JPS6230799Y2 - - Google Patents
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- JPS6230799Y2 JPS6230799Y2 JP1981034212U JP3421281U JPS6230799Y2 JP S6230799 Y2 JPS6230799 Y2 JP S6230799Y2 JP 1981034212 U JP1981034212 U JP 1981034212U JP 3421281 U JP3421281 U JP 3421281U JP S6230799 Y2 JPS6230799 Y2 JP S6230799Y2
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は分散型交流電界発光素子（以下分散型
EL素子と記す）の構造に関するもので、特に分
散型EL素子の発光体層の光放散面側に透明電極
の蒸着されたフツ化ビニリデン樹脂のフイルムの
フツ化ビニリデン樹脂面が密着された高い輝度を
有し、また輝度分布が均一な分散型EL素子であ
る。
EL素子と記す）の構造に関するもので、特に分
散型EL素子の発光体層の光放散面側に透明電極
の蒸着されたフツ化ビニリデン樹脂のフイルムの
フツ化ビニリデン樹脂面が密着された高い輝度を
有し、また輝度分布が均一な分散型EL素子であ
る。
分散型EL素子として、代表的な構造は蛍光体
がマトリツクス樹脂中に分散された混合物よりな
る発光体層と、発光体層の光放射面側に設ける透
明電極層と、発光体層の光放射面の対面に設けら
れる、例えばTiO2やBaTiO3等の高誘電率の粉末
がバインダー樹脂中に分散された耐圧反射層と、
耐圧反射層の発光体側の対面に設けられる電極層
との積層体よりなり、これらが更に必要に応じ耐
湿性の容器内に封じ込められた構造である。この
場合透明電極の基板として近年は例えばポリエス
テルフイルム、ポリカーボネートフイルムなどの
透明な高分子フイルムを使用することにより素子
を薄型化し、また可撓性をもたせるようにしてい
る。
がマトリツクス樹脂中に分散された混合物よりな
る発光体層と、発光体層の光放射面側に設ける透
明電極層と、発光体層の光放射面の対面に設けら
れる、例えばTiO2やBaTiO3等の高誘電率の粉末
がバインダー樹脂中に分散された耐圧反射層と、
耐圧反射層の発光体側の対面に設けられる電極層
との積層体よりなり、これらが更に必要に応じ耐
湿性の容器内に封じ込められた構造である。この
場合透明電極の基板として近年は例えばポリエス
テルフイルム、ポリカーボネートフイルムなどの
透明な高分子フイルムを使用することにより素子
を薄型化し、また可撓性をもたせるようにしてい
る。
発光体層を形成するマトリツクス樹脂として
は、印加される交流電界が樹脂中に分散された蛍
光体により良く分配されるため、誘電率の高い樹
脂が必要であり、最も普通にはシアノエチルセル
ロースが用いられる。しかしシアノエチルセルロ
ースは透明電極を形成する酸化インジウムや酸化
錫などのセラミツクス類との接着性に乏しく、シ
アノエチルセルロースの融点以上の温度で発光体
層と透明電極層を圧着しても完全な接合はむずか
しく、分散型EL素子を屈曲する場合発光体層と
透明電極層が容易に剥離して間隙を生じることに
より、発光体層に期待される電界が印加されなか
つたり、或いは電界が不均一になつたりする事故
を生じることが屡々あつた。
は、印加される交流電界が樹脂中に分散された蛍
光体により良く分配されるため、誘電率の高い樹
脂が必要であり、最も普通にはシアノエチルセル
ロースが用いられる。しかしシアノエチルセルロ
ースは透明電極を形成する酸化インジウムや酸化
錫などのセラミツクス類との接着性に乏しく、シ
アノエチルセルロースの融点以上の温度で発光体
層と透明電極層を圧着しても完全な接合はむずか
しく、分散型EL素子を屈曲する場合発光体層と
透明電極層が容易に剥離して間隙を生じることに
より、発光体層に期待される電界が印加されなか
