JPH01213945A - 薄層のx線分光分析方法 - Google Patents
薄層のx線分光分析方法Info
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- JPH01213945A JPH01213945A JP63038040A JP3804088A JPH01213945A JP H01213945 A JPH01213945 A JP H01213945A JP 63038040 A JP63038040 A JP 63038040A JP 3804088 A JP3804088 A JP 3804088A JP H01213945 A JPH01213945 A JP H01213945A
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- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 title abstract 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 abstract 1
- 238000000441 X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002083 X-ray spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 102100025490 Slit homolog 1 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710123186 Slit homolog 1 protein Proteins 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分析)
本発明は電子線励起によるX線分光法を用いた薄層試料
の分析装置に関する。
の分析装置に関する。
(従来の技術)
電子線マイクロアナライザを用いて薄層試料のX線分光
分析が行われている。薄層を電子ビームで照射してX線
を発生させる場合、試料が薄(なる程X線の発生領域の
体積が小さ(なるため発生するX線の強度が低下し、分
析感度が低くなる。
分析が行われている。薄層を電子ビームで照射してX線
を発生させる場合、試料が薄(なる程X線の発生領域の
体積が小さ(なるため発生するX線の強度が低下し、分
析感度が低くなる。
このため薄層試料のX線分光分析は従来、試料のマトリ
ックス成分の分析程度のことしかできず、微量成分、不
純物等の分析とか、比較的強度の弱いバレンスを用いる
状態分析等は多(の場合困難である。
ックス成分の分析程度のことしかできず、微量成分、不
純物等の分析とか、比較的強度の弱いバレンスを用いる
状態分析等は多(の場合困難である。
(発明が解決しようとする課題)
電子線励起による薄層試料のX線分光分析(元素分析、
状態分析)を高感度で行い得る装置を提供しようとする
ものである。
状態分析)を高感度で行い得る装置を提供しようとする
ものである。
(課題を解決するための手段)
試料に電子ビームを照射する手段と、試料から放射され
るX線を分光するX線分光手段と、試料の上記電子ビー
ムに対する傾きを変える手段と、上記X線分光器と上記
試料の傾きを変える手段とを制御する制御手段とを有す
る装置で、同制御手段が電子線照射により励起された試
料から放射される任意の特性X線を検出する位置にX線
分光手段をセットして試料の傾きを変えながら、そのと
き上記X線分光手段から得られるX線検出信号が最大に
なる試料の傾きを検出し、次に試料をその傾きに固定し
て上記X線分光手段により波長走査を行うと云うプログ
ラムを実行するようにした。
るX線を分光するX線分光手段と、試料の上記電子ビー
ムに対する傾きを変える手段と、上記X線分光器と上記
試料の傾きを変える手段とを制御する制御手段とを有す
る装置で、同制御手段が電子線照射により励起された試
料から放射される任意の特性X線を検出する位置にX線
分光手段をセットして試料の傾きを変えながら、そのと
き上記X線分光手段から得られるX線検出信号が最大に
なる試料の傾きを検出し、次に試料をその傾きに固定し
て上記X線分光手段により波長走査を行うと云うプログ
ラムを実行するようにした。
(作用)
w%3図でSは試料の薄層でBは電子ビームであり、斜
線を入れた部分がX線発生領域である。X線発生領域は
断面積aを有し、試料が充分薄いときはaは電子ビーム
の方向には不変とみなせる。
線を入れた部分がX線発生領域である。X線発生領域は
断面積aを有し、試料が充分薄いときはaは電子ビーム
の方向には不変とみなせる。
試料の厚さをtとすると、X線発生領域の体積Vは
v= j a/cosθ
で傾きが大になる程Vは大となる。他方試料面の傾きが
大になると、試料面に入射した電子は試料により弾性散
乱される比率が増し、試料励起効率が低下して来る。そ
の他、試料の傾きが大になると電子ビームの方向の見か
けの試料厚さが増してX線発生領域も大となるが、傾き
が余り大になっても、電子ビームは試料内部での吸取で
途中までしか進達できず、X線発生領域の増加傾向は飽
和して来る。また試料自身によるX線の吸収は試料面が
X線分光手段の視線方向に垂直であるとき最も少ない等
の条件が重なって、試料から発せられる特性X線の検出
