JPH0731139B2 - 光感知性半導体材料からなる被検体表面層の無接触非破壊検査方法および検査装置 - Google Patents
光感知性半導体材料からなる被検体表面層の無接触非破壊検査方法および検査装置Info
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- JPH0731139B2 JPH0731139B2 JP60037810A JP3781085A JPH0731139B2 JP H0731139 B2 JPH0731139 B2 JP H0731139B2 JP 60037810 A JP60037810 A JP 60037810A JP 3781085 A JP3781085 A JP 3781085A JP H0731139 B2 JPH0731139 B2 JP H0731139B2
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- G01N22/00—Investigating or analysing materials by the use of microwaves or radio waves, i.e. electromagnetic waves with a wavelength of one millimetre or more
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、被検体にフォトンビームないし電子ビームを
照射して過剰の電荷キャリヤを発生させ、それにより惹
起される特性変化をマイクロ波によって検出する、光感
知性半導体材料からなる被検体表面層の無接触被破壊検
査方法およびこの方法を実施するための検査装置に関す
る。
照射して過剰の電荷キャリヤを発生させ、それにより惹
起される特性変化をマイクロ波によって検出する、光感
知性半導体材料からなる被検体表面層の無接触被破壊検
査方法およびこの方法を実施するための検査装置に関す
る。
従来の技術 このような被破壊検査は、例えば「Journal of Appli
ed Physics」第30巻（７号）1959年７月、1054頁以降
とくに1057〜1058頁に記載されている。本発明では、フ
ォトンビームないし電子ビームの照射により光感知性半
導体材料に過剰の電荷キャリヤを発生させ、これにより
惹起された電気伝導度をマイクロ波電磁界の変化として
簡単に測定することができるという事実が利用される。
したがって関連する測定装置は、導波管系と、光感知性
材料に過剰の電荷キャリヤを発生させるためのビーム源
と、通常の測定機器とを有する。
ed Physics」第30巻（７号）1959年７月、1054頁以降
とくに1057〜1058頁に記載されている。本発明では、フ
ォトンビームないし電子ビームの照射により光感知性半
導体材料に過剰の電荷キャリヤを発生させ、これにより
惹起された電気伝導度をマイクロ波電磁界の変化として
簡単に測定することができるという事実が利用される。
したがって関連する測定装置は、導波管系と、光感知性
材料に過剰の電荷キャリヤを発生させるためのビーム源
と、通常の測定機器とを有する。
先行のドイツ連邦共和国特許出願第3402822.6号明細書
に記載された技術でも、被検材料を特徴付ける材料特性
を非破壊検査法で検出することが重要である。しかしこ
こでの目的は、簡単に操業プロセスないし製造プロセス
を中断することである。
に記載された技術でも、被検材料を特徴付ける材料特性
を非破壊検査法で検出することが重要である。しかしこ
こでの目的は、簡単に操業プロセスないし製造プロセス
を中断することである。
光活性／光感知性材料に対しては光導電現象が重要な材
料特性の１つである。光導電現象は電荷キャリヤにより
無接触で励起することができ、材料を取り巻くマイクロ
波電磁界を測定することによって検出することができ
る。この光導電現象から当該材料の品質を推定すること
ができる。
料特性の１つである。光導電現象は電荷キャリヤにより
無接触で励起することができ、材料を取り巻くマイクロ
波電磁界を測定することによって検出することができ
る。この光導電現象から当該材料の品質を推定すること
ができる。
導波管系における光学的パラメータ（誘電率、電気導電
度）の変化により、マイクロ波の分散または吸収または
その両方が生じる。材料の光学的パラメータをこの材料
が置かれているマイクロ波電磁界の変化から検出するこ
とはすでに公知である。例えばA.R.von Hippel著「Die
lectric Materials and Applicationa」,Wiley,ニュ
ーヨーク、1952年、またはA.Rost著「Messung dielekt
rischer Stoffeigenschaften」、Akademie−Verlag,ベ
ルリン、1978年、参照。すでに1953年には、半導体層に
おけるこの変化が当該材料の伝送特性の測定に利用され
ていた。例えばPhys.Rev.89（1953）1152頁参照。以下
の測定法も実施されている。
度）の変化により、マイクロ波の分散または吸収または
その両方が生じる。材料の光学的パラメータをこの材料
が置かれているマイクロ波電磁界の変化から検出するこ
とはすでに公知である。例えばA.R.von Hippel著「Die
lectric Materials and Applicationa」,Wiley,ニュ
ーヨーク、1952年、またはA.Rost著「Messung dielekt
rischer Stoffeigenschaften」、Akademie−Verlag,ベ
ルリン、1978年、参照。すでに1953年には、半導体層に
おけるこの変化が当該材料の伝送特性の測定に利用され
ていた。例えばPhys.Rev.89（1953）1152頁参照。以下
の測定法も実施されている。
ａ）材料の影響による定在波の特性変化の測定 ｂ）材料の吸収係数の測定 ｃ）材料の反射係数の測定（「Rev.Sci.Instrum.44（19
73）1204頁参照。
73）1204頁参照。
上記の測定法のうちｂ）とｃ）は、１つの周波数におい
て測定する場合は、特別の条件の下でのみ光学的パラメ
ータの一義的評価が可能である。一般的には所定の周波
数領域における測定の数値評価が必要である。
て測定する場合は、特別の条件の下でのみ光学的パラメ
ータの一義的評価が可能である。一般的には所定の周波
数領域における測定の数値評価が必要である。
光感知性材料が存在する導波管内のマイクロ波電磁界を
材料の電子またはフォトンの照射で変化させこの変化を
測定することによって、この照射により惹起される材料
の過剰電子による電気伝導度を求めることができる。例
えば冒頭に述べた刊行物「J.Appl.Phys.」30（1959）10
54頁参照。この手法は上記の測定法ｂ）とｃ）でしか適
用することができない。
材料の電子またはフォトンの照射で変化させこの変化を
測定することによって、この照射により惹起される材料
