JPS5993435A - ストロボフラツシヤ装置 - Google Patents
ストロボフラツシヤ装置Info
- Publication number
- JPS5993435A JPS5993435A JP57202924A JP20292482A JPS5993435A JP S5993435 A JPS5993435 A JP S5993435A JP 57202924 A JP57202924 A JP 57202924A JP 20292482 A JP20292482 A JP 20292482A JP S5993435 A JPS5993435 A JP S5993435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- xenon lamp
- thyristor
- diode
- capacitor
- turns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B15/02—Illuminating scene
- G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
- G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は写真撮影時に被写体を照明する閃光を発するス
トロゴフラッシャ装置に関する。
トロゴフラッシャ装置に関する。
第1図は従来の直列式ストロがフラッシャ装置の一列を
示す回路列で1は電池等の直流電源で1.5V〜6vの
出力電圧を有する。そして2はDC−DCコンバークで
直流電源1の出力電圧を300V〜350v程度に昇圧
して逆流防止用のダイオード3を介して主コンデンサ4
に充電する。そしてこの主コンデンサ4の正極側の電極
をリアクトル5にダイオード6を逆方向に並列に接続し
た保護回路を介してキセノンランプ7のアノードに接続
している。そしてキセノンランプ7のアノードを抵抗8
を介して第1のサイリスタ9のアノードに接続し、この
サイリスタ9のカッ−)’全抵抗10を介して主コンデ
ンサ4の負極側の電極に接続している。また第1のサイ
リスタ9のアノードを抵抗11および図示しないカメラ
のシャッタ操作に同期して閉成するスイッチ12を介し
てケ゛−トに接続し、このダートとカソードとの間に抵
抗13を介挿している。さらに第1のサイリスタ9のア
ノードをコンデンサ14を介して主コンデンサ2の負極
側の電極に接続している。そして第1のサイリスタ9の
アノード、カソード間にコンデンサ15を直列に介して
高圧・9ルストランス16の1次側を介挿している。そ
して高圧ノンルストランス16の2次側の各端をキセノ
ンランシフのダートおよびカッ−げにそれぞれ接続して
いる。またキセノンランプ7のカソードに第2のサイリ
スタ17のアノードを接続している。そして第2のサイ
リスタ17のダートを第1のサイリスタ90カソードに
接続し、カソードを主コンデンサ2の負極側の電極に接
続している。そして第2のサイリスタ17党アノードと
カソードとの間に抵抗18?介挿している。
示す回路列で1は電池等の直流電源で1.5V〜6vの
出力電圧を有する。そして2はDC−DCコンバークで
直流電源1の出力電圧を300V〜350v程度に昇圧
して逆流防止用のダイオード3を介して主コンデンサ4
に充電する。そしてこの主コンデンサ4の正極側の電極
をリアクトル5にダイオード6を逆方向に並列に接続し
た保護回路を介してキセノンランプ7のアノードに接続
している。そしてキセノンランプ7のアノードを抵抗8
を介して第1のサイリスタ9のアノードに接続し、この
サイリスタ9のカッ−)’全抵抗10を介して主コンデ
ンサ4の負極側の電極に接続している。また第1のサイ
リスタ9のアノードを抵抗11および図示しないカメラ
のシャッタ操作に同期して閉成するスイッチ12を介し
てケ゛−トに接続し、このダートとカソードとの間に抵
抗13を介挿している。さらに第1のサイリスタ9のア
ノードをコンデンサ14を介して主コンデンサ2の負極
側の電極に接続している。そして第1のサイリスタ9の
アノード、カソード間にコンデンサ15を直列に介して
高圧・9ルストランス16の1次側を介挿している。そ
して高圧ノンルストランス16の2次側の各端をキセノ
ンランシフのダートおよびカッ−げにそれぞれ接続して
いる。またキセノンランプ7のカソードに第2のサイリ
スタ17のアノードを接続している。そして第2のサイ
リスタ17のダートを第1のサイリスタ90カソードに
接続し、カソードを主コンデンサ2の負極側の電極に接
