JPS6214818B2 - - Google Patents
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- JPS6214818B2 JPS6214818B2 JP7482476A JP7482476A JPS6214818B2 JP S6214818 B2 JPS6214818 B2 JP S6214818B2 JP 7482476 A JP7482476 A JP 7482476A JP 7482476 A JP7482476 A JP 7482476A JP S6214818 B2 JPS6214818 B2 JP S6214818B2
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- Japan
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- discharge tube
- flash
- flash discharge
- capacitor
- charging resistor
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 36
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 10
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
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- Stroboscope Apparatuses (AREA)
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、閃光放電管と直列に静電誘電形サ
イリスタ（以下、SITと略称する）を接続してト
リガ回路を不要とし、回路構成を簡略にできるよ
うにした写真用閃光装置に関する。
イリスタ（以下、SITと略称する）を接続してト
リガ回路を不要とし、回路構成を簡略にできるよ
うにした写真用閃光装置に関する。
第１図は従来の写真用閃光装置の一例を示す回
路図であり、この第１図において、C1は閃光放
電管FTに電気エネルギを供給する主コンデン
サ、C2は転流コンデンサ、R1，R2はこの転流コ
ンデンサC1を充電する充電用抵抗、Thy1は主サ
イリスタ、Thy2は補助サイリスタ、１は閃光放
電管FTのトリガ回路、２はこの閃光放電管FTか
ら発生した閃光の被写体からの反射光を受光する
受光素子とその受光量を電気信号に変換して積分
する積分回路および閃光量が写真撮影に必要かつ
十分になつたときにパルスを発生する補助サイリ
スタThy2のトリガ回路であり、さらに、３は主
サイリスタThy1のトリガ回路をそれぞれ示す。
路図であり、この第１図において、C1は閃光放
電管FTに電気エネルギを供給する主コンデン
サ、C2は転流コンデンサ、R1，R2はこの転流コ
ンデンサC1を充電する充電用抵抗、Thy1は主サ
イリスタ、Thy2は補助サイリスタ、１は閃光放
電管FTのトリガ回路、２はこの閃光放電管FTか
ら発生した閃光の被写体からの反射光を受光する
受光素子とその受光量を電気信号に変換して積分
する積分回路および閃光量が写真撮影に必要かつ
十分になつたときにパルスを発生する補助サイリ
スタThy2のトリガ回路であり、さらに、３は主
サイリスタThy1のトリガ回路をそれぞれ示す。
この第１図に示す写真用閃光装置の動作につい
て説明すると、まず、主コンデンサC1が直流電
源（図示せず）で数100ボルトに充電され、カメ
ラのシヤツタと同期して、トリガ回路１により閃
光放電管FTがトリガされる。
て説明すると、まず、主コンデンサC1が直流電
源（図示せず）で数100ボルトに充電され、カメ
ラのシヤツタと同期して、トリガ回路１により閃
光放電管FTがトリガされる。
これよりやや遅れて（数10μｓ）、トリガ回路
３により主サイリスタThy1がターンオンする。
３により主サイリスタThy1がターンオンする。
このとき、主コンデンサC1の電荷は閃光放電
管FTおよび主サイリスタThy1を通して放電さ
れ、その放電々流により閃光放電管FTは閃光を
発生する。
管FTおよび主サイリスタThy1を通して放電さ
れ、その放電々流により閃光放電管FTは閃光を
発生する。
この閃光がカメラの被写体に照射され、その反
射光がトリガ回路２に組み込まれた受光素子によ
り受光され、その受光量は電気信号に変換され
て、同じくトリガ回路２に組み込まれた積分回路
により積分される。
射光がトリガ回路２に組み込まれた受光素子によ
り受光され、その受光量は電気信号に変換され
て、同じくトリガ回路２に組み込まれた積分回路
により積分される。
そこで、この反射光が写真撮影に十分な光量に
なつたときに、トリガ回路２よりパルスが発生し