の過剰電子による電気伝導度を求めることができる。例
えば冒頭に述べた刊行物「J.Appl.Phys.」30（1959）10
54頁参照。この手法は上記の測定法ｂ）とｃ）でしか適
用することができない。
過剰電子による電気伝導度の変化が反射係数および吸収
係数のわずかな変化しか引き起こさない場合でも、ビー
ム照射の下で反射ないし吸収されるマイクロ波パワーの
相対変化がこの電気伝導度の変化に比例することが示さ
れている。例えば、「Radiat.Phys.Chem.」、10（197
7）353頁または「Proc.IEEE」51（1963）581頁参照。比
例定数は照射しないときの材料特性（光学的パラメータ
および寸法）の関数であり、測定が広い周波数領域で行
われるかまたは被検体が種々異なる厚さを有する場合に
評価することができる。しかし過剰電子による電気伝導
度の相対変化だけを比較し、他の平衡状態での特性（照
射されないときの特性）が変化しないか変化がわずかで
ある場合には上記の評価は必要ではない。測定された電
気伝導度はホトセル内の被検材料の特性と相関関係にあ
る。
係数のわずかな変化しか引き起こさない場合でも、ビー
ム照射の下で反射ないし吸収されるマイクロ波パワーの
相対変化がこの電気伝導度の変化に比例することが示さ
れている。例えば、「Radiat.Phys.Chem.」、10（197
7）353頁または「Proc.IEEE」51（1963）581頁参照。比
例定数は照射しないときの材料特性（光学的パラメータ
および寸法）の関数であり、測定が広い周波数領域で行
われるかまたは被検体が種々異なる厚さを有する場合に
評価することができる。しかし過剰電子による電気伝導
度の相対変化だけを比較し、他の平衡状態での特性（照
射されないときの特性）が変化しないか変化がわずかで
ある場合には上記の評価は必要ではない。測定された電
気伝導度はホトセル内の被検材料の特性と相関関係にあ
る。
発明が解決しようとする課題 本発明の課題は、光感知性材料からなる被検体をフォト
ンビームないし電子ビームで照射して過剰の電荷キャリ
ヤを発生され、この電荷キャリヤによる電気伝導度をマ
イクロ波により検出し、被検体に構造上の変化がある場
合にはこの電気伝導度が変化することを利用して、この
光感知性材料の化学的に異なる組成、製造欠陥、材料損
傷等を無接触非破壊で検出することのできる方法を提供
することである。
ンビームないし電子ビームで照射して過剰の電荷キャリ
ヤを発生され、この電荷キャリヤによる電気伝導度をマ
イクロ波により検出し、被検体に構造上の変化がある場
合にはこの電気伝導度が変化することを利用して、この
光感知性材料の化学的に異なる組成、製造欠陥、材料損
傷等を無接触非破壊で検出することのできる方法を提供
することである。
課題を解決するための手段 上記課題は本発明により、被検体をマイクロ波電磁界に
位置決めするステップと、 尖鋭に集束されたフォトンビームないし電子ビームを、
被検体表面の種々異なる領域に個別に照射するステップ
と、 前記照射により被検体の前記領域に過剰の電荷キャリヤ
を発生させるステップと、 前記フォトンビームないし電子ビームにより惹起され
た、被検体の前記領域における電気伝導度を前記マイク
ロ波電磁界のマイクロ波により検出するステップと、 前記電気伝導度の、被検体照射領域における構造上の変
化に起因する変化から、被検体表面層における微細構造
および構造欠陥を検出するステップとによって解決され
る。
位置決めするステップと、 尖鋭に集束されたフォトンビームないし電子ビームを、
被検体表面の種々異なる領域に個別に照射するステップ
と、 前記照射により被検体の前記領域に過剰の電荷キャリヤ
を発生させるステップと、 前記フォトンビームないし電子ビームにより惹起され
た、被検体の前記領域における電気伝導度を前記マイク
ロ波電磁界のマイクロ波により検出するステップと、 前記電気伝導度の、被検体照射領域における構造上の変
化に起因する変化から、被検体表面層における微細構造
および構造欠陥を検出するステップとによって解決され
る。
またこの方法を実施するための装置は、マイクロ波の伝
搬方向に対して任意に選択可能な角度でマイクロ波電磁
界の１つの平面内に板状の被検体を位置付けるための被
検体用の試料ホルドと、 放射源から送出され集束装置により尖鋭に集束されたフ
ォトンまたは電子ビームを、導波管横断面の作用領域に
おいて、前記板状の被検体表面の種々異なる領域に個別
に入射するためのビーム案内装置と、 前記試料ホルダをμｍオーダの調整距離で調整する電気
制御調整装置と、 前記調整装置、前記放射源および前記ビーム案内装置に
対する制御装置とを有し、 前記制御装置により、被検体の照射領域と検出器により
測定されたマイクロ波信号とが正確に対応付けられ、 少なくとも試料ホルダが前記被検体の変位可能な位置決
めを行うかまたは少なくとも電子ビーム案内装置がフォ
トンまたは電子ビームの偏向を行い、前記被検体とフォ
トンまたは電子ビームとの間で相対運動がなされるよう
に構成される。
搬方向に対して任意に選択可能な角度でマイクロ波電磁
界の１つの平面内に板状の被検体を位置付けるための被
検体用の試料ホルドと、 放射源から送出され集束装置により尖鋭に集束されたフ
ォトンまたは電子ビームを、導波管横断面の作用領域に
おいて、前記板状の被検体表面の種々異なる領域に個別
に入射するためのビーム案内装置と、 前記試料ホルダをμｍオーダの調整距離で調整する電気
制御調整装置と、 前記調整装置、前記放射源および前記ビーム案内装置に
対する制御装置とを有し、 前記制御装置により、被検体の照射領域と検出器により
測定されたマイクロ波信号とが正確に対応付けられ、 少なくとも試料ホルダが前記被検体の変位可能な位置決
めを行うかまたは少なくとも電子ビーム案内装置がフォ
トンまたは電子ビームの偏向を行い、前記被検体とフォ
トンまたは電子ビームとの間で相対運動がなされるよう
に構成される。
作用 本発明では、例えばレーザビームとすることのできるフ
ォトンビームないし電子ビームを被検体に照射して過剰
の電荷キャリヤを発生させ、被検体においてこの電荷キ
ャリヤによる電気伝導度を測定する。この電気伝導度は
被検体表面層に構造上の不均一性があると変化するの
で、この電気伝導度の変化を検出することにより微細な
構造不規則性を検出することができる。また本発明では
被検体の電気伝導度を測定するに際し、被検体をおマイ
クロ波電磁界内に配置し、被検体を透過したマイクロ波
または被検体により反射されたマイクロ波を測定するこ
とによって前記電気伝導度を求めるのである。これは前
に述べたように、ビーム照射の下で被検体により反射な
いし吸収されるマイクロ波パワーの相対変化はこの被検
体の電気伝導度の変化に比例することに基づくものであ
る。
ォトンビームないし電子ビームを被検体に照射して過剰
の電荷キャリヤを発生させ、被検体においてこの電荷キ
ャリヤによる電気伝導度を測定する。この電気伝導度は
被検体表面層に構造上の不均一性があると変化するの
で、この電気伝導度の変化を検出することにより微細な