つたり、或いは電界が不均一になつたりする事故
を生じることが屡々あつた。
また発光体層のマトリツクス樹脂として例えば
フツ化ビニリデン共重合体を用いることも提案さ
れており、例えばガラス板上に形成された透明電
極層上にフツ化ビニリデン重合体溶液によりキヤ
ストフイルム層を形成させ、更にその上に蛍光体
とフツ化ビニリデン共重合体を共重合体の溶媒中
に分散させた混合物より発光体層を形成する方法
により、発光体層と透明電極の付された基板とを
一体化することが知られている。
フツ化ビニリデン共重合体を用いることも提案さ
れており、例えばガラス板上に形成された透明電
極層上にフツ化ビニリデン重合体溶液によりキヤ
ストフイルム層を形成させ、更にその上に蛍光体
とフツ化ビニリデン共重合体を共重合体の溶媒中
に分散させた混合物より発光体層を形成する方法
により、発光体層と透明電極の付された基板とを
一体化することが知られている。
しかしこのようなキヤスト法により透明電極上
に形成したフツ化ビニリデン重合体層は簡単に剥
離されるので、高分子電極上に形成された透明電
極を用いた可撓性の分散型EL素子の場合は剥離
による性能低下を生ずる恐れがある。
に形成したフツ化ビニリデン重合体層は簡単に剥
離されるので、高分子電極上に形成された透明電
極を用いた可撓性の分散型EL素子の場合は剥離
による性能低下を生ずる恐れがある。
本考案の分散型EL素子は片面に透明電極層が
蒸着により形成されたフツ化ビニリデン樹脂フイ
ルムの透明電極の対面に発光体層が密着された構
造を有している。以下図面につき詳述する。
蒸着により形成されたフツ化ビニリデン樹脂フイ
ルムの透明電極の対面に発光体層が密着された構
造を有している。以下図面につき詳述する。
１は透明電極層で例えば酸化インジウム−錫
（ITO）、酸化錫−アンチモンなどの透明導電体皮
膜で、フツ化ビニリデン樹脂フイルム２の片面に
蒸着により形成される。尚、蒸着とは真空蒸着法
のみならずスパツタリング法による蒸着でもよ
い。フツ化ビニリデン樹脂とはフツ化ビニリデン
重合体およびフツ化ビニリデンを40モル％以上含
有するこれと共重合可能な単量体との共重合体で
ある。共重合可能な単量体としては例えば４フツ
化エチレン、３フツ化エチレン、フツ化ビニル、
６フツ化プロピレン、３フツ化塩化エチレン、フ
ロロクロロビニリデンなどである。フイルムの厚
みは通常３μ乃至30μの間が好ましい。３は発光
体層で例えばZnS単独またはこれにCu，Al，
Mn，Ｉ，Br，Cl，NdF3などの増感剤を加えた蛍
光体の粉末がマトリツクス樹脂中に分散された公
知の発光体層でよい。マトリツクス樹脂としては
高誘電率の樹脂が好ましく、シアノエチルセルロ
ース、フツ化ビニリデン樹脂のほか、例えばポリ
ビニルアルコールなどのOH基を有する高分子化
合物をシアノエチル化したものを使用することが
でき、またこれらの樹脂中に各種の糖類のシアノ
エチル化物を混合する場合もある。発光体層の下
部には、望むならば耐電圧反射層４を介し、また
は直後に電極５が密着される。耐電圧反射層は、
発光体層が半導性の蛍光体を多量にマトリツクス
樹脂中に分散されたものであるので、その上下に
直接電極の付される場合は蛍光体同志によりブリ
ツジされた回路を通つて電流が流れることによ
り、蛍光体に充分な電界が付加されない場合があ
るため、その下面に高誘電率の絶縁層として設け
るものであり、その中に混合するTiO2やBaTiO3
などの粉末はその絶縁層の誘電率を高めるためお
よび発光体層より下方に放散される光を反射する
ためのものである。しかし本考案の分散型EL素
子ではフツ化ビニリデン樹脂層が高誘電率の絶縁
層として働き、また発光体層より下方への放散も
下部電極５として例えばアルミニウム、ニツケ
ル、クロムなどの光を良く反射するものを使用す
れば、耐電圧反射層を省略しても能率が低下する
ことは殆んどない。
（ITO）、酸化錫−アンチモンなどの透明導電体皮
膜で、フツ化ビニリデン樹脂フイルム２の片面に
蒸着により形成される。尚、蒸着とは真空蒸着法
