JPS6073445A - 螢光x線分析装置 - Google Patents
螢光x線分析装置Info
- Publication number
- JPS6073445A JPS6073445A JP18413083A JP18413083A JPS6073445A JP S6073445 A JPS6073445 A JP S6073445A JP 18413083 A JP18413083 A JP 18413083A JP 18413083 A JP18413083 A JP 18413083A JP S6073445 A JPS6073445 A JP S6073445A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- sample
- excitation
- analysis
- fluorescent
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/076—X-ray fluorescence
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ビ)産業上の利用分野
本発明は金属試料等の分析に用いられる螢光X線分析装
置に関する。
置に関する。
(用従来技術
従来の螢光X線分析装置は第1図に示すように試料面に
垂直或は略垂直に励起用X線を照射していた。第1図で
Sが試料、Xが励起X線用X線管球で垂直方向から試料
面KX線を照射している。
垂直或は略垂直に励起用X線を照射していた。第1図で
Sが試料、Xが励起X線用X線管球で垂直方向から試料
面KX線を照射している。
Cは分光結晶で試料面から斜め方向に出る螢光X線が入
射するようになっている。このような構成であると、励
起用の一次X線の試料への浸入深さは数十μmであるか
ら、試料表面の数μmと云つた極く浅い表面層だけの情
報を選択的に得ると云うことができず表面層の分析が困
難であった。
射するようになっている。このような構成であると、励
起用の一次X線の試料への浸入深さは数十μmであるか
ら、試料表面の数μmと云つた極く浅い表面層だけの情
報を選択的に得ると云うことができず表面層の分析が困
難であった。
(ハ) 目 的
本発明は螢光X線分析で試料の数μmと云った極く浅い
表面層の分析を可能にすることを目的としている。
表面層の分析を可能にすることを目的としている。
(ニ)構 成
本発明は試料面に対して低い角度で励起用X線を照射さ
せるようにした螢光X線分析装置を提供する。
せるようにした螢光X線分析装置を提供する。
第2図でSは試料であり、1は従来の励起用X線照射方
向、2が本発明による励起X線照射方向である。この二
つの場合、X線の試料内部の進達距離dは同じであるか
ら、励起X線の試料面からの浸入深さは従来例がdであ
るのに対して本発明ではdsinαとなシ、照射角αを
小さくすることによシ、浸入深さは任意に浅くすること
ができる。
向、2が本発明による励起X線照射方向である。この二
つの場合、X線の試料内部の進達距離dは同じであるか
ら、励起X線の試料面からの浸入深さは従来例がdであ
るのに対して本発明ではdsinαとなシ、照射角αを
小さくすることによシ、浸入深さは任意に浅くすること
ができる。
(ホ)実施例
第3図は本発明の一実施例を示す。Xは励起X線源で線
焦点式のX線管を用いてお9、線焦点は図の紙面に垂直
の方向に延びている。3はソーラスリットで図の紙面に
平行なX線束を形成するようになっておシ、更にスリッ
ト4によシ試料S表面のX線照射幅を適当に制限してい
る。照射角αは例えば6°位でこの場合X線の浸入深さ
は5in6°−0,1であるから従来の約1/10とな
シ、数μm位の表面層のみの分析ができる。Cは分光結
晶、5は1次ソーラスリット、6は2次ソー2スリツト
でDはX線検出器である。
焦点式のX線管を用いてお9、線焦点は図の紙面に垂直
の方向に延びている。3はソーラスリットで図の紙面に
平行なX線束を形成するようになっておシ、更にスリッ
ト4によシ試料S表面のX線照射幅を適当に制限してい
る。照射角αは例えば6°位でこの場合X線の浸入深さ
は5in6°−0,1であるから従来の約1/10とな
シ、数μm位の表面層のみの分析ができる。Cは分光結
晶、5は1次ソーラスリット、6は2次ソー2スリツト
でDはX線検出器である。
(へ)効果
本発明螢光X線分析装置は上述したような構成で、試料
面の極く浅い表面層の状態を知ることができるので、例
えばメッキ層の成分を母材の影響なしに分析するような
ことが可能となった。
面の極く浅い表面層の状態を知ることができるので、例
えばメッキ層の成分を母材の影響なしに分析するような
ことが可能となった。
第1図は従来例の側面図、第2図は本発明の原理説明図
、第3図は本発明の一実施例の側面図である。 X・・・X線管、S・・・試料、C・・・分光結晶、D
・・・X線検出器、3,5.6・・・ソーラスリット。 代理人 弁理士 耽 浩 介
、第3図は本発明の一実施例の側面図である。 X・・・X線管、S・・・試料、C・・・分光結晶、D
・・・X線検出器、3,5.6・・・ソーラスリット。 代理人 弁理士 耽 浩 介
Claims (1)
- 試料面に対し、低い角度で励起X線を照射させるように
X線源を配置したことを特徴とする螢光X線分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18413083A JPS6073445A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 螢光x線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18413083A JPS6073445A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 螢光x線分析装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6073445A true JPS6073445A (ja) | 1985-04-25 |
Family
ID=16147898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18413083A Pending JPS6073445A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 螢光x線分析装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6073445A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6378056A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-08 | Rigaku Denki Kogyo Kk | 全反射蛍光x線分析装置 |
JPH01244344A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | X線吸収スペクトル測定装置 |
JPH01254849A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-11 | Rigaku Corp | エネルギー分散方式薄膜x線回折法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18413083A patent/JPS6073445A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6378056A (ja) * | 1986-09-20 | 1988-04-08 | Rigaku Denki Kogyo Kk | 全反射蛍光x線分析装置 |
JPH01244344A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | X線吸収スペクトル測定装置 |
JPH01254849A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-11 | Rigaku Corp | エネルギー分散方式薄膜x線回折法 |
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