JPS5993879A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS5993879A JPS5993879A JP20244882A JP20244882A JPS5993879A JP S5993879 A JPS5993879 A JP S5993879A JP 20244882 A JP20244882 A JP 20244882A JP 20244882 A JP20244882 A JP 20244882A JP S5993879 A JPS5993879 A JP S5993879A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- alkoxide
- solvent
- air
- Prior art date
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- Pending
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- Chemically Coating (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、各種基板上に金属酸化物の薄膜を形成させる
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来より、基板上に金属酸化物の薄膜を形成させる場合
、蒸着やスパッタによって行なわれているが、装置が大
がかシとなる欠点がある。
、蒸着やスパッタによって行なわれているが、装置が大
がかシとなる欠点がある。
本発明の目的は、犬がかりな装置を使用することなく、
寸だ、簡単な工程で基板上に金属酸化物の薄膜を形成で
きる方法を提供しようとするものである。
寸だ、簡単な工程で基板上に金属酸化物の薄膜を形成で
きる方法を提供しようとするものである。
本発明に係る方法は、金属アルコキシド（アルコール化
合物）を基板上に塗布し、空気中の水分によって加°水
分解し、熱酸化によって基板上に金属酸化物の薄膜を形
成させる方法であって、前記金属アルコキシド内に有機
酸を混入させ、加水分解をおくらせるようにした点に特
徴がある。
合物）を基板上に塗布し、空気中の水分によって加°水
分解し、熱酸化によって基板上に金属酸化物の薄膜を形
成させる方法であって、前記金属アルコキシド内に有機
酸を混入させ、加水分解をおくらせるようにした点に特
徴がある。
以下、本発明の方法の一例について、第１図〜第３図を
参照しながら説明する。ここでは、ガラス基板上に、Ｔ
ｉの金属酸化膜を形成する場合を例示する。
参照しながら説明する。ここでは、ガラス基板上に、Ｔ
ｉの金属酸化膜を形成する場合を例示する。
はじめに、第１図に示すように所定量（例えば２０ ｏ
ｍ６）のベンゼンに所定量（例えば＋ｏｏｍｅ）のＴＩ
（ＯＲ）４を加え、金属（Ｔｔ）アルコキシド溶媒をつ
くる。この溶媒に少量（例えば５ｍｄ）の酢酸を混入さ
せる。
ｍ６）のベンゼンに所定量（例えば＋ｏｏｍｅ）のＴＩ
（ＯＲ）４を加え、金属（Ｔｔ）アルコキシド溶媒をつ
くる。この溶媒に少量（例えば５ｍｄ）の酢酸を混入さ
せる。
次に、酢酸を混入させた溶媒中に、第２図に示すように
ガラス基板１を入れ、その後このガラス基板１を、例え
ば５〜２０ｃｒｎ／ｍｉｎ １程度の一定速度で引き上
げ、これによって金属アルコキシドの溶媒をガラス基板
１上に塗布する。
ガラス基板１を入れ、その後このガラス基板１を、例え
ば５〜２０ｃｒｎ／ｍｉｎ １程度の一定速度で引き上
げ、これによって金属アルコキシドの溶媒をガラス基板
１上に塗布する。
次に１金属アルコキシドの溶媒を塗布したガラス基板１
を、空気中に放置する。これによって、金属アルコキシ
ド溶液は、空気中の水分と反応して非常にゆっくシ加水
分解し、金属（Ｔｌ）の薄膜がガラス基板上に付着され
る。続いて、これを例えば７００°Ｃ程度の温度で焼成
する。これによって、基板上に付着されていた金属膜は
熱分解し、第３図に示すようにガラス基板１上に透明な
Ｔｉの酸化物薄膜２が形成される。酸化物薄膜２の厚さ
ｔは、第２図において、ガラス基板１を金属アルコキシ
ド溶媒中から引き上げる速度によって調整できる。
を、空気中に放置する。これによって、金属アルコキシ
ド溶液は、空気中の水分と反応して非常にゆっくシ加水
分解し、金属（Ｔｌ）の薄膜がガラス基板上に付着され
る。続いて、これを例えば７００°Ｃ程度の温度で焼成
する。これによって、基板上に付着されていた金属膜は
熱分解し、第３図に示すようにガラス基板１上に透明な
Ｔｉの酸化物薄膜２が形成される。酸化物薄膜２の厚さ
ｔは、第２図において、ガラス基板１を金属アルコキシ
ド溶媒中から引き上げる速度によって調整できる。
また、溶液塗布→放置→焼成の工程を複数回繰り返して
も行なえる。
も行なえる。
なお、ここではガラス基板上にＴ１の酸化物薄膜を形成