構造不規則性を検出することができる。また本発明では
被検体の電気伝導度を測定するに際し、被検体をおマイ
クロ波電磁界内に配置し、被検体を透過したマイクロ波
または被検体により反射されたマイクロ波を測定するこ
とによって前記電気伝導度を求めるのである。これは前
に述べたように、ビーム照射の下で被検体により反射な
いし吸収されるマイクロ波パワーの相対変化はこの被検
体の電気伝導度の変化に比例することに基づくものであ
る。
先鋭に集束されたフォトンビームないし電子ビームによ
り被検材料の被照射領域にのみ過剰の電荷キャリヤが発
生され、測定される電気伝導度はこの照射された領域に
対する特性量となる。被検材料の光電特性が位置的に異
なれば、これに依存してやはりマイクロ波の吸収率およ
び反射率も位置的に異なる。
り被検材料の被照射領域にのみ過剰の電荷キャリヤが発
生され、測定される電気伝導度はこの照射された領域に
対する特性量となる。被検材料の光電特性が位置的に異
なれば、これに依存してやはりマイクロ波の吸収率およ
び反射率も位置的に異なる。
材料の破壊や損傷が生じてはならない場合において本発
明の方法の適用例は例えば次の通りである。
明の方法の適用例は例えば次の通りである。
多結晶の光感知性材料の表面構造の測定。過剰キャリヤ
による電気伝導度は位置分解して測定される。電気伝導
度の位置依存性は、粒子の境界（電気伝導度が比較的の
大きいかまたは小さい）、表面の段（例えば層格子結晶
のピッチ）、化学的に異なった表面組成および導電路構
造欠陥等を表す。
による電気伝導度は位置分解して測定される。電気伝導
度の位置依存性は、粒子の境界（電気伝導度が比較的の
大きいかまたは小さい）、表面の段（例えば層格子結晶
のピッチ）、化学的に異なった表面組成および導電路構
造欠陥等を表す。
ホトセルの品質管理。ホトセルの表面上の特定の位置も
しくは箇所における電気伝導度の偏差に製造欠陥および
材料の破壊を表す。
しくは箇所における電気伝導度の偏差に製造欠陥および
材料の破壊を表す。
光感知半導体、合成材料および金属から構成されている
（例えば半導体チツプのような）マイクロ電子デバイス
の品質管理。モデル製品（標準）製品の電気伝導度の位
置的に分解したパターンを被検製品のパターンと比較す
る。この比較から、欠陥および破壊ならびにその位置を
決定することができる。
（例えば半導体チツプのような）マイクロ電子デバイス
の品質管理。モデル製品（標準）製品の電気伝導度の位
置的に分解したパターンを被検製品のパターンと比較す
る。この比較から、欠陥および破壊ならびにその位置を
決定することができる。
これらの測定は、現場外ならびに必要に応じ現場内で行
うことができる。
うことができる。
本発明の方法の実施に当つては、電子ビームまたはフオ
トンビームは、直径約0.1μｍないし10μｍのスポツト
に集束するのが有利である。材料内への拡散の結果とし
て、誘起される伝導の領域が大きくなるので、当然合理
的な集束には限界が課せられるのである。
トンビームは、直径約0.1μｍないし10μｍのスポツト
に集束するのが有利である。材料内への拡散の結果とし
て、誘起される伝導の領域が大きくなるので、当然合理
的な集束には限界が課せられるのである。
マイクロ波場の相対変化が評価される訳であるから、本
発明の方法においては、所望の位置分解測定に対応し、
フオトンまたは電子ビームおよび測定客体を相対的に変
位することができるような手段を設けなければならな
い。現場測定の場合には、測定客体を位置的に固定保持
しておいて、電子もしくはフオトンビームを、マイクロ
波場内に配置された材料の表面上で変位するようにする
のが有利である。現場外測定の場合には、電子またはフ
オトンビームの下側でマイクロ波場内に位置する材料を
変位し、材料の照射される領域がマイクロ波場内の常に
同じ位置に存在するようにする，即ち，材料のこのよう
な表面領域間の差異が導波管内のマイクロ波場の分布パ
ターンに関係なく測定できるようにすることが可能であ
る。なお上記の２種類の変位を重畳してもよい。
発明の方法においては、所望の位置分解測定に対応し、
フオトンまたは電子ビームおよび測定客体を相対的に変
位することができるような手段を設けなければならな
い。現場測定の場合には、測定客体を位置的に固定保持
しておいて、電子もしくはフオトンビームを、マイクロ
波場内に配置された材料の表面上で変位するようにする
のが有利である。現場外測定の場合には、電子またはフ
オトンビームの下側でマイクロ波場内に位置する材料を
変位し、材料の照射される領域がマイクロ波場内の常に
同じ位置に存在するようにする，即ち，材料のこのよう
な表面領域間の差異が導波管内のマイクロ波場の分布パ
ターンに関係なく測定できるようにすることが可能であ
る。なお上記の２種類の変位を重畳してもよい。
配置された材料とビームとの間の相対運動は、本発明の
実施に当り、予め定められた走査パターンに従い段階
的、即ちステツプバイステツプベースで行うのが有利で
ある。このようにすれば、被測定客体の表面構造もしく
は組織の間隙の無い写像を発生することができる。相対
運動のこのステツプ長は、μｍ台とすべきである。この
ようにすれば、ステツプ長ならびに電子またはフオトン
ビームの集束の鋭さを互いに整合することにより所要の
大きさの分解能が実現できる。
実施に当り、予め定められた走査パターンに従い段階
的、即ちステツプバイステツプベースで行うのが有利で
ある。このようにすれば、被測定客体の表面構造もしく
は組織の間隙の無い写像を発生することができる。相対
運動のこのステツプ長は、μｍ台とすべきである。この
ようにすれば、ステツプ長ならびに電子またはフオトン
ビームの集束の鋭さを互いに整合することにより所要の
大きさの分解能が実現できる。
これと関連して、本発明の方法の有利な実施態様におい
ては、フオトンビームを、外部的にタイミング制御する
ことができるレーザにより発生するのが有利である。こ
の場合には、パルス形状のビームで、時間分解測定が可
能となる。また，電荷キヤリアが本来の輝点スポツトの
領域から材料に拡散することに起因する影響が部分的に
除去される。
ては、フオトンビームを、外部的にタイミング制御する
ことができるレーザにより発生するのが有利である。こ
の場合には、パルス形状のビームで、時間分解測定が可
能となる。また，電荷キヤリアが本来の輝点スポツトの
領域から材料に拡散することに起因する影響が部分的に
除去される。
測定装置は主として市販されている要素から構成するこ
とができる。これらの要素には、マイクロ波発生装置お
よびマイクロ波検出デバイスを備えたマイクロ波系（導
波管またはストリツプ導体）が含まれる。照射される材
料のマイクロ波吸収または反射を測定する訳であるか
ら、対応のビーム源も必要とされる。上述の方法を実施
するための本発明によるマイクロ波測定装置の特に有利
な構成は、マイクロ波の伝搬方向に対して任意に選択可
能な角度でマイクロ波場の１つの平面内に板形状の測定
客体を位置付けるための測定客体用の試料ホルダ（ない
