JPS5994878A - 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍ - Google Patents
紫外線消去型プログラマブルｒｏｍInfo
- Publication number
- JPS5994878A JPS5994878A JP57205742A JP20574282A JPS5994878A JP S5994878 A JPS5994878 A JP S5994878A JP 57205742 A JP57205742 A JP 57205742A JP 20574282 A JP20574282 A JP 20574282A JP S5994878 A JPS5994878 A JP S5994878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory cell
- cell group
- ultraviolet ray
- film
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 abstract description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 2
- 101001106432 Homo sapiens Rod outer segment membrane protein 1 Proteins 0.000 abstract 1
- 102100021424 Rod outer segment membrane protein 1 Human genes 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 101100087530 Caenorhabditis elegans rom-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100305983 Mus musculus Rom1 gene Proteins 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は紫外線消去型プログラマブルＲＵＭに関する
。
。
従来、紫外線消去型プログラマブルＲＵＭにおいて、す
べてのメモリセルは、紫外線が透過する膜で覆われてい
た。このため、１度の紫外線消去で、任意のメモリセル
に書込まれた情報はすべて消去され、製品のＡＣ特性１
例えばアクセスタイム、チップイネーブルタイムなどが
測定できないという欠点があった。
べてのメモリセルは、紫外線が透過する膜で覆われてい
た。このため、１度の紫外線消去で、任意のメモリセル
に書込まれた情報はすべて消去され、製品のＡＣ特性１
例えばアクセスタイム、チップイネーブルタイムなどが
測定できないという欠点があった。
この発明の目的は、上記欠点を除去し、必要なメモリセ
ルは紫外線照射を行っても消去されず。
ルは紫外線照射を行っても消去されず。
製品のＡＣ％性を測定することのできる紫外線消去型プ
ログラマブルＲＯＭを提供することにある。
ログラマブルＲＯＭを提供することにある。
この発明の紫外線消去型プログラマブル几ＯＭは、紫外
線消去型プログラマブルＲＯＭの複数のメモリセルのう
ちの一部のメモリセルを紫外線が透過しない膜でマスク
することにより購成される。
線消去型プログラマブルＲＯＭの複数のメモリセルのう
ちの一部のメモリセルを紫外線が透過しない膜でマスク
することにより購成される。
次にこの発明の実施例について図面を用いて説明する。
第１図はこの発明の一実施例の断面図である。
この実施例のＲＯＭ１は上位のアドレスで選択できる第
１のメモリセル群２と残りのアドレスで選択できる第２
のメモリセル群３とを有す。この第２のメモリセル群３
の上を紫外線５が透過しない膜４で覆う。膜４は紫外線
５が透過しない材料であれば何でも良い。例えば、ポリ
イミドを使用することができる。膜４の厚さは膜の材質
によって決まるもので紫外線５を遮蔽し得る厚さがあれ
は良いっ この実施例では、紫外線を遮蔽する領域、即ち第２のメ
モリセル群として下位のアドレスで選択できるメモリセ
ル群を選んだが、これに限定されず、所望のメモリセル
群を膜４で覆って差支えない。このように、紫外線を通
さない膜４を設けると、紫外線５を照射したとき、第１
のメモリセル群２は消去されるが第２のメモリセル群２
は消去されないで書込まれた情報はそのまま残る。
１のメモリセル群２と残りのアドレスで選択できる第２
のメモリセル群３とを有す。この第２のメモリセル群３
の上を紫外線５が透過しない膜４で覆う。膜４は紫外線
５が透過しない材料であれば何でも良い。例えば、ポリ
イミドを使用することができる。膜４の厚さは膜の材質
によって決まるもので紫外線５を遮蔽し得る厚さがあれ
は良いっ この実施例では、紫外線を遮蔽する領域、即ち第２のメ
モリセル群として下位のアドレスで選択できるメモリセ
ル群を選んだが、これに限定されず、所望のメモリセル
群を膜４で覆って差支えない。このように、紫外線を通
さない膜４を設けると、紫外線５を照射したとき、第１
のメモリセル群２は消去されるが第２のメモリセル群２
は消去されないで書込まれた情報はそのまま残る。
第２図は第１図に示す一実施例のＲＯＭを読出すときの
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
アクセスタイム（ｉ７ＴＡｃｃ 、チップイネーブルタ
イムｅＴｃｒ＋とする。第２のメモリセル群にアドレス
人力ＡＤ、チップイネーブルＣＥｉ入力するとデータ出
力０が得られる。第２図に示す波形から所望のアクセス
タイム’ｆｈｃｃ 、チップイネーブルタイムＴＣＢを
測定することができる。
イムｅＴｃｒ＋とする。第２のメモリセル群にアドレス
人力ＡＤ、チップイネーブルＣＥｉ入力するとデータ出
力０が得られる。第２図に示す波形から所望のアクセス
タイム’ｆｈｃｃ 、チップイネーブルタイムＴＣＢを
測定することができる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、紫外線消
去を行った後で製品のＡＣ％性を測定することのできる
紫外線消去型プログラマブル几ＯＭを得ることができる
のでその効果は大きい。
去を行った後で製品のＡＣ％性を測定することのできる
紫外線消去型プログラマブル几ＯＭを得ることができる
のでその効果は大きい。
第１図はこの発明の一実施例の断面図、第２図は第１図
に示す一実施例のＲＯＭを読出すときのタイミングチャ
ートである。 ｌ・・・・・・ＲＯＭ、２・・・・・・第１のメモリセ
ル群、３・・・・・・第２のメモリセル群、４・・・・
・・膜、５・・・・・・紫外線、ＡＤ・・・・・・アド
レスの入力波形、ＣＥ・・・・・・チνブイネープルの
入力波形、０・・・・・・データの出力波形、ＴｃＢ
・・・・・・チップイネーブルタイム、 ＴＡＣＣ・・
・・・・アクセスタイム。
に示す一実施例のＲＯＭを読出すときのタイミングチャ
ートである。 ｌ・・・・・・ＲＯＭ、２・・・・・・第１のメモリセ
ル群、３・・・・・・第２のメモリセル群、４・・・・
・・膜、５・・・・・・紫外線、ＡＤ・・・・・・アド
レスの入力波形、ＣＥ・・・・・・チνブイネープルの
入力波形、０・・・・・・データの出力波形、ＴｃＢ
・・・・・・チップイネーブルタイム、 ＴＡＣＣ・・
・・・・アクセスタイム。
Claims (1)
- ＃凛救肯専紫外線消去型プログラマブルＲＵＭｔ±＝エ
ポ１数のメモリセルのうちの一部のメモリセルを紫外線
が透過しない膜で覆ったことを特徴とす右紫外線消去型
プログラマブルＲＵＭ０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205742A JPS5994878A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57205742A JPS5994878A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5994878A true JPS5994878A (ja) | 1984-05-31 |
Family
ID=16511904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57205742A Pending JPS5994878A (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 紫外線消去型プログラマブルｒｏｍ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5994878A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04291759A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP57205742A patent/JPS5994878A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04291759A (ja) * | 1991-03-20 | 1992-10-15 | Nec Corp | 半導体装置 |
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