JPS6073445A - 螢光x線分析装置 - Google Patents

螢光x線分析装置

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Publication number
JPS6073445A
JPS6073445A JP18413083A JP18413083A JPS6073445A JP S6073445 A JPS6073445 A JP S6073445A JP 18413083 A JP18413083 A JP 18413083A JP 18413083 A JP18413083 A JP 18413083A JP S6073445 A JPS6073445 A JP S6073445A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ray
sample
excitation
analysis
fluorescent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP18413083A
Other languages
English (en)
Inventor
Noriaki Nakanishi
中西 典顕
Hidenobu Ishida
石田 秀信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Original Assignee
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp, Shimazu Seisakusho KK filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP18413083A priority Critical patent/JPS6073445A/ja
Publication of JPS6073445A publication Critical patent/JPS6073445A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/07Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
    • G01N2223/076X-ray fluorescence

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ビ)産業上の利用分野 本発明は金属試料等の分析に用いられる螢光X線分析装
置に関する。
(用従来技術 従来の螢光X線分析装置は第1図に示すように試料面に
垂直或は略垂直に励起用X線を照射していた。第1図で
Sが試料、Xが励起X線用X線管球で垂直方向から試料
面KX線を照射している。
Cは分光結晶で試料面から斜め方向に出る螢光X線が入
射するようになっている。このような構成であると、励
起用の一次X線の試料への浸入深さは数十μmであるか
ら、試料表面の数μmと云つた極く浅い表面層だけの情
報を選択的に得ると云うことができず表面層の分析が困
難であった。
(ハ) 目 的 本発明は螢光X線分析で試料の数μmと云った極く浅い
表面層の分析を可能にすることを目的としている。
(ニ)構 成 本発明は試料面に対して低い角度で励起用X線を照射さ
せるようにした螢光X線分析装置を提供する。
第2図でSは試料であり、1は従来の励起用X線照射方
向、2が本発明による励起X線照射方向である。この二
つの場合、X線の試料内部の進達距離dは同じであるか
ら、励起X線の試料面からの浸入深さは従来例がdであ
るのに対して本発明ではdsinαとなシ、照射角αを
小さくすることによシ、浸入深さは任意に浅くすること
ができる。
(ホ)実施例 第3図は本発明の一実施例を示す。Xは励起X線源で線
焦点式のX線管を用いてお9、線焦点は図の紙面に垂直
の方向に延びている。3はソーラスリットで図の紙面に
平行なX線束を形成するようになっておシ、更にスリッ
ト4によシ試料S表面のX線照射幅を適当に制限してい
る。照射角αは例えば6°位でこの場合X線の浸入深さ
は5in6°−0,1であるから従来の約1/10とな
シ、数μm位の表面層のみの分析ができる。Cは分光結
晶、5は1次ソーラスリット、6は2次ソー2スリツト
でDはX線検出器である。
(へ)効果 本発明螢光X線分析装置は上述したような構成で、試料
面の極く浅い表面層の状態を知ることができるので、例
えばメッキ層の成分を母材の影響なしに分析するような
ことが可能となった。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の側面図、第2図は本発明の原理説明図
、第3図は本発明の一実施例の側面図である。 X・・・X線管、S・・・試料、C・・・分光結晶、D
・・・X線検出器、3,5.6・・・ソーラスリット。 代理人 弁理士 耽 浩 介

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 試料面に対し、低い角度で励起X線を照射させるように
    X線源を配置したことを特徴とする螢光X線分析装置。
JP18413083A 1983-09-30 1983-09-30 螢光x線分析装置 Pending JPS6073445A (ja)

Priority Applications (1)

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JP18413083A JPS6073445A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 螢光x線分析装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP18413083A JPS6073445A (ja) 1983-09-30 1983-09-30 螢光x線分析装置

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JPS6073445A true JPS6073445A (ja) 1985-04-25

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JP (1) JPS6073445A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6378056A (ja) * 1986-09-20 1988-04-08 Rigaku Denki Kogyo Kk 全反射蛍光x線分析装置
JPH01244344A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Hitachi Ltd X線吸収スペクトル測定装置
JPH01254849A (ja) * 1988-04-05 1989-10-11 Rigaku Corp エネルギー分散方式薄膜x線回折法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6378056A (ja) * 1986-09-20 1988-04-08 Rigaku Denki Kogyo Kk 全反射蛍光x線分析装置
JPH01244344A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Hitachi Ltd X線吸収スペクトル測定装置
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