しマイクロ波の伝搬方向に対して垂直な平面内に位置付
けられて導波管横断面を覆う板状の測定客体を受給する
ように構成されている試料ホルダ）と、放射源から送出
され集束装置により先鋭に集束されるフオトンまたは電
子ビームを導波管断面領域において上記板形状の測定客
体の表面上にスポツトとして入射するためのビーム案内
装置とを含み，少なくとも試料ホルダが上記測定客体の
変位可能な位置決めを行うかまたは少なくとも電子ビー
ム案内装置がフオトンまたは電子ビームの偏向を行い、
上記測定客体とビームとの間に相対運動を可能にするも
のである。
とができる。これらの要素には、マイクロ波発生装置お
よびマイクロ波検出デバイスを備えたマイクロ波系（導
波管またはストリツプ導体）が含まれる。照射される材
料のマイクロ波吸収または反射を測定する訳であるか
ら、対応のビーム源も必要とされる。上述の方法を実施
するための本発明によるマイクロ波測定装置の特に有利
な構成は、マイクロ波の伝搬方向に対して任意に選択可
能な角度でマイクロ波場の１つの平面内に板形状の測定
客体を位置付けるための測定客体用の試料ホルダ（ない
しマイクロ波の伝搬方向に対して垂直な平面内に位置付
けられて導波管横断面を覆う板状の測定客体を受給する
ように構成されている試料ホルダ）と、放射源から送出
され集束装置により先鋭に集束されるフオトンまたは電
子ビームを導波管断面領域において上記板形状の測定客
体の表面上にスポツトとして入射するためのビーム案内
装置とを含み，少なくとも試料ホルダが上記測定客体の
変位可能な位置決めを行うかまたは少なくとも電子ビー
ム案内装置がフオトンまたは電子ビームの偏向を行い、
上記測定客体とビームとの間に相対運動を可能にするも
のである。
本発明による測定装置においては、被測定客体を導波管
の外部，例えば導波管の開口の後方、アンテナの後方、
導波管レンズ系その他の後方に短い間隔で配置してもよ
いしまた、導波管系の内部に、例えば固定の予め定めら
れた方向で、合目的的には伝搬方向に対して垂直に設け
ることができる。
の外部，例えば導波管の開口の後方、アンテナの後方、
導波管レンズ系その他の後方に短い間隔で配置してもよ
いしまた、導波管系の内部に、例えば固定の予め定めら
れた方向で、合目的的には伝搬方向に対して垂直に設け
ることができる。
構造上、個々の用途に対して、被測定客体のための担持
板を備えた試料ホルダ、鑚孔された担持板，合成材料製
の担持板、試料ホルダの金属製覆い板および／または鑚
孔覆い板を設けるのが非常に重要である。パルス照射
は、ビーム源と試料ホルダとの間のビーム路に設けられ
たタイミング制御されるシヤツタを用いて或いはまたビ
ーム源のタイミング開閉制御により実現することができ
る。
板を備えた試料ホルダ、鑚孔された担持板，合成材料製
の担持板、試料ホルダの金属製覆い板および／または鑚
孔覆い板を設けるのが非常に重要である。パルス照射
は、ビーム源と試料ホルダとの間のビーム路に設けられ
たタイミング制御されるシヤツタを用いて或いはまたビ
ーム源のタイミング開閉制御により実現することができ
る。
さらに、本発明による測定装置の実施に当つては、例え
ば、導波管ベントを設け、それに試料ホルダを配設し、
該ベント部に照射窓を設けるのが有利である。この場
合、照射窓は、試料ホルダが配設される導波管横断面の
中心の法線写像領域で導波管ベントの外壁に設けること
ができる。このベント部は、90゜の導波管ベントとして
構成するのが有利である。被測定客体とビームとの間の
所望の相対運動は、ビームの方向を固定保持し、特に任
意の選択された入射角に保持して、運動可能な試料ホル
ダだけにより実現することができるが、平面の２つの方
向においてμｍ領域台の調整量を有する試料ホルダのた
めの電気的に制御可能な調整装置を設けるのが合目的で
ある。さらに、このような調整装置、ビーム源ならびに
ビーム案内系に対しコンピユータ支援制御装置を設け
て、測定およびその評価を容易にすると共に高い再現可
能な精度を確保できるようにするのが好ましい。
ば、導波管ベントを設け、それに試料ホルダを配設し、
該ベント部に照射窓を設けるのが有利である。この場
合、照射窓は、試料ホルダが配設される導波管横断面の
中心の法線写像領域で導波管ベントの外壁に設けること
ができる。このベント部は、90゜の導波管ベントとして
構成するのが有利である。被測定客体とビームとの間の
所望の相対運動は、ビームの方向を固定保持し、特に任
意の選択された入射角に保持して、運動可能な試料ホル
ダだけにより実現することができるが、平面の２つの方
向においてμｍ領域台の調整量を有する試料ホルダのた
めの電気的に制御可能な調整装置を設けるのが合目的で
ある。さらに、このような調整装置、ビーム源ならびに
ビーム案内系に対しコンピユータ支援制御装置を設け
て、測定およびその評価を容易にすると共に高い再現可
能な精度を確保できるようにするのが好ましい。
本発明の動作態様、その好ましい実施例そして特に測定
装置と関連しての詳細は、添付図面に関する以下の詳細
な説明から明らかとなろう。
装置と関連しての詳細は、添付図面に関する以下の詳細
な説明から明らかとなろう。
実施例 フォトンビームないし電子ビームにより惹起された被検
体領域における電気伝導度をマイクロ波によって検出す
るためにマイクロ波測定装置を使用する。このマイクロ
波測定装置によって実際には、光または電子が照射され
る半導体材料のマイクロ波吸収度または反射度が測定さ
れる。しかし前に述べたようにマイクロ波吸収度および
反射度はその領域における電気伝導度の直接の尺度であ
る。
体領域における電気伝導度をマイクロ波によって検出す
るためにマイクロ波測定装置を使用する。このマイクロ
波測定装置によって実際には、光または電子が照射され
る半導体材料のマイクロ波吸収度または反射度が測定さ
れる。しかし前に述べたようにマイクロ波吸収度および
反射度はその領域における電気伝導度の直接の尺度であ
る。
マイクロ波測定装置は実質的に３つの部分からなる。す
なわち、導波管系（第１図参照）と、試料ホルダ（第５
図参照）と、照射系（第２図および第４図参照）であ
る。導波管系は第１図にブロック図で示されており、マ
イクロ波の発生および検出を行う。
なわち、導波管系（第１図参照）と、試料ホルダ（第５
図参照）と、照射系（第２図および第４図参照）であ
る。導波管系は第１図にブロック図で示されており、マ
イクロ波の発生および検出を行う。
第１図に示されているように、マイクロ波は離調可能な
ガンダイオードまたはクライストロンのようなマイクロ
波発生器Ｇにより発生され、アイソレータＩ、導波管
Ｃ、サーキュレータＫそして別の導波管Ａを介して試料
ホルダＳに達する。被検体によるマイクロ波の反射度を
測定する場合は、試料ホルダＳ内の被検体によって反射
されたマイクロ波を測定する。反射されたマイクロ波は
サーキュレータＫに戻り、導波管Ｅを介して検出器D1
（ダイオードまたはサーミスタ）に達し、そこで測定さ
れる。被検体の吸収度を測定する場合は、試料ホルダＳ
