JPS60100038A - Ｘ線マイクロアナライザによる表層分析方法 - Google Patents
Ｘ線マイクロアナライザによる表層分析方法Info
- Publication number
- JPS60100038A JPS60100038A JP58207792A JP20779283A JPS60100038A JP S60100038 A JPS60100038 A JP S60100038A JP 58207792 A JP58207792 A JP 58207792A JP 20779283 A JP20779283 A JP 20779283A JP S60100038 A JPS60100038 A JP S60100038A
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- Japan
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- electron beam
- depth
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、技術の利用分野
本発明は、Ｘ線マイクロアナライザにより試料の表層部
を分析する方法に関する。
を分析する方法に関する。
口、従来技術
固体試料の表面近傍の分析は、１ｇｍ以下に細く絞ぼら
れた電子線を直接分析試料に照射し、はぼｌｐｍ程度の
微小部分から発生する特性Ｘ線を分光してその波長、及
び強度を測足し、微小部分を構成する元素の定量分析を
行なう、いわゆるエレクトロン・プローブ・マイクロア
ナライザ（ＥＰＭＡ）を使用して行なわれる。
れた電子線を直接分析試料に照射し、はぼｌｐｍ程度の
微小部分から発生する特性Ｘ線を分光してその波長、及
び強度を測足し、微小部分を構成する元素の定量分析を
行なう、いわゆるエレクトロン・プローブ・マイクロア
ナライザ（ＥＰＭＡ）を使用して行なわれる。
ところで、第４図に示したように電子Ｍ照射により試料
からＸ線が発生する領域、つまり励起領域の深さは、電
子線の加速電圧（Ｅ ３ ＞Ｅ２ ＞Ｅｌ）に比例して
深くなる。固体試料の極表層部を分析する場合には、こ
の性質を利用し、加速電圧を徐々に下げながら各励起領
域でのＸ線強度を測定し、最小励起電圧Ｅｏまで外挿す
ることにより行なわれている（同図Ｂ）。
からＸ線が発生する領域、つまり励起領域の深さは、電
子線の加速電圧（Ｅ ３ ＞Ｅ２ ＞Ｅｌ）に比例して
深くなる。固体試料の極表層部を分析する場合には、こ
の性質を利用し、加速電圧を徐々に下げながら各励起領
域でのＸ線強度を測定し、最小励起電圧Ｅｏまで外挿す
ることにより行なわれている（同図Ｂ）。
ところが、加速電圧が小さくなると装置の安定性が悪く
なる等のため、加速電圧の低下とともに測定データの信
頼性も低下し、表面から数ｌｏ。
なる等のため、加速電圧の低下とともに測定データの信
頼性も低下し、表面から数ｌｏ。
ｎｍより浅い箇所の分析データに大きな誤差を含むとい
う問題があった。
う問題があった。
ハ、目的
本発明はこのような問題に鑑み、装置が安定に作動する
加速電圧により表層部、特に数百ｎｍ程度の深部を分析
することができるＥＰＭＡによる分析方法を提案するこ
とを目的とする。
加速電圧により表層部、特に数百ｎｍ程度の深部を分析
することができるＥＰＭＡによる分析方法を提案するこ
とを目的とする。
ホ０発明の構成
すなわち、本発明の特徴とするところは、一定電圧によ
り加速される電子線を試ネ：１に対して入射角を変えな
がら照射するようにした点にある。
り加速される電子線を試ネ：１に対して入射角を変えな
がら照射するようにした点にある。
へ、実施例
そこで以下に本発明の詳細を実施例に基づいて説明する
。
。
第１図は、本発明に使用する装置の一例を示す構成図で
あって、図中符号１は、電子線発生装置２の下方に配設
された試料台で、後述するマイクロコンピュータ６によ
り制御を受けるモータ３によりＸ−Ｙ方向への移動と、
電子線に対する入射角が調整できるように構成されてい
る。この試料台１の斜め上方には未知試料及び標準試料
から発生した特性ｘ！！を分光して検出器４に導くＸ線
分光結晶５が配設されている。６は、前述したマイクロ
コンピュータで、試料台ｌのＸ−Ｙ方向への移動と傾斜
角の制御、及びＸ線検出器４により検出された未知試料
と標準試料からのＸ線強度比を演算し、ＣＲＴ７、及び
プリンタ８に出力するように構成されている。
あって、図中符号１は、電子線発生装置２の下方に配設
された試料台で、後述するマイクロコンピュータ６によ
り制御を受けるモータ３によりＸ−Ｙ方向への移動と、
電子線に対する入射角が調整できるように構成されてい
る。この試料台１の斜め上方には未知試料及び標準試料
から発生した特性ｘ！！を分光して検出器４に導くＸ線
分光結晶５が配設されている。６は、前述したマイクロ
コンピュータで、試料台ｌのＸ−Ｙ方向への移動と傾斜
角の制御、及びＸ線検出器４により検出された未知試料
と標準試料からのＸ線強度比を演算し、ＣＲＴ７、及び
プリンタ８に出力するように構成されている。
この実施例において、未知試料と標準試料を試＋！１台
ｌ上に並へて配置した後、装置を所定の真空度まで排気
する。このような準備が終了した時点で、試料台１をほ
ぼ水平状態で左右に移動させながら装置が安定に作動す
ることができる加速電圧により電子線を発生させて未知
試ネ４と標準試料に交芽に電子線を照射すると、この加
速電圧の侵入深度ＬＯ（第２図■）からの特性Ｘ線が検
出器４に１より検出され、マイクロコンピュータ６によ
り強度比が演算されてＣＢＢ１０表示される。次に試料
台１を、例えば３０度ぐらいに傾けると、電子線は試料
の表面に対して６０度の角度で入射し、試料表面から浅
い深度Ｌｌ（ＩＩ）でＸ線を発生するようになる。この
ようにして次第に試料の傾斜角度を大きくするにつれて
Ｘ線の発生領域が試料の表面に近づいて深度がＬ２ （
ＩＩＩ）にまで浅くなり、表面近傍のＸ線強度を安定に
検出することができる。このようにして得られたデータ
から第３図に示したように外挿法により表層部の濃度を
める。
ｌ上に並へて配置した後、装置を所定の真空度まで排気
する。このような準備が終了した時点で、試料台１をほ
ぼ水平状態で左右に移動させながら装置が安定に作動す
ることができる加速電圧により電子線を発生させて未知
試ネ４と標準試料に交芽に電子線を照射すると、この加
速電圧の侵入深度ＬＯ（第２図■）からの特性Ｘ線が検
出器４に１より検出され、マイクロコンピュータ６によ
り強度比が演算されてＣＢＢ１０表示される。次に試料
台１を、例えば３０度ぐらいに傾けると、電子線は試料
の表面に対して６０度の角度で入射し、試料表面から浅
い深度Ｌｌ（ＩＩ）でＸ線を発生するようになる。この
