JPS5993434A - ストロボフラツシヤ装置 - Google Patents
ストロボフラツシヤ装置Info
- Publication number
- JPS5993434A JPS5993434A JP57202923A JP20292382A JPS5993434A JP S5993434 A JPS5993434 A JP S5993434A JP 57202923 A JP57202923 A JP 57202923A JP 20292382 A JP20292382 A JP 20292382A JP S5993434 A JPS5993434 A JP S5993434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thyristor
- capacitor
- xenon lamp
- gate
- gto
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B15/02—Illuminating scene
- G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
- G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は写真撮影時に被写体を照明する閃光ヲ発スるス
トロボフラッシャ装置に関する。
トロボフラッシャ装置に関する。
第１図は従来のストロボ７ラツシヤ装置の一例を示す回
路例で、１は電池等の直流電源で、たＥえはり、５Ｖ〜
６■の出力電圧を有する。そして２はＤＣ−ＤＣコンバ
ータで直流電源１の出力電圧を３００ｖ〜３５０Ｖ程度
に昇圧して逆流防止用のダイオード３を介して主コンデ
ンサ４に充電する。そしてこの主コンデンサ４の正極側
の電極をリアクトル５にダイオード６を逆方向に並列に
接続した保護回路を介してキセノンランプ７のアノード
に接続している。そしてキセノンランプ７のアノードを
抵抗８を介して第１のサイリスタ９のアノードに接続し
、このサイリスタ９のカソードを抵抗ｉｏを介して主コ
ンデンサイの負極側の電極に接続している。
路例で、１は電池等の直流電源で、たＥえはり、５Ｖ〜
６■の出力電圧を有する。そして２はＤＣ−ＤＣコンバ
ータで直流電源１の出力電圧を３００ｖ〜３５０Ｖ程度
に昇圧して逆流防止用のダイオード３を介して主コンデ
ンサ４に充電する。そしてこの主コンデンサ４の正極側
の電極をリアクトル５にダイオード６を逆方向に並列に
接続した保護回路を介してキセノンランプ７のアノード
に接続している。そしてキセノンランプ７のアノードを
抵抗８を介して第１のサイリスタ９のアノードに接続し
、このサイリスタ９のカソードを抵抗ｉｏを介して主コ
ンデンサイの負極側の電極に接続している。
また第１のサイリスタ９のアノードを抵抗１ノおよび図
示しないカメラのシャッタ操作に同期して閉成するスイ
ッチノ２を介してゲートに接続し、このゲートとカソー
ドとの間に抵抗１３を介挿している。さらに第１のサイ
リスタ９のアノードをコンデンサノ４を介して主コンデ
ンサ２の負極側の電極に接続している。そして第１のサ
イリスタ９のアノード、カソード間にコンデンサＪ５を
直列に介して尚圧パルストランス１６の１次側を介挿し
ている。そして高圧バ／ｌ／ストラ／ス１６の２次側の
各端をキセノンランプ７のゲートおよびカソードにそれ
ぞれ接続している。また、キセノンランプ７のカソード
に第２のサイリスタ１７のアノードを接続している。そ
して第２のサイリスタ１７のゲートを第１のサイリスタ
９のカソードに接続し、カソードを主コンデンサ２の負
極側の電極に接続している。そして亮２のサイリスタ１
７のアノードとカソードとの間に抵抗１８を介挿してい
る。
示しないカメラのシャッタ操作に同期して閉成するスイ
ッチノ２を介してゲートに接続し、このゲートとカソー
ドとの間に抵抗１３を介挿している。さらに第１のサイ
リスタ９のアノードをコンデンサノ４を介して主コンデ
ンサ２の負極側の電極に接続している。そして第１のサ
イリスタ９のアノード、カソード間にコンデンサＪ５を
直列に介して尚圧パルストランス１６の１次側を介挿し
ている。そして高圧バ／ｌ／ストラ／ス１６の２次側の
各端をキセノンランプ７のゲートおよびカソードにそれ
ぞれ接続している。また、キセノンランプ７のカソード
に第２のサイリスタ１７のアノードを接続している。そ
して第２のサイリスタ１７のゲートを第１のサイリスタ
９のカソードに接続し、カソードを主コンデンサ２の負
