JPH0462797A - 電子閃光装置 - Google Patents
電子閃光装置Info
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- JPH0462797A JPH0462797A JP2173997A JP17399790A JPH0462797A JP H0462797 A JPH0462797 A JP H0462797A JP 2173997 A JP2173997 A JP 2173997A JP 17399790 A JP17399790 A JP 17399790A JP H0462797 A JPH0462797 A JP H0462797A
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B41/00—Circuit arrangements or apparatus for igniting or operating discharge lamps
- H05B41/14—Circuit arrangements
- H05B41/30—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp
- H05B41/32—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp for single flash operation
- H05B41/325—Circuit arrangements in which the lamp is fed by pulses, e.g. flash lamp for single flash operation by measuring the incident light
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B15/02—Illuminating scene
- G03B15/03—Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
- G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B2215/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
- G03B2215/05—Combinations of cameras with electronic flash units
- G03B2215/0514—Separate unit
- G03B2215/0517—Housing
- G03B2215/0525—Reflector
- G03B2215/0532—Flashtube mounting
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、閃光放電管の発光と発光停止とを制御するス
イッチング素子として電圧制御型スイッチング素子例え
ば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｉ Ｇ Ｂ
Ｔ ： Ｉｎ５ｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａ
ｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた電子閃光装置に関す
る。
イッチング素子として電圧制御型スイッチング素子例え
ば絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Ｉ Ｇ Ｂ
Ｔ ： Ｉｎ５ｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａ
ｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いた電子閃光装置に関す
る。
Ｂ、従来の技術
近年開発された絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（
以下＋ ＩＧＢＴと呼ぶ）は大きさも小さく、低損失