ようにして次第に試料の傾斜角度を大きくするにつれて
Ｘ線の発生領域が試料の表面に近づいて深度がＬ２ （
ＩＩＩ）にまで浅くなり、表面近傍のＸ線強度を安定に
検出することができる。このようにして得られたデータ
から第３図に示したように外挿法により表層部の濃度を
める。
ト、効果
以上説明したように本発明によれば、試料の傾きを変え
ながら励起用電子線を照射するようにしたので、マイク
ロアナライザが安定に動作する加速電圧を使用してＸ線
の発生領域の深度を浅くすることができ、従来不可能で
あった数百ｎｍ程度の表層を安定に分析することができ
る。
ながら励起用電子線を照射するようにしたので、マイク
ロアナライザが安定に動作する加速電圧を使用してＸ線
の発生領域の深度を浅くすることができ、従来不可能で
あった数百ｎｍ程度の表層を安定に分析することができ
る。
第１図は、本発明に使用する装置の一例を示す構成図、
第２図は、同上装置による分析領域の変化を示す説明図
、第３図は、分析結果を示す説明図、第４図（Ａ）（Ｂ
）は、それぞれ電子線エネルギと特性Ｘ線の発生領域の
関係を示す説明図、及び検出結果を示す説明図である。 ｌ・・・・試料台 ２・・・・電子線発生装置４・・・
・Ｘ線検出器 ６・・・・マイクロコンピュータ出願人
株式会社 島津製作所 代理人 弁理士 西 川 慶 治 同 木 村 勝 彦 禦 要 異 ×鵬頷・慄 ｌ＠侃
第２図は、同上装置による分析領域の変化を示す説明図
、第３図は、分析結果を示す説明図、第４図（Ａ）（Ｂ
）は、それぞれ電子線エネルギと特性Ｘ線の発生領域の
関係を示す説明図、及び検出結果を示す説明図である。 ｌ・・・・試料台 ２・・・・電子線発生装置４・・・
・Ｘ線検出器 ６・・・・マイクロコンピュータ出願人
株式会社 島津製作所 代理人 弁理士 西 川 慶 治 同 木 村 勝 彦 禦 要 異 ×鵬頷・慄 ｌ＠侃
Claims (1)
- 電子線の入射方向に対して未知試料と標準試料を傾斜角
を変えながら電子線を照射し、前記両試料からの特性Ｘ
線を検出してなるＸ線マイクロアナライザによる表層分
析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207792A JPS60100038A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | Ｘ線マイクロアナライザによる表層分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58207792A JPS60100038A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | Ｘ線マイクロアナライザによる表層分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60100038A true JPS60100038A (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=16545567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58207792A Pending JPS60100038A (ja) | 1983-11-04 | 1983-11-04 | Ｘ線マイクロアナライザによる表層分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60100038A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01213945A (ja) * | 1988-02-20 | 1989-08-28 | Shimadzu Corp | 薄層のｘ線分光分析方法 |
| JPH0518730A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-26 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 表面分析装置 |
| JP2022021153A (ja) * | 2020-07-21 | 2022-02-02 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置及び設定支援方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258355A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | X-ray detecting unit for electronic microscope |
| JPS551593A (en) * | 1978-06-12 | 1980-01-08 | Philips Nv | Xxray spectrometer |
-
1983
- 1983-11-04 JP JP58207792A patent/JPS60100038A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258355A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | X-ray detecting unit for electronic microscope |
| JPS551593A (en) * | 1978-06-12 | 1980-01-08 | Philips Nv | Xxray spectrometer |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01213945A (ja) * | 1988-02-20 | 1989-08-28 | Shimadzu Corp | 薄層のｘ線分光分析方法 |
| JPH0518730A (ja) * | 1991-07-11 | 1993-01-26 | Kokusai Chodendo Sangyo Gijutsu Kenkyu Center | 表面分析装置 |
| JP2022021153A (ja) * | 2020-07-21 | 2022-02-02 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置及び設定支援方法 |
| US11587761B2 (en) | 2020-07-21 | 2023-02-21 | Jeol Ltd. | Charged particle beam apparatus and setting assisting method |
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