JPS5998496A - エレクトロ・ルミネセンス素子 - Google Patents
エレクトロ・ルミネセンス素子Info
- Publication number
- JPS5998496A JPS5998496A JP58199759A JP19975983A JPS5998496A JP S5998496 A JPS5998496 A JP S5998496A JP 58199759 A JP58199759 A JP 58199759A JP 19975983 A JP19975983 A JP 19975983A JP S5998496 A JPS5998496 A JP S5998496A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric layer
- plate
- shaped conductor
- electrode
- dried
- Prior art date
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- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は分散形エレクトロ・ルミネセンス素子(以下E
L索子と記す)の誘電体層側に取付けられる電極の改良
に係る。
L索子と記す)の誘電体層側に取付けられる電極の改良
に係る。
従来の分散形EL累子は第1図に示す様に、透明絶縁板
(1)の片面に形成した透明電極(2)にZnS等の螢
光体粉末をエポキシ樹脂又はシアン・エチルセルローズ
樹脂等のバインダーに混合させて作ったペーストを塗着
・乾燥して螢光体層(3)を形成し、その後該螢光体層
(3)にエポキシ樹脂又はシアン・エチルセルローズ樹
脂をノくインタ゛−とする誘電体ペーストを塗着して誘
電体層(4)を形成し、更に該誘電体層(4)に板状電
極(5)を押付けて乾燥し、前言己訪寛体層(4)を硬
化させると共に誘電体層(4)と電極(5)を接着させ
るという方法で作られていた。
(1)の片面に形成した透明電極(2)にZnS等の螢
光体粉末をエポキシ樹脂又はシアン・エチルセルローズ
樹脂等のバインダーに混合させて作ったペーストを塗着
・乾燥して螢光体層(3)を形成し、その後該螢光体層
(3)にエポキシ樹脂又はシアン・エチルセルローズ樹
脂をノくインタ゛−とする誘電体ペーストを塗着して誘
電体層(4)を形成し、更に該誘電体層(4)に板状電
極(5)を押付けて乾燥し、前言己訪寛体層(4)を硬
化させると共に誘電体層(4)と電極(5)を接着させ
るという方法で作られていた。
しかし、この様にして作られたELK子においては、誘
電体層(4)に電極(5)を押付けて乾燥させる際、誘
電体ペーストから有機溶剤のガスや、その他のガスが発
生し、そのガスが誘電体層(4)と電極(5)の間に閉
じ込められるので、誘電体層(4)と電極(5)との接
着強度が不十分だったり、誘電体層(4)と電極(5)
が分離した部分で発光ムラが出来る等の問題力玉あった
。
電体層(4)に電極(5)を押付けて乾燥させる際、誘
電体ペーストから有機溶剤のガスや、その他のガスが発
生し、そのガスが誘電体層(4)と電極(5)の間に閉
じ込められるので、誘電体層(4)と電極(5)との接
着強度が不十分だったり、誘電体層(4)と電極(5)
が分離した部分で発光ムラが出来る等の問題力玉あった
。
本発明はこの様な欠点を解消するためになされたもので
、誘電体層に取付ける電極を、複数の貫通孔を有する板
状導体と該板状導体の各貫通JLに埋込まれる導電性物
質で構成し、誘電体層に板状導体を押付けて乾燥する時
発生するガス力!板状導体の各貫通孔を通して除去され
る様にしたものである。
、誘電体層に取付ける電極を、複数の貫通孔を有する板
状導体と該板状導体の各貫通JLに埋込まれる導電性物
質で構成し、誘電体層に板状導体を押付けて乾燥する時
発生するガス力!板状導体の各貫通孔を通して除去され
る様にしたものである。
以下本発明をその実施例を用いて説明する。
第2図は本発明の1実施例であるEL素子の要部断面図
で、同図の構成で、第1図の従来例のそれと異なるのは
誘電体層(4)側の電極(5)が複数の貫通孔(5b)
を有する板状導体(5a)と該板状導体(5a)の各貫
通孔(5b)に埋込まれた導電性接着材(5c)で構成
されている点で、他は従来例と同じである。従って、第
2図において第1図の構成部分と同じものには同一符号
を示しである。とのEL素子は、次の様な工程で作られ
たものである。
で、同図の構成で、第1図の従来例のそれと異なるのは
誘電体層(4)側の電極(5)が複数の貫通孔(5b)
を有する板状導体(5a)と該板状導体(5a)の各貫
通孔(5b)に埋込まれた導電性接着材(5c)で構成
されている点で、他は従来例と同じである。従って、第
2図において第1図の構成部分と同じものには同一符号
を示しである。とのEL素子は、次の様な工程で作られ
たものである。
即ち、透明絶縁板(1)に透明電極(2)、螢光体層(
3)、及び誘電体層(4)マでは従来と同じ方法で作9
、次に誘電体層(4)に前記複数の貫通孔(5b)を有
する板状導体(5a)を押付けて乾燥し、誘電体層(4
)を硬化させると共に、誘電体層(41と板状導体(5
a)を接着させる。
3)、及び誘電体層(4)マでは従来と同じ方法で作9
、次に誘電体層(4)に前記複数の貫通孔(5b)を有
する板状導体(5a)を押付けて乾燥し、誘電体層(4
)を硬化させると共に、誘電体層(41と板状導体(5
a)を接着させる。
この時、誘電体ペーストから発生する有機溶剤ガス及び
その他のガスは板状導体(5a)の各貫通孔(5b)を
逃して放出する。
その他のガスは板状導体(5a)の各貫通孔(5b)を
逃して放出する。
しかる後、板状導体(5a)の各貫通孔(5b)に導電
性接着剤(5c)を埋込み、電極(5)を完成させる。
性接着剤(5c)を埋込み、電極(5)を完成させる。
この様にして作られたEL素子においては、誘電体ペー
ストから発生するガスが誘電体層(4)と電極(5)と
の間に閉じ込められることがないので、接着強度が十分
でめると同時に発光ムラが殆んど解消される。
ストから発生するガスが誘電体層(4)と電極(5)と
の間に閉じ込められることがないので、接着強度が十分
でめると同時に発光ムラが殆んど解消される。
以上述べた様に本発明によれば、誘電体層に取付けられ
