JPS60203840A - 光感知材料の無接触非破壊試験のためのマイクロ波測定方法およびマイクロ波測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光感知性材料（光電感度を有する材料）、例
えば半導体層、半導体素子または半導体回路の無接触非
破壊検査のためのマイクロ波測定方法ならびに該方法を
実施するために開発された測定装置に関するものであっ
て、例えば、「Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ
　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｊ第６０巻（７号）　１９５．９年
７月、１０５４頁以下特に１０５７ないし１０５８頁に
記載されているような従来技術から出発するものである
。本発明においては、照射により半導電性材料に過剰の
電荷キャリアな発生することができ、そしてマイクロ波
場内に配置された該材料に誘起される伝導の結果として
惹起されるマイクロ渡場の変化を容易に測定できるとい
う事実が利用される。

したがって、関連の測定装置は、導波管系、光感知性材
料に過剰電荷キャリアを発生するためのビーム源および
多かれ少なかれ通常用いられている測定装置を備えてい
る。

従来技術 幾らか早い先願であるドイツ連邦共和国特許出願第５４
０２８２２．６号明細書に記述されている技術に関して
述べると、この場合にも、いろいろな材料特性を有する
被検材料を非破擦測定方法で測定できることが非常に重
要であるが、この測定自体の目的で無条件的に、操業プ
ロセスもしくは製造プロセスを容易に中断することが要
求される。

光活性／光電感度を有する材料系列においては、言う迄
もなく光電感度は最も重要な材料の性質のうちの１つで
あり、電荷キャリアを無接触的に励起し材料な取巻くマ
イ−Ｌ」−渡場に対する影響を測定して、当該材料の品
質を推定することができる。

導波雀・系における光学的パラメータ（誘電定数、伝導
率？）の変化は、マイクロ波の分散または吸収またはそ
の両方を惹起する。成る材料の光学的パラメータを、該
材料の影響によるマイクロ渡場の変化に基づいて測定す
ることば既に古くから知られている（例えばニューヨｉ
り市所在のＷｉｌｅｙ社１９５２年発行のＡ、　Ｒ，ｖ
ｏｎＨｉｐｐｅｌ著のＩ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　Ｊ
またはベルリン所在のＡｋａｄｅｍｉｅ−Ｖｅｒｌａｇ
社１９７８年発行のＡ、Ｒｏｓｔ著の「ＭｅＳＳｕｎｇ
　（ｌｌｅｌｅｋｔｒｌｓｃｈｅｒ　Ｓｔｏｆｆｅｌｇ
ｅｎｓｃｈａｆｔｅｎ」参照）。既に、１９５３年頃か
ら、半導体層に惹起される上記の変化が、該材料の伝送
特性を測定するのに利用されていた（例えば、［Ｐａｙ
ｓ、Ｒｅｖ、　Ｊ　８９　（１９５５）　１１５２参照
）。

これと関連して、以下に述べる測定方法も実施されてい
る。即ち、 ａ）ｔＪ料の影響による定在波の特性の変化の測定。

ｂ）材料の吸収係数の測定。

Ｃ）材料の反射係数の測定（「Ｒｅｖ、　Ｓｃｉ。

Ｉｎｓｔｒｕｍ、　Ｊ　４４　（１９７３）　１２０４
参　、。

照）。

上記の方法のうち２つの方法ｂ）およびＣ）は、特殊な
条件下でのみ、１つの周波数で測定される光学的パラメ
ータの一義的な評価を可能にする。一般には、特定の同
波数領域における測定の数値的評価が必要である。

光感知性の（即ち光電感度ｔｚｒ：有する）材料が存在
する導波管内のマイクロ渡場を、電子または７オトン（
光子）による該材料の照射（バンドギャップを越える電
子の励起）で変化させ１該変化を測定することにより該
照射により発生される材料の過剰伝導を測定することが
できる（例えば冒頭に述べた刊行物「Ｊ、Ａｐｐ、’Ｌ
、Ｐｈｙｓ、　Ｊ３０（１９５９）１０５４を参照）。