て、補助サイリスタThy2がトリガされる。
なつたときに、トリガ回路２よりパルスが発生し
て、補助サイリスタThy2がトリガされる。
補助サイリスタThy2がトリガされてターンオ
ンすると、あらかじめ抵抗R1およびR2を通して
図示の極性で充電されていた転流コンデンサC2
の電荷が放電されて、主サイリスタThy1の陽極
―陰極間に逆電圧として印加され、主サイリスタ
Thy1はターンオフする。
ンすると、あらかじめ抵抗R1およびR2を通して
図示の極性で充電されていた転流コンデンサC2
の電荷が放電されて、主サイリスタThy1の陽極
―陰極間に逆電圧として印加され、主サイリスタ
Thy1はターンオフする。
この主サイリスタThy1がターンオフしても、
閃光放電管FTの放電電流はすぐにはしや断され
ず、閃光放電管FT―転流コンデンサC2―補助サ
イリスタThy2を通して流れる。そして、転流コ
ンデンサC2が図示の極性に対して逆充電完了す
るまで流れ、その後、放電電流はしや断されるの
で、閃光は中断される。
閃光放電管FTの放電電流はすぐにはしや断され
ず、閃光放電管FT―転流コンデンサC2―補助サ
イリスタThy2を通して流れる。そして、転流コ
ンデンサC2が図示の極性に対して逆充電完了す
るまで流れ、その後、放電電流はしや断されるの
で、閃光は中断される。
ところで、上述の写真用閃光装置では、閃光放
電管FTに放電々流を流すときに、閃光放電管FT
だけでなくて、この閃光放電管FTに直列に接続
された主サイリスタThy1にもトリガパルスが必
要であり、かつ放電管のトリガパルスよりもやや
遅らせて、トリガパルスを印加させなければなら
ないために主サイリスタThy1のトリガ回路に工
夫が必要である。
電管FTに放電々流を流すときに、閃光放電管FT
だけでなくて、この閃光放電管FTに直列に接続
された主サイリスタThy1にもトリガパルスが必
要であり、かつ放電管のトリガパルスよりもやや
遅らせて、トリガパルスを印加させなければなら
ないために主サイリスタThy1のトリガ回路に工
夫が必要である。
また、主サイリスタThy1をターンオフした直
後、閃光放電管FTはオフせず、主コンデンサC1
―閃光放電管FT―転流コンデンサC2―補助サイ
リスタThy2―主コンデンサC1の閉回路で、転流
コンデンサC2が図示の極性に対して逆充電され
る時間、閃光放電管FTには放電々流が流れ、こ
の電流による閃光が正常な発光量に付加されるの
で、近接撮影に不都合が生じる。
後、閃光放電管FTはオフせず、主コンデンサC1
―閃光放電管FT―転流コンデンサC2―補助サイ
リスタThy2―主コンデンサC1の閉回路で、転流
コンデンサC2が図示の極性に対して逆充電され
る時間、閃光放電管FTには放電々流が流れ、こ
の電流による閃光が正常な発光量に付加されるの
で、近接撮影に不都合が生じる。
この発明は、上記従来の欠点を除去するために
なされたもので、閃光放電管と直列にSITを接続
し、このSITのグリツド・陰極間を逆バイアスす
ることによつて閃光放電管に流れる放電々流を途
中でしや断して自動調光することにより、回路構
成を簡略にして、近接撮影時にも調光撮影に不都
合を生じない写真用閃光装置を提供するものであ
る。
なされたもので、閃光放電管と直列にSITを接続
し、このSITのグリツド・陰極間を逆バイアスす
ることによつて閃光放電管に流れる放電々流を途
中でしや断して自動調光することにより、回路構
成を簡略にして、近接撮影時にも調光撮影に不都
合を生じない写真用閃光装置を提供するものであ
る。
次に、図面に基づきこの発明の写真用閃光装置
の実施例について説明すると、第２図はその一実
施例を示す回路図であり、この第２図において第
１図と同一部分には同一符号を付して述べると、
主コンデンサC1は図示しない直流電源の正、負
両極間に接続されている。
の実施例について説明すると、第２図はその一実
施例を示す回路図であり、この第２図において第
１図と同一部分には同一符号を付して述べると、
主コンデンサC1は図示しない直流電源の正、負
両極間に接続されている。
この主コンデンサC1に並列に閃光放電管FTと
SIT20の直列回路が接続され、このSIT20と閃光放
電管FTとの接続点および閃光放電管FTのトリガ
電極間にはトリガ回路１が接続されている。
SIT20の直列回路が接続され、このSIT20と閃光放
電管FTとの接続点および閃光放電管FTのトリガ
電極間にはトリガ回路１が接続されている。
また、主コンデンサC1に並列に、充電用抵抗
R1、転流コンデンサC2および充電用抵抗R2の直
列回路が接続され、この転流コンデンサC2と充
電抵抗R2との接続点はSIT20のグリツド端子Ｇに
接続されている。
R1、転流コンデンサC2および充電用抵抗R2の直
列回路が接続され、この転流コンデンサC2と充
電抵抗R2との接続点はSIT20のグリツド端子Ｇに
接続されている。