強度が最大になる試料面の傾きがある。前項で述べた制
御手段の動作プログラムの前段はこの特性X線検出強度
最大になる試料の傾きを探索しているのである。動作プ
ログラムの第2段はこのようにして検出された試料の傾
きで、試料からのX線を分光する動作で、この動作によ
り試料の成分分析、状態分析が行われるが、試料からの
放射特性X線の検出強度が最大になる方向に試料が傾け
であるから、任意の薄層試料について最大感度でX線分
光分析が行われることになる。
大になると、試料面に入射した電子は試料により弾性散
乱される比率が増し、試料励起効率が低下して来る。そ
の他、試料の傾きが大になると電子ビームの方向の見か
けの試料厚さが増してX線発生領域も大となるが、傾き
が余り大になっても、電子ビームは試料内部での吸取で
途中までしか進達できず、X線発生領域の増加傾向は飽
和して来る。また試料自身によるX線の吸収は試料面が
X線分光手段の視線方向に垂直であるとき最も少ない等
の条件が重なって、試料から発せられる特性X線の検出
強度が最大になる試料面の傾きがある。前項で述べた制
御手段の動作プログラムの前段はこの特性X線検出強度
最大になる試料の傾きを探索しているのである。動作プ
ログラムの第2段はこのようにして検出された試料の傾
きで、試料からのX線を分光する動作で、この動作によ
り試料の成分分析、状態分析が行われるが、試料からの
放射特性X線の検出強度が最大になる方向に試料が傾け
であるから、任意の薄層試料について最大感度でX線分
光分析が行われることになる。
(実施例)
第1図に本発明の一実施例を示す。Gは試料に電子ビー
ムを照射する手段で、1は電子ビームi2は試料で試料
台3上に保持されている。試料台3はX方向微動装置4
上に取付けられており、X線方向微動装置4は傾動台5
上に取付けられている。傾動台5は下面が試料面上電子
ビーム照射点0を通る水平方向に軸を有する円筒面にな
っており、その円筒面に円周方向に突条6が設けられ、
突条6の上面には歯車が切っである。傾動台5は凹円筒
面の受台51上にその円周方向に摺動可能に載置され、
突条6が受台51上の円周方向の蟻溝に摺動可能に係合
させてあり、突条6上面の歯車は上記蟻溝底に覗いてい
るビニオン7と噛合わせである。ビニオン7はウオーム
8を介してパルスモータ9により回転せしめられ、ビニ
オン70回転によって傾動台5の傾きが変わり、その傾
き角度はパルスモータ9に印加された駆動パルスを制御
装置17が計数するこ七によって検知している。受台5
1はY方向微動装置10上に取付けられ、Y方向微動装
置10はZ方向微動袋fil上に取付けられている。1
3は分光結晶で直線eに平行に配置された送りねじ(図
上省略)により直線eの方向に移動可能であり、16は
上記送りねじを駆動スルパルスモータである。12はパ
ルスモータ9,16等に駆動パルスを印加するモータ駆
動回路で、図上省略しであるX、Y、Z各方向微動装置
をも駆動するものであり、制御装置17によって制御さ
れている。14はX線出射スリット、15はスリット1
4の後にスリット14と一体的に配置されたX線検出器
で、試料2上の電子ビーム照射点0と分光結晶13の中
心と上記スリット14とがローランド円上に乗っている
ように、分光結晶13とスリット14とが機構的に連結
されていて、分光結晶13.スリット14.検出器15
等によりX線分光手段が構成されている。分光結晶13
は直線eに沿って移動し、直線eがX線分光手段の視線
方向となる。Wは上述した装置を収納する真空容器であ
る。
ムを照射する手段で、1は電子ビームi2は試料で試料
台3上に保持されている。試料台3はX方向微動装置4
上に取付けられており、X線方向微動装置4は傾動台5
上に取付けられている。傾動台5は下面が試料面上電子
ビーム照射点0を通る水平方向に軸を有する円筒面にな
っており、その円筒面に円周方向に突条6が設けられ、
突条6の上面には歯車が切っである。傾動台5は凹円筒
面の受台51上にその円周方向に摺動可能に載置され、
突条6が受台51上の円周方向の蟻溝に摺動可能に係合
させてあり、突条6上面の歯車は上記蟻溝底に覗いてい
るビニオン7と噛合わせである。ビニオン7はウオーム
8を介してパルスモータ9により回転せしめられ、ビニ
オン70回転によって傾動台5の傾きが変わり、その傾
き角度はパルスモータ9に印加された駆動パルスを制御
装置17が計数するこ七によって検知している。受台5
1はY方向微動装置10上に取付けられ、Y方向微動装
置10はZ方向微動袋fil上に取付けられている。1
3は分光結晶で直線eに平行に配置された送りねじ(図
上省略)により直線eの方向に移動可能であり、16は
上記送りねじを駆動スルパルスモータである。12はパ
ルスモータ9,16等に駆動パルスを印加するモータ駆
動回路で、図上省略しであるX、Y、Z各方向微動装置
をも駆動するものであり、制御装置17によって制御さ
れている。14はX線出射スリット、15はスリット1
4の後にスリット14と一体的に配置されたX線検出器
で、試料2上の電子ビーム照射点0と分光結晶13の中
心と上記スリット14とがローランド円上に乗っている
ように、分光結晶13とスリット14とが機構的に連結
されていて、分光結晶13.スリット14.検出器15
等によりX線分光手段が構成されている。分光結晶13
は直線eに沿って移動し、直線eがX線分光手段の視線
