JPS6352759B2 - - Google Patents
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- JPS6352759B2 JPS6352759B2 JP56050251A JP5025181A JPS6352759B2 JP S6352759 B2 JPS6352759 B2 JP S6352759B2 JP 56050251 A JP56050251 A JP 56050251A JP 5025181 A JP5025181 A JP 5025181A JP S6352759 B2 JPS6352759 B2 JP S6352759B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本考案は、螢光体粉末に電場を印加して発光さ
せる電場発光装置とその製造方法に関する。
せる電場発光装置とその製造方法に関する。
マンガンを拡散したZnSなどの螢光体粉末に電
界を印加した場合、螢光体粉末が発光することは
広く知られており、この現象即ち電場発光〔エレ
クトロルミネツセンス（EL）〕を利用した表示装
置である電場発光装置が開発されている。
界を印加した場合、螢光体粉末が発光することは
広く知られており、この現象即ち電場発光〔エレ
クトロルミネツセンス（EL）〕を利用した表示装
置である電場発光装置が開発されている。
第１図は、電場発光装置の基本構造を示す図
で、１は透明電極で、ガラス基板、プラスチツク
フイルム基板などの透明絶縁基板２の一面に形成
した、面積抵抗が数ＫΩ／□以下のInO2やSnO2
などの薄膜、又は、金、パラジウム等の金属薄膜
または、小さな網目状の穴のあいたアルミ箔、な
どからなつている。又、３は他方の電極で、銀等
の金属粉を有機高分子や無機質の結着材中に分散
させたもの、又は、アルミニウム、銅等の金属板
を貼り付けたものである。一般的な電場発光装置
は、対向した前記透明電極１と前記電極３との間
に、ZnSに銅やマンガンなどの活性剤と、塩素な
どの付活性剤をドープした螢光体粉末とを、有機
高分子結着材中に分散させた発光体層４と、
TiO2やBaTiO3等の高誘電率粉末を、有機高分子
結着材中に分散させた絶縁体層５とを挾持し、電
場発光装置基体を形成する。さらに、ポリ三フツ
化塩化エチレン等の防湿保護膜７で全体を被つた
構造となつている。なお、螢光体粉末としては、
稀土類元素、一価金属、選移金属などを利用した
ものである。第１図において、両電極１，３間
に、交流電圧を印加すると、その電圧や周波数に
応じた電界が、発光層４に加わり発光する。発光
輝度を大きくするには、前記螢光体層４に加えら
れる電界強度を強くすることが必要である。
で、１は透明電極で、ガラス基板、プラスチツク
フイルム基板などの透明絶縁基板２の一面に形成
した、面積抵抗が数ＫΩ／□以下のInO2やSnO2
などの薄膜、又は、金、パラジウム等の金属薄膜
または、小さな網目状の穴のあいたアルミ箔、な
どからなつている。又、３は他方の電極で、銀等
の金属粉を有機高分子や無機質の結着材中に分散
させたもの、又は、アルミニウム、銅等の金属板
を貼り付けたものである。一般的な電場発光装置
は、対向した前記透明電極１と前記電極３との間
に、ZnSに銅やマンガンなどの活性剤と、塩素な
どの付活性剤をドープした螢光体粉末とを、有機
高分子結着材中に分散させた発光体層４と、
TiO2やBaTiO3等の高誘電率粉末を、有機高分子
結着材中に分散させた絶縁体層５とを挾持し、電
場発光装置基体を形成する。さらに、ポリ三フツ
化塩化エチレン等の防湿保護膜７で全体を被つた
構造となつている。なお、螢光体粉末としては、
稀土類元素、一価金属、選移金属などを利用した
ものである。第１図において、両電極１，３間
に、交流電圧を印加すると、その電圧や周波数に
応じた電界が、発光層４に加わり発光する。発光
輝度を大きくするには、前記螢光体層４に加えら
れる電界強度を強くすることが必要である。
第２図は、従来の電場発光装置基体の例を示し
たもので、その製造にあたつては、まず、アルミ
ニウム等の金属箔又は金属板からなる電極３上
に、シアノエチル化セルロースと高誘電率粉末と
を混合した絶縁体層形成用塗液を塗布乾燥し、絶
縁体層５を形成し、該絶縁体層５上に、シアノエ
チル化セルロースと螢光体粉末とを混合した螢光
体層形成用塗液を塗布乾燥して螢光体層４を形成
する。さらにポリエステルフイルム２上に形成さ
れた透明電極１を前記螢光体層４上に載置し加熱
加圧して接着し、電場発光装置基体を製造してい