また、転流コンデンサC2と充電抵抗R1との接
続点は補助サイリスタThy2を介して主コンデン
サC1の−極に接続され、この補助サイリスタ
Thy2のゲートとカソード間にはトリガ回路２の
出力が接続されており、このトリガ回路２は上記
主コンデンサC1に並列に接続されている。
続点は補助サイリスタThy2を介して主コンデン
サC1の−極に接続され、この補助サイリスタ
Thy2のゲートとカソード間にはトリガ回路２の
出力が接続されており、このトリガ回路２は上記
主コンデンサC1に並列に接続されている。
この第２図と第１図を比較すると明らかなよう
に、第２図の回路では、第１図の回路における主
サイリスタThy1に代えてSIT20を使用したもので
あり、その他の部分は第１図の場合と全く同様で
ある。
に、第２図の回路では、第１図の回路における主
サイリスタThy1に代えてSIT20を使用したもので
あり、その他の部分は第１図の場合と全く同様で
ある。
ここで、SIT20について概述すると、このSIT20
は３端子の電圧制御形電力用デバイスで、その
図・記号は第３図に示すごとく、陽極端子Ａ、グ
リツド端子Ｇ、陰極端子Ｋを有している。
は３端子の電圧制御形電力用デバイスで、その
図・記号は第３図に示すごとく、陽極端子Ａ、グ
リツド端子Ｇ、陰極端子Ｋを有している。
また、静特性は第４図および第５図に示されて
おり、このうち、第４図はグリツド端子Ｇを開放
にしたときの陽極端子Ａに流れる電流（以下、順
電流と云う）と陰極端子Ｋの電位を基準電位とし
たときの陽極・陰極間電圧（以下、順電圧降下と
云う）との関係を示したものである。
おり、このうち、第４図はグリツド端子Ｇを開放
にしたときの陽極端子Ａに流れる電流（以下、順
電流と云う）と陰極端子Ｋの電位を基準電位とし
たときの陽極・陰極間電圧（以下、順電圧降下と
云う）との関係を示したものである。
これより明らかなように、グリツド端子Ｇの開
放時は丁度シリコン整流ダイオードの順特性と同
様である。
放時は丁度シリコン整流ダイオードの順特性と同
様である。
また、第５図はグリツド端子Ｇと陰極端子Ｋ間
に負の電圧（以下、グリツド電圧と云う）を印加
したときの陽極端子Ａに流れる電流（以下、順阻
止電流と云う）と陽極、陰極間電圧（以下、順阻
止電圧と云う）との関係の一例を示したものであ
る。
に負の電圧（以下、グリツド電圧と云う）を印加
したときの陽極端子Ａに流れる電流（以下、順阻
止電流と云う）と陽極、陰極間電圧（以下、順阻
止電圧と云う）との関係の一例を示したものであ
る。
いま、一例として示せば、特性４はグリツド電
圧−75Vのときのものであり、特性５〜７はそれ
ぞれ−100V，−125V，−150Vのときのものであ
る。
圧−75Vのときのものであり、特性５〜７はそれ
ぞれ−100V，−125V，−150Vのときのものであ
る。
この第５図から判明するように、グリツド端子
Ｇに負の電圧を印加すると、このSIT20は順方向
阻止特性を示す。
Ｇに負の電圧を印加すると、このSIT20は順方向
阻止特性を示す。
一方、第６図は上記SIT20のチツプ断面を示す
ものであり、この第６図において、Ａは陽極端
子、Ｇはグリツド端子、Ｋは陰極端子であり、こ
れらは第３図で示した通りである。
ものであり、この第６図において、Ａは陽極端
子、Ｇはグリツド端子、Ｋは陰極端子であり、こ
れらは第３図で示した通りである。
また、８は低抵抗ｐ形半導体シリコン層、９は
低抵抗ｎ形半導体シリコン層、１０は高抵抗ｎ形
半導体シリコン層、１１は低抵抗ｐ形半導体シリ
コン層である。
低抵抗ｎ形半導体シリコン層、１０は高抵抗ｎ形
半導体シリコン層、１１は低抵抗ｐ形半導体シリ
コン層である。
第７図はグリツド端子Ｇに充分な負電圧を印加
し、SITを順阻止状態にしたときのチツプ断面内
の電位分布を示している。
し、SITを順阻止状態にしたときのチツプ断面内
の電位分布を示している。
すなわち、陽極端子Ａに直流電源１２の正極を
接続し、陰極端子Ｋにその負極を接続し、次に、
第２の直流電源１３の正極を陰極端子Ｋに、その
負極をグリツド端子Ｇに接続する。
接続し、陰極端子Ｋにその負極を接続し、次に、
第２の直流電源１３の正極を陰極端子Ｋに、その
負極をグリツド端子Ｇに接続する。
なお、図中の破線はSITが順阻止状態における
チツプ内電位分布を示したものであり、順電流が
流れているとき、グリツド端子Ｇに負の電圧が印
加されると、このSITは順電流をしや断し、阻止
状態に移行できる能力を有している。
チツプ内電位分布を示したものであり、順電流が
流れているとき、グリツド端子Ｇに負の電圧が印
加されると、このSITは順電流をしや断し、阻止
状態に移行できる能力を有している。
この阻止状態はグリツド端子Ｇに負の電圧が印
加されている間持続し、グリツド電圧を除去する
と、順阻止能力が失われる。
加されている間持続し、グリツド電圧を除去する
と、順阻止能力が失われる。