方向となる。Wは上述した装置を収納する真空容器であ
る。
制御装置17内にセットされている動作プログラムのう
ち本発明に関する部分は、試料の傾きを決定する動作即
ち前段動作と、試料の所定の傾きにおいてX線分光測定
を行う分析動作である。分析動作はX線分光手段を駆動
して波長走査を行い、X線の分光スペクトルを記録する
動作であり、他の通常のX線分光分析の場合と共通プロ
グラムになっている。本発明の主要部は前段動作である
。以下この前段動作を順を追って説明する。
ち本発明に関する部分は、試料の傾きを決定する動作即
ち前段動作と、試料の所定の傾きにおいてX線分光測定
を行う分析動作である。分析動作はX線分光手段を駆動
して波長走査を行い、X線の分光スペクトルを記録する
動作であり、他の通常のX線分光分析の場合と共通プロ
グラムになっている。本発明の主要部は前段動作である
。以下この前段動作を順を追って説明する。
イ、薄膜試料を試料台にセットし、前段動作をスタート
させる。
させる。
口、制御装置は試料台を水平にする。このステップは原
理上必要ではない。
理上必要ではない。
ハ、X線分光手段を駆動して波長走査を行いX線スペク
トルのデータを収集する。
トルのデータを収集する。
二、上記スペクトルのデータからピーク波長およびその
強度を求めテーブルを作る。
強度を求めテーブルを作る。
ホ、上記テーブルから予め登録されている試料薄膜を保
持しているベース或は試料が基板上に形成された拡散層
のような変性層である場合は表面層の下地の成分に由来
するピークのデータを消す。
持しているベース或は試料が基板上に形成された拡散層
のような変性層である場合は表面層の下地の成分に由来
するピークのデータを消す。
こ\でベースとか下地に由来するピークはベースとか下
地の組成から予め分っているが、試料層を有しないベー
スだけ或は下地だけで予めX線分光分析を行って現れる
ピークの波長データを採取しておいてもよい。
地の組成から予め分っているが、試料層を有しないベー
スだけ或は下地だけで予めX線分光分析を行って現れる
ピークの波長データを採取しておいてもよい。
へ、上記テーブル上に残っているピークデータは試料の
薄層に由来するものだけになっているから、その中から
最も強いピークを索出し、その波長を読取る。
薄層に由来するものだけになっているから、その中から
最も強いピークを索出し、その波長を読取る。
ト上記読取った波長位置にX線分光手段を駆動停止させ
る。
る。
チ、X線分光手段を上記位置に固定し、試料を水平から
次第に傾けながらX線分光手段からのX!lII検出出
力のデータを試料の傾き角のデータと共に収集する。こ
のとき検出されているX線は試料から発せられる多くの
特性X線のうちの一つであり、検出出力は試料の傾き角
θによって第2図のように変化する。口のステップで試
料を水平にするのは、このチのステップで試料の傾きと
X線検出出力との関係データを収集する際試料は水平か
ら数十度までの範囲を動かすので、予め水平にしておけ
ば、このステップの動作が任意傾斜角から出発するより
簡単になるからである。
次第に傾けながらX線分光手段からのX!lII検出出
力のデータを試料の傾き角のデータと共に収集する。こ
のとき検出されているX線は試料から発せられる多くの
特性X線のうちの一つであり、検出出力は試料の傾き角
θによって第2図のように変化する。口のステップで試
料を水平にするのは、このチのステップで試料の傾きと
X線検出出力との関係データを収集する際試料は水平か
ら数十度までの範囲を動かすので、予め水平にしておけ
ば、このステップの動作が任意傾斜角から出発するより
簡単になるからである。
す、上記動作で第2図に示すような関係データが得られ
たら、X線検出出力が最大になる試料の傾き角を検出す
る。前記へのステップで最大強度のピークを選んだのは
、このりのステップでX線検出出力が大きい方が傾斜角
の決定が容易正確にできるからで、原理的には前記テー
ブル上の何れのピークを選んでも結果は同じになる。
たら、X線検出出力が最大になる試料の傾き角を検出す
る。前記へのステップで最大強度のピークを選んだのは
、このりのステップでX線検出出力が大きい方が傾斜角
の決定が容易正確にできるからで、原理的には前記テー
ブル上の何れのピークを選んでも結果は同じになる。
ヌ、傾斜角が決定できたら試料をその傾斜角に固定する
。
。
ル、X線分光手段による波長走査を開始させ、X線分光
分析の動作に入る。
分析の動作に入る。
以上で前段動作は完了する。
(発明の効果)
薄層試料を電子ビーム照射により励起するときは放射さ
れる各種特性X線の強度は試料の電子ビームに対する傾
が成る値であるとき最大になる。
れる各種特性X線の強度は試料の電子ビームに対する傾
が成る値であるとき最大になる。
本発明はこの傾を検知し、この傾において試料から放射
されるX線の分光を行うのでX線検出感度が向上し、従
来薄層試料のマット成分の定性程度の分析しかできなか
ったのが、試料中の微量成分、不純物等の分析から、試
料中のそれらの成分の状態分析までが可能になった。
されるX線の分光を行うのでX線検出感度が向上し、従
来薄層試料のマット成分の定性程度の分析しかできなか
ったのが、試料中の微量成分、不純物等の分析から、試
料中のそれらの成分の状態分析までが可能になった。
第1図は本発明の一実施例装置の側面および制御系の構
