JPS5993445A - 金属酸化膜形成用組成物及び該組成物を使用する金属酸化膜形成方法 - Google Patents
金属酸化膜形成用組成物及び該組成物を使用する金属酸化膜形成方法Info
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- JPS5993445A JPS5993445A JP20191982A JP20191982A JPS5993445A JP S5993445 A JPS5993445 A JP S5993445A JP 20191982 A JP20191982 A JP 20191982A JP 20191982 A JP20191982 A JP 20191982A JP S5993445 A JPS5993445 A JP S5993445A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は金属酸化膜形成用組成物及び該組成物を使用す
る金属酸化膜形成方法に関する。
る金属酸化膜形成方法に関する。
〔従来技術〕
現在一般に基体表面に金属酸化被膜を形成するには、蒸
着法、スパック法、ＣＶＤ法等が用いられており、これ
らの方法によって形成された金属酸化；４！、膜をパタ
ーン化するためには、この金属酸化膜上に所望のパター
ン形状のエツチングレジスト膜を形成し、エツチングす
ることにより不用部分の金属酸化被膜を除去し、更にエ
ツチングレジスト膜を除去する工程がとられている。
着法、スパック法、ＣＶＤ法等が用いられており、これ
らの方法によって形成された金属酸化；４！、膜をパタ
ーン化するためには、この金属酸化膜上に所望のパター
ン形状のエツチングレジスト膜を形成し、エツチングす
ることにより不用部分の金属酸化被膜を除去し、更にエ
ツチングレジスト膜を除去する工程がとられている。
例えば、表示系子等の透明電極に用いられるＩｎｚＯ３
−８ｎｏ２ 系金属酸化膜を形成するには、上述した
蒸着法等によりこの金属酸化被膜を基体表面の全体に形
成した後、その上に所望のパターン形状のエツチングレ
ジスト膜を印刷法、ホトリソグラフィー法等により形成
し、不用部分の金属酸化被膜をＨＮＯｓ −ＨＣｌ −
Ｒ２０系エツチング液でエッチ・ ３ ・ ング除去し、更にエツチングレジスト膜を除去する工程
がとられる。このような金属酸化被膜のパターン形成方
法は、広く公知化され採用されている安定な生産方式で
あるにもかかわらず、膜形成工程とエツチングによるパ
ターン形成工程とに大別される２工程を経なければなら
ず、結局工程の合理化や材料コストの低減が難しいとい
う欠点を有している。
−８ｎｏ２ 系金属酸化膜を形成するには、上述した
蒸着法等によりこの金属酸化被膜を基体表面の全体に形
成した後、その上に所望のパターン形状のエツチングレ
ジスト膜を印刷法、ホトリソグラフィー法等により形成
し、不用部分の金属酸化被膜をＨＮＯｓ −ＨＣｌ −
Ｒ２０系エツチング液でエッチ・ ３ ・ ング除去し、更にエツチングレジスト膜を除去する工程
がとられる。このような金属酸化被膜のパターン形成方
法は、広く公知化され採用されている安定な生産方式で
あるにもかかわらず、膜形成工程とエツチングによるパ
ターン形成工程とに大別される２工程を経なければなら
ず、結局工程の合理化や材料コストの低減が難しいとい
う欠点を有している。
また酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等は電気Ｎ路
等に５ける有用な絶縁膜となり得るが、これはエツチン
グによる微細なパターン化が困難なため従￥技術によっ
ては被膜形成が難しく、従って実用に供されていない。
等に５ける有用な絶縁膜となり得るが、これはエツチン
グによる微細なパターン化が困難なため従￥技術によっ
ては被膜形成が難しく、従って実用に供されていない。
本発明の目的とするところは、上述した様な従来技術で
は不可欠であった金属酸化膜のパターン形成用エツチン
グ工程を無くシ、工程の簡略化を計り、かつそれに伴う
使用材料費の低減を計るとともに、エツチング工程を不