であることで電子閃光装置の発光制御用スイッチング素
子（以下１発光制御素子と呼ぶ）として理想的なもので
あり、最近、電子閃光装置の発光制御素子として使用さ
れはじめた。この工ＧＢＴは、ゲート、コレクタ、エミ
ッタの３端子を有し、コレクタとエミッタ間の導通、非
導通がゲート・エミッタ間に印加する電圧によって制御
されるＦＥＴと同様の電圧制御型のスイッチング素子で
ある。
以下＋ ＩＧＢＴと呼ぶ）は大きさも小さく、低損失
であることで電子閃光装置の発光制御用スイッチング素
子（以下１発光制御素子と呼ぶ）として理想的なもので
あり、最近、電子閃光装置の発光制御素子として使用さ
れはじめた。この工ＧＢＴは、ゲート、コレクタ、エミ
ッタの３端子を有し、コレクタとエミッタ間の導通、非
導通がゲート・エミッタ間に印加する電圧によって制御
されるＦＥＴと同様の電圧制御型のスイッチング素子で
ある。
Ｃ３発明が解決しようとする課題
ＩＧＢＴを導通するには、通常、エミッタが接地電位と
すればゲート（制御端子）に２０〜４０ボルトの中電圧
を印加し、非導通にするにはゲートとエミッタを同電位
にする。したがってＩＧＢＴをオン・オフするため制御
端子に印加する駆動電圧は、電源電圧（通常のストロボ
では３〜１２ボルト程度）では低すぎ、閃光放電管の放
電電荷を蓄える主コンデンサの電圧（通常２００〜５０
０ボルト）では高すぎる。そのため、ＩＧＢＴを制御す
る電源を別途膜けなくてはならず、コストおよびその設
置スペースの点で難があった。
すればゲート（制御端子）に２０〜４０ボルトの中電圧
を印加し、非導通にするにはゲートとエミッタを同電位
にする。したがってＩＧＢＴをオン・オフするため制御
端子に印加する駆動電圧は、電源電圧（通常のストロボ
では３〜１２ボルト程度）では低すぎ、閃光放電管の放
電電荷を蓄える主コンデンサの電圧（通常２００〜５０
０ボルト）では高すぎる。そのため、ＩＧＢＴを制御す
る電源を別途膜けなくてはならず、コストおよびその設
置スペースの点で難があった。
なお、特開昭６３−２７８２２号公報には、閃光放電管
に流れる電流を制御する大型のバイポーラトランジスタ
を使用するとともに、発光に先だって閃光放電管の両端
にメインコンデンサの約２倍の電圧を印加して発光をし
やすくする倍電圧回路を備えた電子閃光装置が開示され
ている。
に流れる電流を制御する大型のバイポーラトランジスタ
を使用するとともに、発光に先だって閃光放電管の両端
にメインコンデンサの約２倍の電圧を印加して発光をし
やすくする倍電圧回路を備えた電子閃光装置が開示され
ている。
本発明の目的は、ＩＧＢＴのような電圧制御型の発光制
御用スイッチング素子の駆動電圧を倍電圧回路から取り
出すようにした電子閃光装置を提供することにある。
御用スイッチング素子の駆動電圧を倍電圧回路から取り
出すようにした電子閃光装置を提供することにある。
９１課題を解決するための手段
一実施例を示す第１図により説明すると、本発明は、主
コンデンサＣ１に充電された電荷により発光する閃光放
電管Ｘｅと、制御端子に印加される電圧によりオン・オ
フして閃光放電管Ｘｅの発光を制御する電圧制御型のス
イッチング素子ＩＧＢＴと、閃光放電管Ｘｅの発光に先
立って主コンデンサＣ１の充電電圧以上の電圧を閃光放
電管Ｘｅの両端に印加する高電圧印加手段ＤＶとを備え
た電子閃光装置に適用される。
コンデンサＣ１に充電された電荷により発光する閃光放
電管Ｘｅと、制御端子に印加される電圧によりオン・オ
フして閃光放電管Ｘｅの発光を制御する電圧制御型のス
イッチング素子ＩＧＢＴと、閃光放電管Ｘｅの発光に先
立って主コンデンサＣ１の充電電圧以上の電圧を閃光放
電管Ｘｅの両端に印加する高電圧印加手段ＤＶとを備え
た電子閃光装置に適用される。
そして、電圧制御型スイッチング素子ＩＧＢＴの制御端
子に印加される電圧を高電圧印加手段ＤＶで生成した高
電圧に基づいて生成する制御電圧生成手段Ｃｖを具備す
ることにより上述の目的が達成される。
子に印加される電圧を高電圧印加手段ＤＶで生成した高
電圧に基づいて生成する制御電圧生成手段Ｃｖを具備す
ることにより上述の目的が達成される。