この場合、いろいろな理由から、上述の方法ｂ）および
Ｃ）だけしか使用することができない。

過剰伝導が、反射および吸収係数の小さい変化しか発生
しない場合には、照射下で反射および吸収されるマイク
ロ波エネルギの相対変化は、上記過剰伝導に比例するこ
とが知られている（例えば［Ｒａｄｉａｔ、Ｐｈｙｓ、
Ｃ！ｈｅｍ、　Ｊ　１０　（１９７７）３５５または［
Ｐｒｏｃ、工ＥＥ１５１　（１９６３）５８１参照）。

この場合、比例定数は、照射下に無い時の材料の性質（
光学的パラメータおよび寸法）に依存し、一般には、大
きな同波数領域に渡る測定が可能な場合または異なった
厚さを有する試料での測定が可能な場合に評価すること
ができる。しかしながら、過剰伝導の相対的変化だけが
比較可能であって他の平衡状態での性質（照射されない
時の性質）が変化しなかったり新化しても極く僅かであ
る場合には、評価は必要ではない。過剰伝導は、ホトセ
ル内の被検材料の性質と相関可能である。

発明の目的 本発明の課題は、単に光感知材料、回路素子等を全体的
に検査するのではなく寧ろ、非破壊的に目、つ無接触的
に、この種の層の表面を顕微鏡領域の高い分解能で検査
することを可能にしようとするものである。

発明の構成 上記の課題は、本発明の方法によれば、マイクロ渡場に
配置された被検材料の表面の離散的領域に先鋭に集束さ
れた電子またはフォトンで照射して、照射された表面領
域の変化によりマイクロ構造／構造欠陥を測定すること
により解決される。

先鋭に集束されたビームにより、材料の被照射部分にの
み電荷キャリアが発生され〜そして測定される過剰伝導
は、照射された部分に対してのみ特徴的な量となる。局
部的に光電感度が異なる材料の場合には、マイクロ波吸
収および反射も局部的に異なることになる。マイクロ渡
場が不均質である場合には、材料の異なった箇りロ波場
内の同じ箇所に生ずるようにすべきである。さもなけれ
ば相応の補正パラメータな考慮しなければならない。適
朧へＸへへへ改１反（Ａ料の破壊或いは損傷が生じては
ならない本発明方法の適用例は例えば次の通りである。

多結晶の光感知性材料の表面構造（組織）の測定。過剰
伝導は位置分解的に測定され、過剰伝導の位置依存性は
、粒界（小さいまたは太きい過剰伝導）、表面階調（例
えば層格子結晶のピッチ）化学的に異なった表面組成、
導電路構造欠陥等々を表す。

ホトセルの品質管理。ホトセルの表面上の特定の位置も
しくは箇所における過剰伝導の偏差は製造欠陥および相
判の破壊を表す。

光感用半導体、合成材料および金属から構成されている
（例えば半導体チップのような）マイクロ電子デバイス
の品質管理。モデル製品（標準）製品の過剰伝導の位置
的に分解したパターンを被検製品のパターンと比較する
。この比較から、欠陥および破壊ならびにその位置を決
定することができる。

これらの測定は、現場外ならびに必要に応じ現場内で行
うことができる。

本発明の方法の実施に当っては、電子ビームまたはフォ
トンビームは、直径約０．１μｍないし１０μｍのスポ
ットに集束するのが有利である。拐判内への拡散の結果
として、誘起される伝導の領域が大きくなるので、当然
合理的な集束には限界が課せられるのである。