た。しかし、螢光体粉末粒径が大きいため螢光体
層４の表面凹凸が激しく、加圧接着したとき、ポ
リエステルフイルム２上に形成された透明電極１
に激しい傷が入り、さらに、透明電極１と螢光体
層４との間で、充分な密着が得られず、空隙８が
生じ、発光輝度を下げ、発光ムラを作る原因とな
つていた。
たもので、その製造にあたつては、まず、アルミ
ニウム等の金属箔又は金属板からなる電極３上
に、シアノエチル化セルロースと高誘電率粉末と
を混合した絶縁体層形成用塗液を塗布乾燥し、絶
縁体層５を形成し、該絶縁体層５上に、シアノエ
チル化セルロースと螢光体粉末とを混合した螢光
体層形成用塗液を塗布乾燥して螢光体層４を形成
する。さらにポリエステルフイルム２上に形成さ
れた透明電極１を前記螢光体層４上に載置し加熱
加圧して接着し、電場発光装置基体を製造してい
た。しかし、螢光体粉末粒径が大きいため螢光体
層４の表面凹凸が激しく、加圧接着したとき、ポ
リエステルフイルム２上に形成された透明電極１
に激しい傷が入り、さらに、透明電極１と螢光体
層４との間で、充分な密着が得られず、空隙８が
生じ、発光輝度を下げ、発光ムラを作る原因とな
つていた。
第３図は、他の従来例を示したもので、まずポ
リエステルフイルム２上に形成された透明電極１
上に、シアノエチル化セルロースと螢光体粉末と
からなる螢光体層形成用塗液を塗布し乾燥して螢
光体層４を形成し、該螢光体層４上に、シアノエ
チル化セルロースと高誘電率粉末とからなる絶縁
体層形成用塗液を塗布乾燥して絶縁体層５を形成
する。該絶縁体層５上に、一方の電極であるアル
ミニウム箔３を載置し、加熱加圧して接着してい
た。この従来例では、前述の従来例より、発光輝
度改善はもたらされるが、絶縁層５が凹凸になる
ため、アルミニウム箔３との間にやはり空隙８が
生じ、発光ムラの起る原因となつていた。
リエステルフイルム２上に形成された透明電極１
上に、シアノエチル化セルロースと螢光体粉末と
からなる螢光体層形成用塗液を塗布し乾燥して螢
光体層４を形成し、該螢光体層４上に、シアノエ
チル化セルロースと高誘電率粉末とからなる絶縁
体層形成用塗液を塗布乾燥して絶縁体層５を形成
する。該絶縁体層５上に、一方の電極であるアル
ミニウム箔３を載置し、加熱加圧して接着してい
た。この従来例では、前述の従来例より、発光輝
度改善はもたらされるが、絶縁層５が凹凸になる
ため、アルミニウム箔３との間にやはり空隙８が
生じ、発光ムラの起る原因となつていた。
第４図は、さらに他の従来例を示したもので、
まず、ポリエステルフイルム２上に形成された透
明電極１上に、前記螢光体層形成用塗液を塗布乾
燥して螢光体層４を形成する。同時に、一方の電
極である70〜80μ厚のアルミニウム箔３上に、前
記絶縁体層形成用塗液を塗布乾燥し、絶縁体層５
を形成する。前記螢光体層４と前記絶縁体層５を
互に対向させて密着保持し、加圧加熱して接着し
て、電場発光装置基体を作製していた。この従来
例は、各電極と各層との密着力も強く、輝度も大
きいが、この例においても、絶縁体層５と螢光体
層４間には空隙８が生じやすかつた。この空隙を
なくすため、もつと薄いアルミニウム箔を電極と
して、前記電極および絶縁体層５が、螢光体層４
の凹凸に十分対応できるような工夫もされてきた
が、薄いアルミニウム箔では、絶縁体層５形成時
にアルミニウム箔が破損したり、アルミニウム箔
のしわのため塗布膜厚が極端に不均一になつたり
する欠点があつた。又、アルミニウム箔は70〜
80μ厚とし、螢光体層の膜厚を45〜50μ、絶縁体
層の誘電体膜厚を30〜40μと厚くし、接着時の加
圧力を高めて、各層が互に混合し合つて空隙が少
なくなるようにする工夫もされてきたが、各層の
膜厚が大きいため螢光体層に印加される電界強度
が弱くなり、発光輝度が少なくなつてしまう欠点
があつた。
まず、ポリエステルフイルム２上に形成された透
明電極１上に、前記螢光体層形成用塗液を塗布乾
燥して螢光体層４を形成する。同時に、一方の電
極である70〜80μ厚のアルミニウム箔３上に、前
記絶縁体層形成用塗液を塗布乾燥し、絶縁体層５
を形成する。前記螢光体層４と前記絶縁体層５を
互に対向させて密着保持し、加圧加熱して接着し
て、電場発光装置基体を作製していた。この従来
例は、各電極と各層との密着力も強く、輝度も大
きいが、この例においても、絶縁体層５と螢光体
層４間には空隙８が生じやすかつた。この空隙を
なくすため、もつと薄いアルミニウム箔を電極と
して、前記電極および絶縁体層５が、螢光体層４
の凹凸に十分対応できるような工夫もされてきた
が、薄いアルミニウム箔では、絶縁体層５形成時