要としたことにより従来パターン化できなかった金属酸
化物の被膜形・ ４ ・ 成・パターン化も可能ならしめた金属酸化膜形成用組成
物及び該組成物を使用した金属酸化膜形成方法を提供す
ることにある。
は不可欠であった金属酸化膜のパターン形成用エツチン
グ工程を無くシ、工程の簡略化を計り、かつそれに伴う
使用材料費の低減を計るとともに、エツチング工程を不
要としたことにより従来パターン化できなかった金属酸
化物の被膜形・ ４ ・ 成・パターン化も可能ならしめた金属酸化膜形成用組成
物及び該組成物を使用した金属酸化膜形成方法を提供す
ることにある。
本発明の金属酸化膜形成用組成物は、波長２５０ｎｍ以
上の紫外線により、効率よく露光部分が可溶化する下記
一般式で示される反復単位の１種以上のポリマと、この
ポリマのカルボニル基に配位し得る金属化合物と、該ポ
リマ及び該金属化合物を溶解する溶剤とから成るもので
ある。
上の紫外線により、効率よく露光部分が可溶化する下記
一般式で示される反復単位の１種以上のポリマと、この
ポリマのカルボニル基に配位し得る金属化合物と、該ポ
リマ及び該金属化合物を溶解する溶剤とから成るもので
ある。
一般式：Ｒ１
−Ｃ−ＣＨ２−
Ｃ＝０
１（，２
但し上記一般式中、凡１．Ｒ２は、
損： −ＣＨ５，−ＣＨ２ＣＨ３、−Ｃ＞凡２：低級ア
ルキル基 または ÷Ｘ Ｘは−Ｈ，−ＣＨ３、−０ＣＨ３、−ＣＩ 。
ルキル基 または ÷Ｘ Ｘは−Ｈ，−ＣＨ３、−０ＣＨ３、−ＣＩ 。
−Ｂｒ 、−Ｉ 、−Ｎ（ＣＨｓ ）ｚまた本発明の金
屑酸化膜形成方法においては、基体面上に上記した金属
酸化膜形成用組成物を付着し、被膜形成した後、ホトリ
ソクラフィー法によりパターン化し、その後４００℃以
上の温度で加熱処理することによって金属酸化被膜を形
成する。
屑酸化膜形成方法においては、基体面上に上記した金属
酸化膜形成用組成物を付着し、被膜形成した後、ホトリ
ソクラフィー法によりパターン化し、その後４００℃以
上の温度で加熱処理することによって金属酸化被膜を形
成する。
あるいは、基体面上に上記した金属酸化膜形成用組成物
を付着し、被膜形成した後、ホトリソクラフィー法によ
りパターン化し、その後ｉ５０℃以上の雰囲気中で紫外
Ｎを照射し、更に４００℃以上の温度で加熱処理するこ
とによって金礪改化敲膜を形成するものである。
を付着し、被膜形成した後、ホトリソクラフィー法によ
りパターン化し、その後ｉ５０℃以上の雰囲気中で紫外
Ｎを照射し、更に４００℃以上の温度で加熱処理するこ
とによって金礪改化敲膜を形成するものである。
この様１こ本発明によれば、上記金属酸化膜形成用ポリ
マを用いる結果、金属酸化膜形成方法においても従来不
可欠であった金属酸化被膜のパターン形成用エツチング
工程を不要にでき、工程の簡略化とそれに伴う材料費の
低減を計ることができ、極めて者しい効果を上げること
ができる。
マを用いる結果、金属酸化膜形成方法においても従来不
可欠であった金属酸化被膜のパターン形成用エツチング
工程を不要にでき、工程の簡略化とそれに伴う材料費の
低減を計ることができ、極めて者しい効果を上げること
ができる。
また本発明の金属酸化膜形成用組成物自体の効果として
、該組成物かポジ型の感光性を呈するが故に、ピンホー
ルの発生がなく、また高村度のパターン化が可能である
という利点がある。即ち一般に、感光性を有するポリマ
には露光部分が不溶化するネガ型と、露光部分が可溶化
するポジ型とがあるが、例えばシンナモイル基とカルボ
ニル基を有するようなネガ型のポリマのカルボニル基に
金属を配位させると、露光時のゴミなどによるピンホー
ルが発生しやすい。ところが、本発明に用いる組成物は
上記一般式で示すように光によって主鎖が切れるポジ型
の感光性ポリマから成るため°、ネガ型の場合のような
異物によるピンホールの発゛生がない。また、ネガ型ポ
リマのような連鎖的反応もなく、高精度のパターン化が
可能である。
、該組成物かポジ型の感光性を呈するが故に、ピンホー
ルの発生がなく、また高村度のパターン化が可能である
という利点がある。即ち一般に、感光性を有するポリマ
には露光部分が不溶化するネガ型と、露光部分が可溶化