続している。そして第2のサイリスタ17党アノードと
カソードとの間に抵抗18?介挿している。
さらにキセノンランプ7のアノードがら抵抗19、コイ
ル20を直列に介して第3のサイリス夛21のアノ一ド
に接続し、かつこの第3のサイリスク21のカソードを
主コンデンサ2の負極側の電極に接続している。そして
上記抵抗19とコイル20の直列接続点と、キセノンラ
ンプ7のカソードとの間に転流用の無極性のコンデンサ
22を介挿している。
ル20を直列に介して第3のサイリス夛21のアノ一ド
に接続し、かつこの第3のサイリスク21のカソードを
主コンデンサ2の負極側の電極に接続している。そして
上記抵抗19とコイル20の直列接続点と、キセノンラ
ンプ7のカソードとの間に転流用の無極性のコンデンサ
22を介挿している。
またホトトランジスタ等の受光素子23の出力を受光回
路24へ与えて受光量を積分し、この値が所定値に達す
ると第3のサイリスク21のダートへ点弧信号を与えて
導通させるようにしている。
路24へ与えて受光量を積分し、この値が所定値に達す
ると第3のサイリスク21のダートへ点弧信号を与えて
導通させるようにしている。
このようにすれば図示しないカメラのシャッタ操作に同
期してスイッチ12を閉成すると、第2図に示すように
第1のサイリスタ9のダートの電位を上昇させてトリガ
し、導通させる。そしてコンデンサ15の充電電荷を第
1のサイリスタ9を介して放電し、高圧パルストランス
16の2次側に約4 kV〜5 kVの高圧を発生させ
キセノンランプ7のダートへ印加する。同時に第2のサ
イリスタ17のダートへ点弧信号を与えて導通させる。
期してスイッチ12を閉成すると、第2図に示すように
第1のサイリスタ9のダートの電位を上昇させてトリガ
し、導通させる。そしてコンデンサ15の充電電荷を第
1のサイリスタ9を介して放電し、高圧パルストランス
16の2次側に約4 kV〜5 kVの高圧を発生させ
キセノンランプ7のダートへ印加する。同時に第2のサ
イリスタ17のダートへ点弧信号を与えて導通させる。
したがって、主コンデンサ4の電荷はりアクドル5、キ
セノンランプ7、i$2のサイリスタ17の経路で放電
し、キセノンランデ71C150A〜300A程度の高
いピーク値の放電電流r、が流れて発光する。そしてこ
の発光は被写体で反射して受光素子23へ入射し電気信
号に変換される。この電気信号は受光口UZ4で積分し
、上記受光素子23の入射光量の積分値が予め設定した
値に達すると第3のサイリス!21のゲートへ点弧信号
を与えて導通させる。したがって、第2のサイリスタ1
7のアノード電圧vm′!1′で充電した転流用のコン
デンサ22の電荷により第3のサイリスタ21を介して
第2のサイーリスタI7へ逆電圧を印加して回路のター
/オフ時間tcの後に消弧させキセノンラ/f7の発光
を停止する。
セノンランプ7、i$2のサイリスタ17の経路で放電
し、キセノンランデ71C150A〜300A程度の高
いピーク値の放電電流r、が流れて発光する。そしてこ
の発光は被写体で反射して受光素子23へ入射し電気信
号に変換される。この電気信号は受光口UZ4で積分し
、上記受光素子23の入射光量の積分値が予め設定した
値に達すると第3のサイリス!21のゲートへ点弧信号
を与えて導通させる。したがって、第2のサイリスタ1
7のアノード電圧vm′!1′で充電した転流用のコン
デンサ22の電荷により第3のサイリスタ21を介して
第2のサイーリスタI7へ逆電圧を印加して回路のター
/オフ時間tcの後に消弧させキセノンラ/f7の発光
を停止する。
ここで転流用のコンデンサ22の容tc0は次の1)式
を満たすように設定する必要がある。
を満たすように設定する必要がある。
ここでkIc余裕率
t、Vi第2のサイリスクのターンオフ時間5−
〔背景技術の問題点〕
しかしながらこのようなものでは、第2のサイリスタ1
7を消弧させるために逆電圧を印加する転流回路を必要
とし、部品数が多く、小型化を阻むことKなる。また転
流用のコンデンサ22は無極性、高耐圧で高ピーク電流
の繰シ返し充電に耐えるものを必要とし、一般に金属ポ
リエステルフィルムコンデンサを用いる。このために外
形形状が大きくコストも高価である。さらに第2のサイ
リスタ17を消弧するために逆電圧を印加するときに転
流用のコンデンサ22の電荷の一部は主コンデンサ4お
よびリアクトル5を介してキセノンランプ7へ分流し、
それによる残光を生じる。このために%に至近距離の撮
影性能が劣る問題があった。また、SCR”F−ヨッパ
方式の場合、転流用のコンデンサ22への充電時定数が