にアルミニウム箔が破損したり、アルミニウム箔
のしわのため塗布膜厚が極端に不均一になつたり
する欠点があつた。又、アルミニウム箔は70〜
80μ厚とし、螢光体層の膜厚を45〜50μ、絶縁体
層の誘電体膜厚を30〜40μと厚くし、接着時の加
圧力を高めて、各層が互に混合し合つて空隙が少
なくなるようにする工夫もされてきたが、各層の
膜厚が大きいため螢光体層に印加される電界強度
が弱くなり、発光輝度が少なくなつてしまう欠点
があつた。
本発明は、叙上の従来の欠点を解消する目的で
なされたもので、アルミニウム箔と保持フイルム
をラミネート接着した２層フイルムを透明電極で
ない方の電極としたことが特徴である。
なされたもので、アルミニウム箔と保持フイルム
をラミネート接着した２層フイルムを透明電極で
ない方の電極としたことが特徴である。
以下、本発明を実施例をもとに説明する。
第５図は、本発明による電場発光装置の基体の
要部拡大断側面図である。２は100μ厚のポリエ
ステルフイルムで表面にI.T.O等の透明電極１が
形成されている。４′は膜厚が10〜20μの螢光体
層、５′は絶縁体層、３′は板厚３〜9μのアルミ
ニウム箔の電極で、６は、厚さが12〜25μのポリ
エステルの保持フイルムで、アルミ箔電極３は、
該保持フイルム上に前もつてラミネート接着又は
蒸着されている。本発明による電場発光装置の製
造方法は、次の通りである。まず、従来例と同様
の螢光体層形成用塗液を、乾燥後膜厚が10〜20μ
になるように100μ厚のポリエステルフイルム２
の表面に形成された透明電極１上に塗布乾燥し、
螢光体層４′を形成する。一方、12〜25μ厚のポ
リエステルフイルムの保持フイルム上にラミネー
ト接着形成された３〜9μ厚のアルミニウム箔電
極３′上に、従来例と同じ絶縁体層形成用塗液を
乾燥後膜厚が15〜20μになるように塗布し乾燥し
て絶縁体層５′を形成する。前記螢光体層４′と、
前記絶縁体層５′を互に対向させ密接保持し、保
持フイルム６の側に、硬度40〜60゜のシリコンゴ
ム弾性体を載置し、このゴムに５〜10Kg／cm2の圧
力を加えながら、150℃に加熱することにより各
層を接着させ、電場発光装置基体を作製する。さ
らにポリ三フツ化塩化エチレンの防湿保護膜で、
基体全体を被つて、電場発光装置を完成する。本
発明電場発光装置に100V、50Hzの交番電圧を印
加したときの発光輝度は30cd／m2で、従来製品
と比較して２倍の輝度が得られた。
要部拡大断側面図である。２は100μ厚のポリエ
ステルフイルムで表面にI.T.O等の透明電極１が
形成されている。４′は膜厚が10〜20μの螢光体
層、５′は絶縁体層、３′は板厚３〜9μのアルミ
ニウム箔の電極で、６は、厚さが12〜25μのポリ
エステルの保持フイルムで、アルミ箔電極３は、
該保持フイルム上に前もつてラミネート接着又は
蒸着されている。本発明による電場発光装置の製
造方法は、次の通りである。まず、従来例と同様
の螢光体層形成用塗液を、乾燥後膜厚が10〜20μ
になるように100μ厚のポリエステルフイルム２
の表面に形成された透明電極１上に塗布乾燥し、
螢光体層４′を形成する。一方、12〜25μ厚のポ
リエステルフイルムの保持フイルム上にラミネー
ト接着形成された３〜9μ厚のアルミニウム箔電
極３′上に、従来例と同じ絶縁体層形成用塗液を
乾燥後膜厚が15〜20μになるように塗布し乾燥し
て絶縁体層５′を形成する。前記螢光体層４′と、
前記絶縁体層５′を互に対向させ密接保持し、保
持フイルム６の側に、硬度40〜60゜のシリコンゴ
ム弾性体を載置し、このゴムに５〜10Kg／cm2の圧
力を加えながら、150℃に加熱することにより各
層を接着させ、電場発光装置基体を作製する。さ
らにポリ三フツ化塩化エチレンの防湿保護膜で、
基体全体を被つて、電場発光装置を完成する。本
発明電場発光装置に100V、50Hzの交番電圧を印
加したときの発光輝度は30cd／m2で、従来製品
と比較して２倍の輝度が得られた。
叙上の本発明実施例では、透明電極でない方の
電極として、アルミニウム箔を用いたが、別の金
属箔を用いても良く、又、アルミニウム箔を、保
持フイルム上にラミネート接着したが、蒸着法、
スパツタリング法、イオンプレーテイング法等の
方法を用いて保持フイルム上に金属箔を形成して
も良いことは勿論である。又、保持フイルムとし
て、ポリエステルフイルムを用いたが、オレフイ
ン系、ポリアミド系、セルロース系、フツソ系、
ビニル系等の各種フイルムも使用可能である。又
シリコンゴム弾性体の代りに、フツソゴム、エチ
レン―プロピレンゴム、ハイパロン、エチレン酢