る電極が、複数の貫通孔を有する板状導体と、該板状導
体の貫通孔に埋込まれた導電性接着材等の導電性物質で
構成されているので、誘電体層と電極間に不用なガスが
閉じ込められることがなく、それによって誘電体層と電
極の接着が確実に行われるとともに、発光ムラが解消さ
れる。
る電極が、複数の貫通孔を有する板状導体と、該板状導
体の貫通孔に埋込まれた導電性接着材等の導電性物質で
構成されているので、誘電体層と電極間に不用なガスが
閉じ込められることがなく、それによって誘電体層と電
極の接着が確実に行われるとともに、発光ムラが解消さ
れる。
なお、上記実施例においては、誘電体層に板状導体を押
付けて乾燥し、誘電体層の硬化工程と誘電体層と板状導
体との接着工程を同時に行ったが、誘電体層の硬化工程
と誘電体層と板状導体との接着工程を分離し、誘電体層
を硬化させた後、−面に導電性接着材を塗布した板状導
体を前記誘電体層に押付けて乾燥させて接着する場合で
も、導電性接着材等から発生するガスが除去され、良好
なEL素子を作ることが出来る。
付けて乾燥し、誘電体層の硬化工程と誘電体層と板状導
体との接着工程を同時に行ったが、誘電体層の硬化工程
と誘電体層と板状導体との接着工程を分離し、誘電体層
を硬化させた後、−面に導電性接着材を塗布した板状導
体を前記誘電体層に押付けて乾燥させて接着する場合で
も、導電性接着材等から発生するガスが除去され、良好
なEL素子を作ることが出来る。
第1図は従来のエレクトロ・ルミネセンス素子の要部断
面図、第2図は本発明の1実施例であるエレクトロ・ル
ミイ・センス素子の要部断面図である。 (1) 透明絶縁板 (2) 透明電極 (3) 螢光体層 (4) 誘電体層 (5) 電極 (5a)板状導体 (5b)貫通孔 (5C)導電接着材 第1図 第2図
面図、第2図は本発明の1実施例であるエレクトロ・ル
ミイ・センス素子の要部断面図である。 (1) 透明絶縁板 (2) 透明電極 (3) 螢光体層 (4) 誘電体層 (5) 電極 (5a)板状導体 (5b)貫通孔 (5C)導電接着材 第1図 第2図
Claims (1)
- 誘電体層に密着する板状導体には複数の貫通孔を設け、
前記誘電体層に前記板状導体を押付けると共に誘電体層
を乾燥・硬化して、誘電体層と板状導体を接着し、然る
後、前記貫通孔には導電性物質を埋込んだことを特徴と
するエレクトロ・ルミネセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58199759A JPS6047719B2 (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | エレクトロ・ルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58199759A JPS6047719B2 (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | エレクトロ・ルミネセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5998496A true JPS5998496A (ja) | 1984-06-06 |
JPS6047719B2 JPS6047719B2 (ja) | 1985-10-23 |
Family
ID=16413146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58199759A Expired JPS6047719B2 (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | エレクトロ・ルミネセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6047719B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61139598U (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-29 | ||
JPS61179698U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-10 | ||
JP2005309400A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
US8038496B2 (en) | 2004-03-26 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and using an electrode layer as a mask during manufacturing |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP58199759A patent/JPS6047719B2/ja not_active Expired
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61139598U (ja) * | 1985-02-21 | 1986-08-29 | ||
JPS61179698U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-10 | ||
JP2005309400A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP4679187B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US8038496B2 (en) | 2004-03-26 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and using an electrode layer as a mask during manufacturing |
US8901809B2 (en) | 2004-03-26 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6047719B2 (ja) | 1985-10-23 |
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