極側の電極に接続している。そして亮２のサイリスタ１
７のアノードとカソードとの間に抵抗１８を介挿してい
る。
さらにキセノンランプ７のアノードから抵抗１９、リア
クトル２０を直列に介して第３のサイリスタ２１のアノ
ードに接続し、かつこの第３のサイリスク２１のカソー
ドを主コンデンサ２の負極側の電極に接続している。そ
して、上記抵抗１９とリアクトル２０の直列接続点と、
キセノンランプ７のカソードとの間に転流用の無極性の
コンデンサ２２を介挿している。
クトル２０を直列に介して第３のサイリスタ２１のアノ
ードに接続し、かつこの第３のサイリスク２１のカソー
ドを主コンデンサ２の負極側の電極に接続している。そ
して、上記抵抗１９とリアクトル２０の直列接続点と、
キセノンランプ７のカソードとの間に転流用の無極性の
コンデンサ２２を介挿している。
またホトトランジスタ等の受光素子２３の出力を受光電
＃５２４へ与えて受光電を積分し、この値が所定値に達
すると、第３のサイリスタ２１０ゲートへ点弧信号を与
えて導通させるようにしている。
＃５２４へ与えて受光電を積分し、この値が所定値に達
すると、第３のサイリスタ２１０ゲートへ点弧信号を与
えて導通させるようにしている。
このようにすれば図示しないカメラカシャツタ操作に同
期してスイッチ１２を閉成すると第２図に示すようにＭ
ｌのサイリスタ９のゲートの電位を上昇させてトリガし
、導通すせる。そしてコンデンサノ５の充電電荷を第１
のサイリスタ９を介して放電し、高圧パルストランス１
６の２次側に４ＫＶ〜５ＫＶ程度の高圧を発生させキセ
ノンランプ７のケートへ印加する。同時に第２のサイリ
スタ１７のゲートへ点弧信号を与えて導通させる。した
がって、王コンデンサ４の電荷はりアクドル５、キセノ
ンランプ７、第２のサイリスタ１７の経路で放電し、キ
セノン２ング７に１５０Ａ〜３００Ａ、ｉ度の高いピー
ク値の放電電流Ｉｐ が流れて発光する。そしてこの
発光は、被写体で反射して受光素子２３へ入射し、電気
信号に変換される。この電気信号は受光Ｉｇｌ略２４で
積分し、上記受光素子２３の入射光量の積分値が所定値
に達すると、第３のサイリスク２ノのゲートへ点弧信号
を与えて導通させる。したがって％第２のサイリスタノ
アのアノード電圧Ｖｍまで充電した転流用のコンデンサ
２２の電荷により第３のサイリスタ２１を介して第２の
サイリスタ１７へ逆電圧を印加して回路のターンオフ時
間ｔｃ の後に消弧させキセノンランプ７の発光を停
止する。
期してスイッチ１２を閉成すると第２図に示すようにＭ
ｌのサイリスタ９のゲートの電位を上昇させてトリガし
、導通すせる。そしてコンデンサノ５の充電電荷を第１
のサイリスタ９を介して放電し、高圧パルストランス１
６の２次側に４ＫＶ〜５ＫＶ程度の高圧を発生させキセ
ノンランプ７のケートへ印加する。同時に第２のサイリ
スタ１７のゲートへ点弧信号を与えて導通させる。した
がって、王コンデンサ４の電荷はりアクドル５、キセノ
ンランプ７、第２のサイリスタ１７の経路で放電し、キ
セノン２ング７に１５０Ａ〜３００Ａ、ｉ度の高いピー
ク値の放電電流Ｉｐ が流れて発光する。そしてこの
発光は、被写体で反射して受光素子２３へ入射し、電気
信号に変換される。この電気信号は受光Ｉｇｌ略２４で
積分し、上記受光素子２３の入射光量の積分値が所定値
に達すると、第３のサイリスク２ノのゲートへ点弧信号
を与えて導通させる。したがって％第２のサイリスタノ
アのアノード電圧Ｖｍまで充電した転流用のコンデンサ
２２の電荷により第３のサイリスタ２１を介して第２の
サイリスタ１７へ逆電圧を印加して回路のターンオフ時
間ｔｃ の後に消弧させキセノンランプ７の発光を停
止する。
ここで転流用のコンデンサ２２の容ｆＣＣは次の（１）
式を満たすように設定する必要がある〇Ｃｃ≧ｋ ＊
Ｉｐ ＊ ｔｖ ・・・・・・・・・Ｖｍ
（１）ここでｋは余裕率ｔｑは第
２のサイリスタのターンオフ時間 〔背景技術の問題点〕 しかしながらこのようなものでは、第２のサイリスタ１
７を消弧させるために逆電圧を印加する転流回路を必要
とし１部品数が多く、小型化を阻むことになる。また転
流用のコンデ／す２２は、無極性、高耐圧で蔦ビーク電
流の繰り返し充電に耐えるものを必要とし、一般に金属
ポリエステルフィルムコンデンサを用いている。
式を満たすように設定する必要がある〇Ｃｃ≧ｋ ＊
Ｉｐ ＊ ｔｖ ・・・・・・・・・Ｖｍ
（１）ここでｋは余裕率ｔｑは第
２のサイリスタのターンオフ時間 〔背景技術の問題点〕 しかしながらこのようなものでは、第２のサイリスタ１
７を消弧させるために逆電圧を印加する転流回路を必要