電圧制御型スイッチング素子ＩＧＢＴを絶縁ゲート型バ
イポーラトランジスタとし、制御電圧生成手段Ｃ■で生
成された電圧をこの絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タのエミッタゲート間に印加するように構成することも
できる。
イポーラトランジスタとし、制御電圧生成手段Ｃ■で生
成された電圧をこの絶縁ゲート型バイポーラトランジス
タのエミッタゲート間に印加するように構成することも
できる。
Ｅ１作用
倍電圧回路のような高電圧印加手段ＤＶにより閃光放電
管Ｘｅの両端にメインコンデンサＣ１の充電電圧以上の
電圧が印加されると、制御電圧生成手段Ｃｖは、そのと
き発生する電圧、例えばメインコンデンサＣ１の充電電
圧と等しい負電圧により制御電圧を生成する。この制御
電圧は、電圧制御型のスイッチング素子、例えば絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴの制御端子に印
加され、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ
がオンして閃光放電管Ｘｅが発光を開始する。絶縁ゲー
ト型バイポーラトランジスタＩＧＢＴの制御電圧を零ボ
ルトにするとトランジスタＩＧＥＴが非導通となり閃光
放電管Ｘｅの発光が停止する。
管Ｘｅの両端にメインコンデンサＣ１の充電電圧以上の
電圧が印加されると、制御電圧生成手段Ｃｖは、そのと
き発生する電圧、例えばメインコンデンサＣ１の充電電
圧と等しい負電圧により制御電圧を生成する。この制御
電圧は、電圧制御型のスイッチング素子、例えば絶縁ゲ
ート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴの制御端子に印
加され、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴ
がオンして閃光放電管Ｘｅが発光を開始する。絶縁ゲー
ト型バイポーラトランジスタＩＧＢＴの制御電圧を零ボ
ルトにするとトランジスタＩＧＥＴが非導通となり閃光
放電管Ｘｅの発光が停止する。
以上のＤ項およびＥ項では発明を判りやすくするために
実施例の図面と符号を用いたが、これにより本発明が実
施例に限定されるものではない。
実施例の図面と符号を用いたが、これにより本発明が実
施例に限定されるものではない。
Ｆ、実施例
第１図および第２図により本発明に係る電子閃光装置の
一実施例を説明する。
一実施例を説明する。
第１図において、Ｅは電池等から成る電子閃光装置の低
圧電源、ＳＷは電源スィッチ、ＤＣはＤＣ−ＤＣコンバ
ータであり、電源スイッチＳＷヲ閉じるとＤＣ−ＤＣコ
ンバータＤＣは昇圧動作を開始し、その高電圧出力がダ
イオードＤｉ、Ｄ２を介しインダクタＬを通って主コン
デンサＣ１に流れ、それにより閃光発光のためのエネル
ギーを充電するとともに、コンデンサＣ３，Ｃ４，Ｃ６
も充電する。ここで、メインコンデンサＣ１の充電電圧
を３００ｖとして説明する。Ｎｅはネオンランプであり
、メインコンデンサＣ１が３００■まで充電されると、
抵抗Ｒ１とＲ２で分圧された電圧で点灯する。
圧電源、ＳＷは電源スィッチ、ＤＣはＤＣ−ＤＣコンバ
ータであり、電源スイッチＳＷヲ閉じるとＤＣ−ＤＣコ
ンバータＤＣは昇圧動作を開始し、その高電圧出力がダ
イオードＤｉ、Ｄ２を介しインダクタＬを通って主コン
デンサＣ１に流れ、それにより閃光発光のためのエネル
ギーを充電するとともに、コンデンサＣ３，Ｃ４，Ｃ６
も充電する。ここで、メインコンデンサＣ１の充電電圧
を３００ｖとして説明する。Ｎｅはネオンランプであり
、メインコンデンサＣ１が３００■まで充電されると、
抵抗Ｒ１とＲ２で分圧された電圧で点灯する。
電源ラインと基準電圧ラインとの間には閃光放電管Ｘｅ
が接続されている。この閃光放電管Ｘｓのカソードと基
準電圧ラインとの間には、電圧制御型スイッチング素子
として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴと
ダイオードＤ７の直列体が接続されている。
が接続されている。この閃光放電管Ｘｓのカソードと基