マイクロ渡場の相対変化が評価される訳であるから、本
発明の方法においては、所望の位置分解測定に対応し、
フォトンまたは電子ビームおよび測定客体を相対的に変
位することができるような手段を設けなければならない
。現場測定の場合には、測定客体を位置的に固定保持し
ておいて、電子もしくはフオ、トンビームを、マイクロ
波場内に配置された材料の表面上で変位するようにずろ
のが有利である。現場外測定の場合には、電子またはフ
ォトン−ビームの下側でマイクロ波場内に位置する材料
を変位し、材料の照射される領域がマイクロ波場内の常
に同じ位置に存在するようにする。即ち、材料のこのよ
うな表面領域間の差異が導波管内のマイクロ渡場の分布
パターンに関係なく測定できるようにすることが可能で
ある。なお上記の２種類の変位を重畳してもよ（・０ 配置された材料とビームとの間の相対運動は、本発明の
実施に当り、予め定められた走査パターンに従い段階的
、即ちステップバイステップベースで行うのが有利であ
る。このようにすれば、゛被測定客体の表面構造もしく
は組織の間隙の無い写像を発生することができる。相対
運動のこのステップ長は、μｍ台とすべきである。

このようにすれば、ステップ長ならびに電子またはフォ
トンビームの集束の鋭さを互いに整合することにより所
要の大きさの分解能が実現できる。

これと関連して、本発明の方法の有利な実施態様におい
ては、フォトンビームを、外部的にタイミング制御する
ことができるレーザ゛により発生ずるのが有利である。

この場合には、パルス形状のビームで、時間分解測定が
可能となる。

また、電荷キャリアが本来の輝点スポットの領域から材
料に拡散することに起因する影響が部分的に除去される
。

測定装置は主として市販されている要素から構成するこ
とができる。これらの要素には、マイクロ波発生装置お
よびマイクロ波検出デバイスを備えたマイクロ波系（導
波管またはストリップ導体）が含まれる。照射される材
料のマイクロ波吸収または反射を測定する訳であるから
、対応のビーム源も必要とされる。」二連の方法を実施
するための本発明によるマイクロ波測定装置の特に有利
な構成は、マイクロ波の伝搬方向に対して任意に選択可
能な角度でマイクロ渡場の１つの平面内に板形状の測定
客体を位ｔｆｆｉ伺けるための測定客体用の試料ホルダ
（ないしマイクロ波の伝搬方向に対して垂直な平面内に
位置付けられて導波管横断面を覆う板状の４１０定客体
を受給するように構成されている試料ホルダ）と、放射
源から構成される装置により先鋭に集束されるフォトン
または電子ビームを導波ａ・断面領域において上記板形
状の測定客体の表面上にスポットとして入射するための
ビーム案内装置とを含み、少なくとも試料ホルダが」二
記測定客体の変位可能な位置決めを行うかまたは少なく
とも電子ビーム案内装置がフォトンまたは電子ビームの
偏向を行い、上記測定客体とビームとの間に相対運動を
可能にするものである。

本発明による測定装置においては、被測定客体を導波管
の外部９例えば導波管の開口の後方、アンテナの後方、
導波管レンズ系その他の後方に短い間隔で配置してもよ
いしまた、導波管系の内部に、例えば固定の予め定めら
れた方向で、合目的的には伝搬方向に対して垂直に設け
ることができる。

構造上、個々の用途に対して、被測定客体のための相持
板を備えた試料ホルダ、鎖孔された担持板、合成材料製
の相持板、試料ホルダの金属製覆い板および／または鎖
孔覆い板を設けるのが非常に重要である。パルス照射は
、ビーム源と試料ホルダとの間のビーム路に設けられた
タイミング制御されるシャッタを用いて或いはまたビー
ム源のタイミング開閉制御により実現することができる
。