とし１部品数が多く、小型化を阻むことになる。また転
流用のコンデ／す２２は、無極性、高耐圧で蔦ビーク電
流の繰り返し充電に耐えるものを必要とし、一般に金属
ポリエステルフィルムコンデンサを用いている。
しかしながら金属ポリエステルフィルムコンデンサは外
形形状が大きくコストも高価になる。
形形状が大きくコストも高価になる。
さらに第２のサイリスク１７を消弧するために逆電圧を
印加するときに転流用のコンデンサ２２の電荷の一部は
主コンデンサ４およびリアクトル５を介してキセノンラ
ンプ７へ分流し、それによる残光を生じる。このために
特に至近距離の撮影性能が劣る問題があった。また、８
ＣＩｔチョッパ方式の場合、転流用のコンデンサ２２
への充電時定数がストロボの発光周期に対して近くなる
と転流用のコンデンサ２２への充電エネルギーが小さく
なりコンデンサ２２を太き（する必要があった。
印加するときに転流用のコンデンサ２２の電荷の一部は
主コンデンサ４およびリアクトル５を介してキセノンラ
ンプ７へ分流し、それによる残光を生じる。このために
特に至近距離の撮影性能が劣る問題があった。また、８
ＣＩｔチョッパ方式の場合、転流用のコンデンサ２２
への充電時定数がストロボの発光周期に対して近くなる
と転流用のコンデンサ２２への充電エネルギーが小さく
なりコンデンサ２２を太き（する必要があった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので回路を簡素
化し、コストも安価で至近距離の撮影性能も良好なスト
ロボッ２ツシヤ装置を提供することを目的とするもので
ある。
化し、コストも安価で至近距離の撮影性能も良好なスト
ロボッ２ツシヤ装置を提供することを目的とするもので
ある。
すなわち本発明は、自己消弧形サイリスクを用いてキセ
ノンランプの発光時に流れる１４Ｌ流の一部によって自
己消弧形サイリスクを消弧させるための負ゲートバイア
ス電源を得ることを特徴とするものである。
ノンランプの発光時に流れる１４Ｌ流の一部によって自
己消弧形サイリスクを消弧させるための負ゲートバイア
ス電源を得ることを特徴とするものである。
以下本発明の一実施例をｍ１図と同一部分に同一符号を
付与して第３図に示すブロック図を参照して祥細に説明
する。
付与して第３図に示すブロック図を参照して祥細に説明
する。
すなわち、キセノンランプ７のカソードを自己消弧形サ
イリスタすなわち、ゲートター／オンサイリスタ２５（
以下ＧＴＯと称す）のアノードに接続している。そして
このＧＴ０２５のカソードを主コンデンサ４の負極側の
電極に接続している。そしてＧＴ０２５のアノードとゲ
ートとの間に抵抗２６、コンデンサ２７からなる１−ｔ
ｃ直列回路を介挿している。この几Ｃ直列回路はＧＴＯ
２５のトリ力、スパイク電圧の吸収およびＧＴＯ２５の
アノード電圧Ｖｍの変化率ｄｖ／ｄ、ｔの制御を目的と
して設けている。そしてＧＴＯ２ｓのゲートとカソード
との間に抵抗２８を介挿し、さらにゲートからインダク
タンス２９、コンデンサ３ｏおよび逆方向にダイオード
３１を介して王コンデンサの負極側の電極に接続してい
る。そしてダイオード３１に並列にスイッチ素子３２、
たとえば逆並列に第３のサイリスクを接続し℃いる。そ
してこの第３のサイリスタ３２のゲートへ受光Ｎ路２４
がも出力する点弧信号を与えるようにし、このゲートと
王コンデンサ４の負極側の電極との間に抵抗３３を介挿
している。
イリスタすなわち、ゲートター／オンサイリスタ２５（
以下ＧＴＯと称す）のアノードに接続している。そして
このＧＴ０２５のカソードを主コンデンサ４の負極側の
電極に接続している。そしてＧＴ０２５のアノードとゲ
ートとの間に抵抗２６、コンデンサ２７からなる１−ｔ
ｃ直列回路を介挿している。この几Ｃ直列回路はＧＴＯ
２５のトリ力、スパイク電圧の吸収およびＧＴＯ２５の
アノード電圧Ｖｍの変化率ｄｖ／ｄ、ｔの制御を目的と
して設けている。そしてＧＴＯ２ｓのゲートとカソード
との間に抵抗２８を介挿し、さらにゲートからインダク
タンス２９、コンデンサ３ｏおよび逆方向にダイオード
３１を介して王コンデンサの負極側の電極に接続してい
る。そしてダイオード３１に並列にスイッチ素子３２、
たとえば逆並列に第３のサイリスクを接続し℃いる。そ
してこの第３のサイリスタ３２のゲートへ受光Ｎ路２４
がも出力する点弧信号を与えるようにし、このゲートと
王コンデンサ４の負極側の電極との間に抵抗３３を介挿
している。
このような構成であれば直流電源ｌの出方電圧をＤＣ−
ＤＣコンバータ２で３ｏｏｖ〜３５ｏ■程度に昇圧して