、ストロがの発光周期に対して、近くなると転流用のコ
ンデンサ22への充電エネルギーが小さくなシ、コンデ
ンサ22を大きくする必要があった。
7を消弧させるために逆電圧を印加する転流回路を必要
とし、部品数が多く、小型化を阻むことKなる。また転
流用のコンデンサ22は無極性、高耐圧で高ピーク電流
の繰シ返し充電に耐えるものを必要とし、一般に金属ポ
リエステルフィルムコンデンサを用いる。このために外
形形状が大きくコストも高価である。さらに第2のサイ
リスタ17を消弧するために逆電圧を印加するときに転
流用のコンデンサ22の電荷の一部は主コンデンサ4お
よびリアクトル5を介してキセノンランプ7へ分流し、
それによる残光を生じる。このために%に至近距離の撮
影性能が劣る問題があった。また、SCR”F−ヨッパ
方式の場合、転流用のコンデンサ22への充電時定数が
、ストロがの発光周期に対して、近くなると転流用のコ
ンデンサ22への充電エネルギーが小さくなシ、コンデ
ンサ22を大きくする必要があった。
6−
〔発明の目的〕
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので1u路を簡
素化し、コストも安価で至近距離の撮影性能も良好なス
トロボ7ラツシヤ装置を提供すること全目的とするもの
である。
素化し、コストも安価で至近距離の撮影性能も良好なス
トロボ7ラツシヤ装置を提供すること全目的とするもの
である。
すなわち本発明は自己消弧形サイリスタを用いて、キセ
ノンランプの発光時に流れるm流の一部によって自己消
弧形サイリスタを消弧させるだめの負ダートバイアス電
源を得ることを%黴とするものである。
ノンランプの発光時に流れるm流の一部によって自己消
弧形サイリスタを消弧させるだめの負ダートバイアス電
源を得ることを%黴とするものである。
以下本発明の一実施しUを第1図と同一部分に同一符号
を付与して第3図に示す回路例を参照して詳細に説明す
る。
を付与して第3図に示す回路例を参照して詳細に説明す
る。
すなわち、キセノンランプ7のカソードを自己消弧形サ
イリスクすなわちダートターンオフサイリスク25(以
下GTOと称す)のアノードに接続している。そしてこ
のGTO25のカソードを順方向に直列接続にした複数
個のダイオード26を介して主コンデンサ4の負極側の
電極に接続している。なおこのダイオード26による順
電圧降下は10v〜15VでGT025のr−ト耐′亀
圧を越えないように設定している。そして第1のサイリ
スタ9のカソードと抵抗10の接続点とG’l’O25
のr−トとの間に順方向にダイオード27および抵抗2
8の直列回路を介挿している。そしてこの直列回路のダ
イオード27と抵抗28との接続点にGTOを消弧させ
る補助スイッチ素子、たとえばサイリスタ29のアノー
ドを接続し、このサイリスタ29のカソードを主コンデ
ンサ4の負極側の電極に接続し、ダートに受光回路24
から出力する点弧信号を与えるようにしている。そして
このサイリスタ29のダートとカソードとの間に抵抗3
0を介挿し、またGTO25のr−トとカソードとの間
にも抵抗31を介挿している。さらにダイオード26に
並列に転流用のコンデンサ32を接続している。
イリスクすなわちダートターンオフサイリスク25(以
下GTOと称す)のアノードに接続している。そしてこ
のGTO25のカソードを順方向に直列接続にした複数
個のダイオード26を介して主コンデンサ4の負極側の
電極に接続している。なおこのダイオード26による順
電圧降下は10v〜15VでGT025のr−ト耐′亀
圧を越えないように設定している。そして第1のサイリ
スタ9のカソードと抵抗10の接続点とG’l’O25
のr−トとの間に順方向にダイオード27および抵抗2
8の直列回路を介挿している。そしてこの直列回路のダ
イオード27と抵抗28との接続点にGTOを消弧させ
る補助スイッチ素子、たとえばサイリスタ29のアノー
ドを接続し、このサイリスタ29のカソードを主コンデ
ンサ4の負極側の電極に接続し、ダートに受光回路24
から出力する点弧信号を与えるようにしている。そして
このサイリスタ29のダートとカソードとの間に抵抗3
0を介挿し、またGTO25のr−トとカソードとの間
にも抵抗31を介挿している。さらにダイオード26に
並列に転流用のコンデンサ32を接続している。
このような構成であれば、直流電源1の出力電圧をDC
−DCコンバーク2で300V〜350■に昇圧して逆
流防止用のダイオード3を介して主コンデンサ4に充電
する。この状態で図示しないカメラの7ヤツタ操作に同
期してスイッチ12を閉成すると、第4図に示すように