さらに、本発明による測定装置の実施に当っては、例え
ば、導波管ベントを設け、それに試料ホルダを配設し、
該ベント部に照射窓を設けるのが有利である。この場合
、照射窓は、試料ホルダが配設される導波管横断面の中
心の１失線写像領域で導波管ベントの外壁に設けること
ができる。このベント部は、９Ｄ０の導波管ベントとし
て構成するのが有利である。被測定客体とビームとの間
の所望の相対運動は、ビームの方向な固定保持し、特に
任意の選択された入射角に保持して、運動可能な試料ホ
ルダだけにより実現することができるが、平面の２つの
方向においてμｍ領域台の調整量を有する試料ホルダの
ための電気的に制御可能な調整装置を設けるのが合目的
である。さらに、このような調整装置、ビーム源ならび
にビーム案内系に対しコンピュータ支援制御装置を設け
て、測定およびその評価を容易にすると共に高い再現用
能な精度を確保できるようにするのが好ましい。

本発明の動作態様、その好ましい実施例そして特に測定
装置と関連しての詳細は、添付図面に関する以下の詳細
な説明から明らかとなろう。

実施例 マイクロ波測定装置な用いて、フォトンまたは電子で照
射される半導体拐料のマイクロ波吸収または反射の相対
変化を測定することができる。このマイクロ波測定装置
は、本質的に、次のような６つの部分からなる。即ち、 第１図にブロックダイアグラムで示し、いろいろな使用
目的に対して必要とされる全ての要素を含むマイクロ波
発生および検出用導波管系と、 試料ホルダ（髄に第５図参照）と、 照射系（特に第２図ないし第４図参照）である。

第１図を参照するに、マイクロ波は、例えば離調可能な
ガンダイオードまたはタライストロンのような発生器か
ら発生されて、アイソレータエヤ導波管Ｃ，サーキュレ
ータもしくは方向性結合器におよび別の導波管Ａを介し
て試料ホルダＳに達する。試料ホルダＳ内の測定客体に
よって反射されたマイクロ波は、サーキュレータ（方向
性結合器Ｋ）に戻り、反射されたエネルギは、導波管Ｅ
を介して検出器Ｄ１（半導体ダイオードまたはサーミス
タ）に達しそこで７）Ｉ１１定される。透過測定の場合
には、試料ホルダＳの後方に検出器Ｄ２を備えた別の導
波管Ｂが設けられ、透過したエネルギは該検出器Ｄ２に
よって測定される。何れの場合にも、導波管ＢおよびＣ
は必ずしも必要ではなく、場合により省略することがで
きる。

試料材料もしくは試料に伝導を誘起するために、後者は
任意の側からフォトンまたは電子で照射することができ
る。第２図、第３図および第４図にはこのための６つの
実施例が示しである。これら実施例にお（・て、第２図
および第６図に示す実施例は、反射測定の場合の試料の
照射のための実施例である。導波管断面を覆う試料は、
マイクロ渡場とは反対側の側（第２図）またはマイクロ
渡場と同じ側（第６図）から照射されろ。第２図に示し
た事例においては、導波管は当然真直であっても良く、
ペン）Ａとして形成する必要はない。第６図の場合には
、べントＡに、照射ウィンドウもしくは窓ｗ１が設けら
れ、この窓を介して試料表面に放射が達する。この放射
が垂直に入射するようにするためには、照射窓は、それ
に対応して、試料により覆われる導波管断面の中心点Ｍ
の法線写像領域でペン）Ａの外壁に設ける必要がある。

透過測定用に設計されている第４図の事例の場合には、
第６図と同様に照射を行うことができ、その場合には導
波管Ｂはベントとして形成する必要はない。即ち第４図
に示した実施例においては、導波管Ａをベントとして構
成する必要はないが、導波管Ｂはベントとして構成し、
第６図に示すペン）Ａおよびそれに設けられた照射窓Ｗ
１に対応し照射窓Ｗ２を設ける必要がある。試料もしく
は試料ホルダはその場合、導波管ＡとＢとの間に例えば
ねじ等により固定的に位＠伺けられる。