逆流防止用のダイオード３を介して王コンデンサ４に充
電する。この状態で図示しないカメラのシャッタ操作に
同期してスイッチ１２を閉成すると、第１のサイリスタ
９のゲートへ点弧信号を与えて導通させる。そしてコン
デンサ１５の充電電荷を第１のサイリスタ９を介して放
電し、高圧パルストランス１６の２次側に約４に■〜５
にＶの高圧を発生させてキセノンランプ７のゲートへ印
加し、放電させる。
ＤＣコンバータ２で３ｏｏｖ〜３５ｏ■程度に昇圧して
逆流防止用のダイオード３を介して王コンデンサ４に充
電する。この状態で図示しないカメラのシャッタ操作に
同期してスイッチ１２を閉成すると、第１のサイリスタ
９のゲートへ点弧信号を与えて導通させる。そしてコン
デンサ１５の充電電荷を第１のサイリスタ９を介して放
電し、高圧パルストランス１６の２次側に約４に■〜５
にＶの高圧を発生させてキセノンランプ７のゲートへ印
加し、放電させる。
そしてこの放電電流の立上り時の電流変化（ｄｉ／ｄｔ
）とＧＴＯｚ５のカソードと、主コンデンサ４の負極側
の電極間の主回路のストレーイ／ダクタｙス（Ｌｓ）に
よる誘導電圧（Ｌｓ−ｄｉ／ｄｔ ）によりダイオード
３ノを介してコンデンサ３゜を充電する。
）とＧＴＯｚ５のカソードと、主コンデンサ４の負極側
の電極間の主回路のストレーイ／ダクタｙス（Ｌｓ）に
よる誘導電圧（Ｌｓ−ｄｉ／ｄｔ ）によりダイオード
３ノを介してコンデンサ３゜を充電する。
一方キセノ／う／グアに１５０Ａ〜３００Ａ相反の商い
ピーク値の放電電流Ｉｐ が流れて発光する。そして
この発光は被写体で反射して受光素子２３へ入射し、電
気信号に変換される。この電気信号は受光回路２４で積
分し、上記受光素子２３の入射光量の積分値が予め設定
した値に達すると、スイッチ素子３２のゲートへ点弧信
号を与えて導通させる。したがって、コンデンサ３０の
充電電荷の正極側はスイッチ索子３２を介してＧＴＯの
カソードに印加されまた負極側はりアクドル２９を介し
てゲートに印加し負ゲートバイアス電流−Ｉｇを与えて
ターンオフさせる。
ピーク値の放電電流Ｉｐ が流れて発光する。そして
この発光は被写体で反射して受光素子２３へ入射し、電
気信号に変換される。この電気信号は受光回路２４で積
分し、上記受光素子２３の入射光量の積分値が予め設定
した値に達すると、スイッチ素子３２のゲートへ点弧信
号を与えて導通させる。したがって、コンデンサ３０の
充電電荷の正極側はスイッチ索子３２を介してＧＴＯの
カソードに印加されまた負極側はりアクドル２９を介し
てゲートに印加し負ゲートバイアス電流−Ｉｇを与えて
ターンオフさせる。
なおこのターンオフの条件としては次の（２）式％式％
ここでｋは余裕率
Ｇｏｆｆ はＧＴＯのター／オフゲインモしてＧＴＯ
２５のター／オフによりキセノン２／プ７の発光を停止
させる。
２５のター／オフによりキセノン２／プ７の発光を停止
させる。
すなわち本願ではＧＴＯ２５をターンオンさせるための
負ゲートバイアス電源として、キセノ／ランプ７の発光
時に放電電流によって上回路に生じる誘導電圧なコンデ
／す３０に充電して用いるようにしているので省電力化
を図ることができる。そして従来例に述べたような比較
的、構成の複雑なサイリスタの転流回路は必要なく：、
ＧＴＯをターンオフさせるために、負ゲートバイアス電
源を設けるだけでよいので構成を簡単にすることができ
る。また負ゲートバイアス電源の転流用のコンデンサ３
０の充！極性は常に一定になるので有極性のコンデンサ
を使用でき形状も小型でコストも安価である。さらにＧ
ＴＯ２５をターンオンさせるための負ゲートバイアス電
流はキセノ／ランプ７には印加されない。したがって、
ター／オフ時に残光を生じることがなく、性能を向上す
ることができる。
負ゲートバイアス電源として、キセノ／ランプ７の発光
時に放電電流によって上回路に生じる誘導電圧なコンデ
／す３０に充電して用いるようにしているので省電力化
を図ることができる。そして従来例に述べたような比較
的、構成の複雑なサイリスタの転流回路は必要なく：、
ＧＴＯをターンオフさせるために、負ゲートバイアス電
源を設けるだけでよいので構成を簡単にすることができ
る。また負ゲートバイアス電源の転流用のコンデンサ３
０の充！極性は常に一定になるので有極性のコンデンサ
を使用でき形状も小型でコストも安価である。さらにＧ
ＴＯ２５をターンオンさせるための負ゲートバイアス電
流はキセノ／ランプ７には印加されない。したがって、
ター／オフ時に残光を生じることがなく、性能を向上す
ることができる。
以上のように本発明によれば構成が簡単で形状を小型に
