JPS6235235B2 - - Google Patents
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- JPS6235235B2 JPS6235235B2 JP57072165A JP7216582A JPS6235235B2 JP S6235235 B2 JPS6235235 B2 JP S6235235B2 JP 57072165 A JP57072165 A JP 57072165A JP 7216582 A JP7216582 A JP 7216582A JP S6235235 B2 JPS6235235 B2 JP S6235235B2
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、一対の電極間に螢光体層と誘電体層
とを挾持し、両電極間に電圧を印加して螢光体を
発光させるエレクトロルミネツセンス表示素子
(以下EL表示素子という)の製造方法に関する。
とを挾持し、両電極間に電圧を印加して螢光体を
発光させるエレクトロルミネツセンス表示素子
(以下EL表示素子という)の製造方法に関する。
硫化亜鉛(ZnS)等を基体として活性剤や付活
性剤の不純物を注入した螢光体に電圧を印加すれ
ば発光する現象はエレクトロルミネツセンス
(EL)として周知であり、この現象を利用した
EL発光素子が開発されている。EL発光素子は消
費電力量や発熱量が少なく又非常に薄く作成でき
るので近年省エネルギー光源として注目されてい
る。又、電子機器の急速なデジタル化が進み表示
形態が多様化している中でEL発光素子も表示用
として実用化が試みられている。ところが、EL
発光素子は、内部に水分が存在すれば、硫化亜鉛
等の螢光体の分解が進み輝度劣化が非常に激しく
なり、EL表示素子として使用に耐えられなくな
る。このためEL表示素子製造にあたつては、素
子内部に水分が存在しないように十分注意しなけ
ればならない。
性剤の不純物を注入した螢光体に電圧を印加すれ
ば発光する現象はエレクトロルミネツセンス
(EL)として周知であり、この現象を利用した
EL発光素子が開発されている。EL発光素子は消
費電力量や発熱量が少なく又非常に薄く作成でき
るので近年省エネルギー光源として注目されてい
る。又、電子機器の急速なデジタル化が進み表示
形態が多様化している中でEL発光素子も表示用
として実用化が試みられている。ところが、EL
発光素子は、内部に水分が存在すれば、硫化亜鉛
等の螢光体の分解が進み輝度劣化が非常に激しく
なり、EL表示素子として使用に耐えられなくな
る。このためEL表示素子製造にあたつては、素
子内部に水分が存在しないように十分注意しなけ
ればならない。
第1図は、一般的なEL表示素子の構成を示
し、1は三フツ化塩化エチレン等からなる有機透
明絶縁フイルム、2はメツシユ状に形成した金や
アルミニウム又はI.T.O(InとSnの酸化物)等を
透明絶縁フイルム上に蒸着して形成したEL光の
透過可能な透明電極で、3は、硫化亜鉛やセレン
化亜鉛などに、銅、マンガン、アルミニウム、塩
素臭素等の活性剤や付活性剤を注入した螢光体粉
末を、シアノエチル化セルロースやフツソ樹脂等
の有機質バインダー中に分散させてなる螢光体
層、4は、酸化チタンやチタン酸バリウムの高誘
電率粉末をシアノエチル化セルロースやフツソ樹
脂等の有機バインダー中に分散させてなる誘電体
層、5は、アルミニウムや金の箔又は板を用いた
対向電極、6は、三フツ化塩化エチレンフイルム
単体か又は、三フツ化塩化エチレンフイルムとポ
リエチレンフイルムとをラミネート接着した防湿
用保護フイルムである。叙上の構成のEL表示素
子の透明電極2と対向電極5間に電圧を印加する
と螢光体層3が発光し表示が行われる。
し、1は三フツ化塩化エチレン等からなる有機透
明絶縁フイルム、2はメツシユ状に形成した金や
アルミニウム又はI.T.O(InとSnの酸化物)等を
透明絶縁フイルム上に蒸着して形成したEL光の
透過可能な透明電極で、3は、硫化亜鉛やセレン
化亜鉛などに、銅、マンガン、アルミニウム、塩