の後方に検出器D2を備えた導波管Ｂが設けられ、被検体
を透過したマイクロ波がこの検出器D2により測定され
る。いずれの場合でも導波管ＢとＣは必ずしも必要では
なく、省略することができる。
ガンダイオードまたはクライストロンのようなマイクロ
波発生器Ｇにより発生され、アイソレータＩ、導波管
Ｃ、サーキュレータＫそして別の導波管Ａを介して試料
ホルダＳに達する。被検体によるマイクロ波の反射度を
測定する場合は、試料ホルダＳ内の被検体によって反射
されたマイクロ波を測定する。反射されたマイクロ波は
サーキュレータＫに戻り、導波管Ｅを介して検出器D1
（ダイオードまたはサーミスタ）に達し、そこで測定さ
れる。被検体の吸収度を測定する場合は、試料ホルダＳ
の後方に検出器D2を備えた導波管Ｂが設けられ、被検体
を透過したマイクロ波がこの検出器D2により測定され
る。いずれの場合でも導波管ＢとＣは必ずしも必要では
なく、省略することができる。
被検体に過剰キャリヤを発生させ、これにより電気伝導
を惹起するために、被検体には任意の側からフォトンビ
ームないし電子ビームが照射される。第２図、第３図お
よび第４図にはそのための３つの実施例が示されてい
る。第２図および第３図に示した実施例は、マイクロ波
反射を測定する場合に、被検体をフォトンまたは電子で
照射するための構成である。導波管横断面を覆うように
配置された被検体は、第２図ではマイクロ波電磁界とは
反対側から照射され、第３図ではマイクロ波電磁界と同
じ側から照射される。第２図の実施例の場合、導波管Ａ
はもちろんまっすぐでも良く、ベントＡとして形成する
必要はない。第３図の場合は、ベントＡに照射窓W1が設
けられ、この窓を介して被検体表面にフォトンビームな
いし電子ビームが照射される。この照射が垂直に入射す
るようにするため、照射窓W1は被検体により覆われる導
波管断面の中心Ｍの法線写像領域でベントＡの外壁に設
ける必要がある。
を惹起するために、被検体には任意の側からフォトンビ
ームないし電子ビームが照射される。第２図、第３図お
よび第４図にはそのための３つの実施例が示されてい
る。第２図および第３図に示した実施例は、マイクロ波
反射を測定する場合に、被検体をフォトンまたは電子で
照射するための構成である。導波管横断面を覆うように
配置された被検体は、第２図ではマイクロ波電磁界とは
反対側から照射され、第３図ではマイクロ波電磁界と同
じ側から照射される。第２図の実施例の場合、導波管Ａ
はもちろんまっすぐでも良く、ベントＡとして形成する
必要はない。第３図の場合は、ベントＡに照射窓W1が設
けられ、この窓を介して被検体表面にフォトンビームな
いし電子ビームが照射される。この照射が垂直に入射す
るようにするため、照射窓W1は被検体により覆われる導
波管断面の中心Ｍの法線写像領域でベントＡの外壁に設
ける必要がある。
マイクロ波の吸収度を測定するためマイクロ波が被検体
を透過するように構成された第４図の実施例では、第３
図と同じように照射を行うことができ、その場合導波管
Ａをベントとして形成する必要はない。すなわち第４図
の実施例では、導波管Ａをベントとして構成する必要は
ないが、導波管Ｂはベントして構成し、第３図に示した
ベントＡおよび照射窓W1に相応して、照射窓W2を導波管
Ｂに設ける必要がある。試料もしくは試料ホルダは導波
管ＡとＢとの間に例えばねじ等により固定される。
を透過するように構成された第４図の実施例では、第３
図と同じように照射を行うことができ、その場合導波管
Ａをベントとして形成する必要はない。すなわち第４図
の実施例では、導波管Ａをベントとして構成する必要は
ないが、導波管Ｂはベントして構成し、第３図に示した
ベントＡおよび照射窓W1に相応して、照射窓W2を導波管
Ｂに設ける必要がある。試料もしくは試料ホルダは導波
管ＡとＢとの間に例えばねじ等により固定される。
第５図には試料ホルダＳが示されている。特性が測定さ
れる被検材料は一般的に２次元の板または層である。試
料ホルダＳは導波管Ａの横断面上に設けられる。試料Ｏ
の寸法が導波管横断面の寸法よりも小さい場合は、試料
Ｏを支持板Ｐの上に載置することができる。支持板Ｐは
例えば合成樹脂から形成され、１つまたは複数の孔が設
けられている。試料Ｏの後方には信号を拡大するために
金属性のカバープレートＲを配置することができる。マ
イクロ波の透過特性を測定する場合、または試料を光ま
たは電子によってプレート側から照射するには、このカ
ーバープレートに１つまたは複数の孔を必ず設けなけれ
ばならない。試料の後方にも合成樹脂板を配置すること
ができる。この合成樹脂板にも場合により孔が設けられ
る。
れる被検材料は一般的に２次元の板または層である。試
料ホルダＳは導波管Ａの横断面上に設けられる。試料Ｏ
の寸法が導波管横断面の寸法よりも小さい場合は、試料
Ｏを支持板Ｐの上に載置することができる。支持板Ｐは
例えば合成樹脂から形成され、１つまたは複数の孔が設
けられている。試料Ｏの後方には信号を拡大するために
金属性のカバープレートＲを配置することができる。マ
イクロ波の透過特性を測定する場合、または試料を光ま
たは電子によってプレート側から照射するには、このカ
ーバープレートに１つまたは複数の孔を必ず設けなけれ
ばならない。試料の後方にも合成樹脂板を配置すること
ができる。この合成樹脂板にも場合により孔が設けられ
る。
過剰キャリヤによる電気伝導度の位置依存性を測定する
ための装置は、試料Ｏを導波管Ａの横断面上で移動させ
るための装置を有する。例えば反射度を測定する場合、
試料Ｏによって横断面が覆われている導波管Ａの端部を
位置決め部材Ｌによって台板Ｎ内を軸方向に変位するよ
うに保持する。試料ホルダＳは例えば２つの部分からな
る枠によって形成される。上側の部分には排気のための
通路が機械加工により形成される。下側の部分には試料
Ｏを試料ホルダＳに吸着するための孔が設けられてい
る。試料Ｏの直径が小さい場合は支持板Ｐに載置され、
必要に応じて金属カバープレートＲにより覆われる。
ための装置は、試料Ｏを導波管Ａの横断面上で移動させ
るための装置を有する。例えば反射度を測定する場合、
試料Ｏによって横断面が覆われている導波管Ａの端部を
位置決め部材Ｌによって台板Ｎ内を軸方向に変位するよ
うに保持する。試料ホルダＳは例えば２つの部分からな
る枠によって形成される。上側の部分には排気のための
通路が機械加工により形成される。下側の部分には試料
Ｏを試料ホルダＳに吸着するための孔が設けられてい
る。試料Ｏの直径が小さい場合は支持板Ｐに載置され、
必要に応じて金属カバープレートＲにより覆われる。
試料の透過特性を測定する場合には、試料ホルダＳの上
方に導波管Ｂを配置する。この導波管Ｂも位置決め手段
Ｌにより台板Ｎ内を軸方向に変位するように保持され
る。試料Ｏを試料ホルダＳに装着した後、横断面の開放
された導波管Ｂを試料Ｏの表面上に気密に配置する。こ
の場合、試料Ｏの上にカバープレートＲを設置する代わ
りに、0.1mmから1mm、有利には0.5mmの厚さの石英板の
ような介在層Ｚを間に配置することもできる。これによ