試料ホルダＳに関して述べると、第５図に示すように、
性質が測定される材料は一般に２次元の板もしくは層で
あり得る。したがって試料ホルダは導波管Ａの横断面上
に付設され、圧接される。測定客体の寸法が導波管断面
の寸法よりも小さい場合には、例えば合成材料から形成
され１つまたは複数の孔が設けられている担持板Ｐ上に
載置することができる。試料の後方には、大きな信号を
得るために、金属覆い板Ｒを設けることができる。この
覆い板Ｒにも、１つまたは複数の孔を設けることができ
る。これは、過剰マイクロ波透過を測定する場合或いは
測定客体が、金属が存在する側からフォトンまたは電子
で照射する場合には、無条件的に必要である。試料の後
方にも、必要に応じ孔が設けられている合成材料板を設
置することができる。

過剰伝導の位置依存性を測定するための装置は、特に、
試料を導波管Ａの横断面に沿って変位可能にする装置を
備える。例えば１反射測定の場合、横断面が測定客体も
しくは試料Ｏで隆われる導波管Ａの端は、位置決め部材
りにより台Ｎ内に軸方向に変位可能に保持される。試料
ホルダＳは例えば、２つの部分からなる枠から形成し、
その場合上側の部分には排気のための通路が機械加工に
より形成されて（・る。下側の部分には、担持板Ｐまた
場合により直接板上の測定客体０を試料ボルダＳに吸着
するための孔が設けられている。小さい直径を有する測
定客体Ｏは担持板Ｐ上に載置され必要に応じ金属からな
る板Ｒで覆われる。

透過測定の場合には、試料ホルダＳの上方に導波管Ｂを
配設することができる。この導波管Ｂも位置決め手段り
により台もしくはテーブルＮ内に軸方向に変位可能に保
持される。測定客体Ｏを試料ホルダＳ内に装着した後に
、開いた横断面を有する導波管Ｂを測定客体０の上表面
」二に気密に設置する。この場合必要に応じ、測定客体
０上に骸い板Ｒを設置する代りに、例えば０．１７１ｍ
ないしｉ　ｍｍ好ましくは０．５＋ｏ＋の厚さを翁する
石英板のような介在層２を介在配置することができる。

測定客体および介在層２は、試料ホルダＳ内に既に配置
されている試料および覆い板Ｒの位置に達する。

照射源９から、先鋭に集束されたフォトンもしくは電子
ビームは、ビーム偏向系を介して測定客体Ｏに達すや（
第２図、第６図および第４図ヲも参照）。試料ホルダＳ
はリンクを介して調節装置Ｘ−Ｙに接続されており、こ
の構成により試料０は導波管ＡもしくはＢの横断面領域
で往復動され異なった箇所に照射を受けることができる
。マイクロ渡場における大きく異なるパラメータを考慮
した場合、試料００表面十における照射スポットの局部
位置を固定保持し、そして測定客体な導波管Ａもしくは
Ｂの横断面に沿って往復動するのが好ましい。ビームの
校正の目的で、ビーム偏向系Ｔは少なくともこの実施例
では揺動運動が可能なようにずべきである。しかしなが
らまた、照射スポットを測定客体０の表面上で変位させ
たり或いはまた試料ボルダＳおよびビーム偏向系Ｔの両
者の運動を重畳することもできる。

第６図および第７図は、不均一半導体層の構造、構造欠
陥等の位置もしくは位Ｍ／時間分解測定のためのマイク
ロ波測定装置もしくはその試験モデルを簡略に略示する
図である。第６図から明らかなように、試料Ｏの照射に
当っては、ビーム源Ｑ１としてＣＷレーザ゛を用いそし
て機械光学的ビーム偏向系Ｔ１を用いてフォトンで。