準電圧ラインとの間には、電圧制御型スイッチング素子
として絶縁ゲート型バイポーラトランジスタＩＧＢＴと
ダイオードＤ７の直列体が接続されている。
トリガ回路ＴＣは、抵抗Ｒ７，トリガコンデンサＣ４，
サイリスタＳＣＲ，トリガトランスＴで構成され、トリ
ガトランスＴの２次巻線の両端は、閃光放電管Ｘｅのト
リガ電極とカソード電極間に接続されている。トリガコ
ンデンサＣ４は主コンデンサＣ１のプラス電極から→抵
抗Ｒ７→トリガコンデンサＣ４→トリガトランスＴの１
次巻線→主コンデンサＣ１のマイナス電極のループで予
め３００ｖに充電される。
サイリスタＳＣＲ，トリガトランスＴで構成され、トリ
ガトランスＴの２次巻線の両端は、閃光放電管Ｘｅのト
リガ電極とカソード電極間に接続されている。トリガコ
ンデンサＣ４は主コンデンサＣ１のプラス電極から→抵
抗Ｒ７→トリガコンデンサＣ４→トリガトランスＴの１
次巻線→主コンデンサＣ１のマイナス電極のループで予
め３００ｖに充電される。
倍電圧回路ＤＶは、コンデンサＣ３と抵抗Ｒ６とから成
り、これらの接続点ＢがトランジスタエＧＢＴのエミッ
タに接続されている。コンデンサＣ３は、メインコンデ
ンサＣ１の充電時に抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ６を介して３００
Ｖに充電され、サイリスタＳＣＲの導通時にトランジス
タＩＧＢＴのエミッタをメインコンデンサＣ１と同レベ
ルの負電圧、すなわち−３００ｖに設定して、閃光放電
管Ｘｅの両端に６００ｖの電圧を印加する。
り、これらの接続点ＢがトランジスタエＧＢＴのエミッ
タに接続されている。コンデンサＣ３は、メインコンデ
ンサＣ１の充電時に抵抗Ｒ７と抵抗Ｒ６を介して３００
Ｖに充電され、サイリスタＳＣＲの導通時にトランジス
タＩＧＢＴのエミッタをメインコンデンサＣ１と同レベ
ルの負電圧、すなわち−３００ｖに設定して、閃光放電
管Ｘｅの両端に６００ｖの電圧を印加する。
制御電圧生成回路Ｃｖは、ダイオードＤ５、コンデンサ
Ｃ２、抵抗Ｒ５、ツェナダイオードＤ６から構成され、
倍電圧回路ＤＶによりトランジスタＩＧＢＴのエミッタ
が一３００Ｖに設定されるときに、ダイオードＤ５．抵
抗Ｒ５，コンデンサＣ２の経路で電流が流れ、コンデン
サＣ２が充電される。ツェナダイオードＤ６はコンデン
サＣ２の充電電圧を、例えば３０Ｖにクランプする。こ
のクランプ電圧はトランジスタＩＧＢＴのゲートに印加
される。
Ｃ２、抵抗Ｒ５、ツェナダイオードＤ６から構成され、
倍電圧回路ＤＶによりトランジスタＩＧＢＴのエミッタ
が一３００Ｖに設定されるときに、ダイオードＤ５．抵
抗Ｒ５，コンデンサＣ２の経路で電流が流れ、コンデン
サＣ２が充電される。ツェナダイオードＤ６はコンデン
サＣ２の充電電圧を、例えば３０Ｖにクランプする。こ
のクランプ電圧はトランジスタＩＧＢＴのゲートに印加
される。
発光停止回路ＳＳは、トランジスタＴＲ，抵抗Ｒ３およ
びダイオードＤ４から成り、後述するインターフェース
回路ＩＦからの発光停止信号がトランジスタＴＲのベー
スに供給されると発光を停止させる。
びダイオードＤ４から成り、後述するインターフェース
回路ＩＦからの発光停止信号がトランジスタＴＲのベー
スに供給されると発光を停止させる。
ＴＴＬ調光可能なカメラＣＡは、電子閃光装置の照射光
による被写体からの反射光を撮影レンズＬＥを介して測
光回路ＢＤで測光し、所定の光量に至ると発光停止信号
をインターフェース回路工Ｆの入力端子５へ出力する。
による被写体からの反射光を撮影レンズＬＥを介して測
光回路ＢＤで測光し、所定の光量に至ると発光停止信号
をインターフェース回路工Ｆの入力端子５へ出力する。
カメラＣＡと電子閃光装置とのインタフェース回路ＩＦ
は、シンクロスイッチＸが閉じてその入力端子６がロー
レベルに変化すると、出力端子３をハイレベルに変化さ
せて発光開始信号を出力し、トリガ回路ＴＣのサイリス
タＳＣＲのゲートをハイレベルにしサイリスタＳＣＲを
導通する。なおコンデンサＣ５，抵抗Ｒ８はノイズによ
る誤動作を防止するためのものである。また、入力端子
５に測光回路ＢＤから発光停止信号を受けると出力端子
２をハイレベルにして電子閃光装置に発光停止信号を出