り試料および介在層Ｚは試料ホルダＳ内にすでに配置さ
れている試料およびカバープレートＲの位置に達する。
方に導波管Ｂを配置する。この導波管Ｂも位置決め手段
Ｌにより台板Ｎ内を軸方向に変位するように保持され
る。試料Ｏを試料ホルダＳに装着した後、横断面の開放
された導波管Ｂを試料Ｏの表面上に気密に配置する。こ
の場合、試料Ｏの上にカバープレートＲを設置する代わ
りに、0.1mmから1mm、有利には0.5mmの厚さの石英板の
ような介在層Ｚを間に配置することもできる。これによ
り試料および介在層Ｚは試料ホルダＳ内にすでに配置さ
れている試料およびカバープレートＲの位置に達する。
被検体に過剰の電荷キャリヤを発生させるため、ビーム
源Ｑから先鋭に集束されたフォトンまたは電子ビームが
ビーム偏向系Ｔを介して試料Ｏに達する。試料ホルダＳ
はリンクを介して調整位置Ｘ−Ｙに連結されており、こ
れにより試料Ｏは導波管ＡおよびＢの横断面領域内で往
復動され、試料表面の種々異なる領域に個別に照射を受
けるこことなる。マイクロ波電磁界においては特性が大
きく異なるため、照射スポットの位置を試料Ｏ表面で固
定し、試料Ｏを導波管ＡおよびＢの横断面上を往復動さ
せると有利である。ビームを調整するため、ビーム偏向
系Ｔは少なくともこの実施例では揺動運動できるように
構成すべきである。しかし照射スポットを試料Ｏ表面上
で移動させたり、試料ホルダＳとビーム偏向系Ｔの両方
を運動させることもできる。
源Ｑから先鋭に集束されたフォトンまたは電子ビームが
ビーム偏向系Ｔを介して試料Ｏに達する。試料ホルダＳ
はリンクを介して調整位置Ｘ−Ｙに連結されており、こ
れにより試料Ｏは導波管ＡおよびＢの横断面領域内で往
復動され、試料表面の種々異なる領域に個別に照射を受
けるこことなる。マイクロ波電磁界においては特性が大
きく異なるため、照射スポットの位置を試料Ｏ表面で固
定し、試料Ｏを導波管ＡおよびＢの横断面上を往復動さ
せると有利である。ビームを調整するため、ビーム偏向
系Ｔは少なくともこの実施例では揺動運動できるように
構成すべきである。しかし照射スポットを試料Ｏ表面上
で移動させたり、試料ホルダＳとビーム偏向系Ｔの両方
を運動させることもできる。
第６図と第７図は、不均一な半導体層の構造誤差を位置
分解して検出するためのマイクロ波測定装置を示す。第
６図からわかるように、試料Ｏにフォトンを照射して電
荷キャリヤを発生させる場合はビーム源Q1としてのCWレ
ーザと機械光学的ビーム偏向系T1を用いる。電子を照射
する場合は電子ビーム管Q2とビーム偏向用電磁系T2およ
び集束系T2を用いる。検出器D1により測定値として試料
Ｏによるマイクロ波の反射が測定される。同期装置およ
び制御装置によりこの測定値は試料の当該照射領域に正
確に対応付けられ、平均化され、出力表示される。第７
図の実施例では、フォトンビーム源Q1と光学的集束装置
F1との間のビーム路にシャッタＶが挿入されている。こ
れにより時間分解測定も可能である。またアイソレータ
ＩとサーキュレータＫとの間には減衰器が設けられてい
る。この減衰器により検出器D1の飽和を回避し、また検
出器D1に最も有利な感度領域を設定することができる。
分解して検出するためのマイクロ波測定装置を示す。第
６図からわかるように、試料Ｏにフォトンを照射して電
荷キャリヤを発生させる場合はビーム源Q1としてのCWレ
ーザと機械光学的ビーム偏向系T1を用いる。電子を照射
する場合は電子ビーム管Q2とビーム偏向用電磁系T2およ
び集束系T2を用いる。検出器D1により測定値として試料
Ｏによるマイクロ波の反射が測定される。同期装置およ
び制御装置によりこの測定値は試料の当該照射領域に正
確に対応付けられ、平均化され、出力表示される。第７
図の実施例では、フォトンビーム源Q1と光学的集束装置
F1との間のビーム路にシャッタＶが挿入されている。こ
れにより時間分解測定も可能である。またアイソレータ
ＩとサーキュレータＫとの間には減衰器が設けられてい
る。この減衰器により検出器D1の飽和を回避し、また検
出器D1に最も有利な感度領域を設定することができる。
第８図と第９図は、直径約50mm（面積約2000mm2）、厚
さ0.3mmのシリコン半導体ウェーハに直径1mmの円形アル
ミニウム電極を複数付着したものについての測定曲線を
示す。縦軸に示されたマイクロ波信号は、第８図では電
極の付着された個所で低下しており、第９図では被検体
表面の損傷である引掻き個所で低下していることがわか
る。
さ0.3mmのシリコン半導体ウェーハに直径1mmの円形アル
ミニウム電極を複数付着したものについての測定曲線を
示す。縦軸に示されたマイクロ波信号は、第８図では電
極の付着された個所で低下しており、第９図では被検体
表面の損傷である引掻き個所で低下していることがわか
る。
上の測定においては、マイクロ波場に対する被照射位置
と固定保持した。即ち、試料を導波管横断面に沿つて変
位し、ビーム方向は変えなかつた。照射スポツト（直径
約0.1μｍないし10μｍ）の領域内で試料材料中の付加
的に励起される電化キヤリアの結果としてマイクロ波反
射もしくはマイクロ波透過の相対変化だけが評価され
る。この電荷キヤリアの密度は、試料の構造ならびにそ
の表面に依存し、したがつて、μｍ領域におけるＸ−Ｙ
変位でマイクロ構造／構造欠陥等を十分に高い分解能で
測定することができる。測定および評価の目的で、コン
ピユータを用いることができる。本発明は、市販の走査
型電子顕微鏡にマイクロ波検出装置として組込むことも
可能である。
と固定保持した。即ち、試料を導波管横断面に沿つて変
位し、ビーム方向は変えなかつた。照射スポツト（直径
約0.1μｍないし10μｍ）の領域内で試料材料中の付加
的に励起される電化キヤリアの結果としてマイクロ波反
射もしくはマイクロ波透過の相対変化だけが評価され
る。この電荷キヤリアの密度は、試料の構造ならびにそ
の表面に依存し、したがつて、μｍ領域におけるＸ−Ｙ
変位でマイクロ構造／構造欠陥等を十分に高い分解能で
測定することができる。測定および評価の目的で、コン
ピユータを用いることができる。本発明は、市販の走査
型電子顕微鏡にマイクロ波検出装置として組込むことも
可能である。
第１図は、マイクロ波測定装置のブロツクダイアグラ
ム、第２図ないし第４図は測定客体に対する３つの異な
つたビーム入射方式を略示する原理図、第５図は試料ホ
ルダの詳細な構成を示す断面図、第６図はマイクロ波吸
収により不均一性半導体層の構造および性質を位置分解
測定するための測定装置の簡略構成図、第７図は測定装
置の全体的構成を略示する図、第８図は第７図に示した
構成に対応する装置を用いて傷を有しない半導体層の表
面プロフイールを記録した結果を表すグラフを示す図、
そして第９図は第８図に対応する図であるが損傷した表
面を有する半導体層についての記録結果を表すグラフを
示す図である。 Ｓ……試料ホルダ、Q1……ビーム源、Q2……電子ビーム
管、T1……機械光学的ビーム偏向系、T2……ビーム偏向
用電磁系、F1,F2……光学的集束装置、D1,D2……検出