ビゴム、エピクロルヒドリンゴム、アクリルゴム
等耐熱性を有する弾性体を使用してよく、又これ
らゴム弾性体よりなるロール間を通過させ加圧加
熱しても同様の結果が得られる。
電極として、アルミニウム箔を用いたが、別の金
属箔を用いても良く、又、アルミニウム箔を、保
持フイルム上にラミネート接着したが、蒸着法、
スパツタリング法、イオンプレーテイング法等の
方法を用いて保持フイルム上に金属箔を形成して
も良いことは勿論である。又、保持フイルムとし
て、ポリエステルフイルムを用いたが、オレフイ
ン系、ポリアミド系、セルロース系、フツソ系、
ビニル系等の各種フイルムも使用可能である。又
シリコンゴム弾性体の代りに、フツソゴム、エチ
レン―プロピレンゴム、ハイパロン、エチレン酢
ビゴム、エピクロルヒドリンゴム、アクリルゴム
等耐熱性を有する弾性体を使用してよく、又これ
らゴム弾性体よりなるロール間を通過させ加圧加
熱しても同様の結果が得られる。
叙上の説明のごとく、本発明においては、透明
電極上に傾向体層形成用塗液を塗布乾燥する工程
と、ポリエステルフイルムなどの保持フイルム上
に電極を設ける工程と、前記電極上に絶縁体層形
成用塗液を塗布乾燥する工程と、前記透明電極上
に形成した前記螢光体層と、前記保持フイルムに
形成した前記電極上に設けた前記絶縁体層とを、
互いに対向させて密着保持し、前記保持フイルム
面にシリコンゴムなどの弾性体を接しながら加圧
加熱する工程とからなる電場発光装置の製造方法
として、薄い電極を保持フイルムで補強し、柔軟
なフイルム体としたので、均一で薄い絶縁体を形
成することが可能となる。又前記電極付き保持フ
イルムが柔軟なことと、前記弾性体を用いること
によつて以下の効果を奏する。即ち、透明電極上
に形成された螢光体層と、電極付き保持フイルム
上に形成された絶縁体層はともに表面凹凸があ
り、両層を対向させて密着させる段階では両層の
間には沢山の空隙がある状態となり、硬質の加圧
体で加圧加熱しても前記空隙部には加圧力が充分
には加わらず、従つて空隙部を埋めて密着させる
ことが困難であり、また加圧力を高めて前記螢光
体層と前記絶縁体層が互いに混合し合つて空隙を
埋めるようにする方法では、予め各層の膜厚を大
きくする必要があるため発光輝度が小さくなる問
題があるが、前記保持フイルム面にシリコンゴム
等の弾性体を接しながら加熱加圧すると、加圧力
を高めなくとも、前記の空隙のある部分におい
て、弾性体の弾力が柔軟な保持フイルムを介して
前記絶縁体層を前記空隙を埋める方向に押しつ
け、その結果前記螢光体層と前記絶縁体層間およ
び他の層間の密着性の良い接着が可能となる。従
つて螢光体層に加えられる電界強度が強くなり発
光輝度の大きな電場発光装置を提供できる大きな
利点がある。
電極上に傾向体層形成用塗液を塗布乾燥する工程
と、ポリエステルフイルムなどの保持フイルム上
に電極を設ける工程と、前記電極上に絶縁体層形
成用塗液を塗布乾燥する工程と、前記透明電極上
に形成した前記螢光体層と、前記保持フイルムに
形成した前記電極上に設けた前記絶縁体層とを、
互いに対向させて密着保持し、前記保持フイルム
面にシリコンゴムなどの弾性体を接しながら加圧
加熱する工程とからなる電場発光装置の製造方法
として、薄い電極を保持フイルムで補強し、柔軟
なフイルム体としたので、均一で薄い絶縁体を形
成することが可能となる。又前記電極付き保持フ
イルムが柔軟なことと、前記弾性体を用いること
によつて以下の効果を奏する。即ち、透明電極上
に形成された螢光体層と、電極付き保持フイルム
上に形成された絶縁体層はともに表面凹凸があ
り、両層を対向させて密着させる段階では両層の
間には沢山の空隙がある状態となり、硬質の加圧
体で加圧加熱しても前記空隙部には加圧力が充分
には加わらず、従つて空隙部を埋めて密着させる
ことが困難であり、また加圧力を高めて前記螢光
体層と前記絶縁体層が互いに混合し合つて空隙を
埋めるようにする方法では、予め各層の膜厚を大
きくする必要があるため発光輝度が小さくなる問
題があるが、前記保持フイルム面にシリコンゴム
等の弾性体を接しながら加熱加圧すると、加圧力
を高めなくとも、前記の空隙のある部分におい
て、弾性体の弾力が柔軟な保持フイルムを介して
前記絶縁体層を前記空隙を埋める方向に押しつ
け、その結果前記螢光体層と前記絶縁体層間およ
び他の層間の密着性の良い接着が可能となる。従
つて螢光体層に加えられる電界強度が強くなり発
光輝度の大きな電場発光装置を提供できる大きな
利点がある。
第１図は、電場発光装置の基本構造を示す要部
拡大断側面図である。第２図、第３図、第４図は