するポジ型とがあるが、例えばシンナモイル基とカルボ
ニル基を有するようなネガ型のポリマのカルボニル基に
金属を配位させると、露光時のゴミなどによるピンホー
ルが発生しやすい。ところが、本発明に用いる組成物は
上記一般式で示すように光によって主鎖が切れるポジ型
の感光性ポリマから成るため°、ネガ型の場合のような
異物によるピンホールの発゛生がない。また、ネガ型ポ
リマのような連鎖的反応もなく、高精度のパターン化が
可能である。
更に、この様に本発明の金属酸化膜形成用組成物は、そ
の感光性ポリマにポジ型のものを用いるため、これを基
板面上に付着してパターン化した後、紫外線を照射する
とポリマの分解が一層進み１、最終的に得られる金属酸
化被膜の純度が向上するという効果を呈する。
の感光性ポリマにポジ型のものを用いるため、これを基
板面上に付着してパターン化した後、紫外線を照射する
とポリマの分解が一層進み１、最終的に得られる金属酸
化被膜の純度が向上するという効果を呈する。
本発明で得られる金属酸化膜は、導電膜・絶縁膜などと
して有効に使用でき、その他広汎な応用・ ７ ・ 範囲をもつ。
して有効に使用でき、その他広汎な応用・ ７ ・ 範囲をもつ。
本発明は、以下例示する如き態様で実施できる。
上記一般式で示した金属酸化膜形成用ポリマのカルボニ
ル基に配位し得る金属化合物としては、Ｚｒ。
ル基に配位し得る金属化合物としては、Ｚｒ。
Ｃｒ、Ｗ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ 、Ｃｕ、Ｃｄ、ＡＩ 、
Ｉｎ、８ｎ、Ｐｂ、８ｂ、Ｂｉ （７Ｊうちから選ばれ
る１種類あるいは２種類以上の金属の硝酸塩、硫酸塩、
ハロゲン化塩、有機酸塩などが挙げられる。
Ｉｎ、８ｎ、Ｐｂ、８ｂ、Ｂｉ （７Ｊうちから選ばれ
る１種類あるいは２種類以上の金属の硝酸塩、硫酸塩、
ハロゲン化塩、有機酸塩などが挙げられる。
また上記した金属酸化膜形成用ポリマと金属化合物を溶
解する溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、ジオキサン、酢酸エチル、硝酸
９発煙硝酸のうちから選ばれる１種類、あるいは２種類
以上の混合溶媒などを挙げることができる。
解する溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ジメチルホルムアミド、
ジメチルアセトアミド、ジオキサン、酢酸エチル、硝酸
９発煙硝酸のうちから選ばれる１種類、あるいは２種類
以上の混合溶媒などを挙げることができる。
また以上述べた金属酸化膜組成物の組成比（以下重量部
で示す）は、 金属酸化膜形成用ポリマ １ 金属化合物 ０．１〜２０・ ８ ・ 溶剤 １〜４００ が適切であり、更に好ましくは、 金属酸化膜形成用ポリマ １゜ 金属 化合物 ０．５〜１０溶 剤
１０〜２００である。金
属酸化膜形成用ポリマ１に対し、金属化合物が上記の量
より多いと、金属酸化膜組成物の成膜性が悪くなり、ま
た上記の量より少ないと金属酸化被膜のち密さが得られ
に＜＜、また良好な特性も得られにくい。溶剤の量に関
しても同様である。
で示す）は、 金属酸化膜形成用ポリマ １ 金属化合物 ０．１〜２０・ ８ ・ 溶剤 １〜４００ が適切であり、更に好ましくは、 金属酸化膜形成用ポリマ １゜ 金属 化合物 ０．５〜１０溶 剤
１０〜２００である。金
属酸化膜形成用ポリマ１に対し、金属化合物が上記の量
より多いと、金属酸化膜組成物の成膜性が悪くなり、ま
た上記の量より少ないと金属酸化被膜のち密さが得られ
に＜＜、また良好な特性も得られにくい。溶剤の量に関
しても同様である。
本発明において基体面上に金属酸化膜形成用組成物を付
着し、被膜形成する手段としては、ロールコータ−等の
印刷転写法、ディッピング法、スピンコード法などがあ
るが、均一な厚さの被膜を速やかに形成するためにはス
ピンコード方式カ好ましい。またこの被膜をホトリソグ
ラフィー法によってパターン化するには、パターン形成
部分が遮光部となったフォトマスクを介して紫外線を照
射した後、未照射部を現像溶剤で溶解除去する。