器、Ｏ……試料、Ｇ……マイクロ波発生器、Ｉ……アイ
ソレータ、Ｋ……サーキユレータ、A,C,B,E……導波
管、Ｈ……ハードコンピユータ
ム、第２図ないし第４図は測定客体に対する３つの異な
つたビーム入射方式を略示する原理図、第５図は試料ホ
ルダの詳細な構成を示す断面図、第６図はマイクロ波吸
収により不均一性半導体層の構造および性質を位置分解
測定するための測定装置の簡略構成図、第７図は測定装
置の全体的構成を略示する図、第８図は第７図に示した
構成に対応する装置を用いて傷を有しない半導体層の表
面プロフイールを記録した結果を表すグラフを示す図、
そして第９図は第８図に対応する図であるが損傷した表
面を有する半導体層についての記録結果を表すグラフを
示す図である。 Ｓ……試料ホルダ、Q1……ビーム源、Q2……電子ビーム
管、T1……機械光学的ビーム偏向系、T2……ビーム偏向
用電磁系、F1,F2……光学的集束装置、D1,D2……検出
器、Ｏ……試料、Ｇ……マイクロ波発生器、Ｉ……アイ
ソレータ、Ｋ……サーキユレータ、A,C,B,E……導波
管、Ｈ……ハードコンピユータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲアハルト・ベツク ドイツ連邦共和国ベルリン38・ベシユキデ ンシユトラーセ 54 (72)発明者 マリヌス・クンスト ドイツ連邦共和国ベルリン12・カルマーシ ユトラーセ 16 (56)参考文献 特開 昭57−112041（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−160133（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−165747（ＪＰ，Ａ)
Claims (9)
- 【請求項１】被検体にフォトンビームないし電子ビーム
を照射して過剰の電荷キャリヤを発生させ、 それにより惹起される特性変化をマイクロ波によって検
出する、光感知性半導体材料からなる被検体表面層の無
接触非破壊検査方法において、 被検体をマイクロ波電磁界に位置決めするステップと、 尖鋭に集束されたフォトンビームないし電子ビームを、
被検体表面の種々異なる領域に個別に照射するステップ
と、 前記照射により被検体の前記領域に過剰の電荷キャリヤ
を発生させるステップと、 前記フォトンビームないし電子ビームにより惹起され
た、被検体の前記領域における電気伝導度を前記マイク
ロ波電磁界のマイクロ波により検出するステップと、 前記電気伝導度の、被検体照射領域における構造上の変
化に起因する変化から、被検体表面層における微細構造
および構造欠陥を検出するステップとからなることを特
徴とする光感知性半導体材料からなる被検体表面層の無
接触非破壊検査方法。 - 【請求項２】電子またはフォトンビームを、マイクロ波
電磁界内に配置された被検体の表面上で往復運動する特
許請求の範囲第１項記載の方法。 - 【請求項３】被検体を、電子またはフォトンビームに対
して相対的に往復運動する特許請求の範囲第１項記載の
方法。 - 【請求項４】被検体と電子またはフォトンビームとの間
の相対運動を、予め定められた走査パターンに従い段階
的に行う特許請求の範囲第２項または第３項記載の方
法。 - 【請求項５】マイクロ波を発生するための発生器および
マイクロ波を測定するための検出器を含む導波管系と、
光感知材料内にキャリアを発生させるための照射装置と
を備えた、光感知性半導体材料からなる被検体表面層の
無接触非破壊検査装置において、 マイクロ波の伝搬方向に対して任意に選択可能な角度で
マイクロ波電磁界の１つの平面内に板状の被検体を位置
付けるための被検体用の試料ホルダ（Ｓ）と、 放射源（Q1,Q2）から送出され集束装置（F1,F2）により
尖鋭に集束されたフォトンまたは電子ビームを、導波管
横断面の作用領域において、前記板状の被検体表面の種
々異なる領域に個別に入射するためのビーム案内装置
（T1,T2）と、 前記試料ホルダ（Ｓ）をμｍオーダの調整距離で調整す
る電気制御調整装置（Ｘ−Ｙ）と、 前記調整装置（Ｘ−Ｙ）、前記放射源（Q1,Q2）および
前記ビーム案内装置（T1,T2）に対する制御装置とを有
し、 前記制御装置により、被検体の照射領域と検出器（D1）
により測定されたマイクロ波信号とが正確に対応付けら
れ、 少なくとも試料ホルダ（Ｓ）が前記被検体の変位可能な
位置決めを行うかまたは少なくとも電子ビーム案内装置
（T1,T2）がフォトンまたは電子ビームの偏向を行い、
前記被検体とフォトンまたは電子ビームとの間で相対運
動がなされることを特徴とする、光感知性半導体からな
る被検体表面層の無接触非破壊検査装置。 - 【請求項６】試料ホルダ（Ｓ）は、マイクロ波の伝搬方
向に対して垂直な平面内に位置付けられて導波管横断面
を覆う板形状の被検体を収容するように構成されている
特許請求の範囲第５項記載の無接触非破壊検査装置。 - 【請求項７】ビーム源（Q1）と試料ホルダ（Ｓ）との間
のビーム路にタイミング制御可能なシャッタ（Ｖ）が設
けられている特許請求の範囲第５項または第６項記載の
無接触非破壊検査装置。 - 【請求項８】ビーム源（Q1,Q2）のタイミング制御装置
（Ｕ）を備えている特許請求の範囲第５項または第６項
記載の無接触非破壊検査装置。 - 【請求項９】導波管ベント部（A,B）を備えており、該
ベント部には試料ホルダ（Ｓ）が配設されており、照射
窓（W1,W2）が設けられている特許請求の範囲第５項か
ら第８項までのいずれか１項記載の無接触非破壊検査装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3407850.9 | 1984-02-29 | ||
| DE19843407850 DE3407850A1 (de) | 1984-02-29 | 1984-02-29 | Mikrowellen-messverfahren und -messapparatur zur kontaktlosen und zerstoerungsfreien untersuchung photoempfindlicher materialien |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60203840A JPS60203840A (ja) | 1985-10-15 |
| JPH0731139B2 true JPH0731139B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=6229485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60037810A Expired - Lifetime JPH0731139B2 (ja) | 1984-02-29 | 1985-02-28 | 光感知性半導体材料からなる被検体表面層の無接触非破壊検査方法および検査装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4704576A (ja) |