素臭素等の活性剤や付活性剤を注入した螢光体粉
末を、シアノエチル化セルロースやフツソ樹脂等
の有機質バインダー中に分散させてなる螢光体
層、4は、酸化チタンやチタン酸バリウムの高誘
電率粉末をシアノエチル化セルロースやフツソ樹
脂等の有機バインダー中に分散させてなる誘電体
層、5は、アルミニウムや金の箔又は板を用いた
対向電極、6は、三フツ化塩化エチレンフイルム
単体か又は、三フツ化塩化エチレンフイルムとポ
リエチレンフイルムとをラミネート接着した防湿
用保護フイルムである。叙上の構成のEL表示素
子の透明電極2と対向電極5間に電圧を印加する
と螢光体層3が発光し表示が行われる。
次に従来のEL表示素子の製造方法を説明す
る。
る。
まず、アルミニウム等の金属箔又は金属板から
なる対向電極5上に、シアノエチル化セルロース
と高誘電率粉末とを混合した誘電体層形成用ペー
ストを塗布乾燥し、誘電体層4を形成し、該誘電
体層4上に、シアノエチル化セルロースと螢光体
粉末とを混合した螢光体層形成用ペーストを塗布
乾燥して螢光体層3を形成する。さらに透明絶縁
フイルム1上に形成された透明電極2を前記螢光
体層3上に載置し加熱加圧して接着し、EL表示
素子基体を製造する。さらにEL表示素子基体
を、三フツ化塩化エチレンフイルム単体か又は三
フツ化塩化エチレンフイルムとポリエチレンフイ
ルムとをラミネート接着した防湿用保護フイルム
でサンドウイツチ状に挾み込み加熱ロール間を通
過させ接着封止してEL表示素子を作製してい
た。
なる対向電極5上に、シアノエチル化セルロース
と高誘電率粉末とを混合した誘電体層形成用ペー
ストを塗布乾燥し、誘電体層4を形成し、該誘電
体層4上に、シアノエチル化セルロースと螢光体
粉末とを混合した螢光体層形成用ペーストを塗布
乾燥して螢光体層3を形成する。さらに透明絶縁
フイルム1上に形成された透明電極2を前記螢光
体層3上に載置し加熱加圧して接着し、EL表示
素子基体を製造する。さらにEL表示素子基体
を、三フツ化塩化エチレンフイルム単体か又は三
フツ化塩化エチレンフイルムとポリエチレンフイ
ルムとをラミネート接着した防湿用保護フイルム
でサンドウイツチ状に挾み込み加熱ロール間を通
過させ接着封止してEL表示素子を作製してい
た。
第2図A,Bは、叙上の従来の方法で作製した
EL表示素子を示したもので、それぞれ正面図及
び断側面図である。従来の製法で作製したEL表
示素子は、第2図Aに示した如く防湿効果を上げ
るため保護フイルム6の周辺(非表示部)を、
EL表示素子基体7より3〜5mm大きく作製しな
ければならなかつた。又、第2図Bに示した如
く、EL表示素子基体7を保護フイルム6で接着
封止する際、EL表示素子基体7の端部付近に空
源8が生じ易く該空隙8に水分を含み易く、完成
したEL表示素子の信頼性を低下させていた。
EL表示素子を示したもので、それぞれ正面図及
び断側面図である。従来の製法で作製したEL表
示素子は、第2図Aに示した如く防湿効果を上げ
るため保護フイルム6の周辺(非表示部)を、
EL表示素子基体7より3〜5mm大きく作製しな
ければならなかつた。又、第2図Bに示した如
く、EL表示素子基体7を保護フイルム6で接着
封止する際、EL表示素子基体7の端部付近に空
源8が生じ易く該空隙8に水分を含み易く、完成
したEL表示素子の信頼性を低下させていた。
第3図は、従来方法で作製した表示部の中間部
が開孔しているEL表示素子を示したもので、9
は開孔部である。この種EL表示素子の従来の作
製方法は次のとおりである。まず開孔部のある
EL表示素子基体を作成し、該EL表示素子基体を
保護フイルムでサンドウイツチ状に挾み込み加熱
ロール間を通過させ接着封止する。次に、外周部
及び開孔部の保護フイルム6のうち余分な部分を
切断してEL表示素子を完成する。従来法で作製
したこの種EL表示素子は、第3図に示したよう
に、外周部と開孔部9周辺(非表示部)は防湿の
ため保護フイルムがEL表示素子基体7よりも3
〜5mm大きくそれだけ形状に制限があり、小型化
には限界があつた。又従来方法はEL表示素子基