第1のサイリスタ9のダートへ点弧信号を与えて導通さ
せる。そしてコンデンサ15の充電電荷を第1のサイリ
スタ9を介して放電し、高圧ノ9ルストランス16の2
次側に約4 kV〜5 kVの高圧を発生させてキセノ
ンランシフのダートへ印加する。また同時にサイリスタ
9の導通によりサイリスタ9のカソード側の電位が上昇
し、ダイオード21.抵抗28を介してGTO25のダ
ートへ点弧信号を与える。したがって、キセノンランプ
’ 、GTO2’5はターンオンして導通し、主コンデ
ンサ4の電荷は、その正極側の電極からりアクドル5、
キセノンランプ7、GTO25、ダイオード26を介し
て再び負極側の電極に至る経路を流れる。そしてキセノ
ンランプ7にピーク値150A〜300八程度の放tl
lfぴLが流れて発光する。なおこの場合、上記放電電
流によりダイオード26で生じた電圧降下分で転流用の
9− コンデンサ32f10V〜15Vに充電する。そしてキ
セノンランプ70発光を破写体で反射し受光索子23で
受光する。そして受光索子23の出力信号全受光回路2
4へ与えて積分し、この積分値が所定の適正値に達する
と、サイリスタ29のダートへ点弧信号を与えて導通さ
せる。したがって、転流用のコンデンサ32の充電電荷
は、GT025のカソード、ダート、抵抗28およびサ
イリスタ29ケ介して再びコンデンサ32へ至る経路を
流れる。そしてGTO25のダートへ負ダート電流−賄
を与えてターンオフさせる。
−DCコンバーク2で300V〜350■に昇圧して逆
流防止用のダイオード3を介して主コンデンサ4に充電
する。この状態で図示しないカメラの7ヤツタ操作に同
期してスイッチ12を閉成すると、第4図に示すように
第1のサイリスタ9のダートへ点弧信号を与えて導通さ
せる。そしてコンデンサ15の充電電荷を第1のサイリ
スタ9を介して放電し、高圧ノ9ルストランス16の2
次側に約4 kV〜5 kVの高圧を発生させてキセノ
ンランシフのダートへ印加する。また同時にサイリスタ
9の導通によりサイリスタ9のカソード側の電位が上昇
し、ダイオード21.抵抗28を介してGTO25のダ
ートへ点弧信号を与える。したがって、キセノンランプ
’ 、GTO2’5はターンオンして導通し、主コンデ
ンサ4の電荷は、その正極側の電極からりアクドル5、
キセノンランプ7、GTO25、ダイオード26を介し
て再び負極側の電極に至る経路を流れる。そしてキセノ
ンランプ7にピーク値150A〜300八程度の放tl
lfぴLが流れて発光する。なおこの場合、上記放電電
流によりダイオード26で生じた電圧降下分で転流用の
9− コンデンサ32f10V〜15Vに充電する。そしてキ
セノンランプ70発光を破写体で反射し受光索子23で
受光する。そして受光索子23の出力信号全受光回路2
4へ与えて積分し、この積分値が所定の適正値に達する
と、サイリスタ29のダートへ点弧信号を与えて導通さ
せる。したがって、転流用のコンデンサ32の充電電荷
は、GT025のカソード、ダート、抵抗28およびサ
イリスタ29ケ介して再びコンデンサ32へ至る経路を
流れる。そしてGTO25のダートへ負ダート電流−賄
を与えてターンオフさせる。
なおこのターンオフの条件としては次の2)式を満たす
ようにすればよい。
ようにすればよい。
ここでkは余裕率
Go5.G、はGTOのター/オフディンそして、GT
025のターンオフによりキセノンランプ70発光を停
止させる。
025のターンオフによりキセノンランプ70発光を停
止させる。
すなわち本願ではGTO25’!rターンオフさせる1
0− だめの負ダートバイアス電源としてキセノンランシフの
発光時に放電電流の一部をコンデンサ32に充電して得
るので省電力化を図ることができる。
0− だめの負ダートバイアス電源としてキセノンランシフの
発光時に放電電流の一部をコンデンサ32に充電して得
るので省電力化を図ることができる。
そして、従来クリに述べたように比較的、構成の複雑な
サイリスクの転流回路は必要なく、GTOを消弧するだ
めの負ダートバイアスmlを設けるだけでよいので構成
を簡単にすることができる。また負デートバイアス電源
の転流用のコンデンサ32の充電方向は一定なために有
極性のコンデンサを使用でき形状も小型でコストも安価
である。さらにGTO25kターンオフさせるための負
ダートバイアス電源はキセノンランシフには印加されな
い。
サイリスクの転流回路は必要なく、GTOを消弧するだ
めの負ダートバイアスmlを設けるだけでよいので構成
を簡単にすることができる。また負デートバイアス電源
の転流用のコンデンサ32の充電方向は一定なために有