着し、被膜形成する手段としては、ロールコータ−等の
印刷転写法、ディッピング法、スピンコード法などがあ
るが、均一な厚さの被膜を速やかに形成するためにはス
ピンコード方式カ好ましい。またこの被膜をホトリソグ
ラフィー法によってパターン化するには、パターン形成
部分が遮光部となったフォトマスクを介して紫外線を照
射した後、未照射部を現像溶剤で溶解除去する。
この際、照射部は現像溶液に可溶性となっているため、
未照射部が基体面上にパターンとして残る。
未照射部が基体面上にパターンとして残る。
本発明方法における加熱処理は上記の工程で形成した金
属酸化膜形成用組成物の被膜中の有機分を焼成分解し、
金属酸化被膜を形成するためのものである。このため、
加熱処理温度は４００°Ｃ〜１３００℃が好ましく、更
には５００℃〜１０００℃が好ましい。また処理時間は
２０〜１２０分程度で充分加熱処理の目的を達成できる
。更にこの加熱処理を行う前に１５０℃以上の雰囲気中
で紫外線を金属酸化膜形成物の被膜に照射することは、
一つには金属酸化被膜の特性を向上させるために非常に
有効であり、もう一つには、光崩壊型ポリマの分解を更
に促進させるためにも有効である。例えば、Ｉｎ−８ｎ
酸化物から成る導電膜形成の場合には、高温下での紫外
線照射を行った場合には、シート抵抗値が紫外線未照射
のものと比べ５０％以上も低くなる。
属酸化膜形成用組成物の被膜中の有機分を焼成分解し、
金属酸化被膜を形成するためのものである。このため、
加熱処理温度は４００°Ｃ〜１３００℃が好ましく、更
には５００℃〜１０００℃が好ましい。また処理時間は
２０〜１２０分程度で充分加熱処理の目的を達成できる
。更にこの加熱処理を行う前に１５０℃以上の雰囲気中
で紫外線を金属酸化膜形成物の被膜に照射することは、
一つには金属酸化被膜の特性を向上させるために非常に
有効であり、もう一つには、光崩壊型ポリマの分解を更
に促進させるためにも有効である。例えば、Ｉｎ−８ｎ
酸化物から成る導電膜形成の場合には、高温下での紫外
線照射を行った場合には、シート抵抗値が紫外線未照射
のものと比べ５０％以上も低くなる。
以下本発明の実施例の内いくつかを詳細に説明する。
〈実施例１〉
メチルビニルケトン６．９ｇとフェニルビニルケトン１
３．２ｇをアゾイソブチロニトリル０．１ｇを重合開始
剤として６０℃１０時間で塊状重合して共重合体を得て
、メタノールにより再沈精製したものを金属酸化被膜形
成用ポリマとして用いた。（フェニルビニルケトン単位
６０重量％、重量平均分子量約１３万）。重量部でこの
ポリマ５に対し硝酸インジウム１０、シトラコン酸０．
７、アセトン１００、コーメチルアントラキノン１の割
合で金属酸化膜形成用組成物を作り、これを５ｉＱ２コ
ート付ガラス基板上にスピンコードし、乾燥膜厚０．５
μｍの被膜を形成した。次に二の被膜上に石英のフ第１
・マスクを密着させ、Ｘｅ−Ｈｇランプを用いて１７．
８ ｍｎ／ｃｒ／１（３６５ｎｍ）の露光強度で６０秒
間露光した。その後メチルインブチルケトン−イソプロ
ピルアルコール（４５：５５ ｂｙｖｏｌ ％ ）で現
像後、イソプロピルアルコールでリンス量ることにより
、霧光部分を可溶化させた。
３．２ｇをアゾイソブチロニトリル０．１ｇを重合開始
剤として６０℃１０時間で塊状重合して共重合体を得て
、メタノールにより再沈精製したものを金属酸化被膜形
成用ポリマとして用いた。（フェニルビニルケトン単位
６０重量％、重量平均分子量約１３万）。重量部でこの
ポリマ５に対し硝酸インジウム１０、シトラコン酸０．
７、アセトン１００、コーメチルアントラキノン１の割
合で金属酸化膜形成用組成物を作り、これを５ｉＱ２コ
ート付ガラス基板上にスピンコードし、乾燥膜厚０．５
μｍの被膜を形成した。次に二の被膜上に石英のフ第１
・マスクを密着させ、Ｘｅ−Ｈｇランプを用いて１７．
８ ｍｎ／ｃｒ／１（３６５ｎｍ）の露光強度で６０秒
間露光した。その後メチルインブチルケトン−イソプロ
ピルアルコール（４５：５５ ｂｙｖｏｌ ％ ）で現
像後、イソプロピルアルコールでリンス量ることにより
、霧光部分を可溶化させた。
