JPH058590B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH058590B2 JPH058590B2 JP58119073A JP11907383A JPH058590B2 JP H058590 B2 JPH058590 B2 JP H058590B2 JP 58119073 A JP58119073 A JP 58119073A JP 11907383 A JP11907383 A JP 11907383A JP H058590 B2 JPH058590 B2 JP H058590B2
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- JP
- Japan
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- compound semiconductor
- semiconductor layer
- layer
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- high melting
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119073A JPS6010784A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119073A JPS6010784A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010784A JPS6010784A (ja) | 1985-01-19 |
| JPH058590B2 true JPH058590B2 (enExample) | 1993-02-02 |
Family
ID=14752209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119073A Granted JPS6010784A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010784A (enExample) |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58119073A patent/JPS6010784A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6010784A (ja) | 1985-01-19 |
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