JPS6010784A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6010784A JPS6010784A JP58119073A JP11907383A JPS6010784A JP S6010784 A JPS6010784 A JP S6010784A JP 58119073 A JP58119073 A JP 58119073A JP 11907383 A JP11907383 A JP 11907383A JP S6010784 A JPS6010784 A JP S6010784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etched
- gate
- wall
- semi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119073A JPS6010784A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119073A JPS6010784A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010784A true JPS6010784A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH058590B2 JPH058590B2 (enExample) | 1993-02-02 |
Family
ID=14752209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119073A Granted JPS6010784A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010784A (enExample) |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58119073A patent/JPS6010784A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH058590B2 (enExample) | 1993-02-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4711858A (en) | Method of fabricating a self-aligned metal-semiconductor FET having an insulator spacer | |
| US4728621A (en) | Fabricating a field effect transistor utilizing a dummy gate | |
| JPH06177159A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPS6010784A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0472381B2 (enExample) | ||
| JPS59188978A (ja) | シヨツトキゲ−ト型fetの製造方法 | |
| JPS622666A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS6260269A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH0622247B2 (ja) | 電界効果型半導体装置 | |
| JP2796303B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPS6159881A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH0439773B2 (enExample) | ||
| JPH05275464A (ja) | 化合物半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JP3038720B2 (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPH0199263A (ja) | 半導体集積回路およびその製造方法 | |
| JPS6260268A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| Schink et al. | Sub-micron self-aligned-gate HEMT for microwave applications | |
| JPS61108174A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS59217373A (ja) | シヨツトキゲ−ト型fetの製造方法 | |
| JPS61152079A (ja) | シヨツトキゲ−ト型fetの製造方法 | |
| JPH0797634B2 (ja) | 電界効果トランジスタとその製造方法 | |
| JPH01189960A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPH03283627A (ja) | 電界効果型半導体装置の製造方法 | |
| JPH02135743A (ja) | 電界効果トランジスタの製造方法 | |
| JPS63197380A (ja) | 接合型電界効果トランジスタの製造方法 |