次にこのガラス基板を酸化雰囲気の電気炉で５００℃１
時間の加熱処理を行ったところ、ガラス基板・１１ ・ 上には厚さ１００ＯＡの酸化インジウムの透明な金属酸
化膜が形成された。シート抵抗値は約４０にΩ／口であ
り、得られた最小パターン線幅は５μｍ以下であった。
時間の加熱処理を行ったところ、ガラス基板・１１ ・ 上には厚さ１００ＯＡの酸化インジウムの透明な金属酸
化膜が形成された。シート抵抗値は約４０にΩ／口であ
り、得られた最小パターン線幅は５μｍ以下であった。
〈実施例２〉
ｐ−メトキシフェニルビニルケトン１５Ｉとメタクリル
酸メチル１．３ｇをアゾビスイソブチロニトリルを重合
開始剤として実施例１で示したように重合・精製して得
られたポリマ（ｐ−メトキシフェニルビニルケトン単位
９０ｗｔ％、平均分子量８万）を、重量部で５．硝酸イ
ンジウム１５．ジメチルスズオキサイド０．９５ 、発
煙硝酸１．シトラコン酸１エチルセロソルブ１００．コ
ーメチルアントラキノン１の割合で金属酸化膜形成用組
成物を作り、これを実施例１と同様の方法で処理したき
ころ、厚さ約１０００尤のインジウム−スズの酸化被膜
が形成され、シート抵抗値は約２．５にΩ／口であり、
最小パターン線幅は５μｍ以下であった。
酸メチル１．３ｇをアゾビスイソブチロニトリルを重合
開始剤として実施例１で示したように重合・精製して得
られたポリマ（ｐ−メトキシフェニルビニルケトン単位
９０ｗｔ％、平均分子量８万）を、重量部で５．硝酸イ
ンジウム１５．ジメチルスズオキサイド０．９５ 、発
煙硝酸１．シトラコン酸１エチルセロソルブ１００．コ
ーメチルアントラキノン１の割合で金属酸化膜形成用組
成物を作り、これを実施例１と同様の方法で処理したき
ころ、厚さ約１０００尤のインジウム−スズの酸化被膜
が形成され、シート抵抗値は約２．５にΩ／口であり、
最小パターン線幅は５μｍ以下であった。
〈実施例３〉
実施例２の金属酸化被膜形成用組成物を実施例・１２・
１と同様の処理によってパターン化した後、これを３５
０°Ｃ囲気中で１２０秒間２３０ｒｒ＋ｗ／ｍ （２５
４ｎｍ）の紫外線照射を行った後、酸化雰囲気の電気炉
で５００℃１時間の加熱処理をしたところ、厚さ１００
σＡのインジウム−スズの酸化膜が得られ、シート抵抗
値は約１．２にΩ／口であった。
０°Ｃ囲気中で１２０秒間２３０ｒｒ＋ｗ／ｍ （２５
４ｎｍ）の紫外線照射を行った後、酸化雰囲気の電気炉
で５００℃１時間の加熱処理をしたところ、厚さ１００
σＡのインジウム−スズの酸化膜が得られ、シート抵抗
値は約１．２にΩ／口であった。
〈実施例４〉
メチルイソプロペニルケトン４．２ｇとメタクリル酸メ
チル５．０ｇをアゾビスイソブチロニトリル０．２．９
のもとに７０℃１５時間で共重合させたもの（メチルイ
ソプロペニルケトン単位的４０ ｗｔ ％ 、平均分子
量７万）を重量部で５．ジメチルスズオキサイド５トリ
フエニルアンチモン０．５１発煙硝酸１０．エチルセロ
ソルブ１００．ベンゾインイソプロピルエーテル１から
なる金属酸化被膜形成用組成物を実施例３に示すように
処理したところ、厚さ９ｏｏＡのスズ−アンチモン酸化
物の金属酸化被膜が得られ、シート抵抗値は約２０にΩ
／口であった。
チル５．０ｇをアゾビスイソブチロニトリル０．２．９
のもとに７０℃１５時間で共重合させたもの（メチルイ
ソプロペニルケトン単位的４０ ｗｔ ％ 、平均分子
量７万）を重量部で５．ジメチルスズオキサイド５トリ
フエニルアンチモン０．５１発煙硝酸１０．エチルセロ
ソルブ１００．ベンゾインイソプロピルエーテル１から
なる金属酸化被膜形成用組成物を実施例３に示すように
処理したところ、厚さ９ｏｏＡのスズ−アンチモン酸化
物の金属酸化被膜が得られ、シート抵抗値は約２０にΩ
／口であった。
〈実施例５〉
東京応化製ポジ型レジスト０ＤＵＲＩ Ｏ１４ｉ重量部
で３．硝酸インジウム３，６．オクチル酸スズ（ネオス
タンＵ−２８）０．６１ 、シトラコン酸０．４．アセ
トン４０から成る金属酸化膜形成用組成物を実施例３と
同５鐵の方法で処理したところ、厚さ８００人のインジ
ウム−スズ薩化被膜が得られ、シート抵抗値は、１．０