極性のコンデンサを使用でき形状も小型でコストも安価
である。さらにGTO25kターンオフさせるための負
ダートバイアス電源はキセノンランシフには印加されな
い。
したがって、ターンオフ時に残光を生じることがなく、
性能を向上することができる。
性能を向上することができる。
以上のように本発明によれば構成が簡単で形状を小型に
でき、コストも安住で省電力化を図り得、しかも特性の
艮好なストロボフラッシャ装置aを提供することができ
る。
でき、コストも安住で省電力化を図り得、しかも特性の
艮好なストロボフラッシャ装置aを提供することができ
る。
第1図は従来のストロブフラッシャ回路の一列を示すブ
ロック図、第2図は第1図に示すストロブフラッシャ回
路の動作を示す波形図、第3図は本発明の一実施例を示
すブロック図、第4図は第3図に示す回路の動作を示す
波形凶である。 1・・・if m t m 、2・・・DC−DCコン
バータ、7・・・キセノンランプ、9・・・第1のサイ
リスク、16・・・高圧トランス、23・・・受光素子
、24・・・受光回路、25・・・GTo、26・・・
ダイオード、29・・・スイッチ素子(サイリスク)、
32・・・コンデンサ(転流用)。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦d咬 雫
ロック図、第2図は第1図に示すストロブフラッシャ回
路の動作を示す波形図、第3図は本発明の一実施例を示
すブロック図、第4図は第3図に示す回路の動作を示す
波形凶である。 1・・・if m t m 、2・・・DC−DCコン
バータ、7・・・キセノンランプ、9・・・第1のサイ
リスク、16・・・高圧トランス、23・・・受光素子
、24・・・受光回路、25・・・GTo、26・・・
ダイオード、29・・・スイッチ素子(サイリスク)、
32・・・コンデンサ(転流用)。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦d咬 雫
Claims (1)
- 直流電源から直流電圧を印加されるキセノンランプと、
このキセノンランプに直列に介挿したダートターンオフ
サイリスタと、カメラのシャッタ操作に応動して発生し
た高電圧を上記キセノンランプのr−)電極に印加して
放電させる高圧トランスと、上記f−)ターンオフサイ
リスクのカソード側に順方向に直列に介挿したダイオー
ドと、このダイオードに並列に接続しキセノンランプの
放電電流による降下電圧で充電する転流用のコンデンサ
と、被写体で反射したキセノンランプの発光全受光しこ
の受光量が予め設定した値に達すると出力を発する受光
回路と、上1己ダートターンオフサイリスクのf−ト端
子と上記転流用のコンデンサの負極側の電極との間に介
挿され上目上受光回路の出力によ)上記ダート端子へ負
ダートバイアスを与えるスイッチ素子とを具備するスト
ロがフラッシャ装置0
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57202924A JPS5993435A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ストロボフラツシヤ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57202924A JPS5993435A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ストロボフラツシヤ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5993435A true JPS5993435A (ja) | 1984-05-29 |
Family
ID=16465410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57202924A Pending JPS5993435A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | ストロボフラツシヤ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5993435A (ja) |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP57202924A patent/JPS5993435A/ja active Pending
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