のみならずスパツタリング法による蒸着でもよ
い。フツ化ビニリデン樹脂とはフツ化ビニリデン
重合体およびフツ化ビニリデンを40モル％以上含
有するこれと共重合可能な単量体との共重合体で
ある。共重合可能な単量体としては例えば４フツ
化エチレン、３フツ化エチレン、フツ化ビニル、
６フツ化プロピレン、３フツ化塩化エチレン、フ
ロロクロロビニリデンなどである。フイルムの厚
みは通常３μ乃至30μの間が好ましい。３は発光
体層で例えばZnS単独またはこれにCu，Al，
Mn，Ｉ，Br，Cl，NdF3などの増感剤を加えた蛍
光体の粉末がマトリツクス樹脂中に分散された公
知の発光体層でよい。マトリツクス樹脂としては
高誘電率の樹脂が好ましく、シアノエチルセルロ
ース、フツ化ビニリデン樹脂のほか、例えばポリ
ビニルアルコールなどのOH基を有する高分子化
合物をシアノエチル化したものを使用することが
でき、またこれらの樹脂中に各種の糖類のシアノ
エチル化物を混合する場合もある。発光体層の下
部には、望むならば耐電圧反射層４を介し、また
は直後に電極５が密着される。耐電圧反射層は、
発光体層が半導性の蛍光体を多量にマトリツクス
樹脂中に分散されたものであるので、その上下に
直接電極の付される場合は蛍光体同志によりブリ
ツジされた回路を通つて電流が流れることによ
り、蛍光体に充分な電界が付加されない場合があ
るため、その下面に高誘電率の絶縁層として設け
るものであり、その中に混合するTiO2やBaTiO3
などの粉末はその絶縁層の誘電率を高めるためお
よび発光体層より下方に放散される光を反射する
ためのものである。しかし本考案の分散型EL素
子ではフツ化ビニリデン樹脂層が高誘電率の絶縁
層として働き、また発光体層より下方への放散も
下部電極５として例えばアルミニウム、ニツケ
ル、クロムなどの光を良く反射するものを使用す
れば、耐電圧反射層を省略しても能率が低下する
ことは殆んどない。
このような透明電極層１、フツ化ビニリデン層
２、発光体層３（耐電圧反射層４）および下部電
極層５からなる積層体は更に要すれば耐湿容器６
の中に封じ込められ、また電極１および５には交
流電源７よりの配線８，８′が付されている。耐
湿容器としては例えばポリエステルフイルム、ポ
リカーボネートフイルムなどの透明な高分子フイ
ルム２枚を上記の積層体を両側から挟むように接
着した構造とすれば、この分散型EL素子は全体
として自由に屈曲可能な薄膜とすることができ
る。
２、発光体層３（耐電圧反射層４）および下部電
極層５からなる積層体は更に要すれば耐湿容器６
の中に封じ込められ、また電極１および５には交
流電源７よりの配線８，８′が付されている。耐
湿容器としては例えばポリエステルフイルム、ポ
リカーボネートフイルムなどの透明な高分子フイ
ルム２枚を上記の積層体を両側から挟むように接
着した構造とすれば、この分散型EL素子は全体
として自由に屈曲可能な薄膜とすることができ
る。
本考案では透明電極層がフツ化ビニリデン樹脂
に蒸着により極めて強く密着されているので、透
明電極層が簡単に剥離することはない。またフツ
化ビニリデン樹脂は、他のフツ化ビニリデン樹脂
は勿論、シアノエチル基を有する極性の高分子化
合物とも極めて良く接着し、フツ化ビニリデン樹
脂フイルムの融点より数度低い温度で圧着しても
良好な接着が得られる。この場合フツ化ビニリデ
ン樹脂フイルムまたは発光体層の表面にその溶剤
例えばジメチルフオルムアミドやアセトンなどを
塗布し乾燥させた後圧着を行なえばフイルムまた
は発光体層中に滲透して僅かに残つた溶剤が接着
を助け、一層良好な接着が得られる。
に蒸着により極めて強く密着されているので、透
明電極層が簡単に剥離することはない。またフツ
化ビニリデン樹脂は、他のフツ化ビニリデン樹脂
は勿論、シアノエチル基を有する極性の高分子化
合物とも極めて良く接着し、フツ化ビニリデン樹
脂フイルムの融点より数度低い温度で圧着しても
良好な接着が得られる。この場合フツ化ビニリデ
ン樹脂フイルムまたは発光体層の表面にその溶剤
例えばジメチルフオルムアミドやアセトンなどを