にΩ／１っであった。また得られた最小線幅は５μｍ以
下であった。
で３．硝酸インジウム３，６．オクチル酸スズ（ネオス
タンＵ−２８）０．６１ 、シトラコン酸０．４．アセ
トン４０から成る金属酸化膜形成用組成物を実施例３と
同５鐵の方法で処理したところ、厚さ８００人のインジ
ウム−スズ薩化被膜が得られ、シート抵抗値は、１．０
にΩ／１っであった。また得られた最小線幅は５μｍ以
下であった。
また、Ａ Ｉ ＋ Ｗ ＋ Ｕ ｒ ｒ Ｃｕ等の曾属
の硝酸塩、ハロゲン化物、有機酸塩などについても同様
の方法で金属酸化被膜の形成、パターン化が可能であっ
た。
の硝酸塩、ハロゲン化物、有機酸塩などについても同様
の方法で金属酸化被膜の形成、パターン化が可能であっ
た。
更にこれらの方法で得られた被膜は、ピンホールフリー
であり、残存Ｍ機物が膜中にほとんどない良質の金属酸
化膜であった。
であり、残存Ｍ機物が膜中にほとんどない良質の金属酸
化膜であった。
以上述べたように本発明の金属酸化膜形成用組成物は、
これを用いて金属酸化被膜を形成するに際して、従来不
可欠であったパターン形成用エツチング工程を必要とせ
ずｔこそのパターン化か可能である。従って大幅な工程
の簡略化、工数低減も可能となり、それζこ伴い使用す
る材料費の低減も計り得る。また従来はエツチング工程
に適さなかったが故に使用できなかった金属酸化物も、
本発明においては使用することができる。更に、本発明
は高度に精密なパターン化が可能であり、ピンホールフ
リーの良質な金属酸化膜が得られるという効果がある。
これを用いて金属酸化被膜を形成するに際して、従来不
可欠であったパターン形成用エツチング工程を必要とせ
ずｔこそのパターン化か可能である。従って大幅な工程
の簡略化、工数低減も可能となり、それζこ伴い使用す
る材料費の低減も計り得る。また従来はエツチング工程
に適さなかったが故に使用できなかった金属酸化物も、
本発明においては使用することができる。更に、本発明
は高度に精密なパターン化が可能であり、ピンホールフ
リーの良質な金属酸化膜が得られるという効果がある。
なお本発明の金属酸化膜形成方法においては、水素炉等
で還元処理を行うことＩこより金属被膜を得ることも可
能である。
で還元処理を行うことＩこより金属被膜を得ることも可
能である。
３１５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、波長２５０１ｍ以上の紫外線により、効率よく露光
部分が可溶化する下記一般式で示される反復単位の１種
以上のポリマと、このポリマのカルボニル基に配位し得
る金属化合物と、該ポリマ及び該金属化合物を溶解する
溶剤とから成る金属酸化膜形成用組成物。 一般式； 几１ ■ −Ｃ−ＣＨ２− Ｃ５＝０ ２ 但し上記一般式中、Ｒ１，Ｒ２は、 損： −ＣＨａ 、 −ＣＨｇＣＨｓ 、ぺ〕Ｒ２：低
級アルキル基 才たは ＋Ｘ Ｘは−Ｈ、−ＣＨａ 、 −ＯＣＨｓ 、−ＣＩ 。 −Ｂｒ 、 −Ｉ 、 −Ｎ （ＣＨｓ ）２２、波長
２５０ｎｍ以上の紫外線により、効率よく露光部分が可
溶化する下記一般式 ％式％ （但し上記一般式中、Ｒ１，Ｒ２は、几１ニーＣＨ３゜
は÷Ｘ、ここでＸは−Ｈ、−ＣＨ５、−０ＣＨ３，１−
ＣＩ 、−Ｂｒ 、−Ｉ 、−Ｎ（ＣＨ３）２ ）で示
される反復単位の１種以上のポリマと、このポリマのカ
ルボニル基に配位し得る金属化合物と、該ポリマ及び該
金属化合物を溶解する溶剤とから成る金属酸化膜形成用
組成物を基板面上に付着し、被膜形成した後、ホトリソ
グラフィー法によりパターン化し、その後４００℃以上
の温度で加熱処理することによって金属酸化被膜を形成
する金属酸化膜形成方法。 ３、波長２５Ｑｎｍ以上の紫外線により、効率よく露光
部分が可溶化する下記一般式 ％式％ （但し上記一般式中、損、ｌ（２は、ＲｔニーＣＨ３゜
−ｃＨｇ ＣＨ３、ぺＤｌ 凡２：低級アルキル基ま
たは＋ｘ、ｃｃでＸは−Ｈ，−ＣＨ３，−０ＣＨ３−Ｃ
Ｉ 、−Ｂｒ 、−Ｉ 、−Ｎ （ＣＨａ ）２ ）で
示される反復単位の１種以上のポリマと、このポリマの
カルボニル基に配位し得る金属化合物と、該ポリマ及び