体を防湿封止前に切断したり開孔部を設けたりし
て複雑な形状とするため連続製造して大量生産す
るには不向きであつた。
が開孔しているEL表示素子を示したもので、9
は開孔部である。この種EL表示素子の従来の作
製方法は次のとおりである。まず開孔部のある
EL表示素子基体を作成し、該EL表示素子基体を
保護フイルムでサンドウイツチ状に挾み込み加熱
ロール間を通過させ接着封止する。次に、外周部
及び開孔部の保護フイルム6のうち余分な部分を
切断してEL表示素子を完成する。従来法で作製
したこの種EL表示素子は、第3図に示したよう
に、外周部と開孔部9周辺(非表示部)は防湿の
ため保護フイルムがEL表示素子基体7よりも3
〜5mm大きくそれだけ形状に制限があり、小型化
には限界があつた。又従来方法はEL表示素子基
体を防湿封止前に切断したり開孔部を設けたりし
て複雑な形状とするため連続製造して大量生産す
るには不向きであつた。
本発明は、叙上の欠点を解消するためなされた
もので、あらかじめ所定形状の透明電極を連続し
て表面に形成した透明絶縁フイルム上に螢光体層
を連続的に塗布乾燥して形成した螢光体フイルム
と、金属箔上に誘電体層を連続的に塗布乾燥して
形成した誘電体フイルムとを作製し、その後前記
螢光体フイルムと前記誘電体フイルムとを圧着し
て連続した発光フイルムを作製し、前記発光フイ
ルムを2枚の保護フイルムで上下より挟み込み加
熱圧着封止して連続したEL表示素子基体フイル
ムを作製し、前記EL表示素子基体フイルムを任
意の形状に打ち抜き切断してEL表示素子基体を
作製し、前記EL表示素子基体の切断部周辺を封
止することによりEL表示素子基体とほぼ同一の
外形寸法を持ち、さらに容易に大量生産が可能で
信頼性の高いEL表示素子の製造方法を提供する
ものである。
もので、あらかじめ所定形状の透明電極を連続し
て表面に形成した透明絶縁フイルム上に螢光体層
を連続的に塗布乾燥して形成した螢光体フイルム
と、金属箔上に誘電体層を連続的に塗布乾燥して
形成した誘電体フイルムとを作製し、その後前記
螢光体フイルムと前記誘電体フイルムとを圧着し
て連続した発光フイルムを作製し、前記発光フイ
ルムを2枚の保護フイルムで上下より挟み込み加
熱圧着封止して連続したEL表示素子基体フイル
ムを作製し、前記EL表示素子基体フイルムを任
意の形状に打ち抜き切断してEL表示素子基体を
作製し、前記EL表示素子基体の切断部周辺を封
止することによりEL表示素子基体とほぼ同一の
外形寸法を持ち、さらに容易に大量生産が可能で
信頼性の高いEL表示素子の製造方法を提供する
ものである。
以後実施例に従つて本発明を更に詳しく説明す
る。
る。
実施例 1
厚さ0.1mmのポリエステルシートから成る透明
絶縁フイルム上に、スパツタリング法や蒸着法に
より酸化インジユームと酸化錫とからなる透明電
極を形成する。次に、シアノエチル化セルロース
と、アセトン、メチルエチルケトン、アセト酢酸
エチル等の溶媒とを、重量比が1:1〜10となる
様に混合しビヒクルを作製し、硫化亜鉛中に銅や
アルミニウムを注入した螢光体粉末をシアノエチ
ル化セルロースとの重量比が1:1〜10になる様
にヒビクル中に混合して螢光体ペーストを作製す
る。該螢光体ペーストを前記透明電極上に、乾燥
後膜厚が10〜50μmとなるようにロールコーター
法、印刷法又はスプレー法により連続的に塗布乾
燥し螢光体層を形成し、螢光体フイルムを作製す
る。更に、前記ヒビクルとTiO2、BaTiO3等の高
誘電率粉末とを重量比が1:0.5〜3となるよう
に混合混練して誘電体ペーストを作製する。該誘
電体ペーストを厚さ10〜50μmの連続したアルミ
箔から成る対向電極上に乾燥後膜厚が3〜20μm
となるように、ロールコーター法、印刷法、スプ
レー法等により連続的に塗布乾燥して誘電体層を
形成し、誘電体フイルムを作製する。次に、前記
螢光体層と前記誘電体層を対向させて、前記螢光
体フイルムと前記誘電体フイルムとを重ね合せ80
〜170℃に加熱しながら10〜80Kg/cm2の圧力でロ
ールを通過させ圧着させ、発光フイルムを作製す
