６図の回路の動作説明のため
のタイムチャート、第８図は本発明を適用した場合のレ
ーザ発光開始時のレーザ出力を示す図である。 ｌ：半導体レーザ、２：レーザ駆動電流発生回路、３：
光検出器、４：信号発生回路、５：比較回路、６：ロー
パス・フィルタ、７：ノ々イアス電流発生回路、８：加
算器、９，３２：レーザオン・スイッチ、１０：レーザ
・オン信号、２０：レーザオフ・スイッチ、２４．２５
：スイッチ、２６二発光抑制信号発生回路、３０＝書き
込み信号変調回路。 第１図 第２図 第７図 −Ｉ′Ｊ ８ 図 １１守 １ｉｉＪ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （υ半導体レーザからの出力光を検出して目標光量との
誤差をめ、該誤差に対応した信号をフィードバック回路
を介して加算回路ＶＣフィードバックし、該フィードバ
ック信号と所定のバイアス値との加算結果に応じて上記
半導体レーザを駆動するようにした半導体レーザの駆動
回路圧おいて、し〜ザ発光を抑制する極性の信号を発生
する手段を設け、上記半導体レーザがオン状態の期間中
は上記誤差信号に代えて上記レーザ発光を抑制する極性
の信号が上記加算回路にフィードバックされるようにし
たことを特徴とする半導体レーザの駆動方式。 （２Ｊ前記フイ一ドバツク回路は、特性可変のロー／＜
スフ イルタラ具備し、該ローパスフィルタがレーザ
・オン直後の所定時間だけ高応答特性で動作するように
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体レーザの駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223482A JPS60115278A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体レ−ザの駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58223482A JPS60115278A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体レ−ザの駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60115278A true JPS60115278A (ja) | 1985-06-21 |
Family
ID=16798820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58223482A Pending JPS60115278A (ja) | 1983-11-28 | 1983-11-28 | 半導体レ−ザの駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60115278A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60183928U (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-06 | ソニー株式会社 | 記録可能な光ディスクの記録再生装置 |
| EP0248646A2 (en) * | 1986-06-04 | 1987-12-09 | Konica Corporation | Semiconductor laser device |
| JPS6317582A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Konica Corp | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPS6482682A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Semiconductor laser driver |
| JPH0294129A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Toshiba Corp | 光出力制御装置 |
| JPH06329331A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-29 | M M 21:Kk | 連続フォームの折畳み装置 |
| JPH07267487A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-17 | Akira Seisakusho:Kk | ジグザグ折り畳み装置におけるブラシロール装置 |
| WO2005039002A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 平均パワー検出回路、レーザーダイオード駆動回路及び光送信モジュール |
| JP2013004149A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Panasonic Corp | Ａｐｃ回路、及び光ディスク再生装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5380942A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-17 | Hitachi Ltd | Filter circuit |
| JPS54142987A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Hitachi Ltd | Protecting method from overdrive of semiconductor laser |
-
1983
- 1983-11-28 JP JP58223482A patent/JPS60115278A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5380942A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-17 | Hitachi Ltd | Filter circuit |
| JPS54142987A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-07 | Hitachi Ltd | Protecting method from overdrive of semiconductor laser |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60183928U (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-06 | ソニー株式会社 | 記録可能な光ディスクの記録再生装置 |
| EP0248646A2 (en) * | 1986-06-04 | 1987-12-09 | Konica Corporation | Semiconductor laser device |
| JPS6317582A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Konica Corp | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPS6482682A (en) * | 1987-09-25 | 1989-03-28 | Toshiba Corp | Semiconductor laser driver |
| US4884280A (en) * | 1987-09-25 | 1989-11-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser driving device for stabilizing the optical output thereof |
| JPH0294129A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Toshiba Corp | 光出力制御装置 |
| JPH06329331A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-11-29 | M M 21:Kk | 連続フォームの折畳み装置 |
| JPH07267487A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-17 | Akira Seisakusho:Kk | ジグザグ折り畳み装置におけるブラシロール装置 |
| WO2005039002A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 平均パワー検出回路、レーザーダイオード駆動回路及び光送信モジュール |
| JP2013004149A (ja) * | 2011-06-17 | 2013-01-07 | Panasonic Corp | Ａｐｃ回路、及び光ディスク再生装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100239502B1 (ko) | 광디스크의 기록/재생장치 및 광디스크의 기록방법 | |
| JPH1064069A (ja) | 光記録再生装置 | |
| US4787078A (en) | Optical data recording and reproducing system with control of high frequency superposed signal applied to semiconductor laser | |
| JPS60115278A (ja) | 半導体レ−ザの駆動方式 | |
| JPH04170753A (ja) | 光学的情報処理装置 | |
| JPS61165836A (ja) | 光出力安定化装置 | |
| US4811329A (en) | Optical head with laser having particular source of driving current | |
| JP2706262B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JPH0737265A (ja) | 光情報記録装置 | |
| JPH0227571Y2 (ja) | ||
| JPS61296539A (ja) | 半導体レ−ザ駆動方法 | |
| JP2795483B2 (ja) | 半導体発光素子の光パワー制御回路 | |
| JP2664775B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JPH021384B2 (ja) | ||
| JP3709064B2 (ja) | 発光素子制御装置及び光記録再生装置 | |
| JP2712890B2 (ja) | 光学的記録再生装置 | |
| JP2505591B2 (ja) | 光学記憶装置のレ―ザダイオ―ド駆動回路 | |
| JPH0258737A (ja) | 半導体レーザ書き込み制御装置 | |
| KR20030072707A (ko) | 모드 전환 설정구간에서 디스크 구동기의 동작 안정화장치 및 방법 | |
| JP2935268B2 (ja) | 半導体発光素子の光パワー制御回路 | |
| JPS63255840A (ja) | 光学的記録再生装置における光量制御装置 | |
| JPH04255945A (ja) | 光磁気情報記録再生装置 | |
| JP2643575B2 (ja) | 光学的記録再生装置におけるレーザ光量制御回路 | |
| JPH0434210B2 (ja) | ||
| JPH01184632A (ja) | 光ディスク記録装置のレーザー駆動回路 |