次に、第２図に示すこの発明の写真用閃光装置
の動作について説明する。
の動作について説明する。
まず、主コンデンサC1が直流電源で数100ボル
トに充電され、カメラのシヤツタと同期して、ト
リガ回路１により閃光放電管FTがトリガされ
る。
トに充電され、カメラのシヤツタと同期して、ト
リガ回路１により閃光放電管FTがトリガされ
る。
このため、SIT20は陽極・陰極間が順バイアス
される。そして、このとき、SIT20のグリツド端
子Ｇは何らバイアスされていないので、順電流が
流れ、閃光放電管FTおよびSIT20を通して主コン
デンサC1の電荷が放電され、この閃光放電管FT
は閃光を発生する。
される。そして、このとき、SIT20のグリツド端
子Ｇは何らバイアスされていないので、順電流が
流れ、閃光放電管FTおよびSIT20を通して主コン
デンサC1の電荷が放電され、この閃光放電管FT
は閃光を発生する。
この閃光がカメラの被写体に照射され、その反
射光がトリガ回路２に組み込まれた受光素子によ
り受光され、その受光量は電気信号に変換され、
同じくトリガ回路２に組み込まれた積分回路によ
り積分される。
射光がトリガ回路２に組み込まれた受光素子によ
り受光され、その受光量は電気信号に変換され、
同じくトリガ回路２に組み込まれた積分回路によ
り積分される。
そこで、この反射光が写真撮影に十分な光量に
なつたときに、トリガ回路２よりパルスが発生し
て、補助サイリスタThy2がトリガされ、この補
助サイリスタThy2が導通する。
なつたときに、トリガ回路２よりパルスが発生し
て、補助サイリスタThy2がトリガされ、この補
助サイリスタThy2が導通する。
補助サイリスタThy2がオンとなることによ
り、あらかじめ充電抵抗R1，R2を通して充電さ
れていた転流コンデンサC2の電荷（図示の極
性）が放電されて、SIT20のグリツド・陰極間は
逆バイアスされ、SIT20は阻止状態になる。
り、あらかじめ充電抵抗R1，R2を通して充電さ
れていた転流コンデンサC2の電荷（図示の極
性）が放電されて、SIT20のグリツド・陰極間は
逆バイアスされ、SIT20は阻止状態になる。
この直後には、閃光放電管FTはまだ阻止状態
になつていない。
になつていない。
そこで、転流コンデンサC2および充電抵抗R2
の時定数は、閃光放電管FTが阻止状態になるま
でSIT20のグリツド・陰極間が逆バイアスされる
ように設定されている。
の時定数は、閃光放電管FTが阻止状態になるま
でSIT20のグリツド・陰極間が逆バイアスされる
ように設定されている。
以上のように、この発明の写真用閃光装置によ
れば、閃光放電管と直列にSITを接続し、この
SITのグリツド・陰極間に逆バイアスすることに
よつて閃光放電管に流れる放電々流を途中でしや
断して自動調光するようにしたので、SITが阻止
状態になると同時に閃光放電管の放電々流もしや
断される。したがつて、近接撮影する場合でも従
来のごとく調光撮影に不都合が生じない。また、
閃光放電管と直列に接続されたSITはトリガ回路
が不要であるから、回路構成が非常に単純化でき
るなどの利点を有するものである。
れば、閃光放電管と直列にSITを接続し、この
SITのグリツド・陰極間に逆バイアスすることに
よつて閃光放電管に流れる放電々流を途中でしや
断して自動調光するようにしたので、SITが阻止
状態になると同時に閃光放電管の放電々流もしや
断される。したがつて、近接撮影する場合でも従
来のごとく調光撮影に不都合が生じない。また、
閃光放電管と直列に接続されたSITはトリガ回路
が不要であるから、回路構成が非常に単純化でき
るなどの利点を有するものである。
第１図は従来の写真用閃光装置を示す回路図、
第２図はこの発明の写真用閃光装置の一実施例を
示す回路図、第３図はこの発明の写真用閃光装置
における静電誘導形サイリスタの図記号を示す
図、第４図は同上静電誘導形サイリスタの順電流
と陽極・陰極間電圧特性のうちの順特性を示す
図、第５図は同上静電誘導形サイリスタの順電流
と陽極・陰極間電圧特性のうちの逆阻止特性を示
す図、第６図は同上静電誘導形サイリスタのチツ
プ断面を示す図、第７図は同上静電誘導形サイリ
スタの順阻止状態におけるチツプ断面内の電位分
布を示す図である。 C1…主コンデンサ、C2…転流コンデンサ、
R1，R2…充電抵抗、FT…閃光放電管、Thy2…補
助サイリスタ、１，２…トリガ回路、２０…静電
誘導形サイリスタ。なお、図中同一符号は同一部
分または相当部分を示す。
第２図はこの発明の写真用閃光装置の一実施例を
示す回路図、第３図はこの発明の写真用閃光装置
における静電誘導形サイリスタの図記号を示す
図、第４図は同上静電誘導形サイリスタの順電流
と陽極・陰極間電圧特性のうちの順特性を示す
図、第５図は同上静電誘導形サイリスタの順電流
と陽極・陰極間電圧特性のうちの逆阻止特性を示
す図、第６図は同上静電誘導形サイリスタのチツ