る。なお、圧着する場合のロールには、対向電極
の背面に厚さ3〜10mmのシリコンゴムを使用し、
螢光体層の表面凹凸による圧着時のひずみ等の弊
害を防止することが望ましい。次に、発光フイル
ムより巾が広く、三フツ化塩化エチレンとポリエ
チレンがラミネート接着された2枚の防湿保護フ
イルムのポリエチレン側を対向させ、間に発光フ
イルムを挾み込み90〜150℃に加熱したロールを
通過させ圧着封止を行つて、連続したEL表示素
子基体フイルムを作製する。さらに該EL表示素
子基体フイルムを所定形状に、プレス等により打
ち抜き個々に切断してEL表示素子基体を作製す
る。
絶縁フイルム上に、スパツタリング法や蒸着法に
より酸化インジユームと酸化錫とからなる透明電
極を形成する。次に、シアノエチル化セルロース
と、アセトン、メチルエチルケトン、アセト酢酸
エチル等の溶媒とを、重量比が1:1〜10となる
様に混合しビヒクルを作製し、硫化亜鉛中に銅や
アルミニウムを注入した螢光体粉末をシアノエチ
ル化セルロースとの重量比が1:1〜10になる様
にヒビクル中に混合して螢光体ペーストを作製す
る。該螢光体ペーストを前記透明電極上に、乾燥
後膜厚が10〜50μmとなるようにロールコーター
法、印刷法又はスプレー法により連続的に塗布乾
燥し螢光体層を形成し、螢光体フイルムを作製す
る。更に、前記ヒビクルとTiO2、BaTiO3等の高
誘電率粉末とを重量比が1:0.5〜3となるよう
に混合混練して誘電体ペーストを作製する。該誘
電体ペーストを厚さ10〜50μmの連続したアルミ
箔から成る対向電極上に乾燥後膜厚が3〜20μm
となるように、ロールコーター法、印刷法、スプ
レー法等により連続的に塗布乾燥して誘電体層を
形成し、誘電体フイルムを作製する。次に、前記
螢光体層と前記誘電体層を対向させて、前記螢光
体フイルムと前記誘電体フイルムとを重ね合せ80
〜170℃に加熱しながら10〜80Kg/cm2の圧力でロ
ールを通過させ圧着させ、発光フイルムを作製す
る。なお、圧着する場合のロールには、対向電極
の背面に厚さ3〜10mmのシリコンゴムを使用し、
螢光体層の表面凹凸による圧着時のひずみ等の弊
害を防止することが望ましい。次に、発光フイル
ムより巾が広く、三フツ化塩化エチレンとポリエ
チレンがラミネート接着された2枚の防湿保護フ
イルムのポリエチレン側を対向させ、間に発光フ
イルムを挾み込み90〜150℃に加熱したロールを
通過させ圧着封止を行つて、連続したEL表示素
子基体フイルムを作製する。さらに該EL表示素
子基体フイルムを所定形状に、プレス等により打
ち抜き個々に切断してEL表示素子基体を作製す
る。
最後に、該EL表示素子基体を250〜350℃に加
熱したホツトメルトガンから溶融された液状の三
フツ化塩化エチレンを切断部周辺に塗布後冷却
し、EL発光素子を完成する。
熱したホツトメルトガンから溶融された液状の三
フツ化塩化エチレンを切断部周辺に塗布後冷却
し、EL発光素子を完成する。
第4図A,Bは、それぞれこのようにして作製
したEL表示素子の正面図及び断側面図であり、
同図Aに示すとうりEL表示素子基体7周辺部及
び開孔部9周辺部(非表示部)も極めて小さくて
すみ、又同図Bに示した如く、EL表示素子基体
7端部付近にも、空隙は発生しない。又、あらか
じめ螢光体フイルムの積層物と誘電体フイルムの
積層物とを塗布乾燥手段によつて形成しているの
で、積層に亀裂が発生せず、その後1回の圧着で
発光フイルムの組立が出来るので発光フイルム中
に空気が混入していない。従つて、小型化が可能
で信頼性の高いEL表示素子が作製できる。
したEL表示素子の正面図及び断側面図であり、
同図Aに示すとうりEL表示素子基体7周辺部及
び開孔部9周辺部(非表示部)も極めて小さくて
すみ、又同図Bに示した如く、EL表示素子基体
7端部付近にも、空隙は発生しない。又、あらか
じめ螢光体フイルムの積層物と誘電体フイルムの
積層物とを塗布乾燥手段によつて形成しているの
で、積層に亀裂が発生せず、その後1回の圧着で
発光フイルムの組立が出来るので発光フイルム中
に空気が混入していない。従つて、小型化が可能