または電子ビーム管Ｑ２およびビーム偏向用電磁系Ｔ２
ならびに集束系Ｆ２を用いて電子で照射することができ
る。同期装置および制御装置を介して、検出ｒｉｒＤ１
により、マイクロ波の反射として測定されて試料０の関
連の被照射領域に正確に対応する値をめて例えば表示し
たり或いはまたグラフで記録する。第７図の装置におい
ては、フォトン放射源Ｑ１と時間分解測定をも可能にす
る光学的集束装置Ｆ１との間のビーム路にシャッタＶが
挿入されている。さらに、例えば、アイソレータ■とサ
ーキュレータもしくは方向性結合器にとの間に、検出器
Ｄ１の飽和を回避したり或いは異なった感度の検出器Ｄ
１の最も好ましい領域を設定することを可能にするため
に、マイクロ波エネルギの減衰器が設けられている。

第８図および第９図に示した測定曲線は、約５０　ｍｍ
の直径したがって約２ＤＯＯｍａ２の表面積を有し厚さ
が０．６朋のシリコン半導体ウェーハであって、１ｒｎ
＋ｌ＋の直径の円形アルミニウム電極が付着されたシリ
コン半導体ウェーハについて記録したものである。マイ
クロ波信号は、第８図の場合電極が位置する箇所で、そ
して第９図の場合にはシリコンとアルミニウムの表面の
箇所が、この例では故意に付けた引掻き傷で損傷されて
いることを示している。