成を示す図、第2図は放射X線強度と試料の傾きとの関
係を表わすグラス、第3図は試料の傾きによって放射X
線強度が変化する理由を説明する図である。 G・・・試料に電子ビームを照射する手段、2・・・試
料、3・・・試料台、4・・・X方向微動装置、5・・
・傾動台、7・・・ビニオン、8・・・ウオーム、9.
16・・・パルスモータ、10・・・Y方向微動装置、
11・・・Z方向微動装置、12・・・パルスモータ駆
動回路、13・・・分光結晶、14・・・X線出射スリ
ット、15・・・X線検出器、17・・・制御装置。 代理人 弁理士 縣 浩 介
成を示す図、第2図は放射X線強度と試料の傾きとの関
係を表わすグラス、第3図は試料の傾きによって放射X
線強度が変化する理由を説明する図である。 G・・・試料に電子ビームを照射する手段、2・・・試
料、3・・・試料台、4・・・X方向微動装置、5・・
・傾動台、7・・・ビニオン、8・・・ウオーム、9.
16・・・パルスモータ、10・・・Y方向微動装置、
11・・・Z方向微動装置、12・・・パルスモータ駆
動回路、13・・・分光結晶、14・・・X線出射スリ
ット、15・・・X線検出器、17・・・制御装置。 代理人 弁理士 縣 浩 介
Claims (1)
- 試料に電子ビームを照射する手段と、試料から放射され
るX線を分光する手段と、試料の上記電子ビームに対す
る傾きを変える手段と、電子照射により励起された試料
から放射される任意の特性X線を検出する位置に上記X
線分光手段をセットして試料の傾きを変え、そのとき上
記X線分光手段から得られるX線検出信号が最大になる
試料の傾きを検出し、次にその傾きに試料を固定する上
記X線分光手段および試料の傾きを変える手段の制御装
置とを備えたX線分光分析装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63038040A JP2658127B2 (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄層のx線分光分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63038040A JP2658127B2 (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄層のx線分光分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01213945A true JPH01213945A (ja) | 1989-08-28 |
JP2658127B2 JP2658127B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=12514420
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63038040A Expired - Lifetime JP2658127B2 (ja) | 1988-02-20 | 1988-02-20 | 薄層のx線分光分析方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2658127B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018181409A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2018163878A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60100038A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-03 | Shimadzu Corp | X線マイクロアナライザによる表層分析方法 |
-
1988
- 1988-02-20 JP JP63038040A patent/JP2658127B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60100038A (ja) * | 1983-11-04 | 1985-06-03 | Shimadzu Corp | X線マイクロアナライザによる表層分析方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018181409A1 (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
JP2018163878A (ja) * | 2017-03-27 | 2018-10-18 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
US20200251303A1 (en) * | 2017-03-27 | 2020-08-06 | Hitachi High-Tech Science Corporation | Charged particle beam apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2658127B2 (ja) | 1997-09-30 |
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