塗布し乾燥させた後圧着を行なえばフイルムまた
は発光体層中に滲透して僅かに残つた溶剤が接着
を助け、一層良好な接着が得られる。
従つて本考案の分散型EL素子は透明電極層が
フツ化ビニリデン樹脂フイルム層を介して密着
し、強く屈曲しても空隙を生じることがないの
で、常に高く且つ均一な輝度が得られる。また透
明電極層がフツ化ビニリデンに蒸着された電極で
あるので、全体として極めて薄型化することが可
能で、軽量であり、また自由に可撓性を持たせる
ことができる。
フツ化ビニリデン樹脂フイルム層を介して密着
し、強く屈曲しても空隙を生じることがないの
で、常に高く且つ均一な輝度が得られる。また透
明電極層がフツ化ビニリデンに蒸着された電極で
あるので、全体として極めて薄型化することが可
能で、軽量であり、また自由に可撓性を持たせる
ことができる。
添付図面は本考案の分散型EL素子を説明する
ための図である。 図中符号：１……透明電極層、２……フツ化ビ
ニリデン樹脂フイルム、３……発光体層、４……
耐電圧反射層、５……下部電極、６……耐湿容
器、７……交流電源、８……配線。
ための図である。 図中符号：１……透明電極層、２……フツ化ビ
ニリデン樹脂フイルム、３……発光体層、４……
耐電圧反射層、５……下部電極、６……耐湿容
器、７……交流電源、８……配線。
Claims (1)
- フツ化ビニリデン重合体若しくはフツ化ビニリ
デンを40モル％以上含有する共重合体より選ばれ
たフツ化ビニリデン樹脂のフイルムがその光放射
面側に蒸着された透明電極層を有し、かつ背面側
で発光体層と密着されている分散型交流電界発生
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981034212U JPS6230799Y2 (ja) | 1981-03-13 | 1981-03-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1981034212U JPS6230799Y2 (ja) | 1981-03-13 | 1981-03-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57148798U JPS57148798U (ja) | 1982-09-18 |
| JPS6230799Y2 true JPS6230799Y2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=29831551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1981034212U Expired JPS6230799Y2 (ja) | 1981-03-13 | 1981-03-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6230799Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0524154Y2 (ja) * | 1987-11-30 | 1993-06-18 | ||
| JP3013230B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2000-02-28 | セイコープレシジョン株式会社 | Ｅｌ素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5547277Y2 (ja) * | 1975-04-30 | 1980-11-06 |
-
1981
- 1981-03-13 JP JP1981034212U patent/JPS6230799Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57148798U (ja) | 1982-09-18 |
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