上の測定においては、マイクロ渡場に対する被照射位置
と固定保持した。即ち、試料を導波管横断面に沿って変
位し、ビーム方向は変えなかった。照射スポット（直径
約０．１μｍないし１０μｍ）の領域内で試料材料中の
付加的に励起される電荷キャリアの結果としてマイクロ
波反射もしくはマイクロ波透過の相対変化だけが評価さ
れる。この電荷キャリアの密度は、試料の構造ならびに
その表面に依存し、したがって、μｍ領域におけるＸ−
Ｙ変位でマイクロ構造／構造欠陥等を十分に高い分解能
で測定することができる。測定および評価の目的で、コ
ンピュータを用いることができる。本発明は、市販の走
査型電子顕微鏡にマイクロ波検出装置として組込むこと
も可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、マイクロ波測定装置のブロックダイアグラム
、第２図ないし第４図は測定客体に対する６つの異なっ
たビーム入射方式を略示する原理図、第５図は試料ホル
ダの詳細な構成を示す断面図、第６図はマイクロ波吸収
により不均一性半導体層の構造および性質を位置分解測
定するための測定装置の簡略構成図、第７図は測定装置
の全体的構成を略示する図、第８図は第７図に示した構
成に対応する装置を用いて傷を有しない半導体層の表面
プロフィールを記録した結果を表すグラフを示す図、そ
して第９図は第８図に対応する図であるが損傷した表面
を有する半導体層についての記録結果を表すグラフを示
す図である。 Ｓ・・・試料ホルダ、Ｑｌ・・・ビーム源、Ｑ２・・・
電子ビーム管、Ｔ１・・・機械光学的ビーム偏向系＼Ｔ
２°パピーム偏向用電磁系、Ｆｌｌ　Ｆ２・・・光学的
集束装置、Ｋ・・・方向性結合器、Ｄｌｌ　Ｄ２・・・
検出器、０・・・試料、Ｇ・・・マイクロ波発生器、■
・・・アイソレータ、Ｋ・・・サーキュレータ、Ａ、Ｃ
９Ｂ、Ｅ・・・導波管、Ｈ・・・ハードコンピュータ第
１頁の続き ０発　明　者　ゲアハルト・ベック　ドイツ。 ４ ０発　明　者　マリヌス拳クンスト　ドイツ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　光感知性料内に照射により過剰量の電荷キャリア
   を発生して、誘起される伝導の結果として惹起されるマ
   イクロ渡場の変化を測定することにより、光感知性材料
   、半導体層、半導体素子または半導体回路を無接触で非
   破壊的に検査するためのマイクロ波測定方法ニおいて、
   マイクロ渡場に配置された材料の表面の離散的領域に先
   鋭に集束された電子またはフォトンで照射して、照射さ
   れた表面領域の変化によりマイクロ構造／構造欠陥を測
   定することを特徴とするマイクロ波測定方法。 ２、電子またはフォトンビームを、マイクロ波場内に配
   置された材料の表面上で往復運動する特許請求の範囲第
   １項記載のマイクロ波測定方法。 ６、　マイクロ波場内に配置された材料を、電子または
   ７オトンピームに対して相対的に往復運動する特許請求
   の範囲第１項または第２項に記載のマイクロ波測定方法
   。 ４、　配置された材料と電子またはフォトンビームとの
   間の相対運動を、予め定められた走査パターンに従い段
   階的に行う特許請求の範囲第２項または第６項に記載の
   マイクロ波測定装置。 ５、　光感知性の材料、半導体層、半導体素子または回
   路を無接触で非破壊的に試験するために、マイクロ波を
   発生するための発生器およびマイクロ波を測定するため
   の検出器を含む導波管系と、マイクロ波場内に位置付け
   るべき測定客体のための試料ホルダと、該測定客体内に
   過剰電荷キャリアを発生するための照射装置とを備えた
   マイクロ波測定装置において、マイクロ波の伝搬方向に
   対して任意に選択可能な角度でマイクロ渡場の１つの平
   面内に板形状の測定客体を位置付けるための測定客体用
   の試料ホルダ（Ｓ）と、放射源（Ｑｌ。 Ｑ２）から構成される装置（Ｆｌｌ　Ｆ２）により先鋭
   に集束されたフォトンまたは電子ビームを導波管横断面
   領域において前記板形状の測定客体の表面上にスポット
   として入射するためのビーム案内装置（ＴＩ、Ｔ２）と
   を備え、少なくとも試料ホルダ（Ｓ）が前記測定客体の
   変位可能な位置決めを行うかまたは少なくとも電子ビー
   ム案内装置（ｚ＋　’ｒ２）がフォトンまたは電子ビー
   ムの偏向を行い、前記測定客体とビームとの間に相対運
   動な可能にすることを特徴とするマイクロ波ｆｆ１Ｏ定
   装置。 ６、　試料ホルダはマイクロ波の伝搬方向に対して垂直
   な平面内に位置付けられて導波管横断面をｌｉｔ　ウ板
   形状の測定客体を受けるように構成されている特許請求
   の範囲第５項記載のマイクロ波測定装置。 Ｚ　ビーム源（Ｑｌ）と試料ホルダ（Ｓ）との間のビー
   ム路にタイミング制御可能なシャッタ（Ｖ）が設けられ
   ている特許請求の範囲第５項または第６項記載のマイク
   ロ波測定装置。 ８、　ビーム源（Ｑ、１．Ｑ２）のタイミング制御装置
   （Ｕ）を備えている特許請求の範囲第５項または第６項
   記載のマイクロ波測定装置。 ９　試料ホルダ（Ｓ）が配設され、照射窓（Ｗ１１Ｗ２
   ）が設けられている導波管ベント部（Ａ、Ｂ）を備えて
   いる特許請求の範囲第５項ないし第８項の何れかに記載
   のマイクロ波測定装置。 １０、μ扉台の調整量で試料ホルダ（８）を調整するた
   めの電気的に制御可能な調整装置（Ｘ−’Ｙ）ｋ備えて
   いる特許請求の範囲第５項ないし第９項の何れかに記載
   のマイクロ波測定装置。 １１、調整装置（ｘ−ｙ）、ビーム源（Ｑｌ、Ｑ２）お
   よびビーム案内装置（Ｔ１１　Ｔ２）のためのコンピュ
   ータ支援制御装置を備えて（・る特許請求の範囲第５項
   ないし第１０項の何れかに記載のマイクロ波測定装＠。