従来の、そして第５図は本発明の電場発光装置基
体の構造を示す要部拡大断側面図である。 １…透明電極、２…透明絶縁基板、３，３′…
電極、４，４′…螢光体層、５，５′…絶縁体層、
６…保持フイルム、７…防湿保護膜。
拡大断側面図である。第２図、第３図、第４図は
従来の、そして第５図は本発明の電場発光装置基
体の構造を示す要部拡大断側面図である。 １…透明電極、２…透明絶縁基板、３，３′…
電極、４，４′…螢光体層、５，５′…絶縁体層、
６…保持フイルム、７…防湿保護膜。
Claims (1)
- １ 透明電極上に蛍光体層形成用塗液を塗布乾燥
する工程と、ポリエステルフイルムなどの保持フ
イルム上に電極を設ける工程と、前記電極上に絶
縁体層形成用塗液を塗布乾燥する工程と、前記透
明電極上に形成した前記蛍光体層と、前記保持フ
イルムに形成した前記電極上に設けた前記絶縁体
層とを、互いに対向させて密着保持し、前記保持
フイルム面にシリコンゴムなどの弾性体を接しな
がら加圧加熱する工程とからなることを特徴とす
る電場発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56050251A JPS57165996A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Electric field light emitting device and method of producing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56050251A JPS57165996A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Electric field light emitting device and method of producing same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57165996A JPS57165996A (en) | 1982-10-13 |
| JPS6352759B2 true JPS6352759B2 (ja) | 1988-10-20 |
Family
ID=12853758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56050251A Granted JPS57165996A (en) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | Electric field light emitting device and method of producing same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57165996A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4529885A (en) * | 1981-12-04 | 1985-07-16 | The Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland | Direct current electroluminescent devices |
| JPS59126492U (ja) * | 1983-02-14 | 1984-08-25 | スタンレー電気株式会社 | 厚膜ｅｌ素子 |
| JPS59226500A (ja) * | 1983-06-04 | 1984-12-19 | アルプス電気株式会社 | 分散型エレクトロルミネツセンス |
| JPS6356594U (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-15 | ||
| JPS63299091A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-12-06 | ルミネッセント・エレクトロニクス・インコ−ポレ−テッド | 電気発光パネルとその製造方法 |
-
1981
- 1981-04-03 JP JP56050251A patent/JPS57165996A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57165996A (en) | 1982-10-13 |
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