で信頼性の高いEL表示素子が作製できる。
なお1は透明絶縁フイルム、2は透明電極、3
は螢光体層、4は誘電体層、5は対向電極、6は
保護フイルムである。
は螢光体層、4は誘電体層、5は対向電極、6は
保護フイルムである。
実施例 2
第5図は本実施例による製造過程上のEL表示
素子の断側面図である。実施例1と同様にして
EL表示素子基体を作製し、第5図に示した如く
EL表示素子基体外周部に三フツ化塩化エチレン
からなるコの字形状の封止材10で挾み、開孔部
9には、三フツ化塩化エチレンからなる傘状の封
止材11をあてる。次に外周部及び開孔部周辺
に、250〜350℃に熱したヒーターコテ又は熱風を
吹き付けて封止材10,11を溶融封止してEL
表示素子を完成する。本実施例においても、完成
されたEL表示素子は、周辺部も完全に密封さ
れ、小型で信頼性高いものである。
素子の断側面図である。実施例1と同様にして
EL表示素子基体を作製し、第5図に示した如く
EL表示素子基体外周部に三フツ化塩化エチレン
からなるコの字形状の封止材10で挾み、開孔部
9には、三フツ化塩化エチレンからなる傘状の封
止材11をあてる。次に外周部及び開孔部周辺
に、250〜350℃に熱したヒーターコテ又は熱風を
吹き付けて封止材10,11を溶融封止してEL
表示素子を完成する。本実施例においても、完成
されたEL表示素子は、周辺部も完全に密封さ
れ、小型で信頼性高いものである。
なお1は透明絶縁フイルム、2は透明電極、3
は螢光体層、4は誘電体層、5は対向電極、6は
保護フイルムである。
は螢光体層、4は誘電体層、5は対向電極、6は
保護フイルムである。
実施例 3
実施例1と同様にしてEL表示素子基体の開孔
部を含めた周辺部レーザービーム又は赤外線ビー
ム等の加熱用ビームで上下から250〜350℃に加熱
すると上下の防湿保護フイルムは溶融流動して切
断面上を覆う。この後加熱用ビームを取り除けば
周辺部が冷却されて三フツ化塩化エチレンからな
る強固な防湿膜が形成される。
部を含めた周辺部レーザービーム又は赤外線ビー
ム等の加熱用ビームで上下から250〜350℃に加熱
すると上下の防湿保護フイルムは溶融流動して切
断面上を覆う。この後加熱用ビームを取り除けば
周辺部が冷却されて三フツ化塩化エチレンからな
る強固な防湿膜が形成される。
叙上の説明でわかるように、本発明において
は、フープ状EL表示素子基体フイルム作製後
に、所定形状に切断し、次に切断部の防湿処理を
行うことにより、印刷塗布手段を多く用い、1回
の圧着工程で素子を組立てるため、各層の亀裂発
生がなく、空気等の外気が混入しにくくなり、高
品質のEL表示素子基体を歩留り良く量産するこ
とができる。さらに非表示部を極めて小さくする
ことができるため形状設計の自由度も大きく、又
EL表示素子基体端部に空隙ができることなく信
頼性の高いEL表示素子基体を提供できる大きな
利点がある。
は、フープ状EL表示素子基体フイルム作製後
に、所定形状に切断し、次に切断部の防湿処理を
行うことにより、印刷塗布手段を多く用い、1回
の圧着工程で素子を組立てるため、各層の亀裂発
生がなく、空気等の外気が混入しにくくなり、高
品質のEL表示素子基体を歩留り良く量産するこ
とができる。さらに非表示部を極めて小さくする
ことができるため形状設計の自由度も大きく、又
EL表示素子基体端部に空隙ができることなく信
頼性の高いEL表示素子基体を提供できる大きな
利点がある。
第1図は、EL表示素子の要部拡大断側面図、
第2図A,Bは従来例でそれぞれEL表示素子の
正面図及び端部断側面図、第3図は従来例で開孔
部を有するEL表示素子の正面図であり、第4図
は本発明の実施例で、同図AはEL表示素子の正
面図、同図Bは端部断側面図、第5図は、本発明
の他の実施例である。 1:透明絶縁フイルム、2:透明電極、3:螢
光体層、4:誘電体層、5:対向電極、6:保護
フイルム、7:EL表示素子基体、8:空隙、
9:開孔部、10,11:封止材。
第2図A,Bは従来例でそれぞれEL表示素子の
正面図及び端部断側面図、第3図は従来例で開孔