| EP (1) | EP0155225B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0731139B2 (ja) |
| AT (1) | ATE64206T1 (ja) |
| CA (1) | CA1234927A (ja) |
| DE (2) | DE3407850A1 (ja) |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| HU196262B (en) * | 1986-03-17 | 1988-10-28 | Mta Mueszaki Fiz Kutato Inteze | Method for testing electrically active impuritles in semiconductor materials and structures and measuring arrangement for implementing method |
| DE3619314A1 (de) * | 1986-06-09 | 1987-12-10 | Hahn Meitner Kernforsch | Mikrowellen-messapparatur |
| JPS63119542A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-24 | Toshiba Corp | ２次電子取込み装置 |
| WO1990005908A1 (en) * | 1988-11-18 | 1990-05-31 | Magyar Tudományos Akadémia Müszaki Fizikai Kutató Intézete | Improved method and apparatus for microwave transient spectroscopy of deep levels in semiconductors |
| US5081414A (en) * | 1989-03-20 | 1992-01-14 | Semitex Co., Ltd. | Method for measuring lifetime of semiconductor material and apparatus therefor |
| US4902967A (en) * | 1989-05-18 | 1990-02-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Scanning electron microscopy by photovoltage contrast imaging |
| FR2647223B1 (fr) * | 1989-05-22 | 1991-08-30 | Europ Propulsion | Dispositif de mesure de caracteristique electromagnetique d'un materiau a tres haute temperature |
| US5185645A (en) * | 1990-02-22 | 1993-02-09 | Heinrich-Hertz-Institut Fur Nachrichtentechnik Berlin Gmbh | Measurement method for the determination of low levels of optical absorption |
| US5103182A (en) * | 1990-04-02 | 1992-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Electromagnetic wave measurement of conductive layers of a semiconductor wafer during processing in a fabrication chamber |
| JP2702807B2 (ja) * | 1990-08-09 | 1998-01-26 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体中の深い不純物準位の測定方法及びその装置 |
| HUT63497A (en) * | 1990-12-17 | 1993-08-30 | Semilab Felvezetoe Fiz Lab Rt | Method and apparatus for measuring minority charge carrier in semiconductor material |
| US5406214A (en) * | 1990-12-17 | 1995-04-11 | Semilab Felvezeto Fizikai Lab, Rt | Method and apparatus for measuring minority carrier lifetime in semiconductor materials |
| US5270222A (en) * | 1990-12-31 | 1993-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis |
| JP3121938B2 (ja) * | 1992-05-14 | 2001-01-09 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体ウエハの少数キャリアのライフタイム測定装置 |
| JPH07105427B2 (ja) * | 1992-10-19 | 1995-11-13 | 学校法人幾徳学園 | 半導体材料のライフタイム評価方法とその装置 |
| US5519193A (en) * | 1992-10-27 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for stressing, burning in and reducing leakage current of electronic devices using microwave radiation |
| US5434505A (en) * | 1993-07-30 | 1995-07-18 | Litton Systems, Inc. | Method and apparatus for low temperature HEMT-like material testing |
| US5521839A (en) * | 1993-09-02 | 1996-05-28 | Georgia Tech Research Corporation | Deep level transient spectroscopy (DLTS) system and method |
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