該金属化合物を溶解する溶剤とから成る金属酸化膜形成
用組成物を基板面上に付着し、被膜形成した後、ホトリ
ンクラフイー法によりパターン化し、その後１５０℃以
上の雰囲気中で紫外線を照射し、更に４００℃以上の温
度で加熱処理することによって金属酸化被膜を形成する
金属酸化被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20191982A JPS5993445A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 金属酸化膜形成用組成物及び該組成物を使用する金属酸化膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20191982A JPS5993445A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 金属酸化膜形成用組成物及び該組成物を使用する金属酸化膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5993445A true JPS5993445A (ja) | 1984-05-29 |
Family
ID=16448970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20191982A Pending JPS5993445A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 金属酸化膜形成用組成物及び該組成物を使用する金属酸化膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5993445A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003316003A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-11-06 | Canon Inc | レジスト材料 |
| JP2009279935A (ja) * | 2002-02-20 | 2009-12-03 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS5347161A (en) * | 1976-10-10 | 1978-04-27 | Suzuki Masashi | Method of and apparatus for repairing sheet pile |
| JPS53135336A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Toppan Printing Co Ltd | Pattern forming method |
| JPS54103694A (en) * | 1978-02-01 | 1979-08-15 | Seiko Epson Corp | Production of transparent conductive film patterns of liquid crystal panel |
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| JPS57182734A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-10 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | Positive type resist resin sensitive to far ultraviolet rays |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20191982A patent/JPS5993445A/ja active Pending
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