部を有するEL表示素子の正面図であり、第4図
は本発明の実施例で、同図AはEL表示素子の正
面図、同図Bは端部断側面図、第5図は、本発明
の他の実施例である。 1:透明絶縁フイルム、2:透明電極、3:螢
光体層、4:誘電体層、5:対向電極、6:保護
フイルム、7:EL表示素子基体、8:空隙、
9:開孔部、10,11:封止材。
Claims (1)
- 1 あらかじめ所定形状の透明電極を連続して表
面に形成した透明絶縁フイルム上に螢光体層を連
続的に塗布乾燥して形成した螢光体フイルムと、
金属箔上に誘電体層を連続的に塗布乾燥して形成
した誘電体フイルムとを作製し、その後前記螢光
体フイルムと前記誘電体フイルムとを圧着して連
続した発光フイルムを作製し、前記発光フイルム
を2枚の保護フイルムで上下より挟み込み加熱圧
着封止して連続したEL表示素子基体フイルムを
作製し、前記EL表示素子基体フイルムを任意の
形状に打ち抜き切断してEL表示素子基体を作製
し、前記EL表示素子基体の切断部周辺を封止す
ることを特徴とするEL表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57072165A JPS58188094A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | El表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57072165A JPS58188094A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | El表示素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58188094A JPS58188094A (ja) | 1983-11-02 |
JPS6235235B2 true JPS6235235B2 (ja) | 1987-07-31 |
Family
ID=13481353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57072165A Granted JPS58188094A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | El表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58188094A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH043793U (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-14 | ||
JPH0758636B2 (ja) * | 1990-11-22 | 1995-06-21 | 関西日本電気株式会社 | 電界発光灯 |
JP2008104740A (ja) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Ippo:Kk | 非氷上カーリング用ストーン |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5031789A (ja) * | 1973-07-23 | 1975-03-28 |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP57072165A patent/JPS58188094A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5031789A (ja) * | 1973-07-23 | 1975-03-28 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58188094A (ja) | 1983-11-02 |
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