プ断面を示す図、第７図は同上静電誘導形サイリ
スタの順阻止状態におけるチツプ断面内の電位分
布を示す図である。 C1…主コンデンサ、C2…転流コンデンサ、
R1，R2…充電抵抗、FT…閃光放電管、Thy2…補
助サイリスタ、１，２…トリガ回路、２０…静電
誘導形サイリスタ。なお、図中同一符号は同一部
分または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 直流電源で充電される主コンデンサ、この主
コンデンサの両端間にその正極側から順次直列接
続された第１の充電抵抗、転流コンデンサおよび
第２の充電抵抗、カメラのシヤツタと同期してト
リガされる閃光放電管、陽極端子が上記閃光放電
管を通して上記主コンデンサの正極に、陰極端子
が上記主コンデンサの負極に、グリツド端子が上
記転流コンデンサと第２の充電抵抗との接続点に
それぞれ接続され、上記閃光放電管がトリガされ
たとき導通して上記閃光放電管を通して上記主コ
ンデンサの電荷を放電することによりこの閃光放
電管に閃光を生じさせる静電誘導形サイリスタ、
上記転流コンデンサと第２の充電抵抗の直列接続
体に並列接続され、上記閃光放電管が発生した閃
光の被写体から反射されてくる光量が所定量にな
ると点弧されて上記転流コンデンサの電荷を放電
し、上記静電誘導形サイリスタのグリツド・陰極
間を逆バイアスしてこの静電誘導形サイリスタを
阻止状態にする制御極付スイツチング素子を備
え、上記転流コンデンサと第２の充電抵抗の時定
数が、上記閃光放電管が阻止状態になるまで上記
静電誘導形サイリスタのグリツド・陰極間が逆バ
イアスされるように設定されている写真用閃光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7482476A JPS53119A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Flash device for photography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7482476A JPS53119A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Flash device for photography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53119A JPS53119A (en) | 1978-01-05 |
| JPS6214818B2 true JPS6214818B2 (ja) | 1987-04-03 |
Family
ID=13558441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7482476A Granted JPS53119A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Flash device for photography |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS53119A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461504A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6150125A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | West Electric Co Ltd | 電子閃光装置 |
| JPS6150126A (ja) * | 1984-08-18 | 1986-03-12 | West Electric Co Ltd | 自動調光電子閃光装置 |
| US4677347A (en) * | 1984-10-26 | 1987-06-30 | Olympus Optical, Co., Ltd. | Electronic flash |
| JP5725612B2 (ja) * | 2011-06-29 | 2015-05-27 | ニチコン株式会社 | 臨界温度サーミスタおよび該サーミスタ用のサーミスタ素子 |
-
1976
- 1976-06-23 JP JP7482476A patent/JPS53119A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461504A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53119A (en) | 1978-01-05 |
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