させる場合を例示したが、他の基板上に他の金属酸化物
薄膜を形成させる場合にも適用できる。また、ここでは
Ｔｉアルコキシド溶液中に酢酸を混入させたが、酢酸以
外に、同系統のギ酸、酪酸、プロピオン酸等のカルボン
酸、安臭香酸等の芳香用カルボン酸、その他の有機酸を
使用してもよい。
させる場合を例示したが、他の基板上に他の金属酸化物
薄膜を形成させる場合にも適用できる。また、ここでは
Ｔｉアルコキシド溶液中に酢酸を混入させたが、酢酸以
外に、同系統のギ酸、酪酸、プロピオン酸等のカルボン
酸、安臭香酸等の芳香用カルボン酸、その他の有機酸を
使用してもよい。
以上説明したように、本発明によれば、犬ががシな装置
を・必要とせず、簡単な工程で基板上に性膜性の良好な
金属酸化物の薄膜を形成することができる。
を・必要とせず、簡単な工程で基板上に性膜性の良好な
金属酸化物の薄膜を形成することができる。
第１図〜第３図は本発明に係る方法を説明するための説
明図である。 １・・・ガラス基板、２・・・酸化物薄膜。 手続省市正書（方式） １．事件の表示 特願昭５７−２０２４４８
号２、発明の名称 薄膜形成方法３、補正す
る者 事件との関係 特許出願大 佐 所 東京都武蔵野市中町２丁目９番３
２号名 称 （６７０） 株式会社 横
河電機製作所４、代理人 住 所 東京都武蔵野市中町２丁目９番３
２号株式会社 横河電機製作所内 ５ 補正命令の日イｑ （１） 図面 ７、補正の内容 （１） 第１図、第２図を添付図面の通り訂正する。（
図面中のＳ（明文室を削除し、これを符号に訂正した）
明図である。 １・・・ガラス基板、２・・・酸化物薄膜。 手続省市正書（方式） １．事件の表示 特願昭５７−２０２４４８
号２、発明の名称 薄膜形成方法３、補正す
る者 事件との関係 特許出願大 佐 所 東京都武蔵野市中町２丁目９番３
２号名 称 （６７０） 株式会社 横
河電機製作所４、代理人 住 所 東京都武蔵野市中町２丁目９番３
２号株式会社 横河電機製作所内 ５ 補正命令の日イｑ （１） 図面 ７、補正の内容 （１） 第１図、第２図を添付図面の通り訂正する。（
図面中のＳ（明文室を削除し、これを符号に訂正した）
Claims (1)
- （１） 有機酸を混入させた金属アルコキシドを基板
上に塗布し、空気中の水分によって加水分解させ、熱酸
化によって前記基板上に金属酸化物の薄膜を形成させる
ようにした薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20244882A JPS5993879A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20244882A JPS5993879A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5993879A true JPS5993879A (ja) | 1984-05-30 |
Family
ID=16457687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20244882A Pending JPS5993879A (ja) | 1982-11-18 | 1982-11-18 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5993879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6166960A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | パイプ内面のコ−テイング方法 |
| JPH11315041A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-11-16 | Samsung Display Devices Co Ltd | 金属酸化物前駆体組成物及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-11-18 JP JP20244882A patent/JPS5993879A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6166960A (ja) * | 1984-09-10 | 1986-04-05 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | パイプ内面のコ−テイング方法 |
| JPH11315041A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-11-16 | Samsung Display Devices Co Ltd | 金属酸化物前駆体組成物及びその製造方法 |
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