でき、コストも安価で省電力化な図枦再・、しかも特性
の良好なストロボフラッシャ装置を提供することができ
る。
でき、コストも安価で省電力化な図枦再・、しかも特性
の良好なストロボフラッシャ装置を提供することができ
る。
第１図は従来のストロボフラッシャ回路の一例を示す回
路例、第２図は鎮１図に示すストロボフラッシャ回路の
動作を示す波形図、第３図は本発明の一実施例をボす回
路例、第４図（′！第３図に示す回路の動作を説明する
波形図である。 １・・・直流電源、２・・・Ｄ Ｃ−１） Ｃコンノ（
−タ、４・・・主コンデンサ、７・・・キセノンランフ
゛、９・・第１のサイリスク５１６・・・高圧トランス
、２３・・・受光素子、２４・・・受光回路、２５・・
・ＧＴＯ１３０・・・コンデンサ（転流用）、３２・・
・スイッチ素子（サイリスク）。
路例、第２図は鎮１図に示すストロボフラッシャ回路の
動作を示す波形図、第３図は本発明の一実施例をボす回
路例、第４図（′！第３図に示す回路の動作を説明する
波形図である。 １・・・直流電源、２・・・Ｄ Ｃ−１） Ｃコンノ（
−タ、４・・・主コンデンサ、７・・・キセノンランフ
゛、９・・第１のサイリスク５１６・・・高圧トランス
、２３・・・受光素子、２４・・・受光回路、２５・・
・ＧＴＯ１３０・・・コンデンサ（転流用）、３２・・
・スイッチ素子（サイリスク）。
Claims (1)
- 直流電源によって充電される主コンデンサから直流電圧
を印加されるキセノンライブと、この、キセノンランプ
に直列に介挿したゲートターンオフサイリスタと、カメ
ラのシャッタ操作に応動して発生した高電圧を上日己キ
セノンランプのゲート電極に印加して放電させる高圧ト
２／スと、上記キセノンランプの放電電流の立上り時に
ゲートターンオフサイリスタのカソードと上記主コンデ
ンサとの間の主回路のインダクタンスによって生じる誘
導電圧により充電される転流用コンデンサと、被写体で
反射したキセノンランプの発光を受光しこの受光量が予
め設定した値に達すると出力を発する受光ＩＰ！Ｉ略と
、上記転流用のコンデンサに直列に介挿され上記受光回
路の出力によってオンし上記ゲートターンオフサイリス
タのゲートへ負ゲートバイアスを与えてターンオフさせ
るスイッチ素子とを具備するストロボフラッシャ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202923A JPS5993434A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ストロボフラツシヤ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57202923A JPS5993434A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ストロボフラツシヤ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5993434A true JPS5993434A (ja) | 1984-05-29 |
Family
ID=16465394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57202923A Pending JPS5993434A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ストロボフラツシヤ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5993434A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008301916A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | St Kk | 揮散装置 |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57202923A patent/JPS5993434A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008301916A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | St Kk | 揮散装置 |
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