力し、発光停止用トランジスタＴＲのベースに電流を注
入してトランジスタＴＲを導通させ、トランジスタＩＧ
ＢＴのゲートをローレベルにしてトランジスタＩＧＢＴ
をオフして発光を停止させる。なお抵抗Ｒ８は、ノイズ
による誤動作を防止するためのものである。また、入力
端子１からネオンランプＮｅの点灯電流の供給を受ける
と、出力端子４からレディ信号をカメラ側の発光ダイオ
ードＤ８に出力する。
は、シンクロスイッチＸが閉じてその入力端子６がロー
レベルに変化すると、出力端子３をハイレベルに変化さ
せて発光開始信号を出力し、トリガ回路ＴＣのサイリス
タＳＣＲのゲートをハイレベルにしサイリスタＳＣＲを
導通する。なおコンデンサＣ５，抵抗Ｒ８はノイズによ
る誤動作を防止するためのものである。また、入力端子
５に測光回路ＢＤから発光停止信号を受けると出力端子
２をハイレベルにして電子閃光装置に発光停止信号を出
力し、発光停止用トランジスタＴＲのベースに電流を注
入してトランジスタＴＲを導通させ、トランジスタＩＧ
ＢＴのゲートをローレベルにしてトランジスタＩＧＢＴ
をオフして発光を停止させる。なお抵抗Ｒ８は、ノイズ
による誤動作を防止するためのものである。また、入力
端子１からネオンランプＮｅの点灯電流の供給を受ける
と、出力端子４からレディ信号をカメラ側の発光ダイオ
ードＤ８に出力する。
第２図のタイミングチャートを用いて発光動作を説明す
る。なお、主コンデンサＣ１，トリガコンデンサＣ４，
倍電圧コンデンサＣ３は予め３００ｖに充電されている
とする。
る。なお、主コンデンサＣ１，トリガコンデンサＣ４，
倍電圧コンデンサＣ３は予め３００ｖに充電されている
とする。
カメラＣＡのシンクロスイッチＸが時点ｔｏでオフから
オンになると、インターフェース回路ＩＦの出力端子３
がハイレベルになり、サイリスタＳＣＲが導通してトリ
ガコンデンサＣ４が急放電を開始し、トランスＴのトリ
ガ巻線に第２図にＴＧで示すような電流が流れ、閃光放
電管Ｘｅにトリガがかかる。すなわち、トリガトランス
Ｔの２次巻線には数キロボルトの高電圧が発生し、トリ
ガ電極を介して閃光放電管Ｘｅに放電起動がかかる。し
かし、この時点ではトランジスタＩ ＧＢＴがオフして
いるから、閃光放電管Ｘｅはまだ発光を開始せず、閃光
放電管Ｘｅのアノード・カソード間の抵抗が下がってい
き導通が開始する。
オンになると、インターフェース回路ＩＦの出力端子３
がハイレベルになり、サイリスタＳＣＲが導通してトリ
ガコンデンサＣ４が急放電を開始し、トランスＴのトリ
ガ巻線に第２図にＴＧで示すような電流が流れ、閃光放
電管Ｘｅにトリガがかかる。すなわち、トリガトランス
Ｔの２次巻線には数キロボルトの高電圧が発生し、トリ
ガ電極を介して閃光放電管Ｘｅに放電起動がかかる。し
かし、この時点ではトランジスタＩ ＧＢＴがオフして
いるから、閃光放電管Ｘｅはまだ発光を開始せず、閃光
放電管Ｘｅのアノード・カソード間の抵抗が下がってい
き導通が開始する。
またこのとき、Ａ点の電圧が３００ｖからＯｖに低下す
るので、コンデンサＣ３のＢ点側（トランジスタＩＧＢ
Ｔのエミッタ側）の電位が一３００■まで瞬時に低下す
る。このとき、コンデンサＣ２のトランジスタＩＧＢＴ
のゲート側の電位（点Ｃ）も−３００Ｖまで瞬時に低下
する。この結果、ダイオードＤ５と抵抗Ｒ５を通って、
コンデンサＣ２に充電電流が流れ、時点ｔｏ−ｔｌにお
いてコンデンサＣ２が充電される。このコンデンサＣ２
と並列にツェナダイオードＤ６が設置されているので、
コンデンサＣ２の充電電圧、すなわちゲートエミッタ間
電圧は、第２図の波形Ｃ２に示すようにツェナ電圧（３
０ボルト）にクランプされる。コンデンサＣ２が３０Ｖ
まで充電されるとき、０点のゲートは電位り、Ｂ点のエ
ミッタは電位にとなり、トランジスタＩＧＢＴのゲート
エミッタ間に３０Ｖの電圧がかがり、トランジスタＩＧ
ＢＴは時点ｔ１で導通する。
るので、コンデンサＣ３のＢ点側（トランジスタＩＧＢ
Ｔのエミッタ側）の電位が一３００■まで瞬時に低下す
る。このとき、コンデンサＣ２のトランジスタＩＧＢＴ
のゲート側の電位（点Ｃ）も−３００Ｖまで瞬時に低下
する。この結果、ダイオードＤ５と抵抗Ｒ５を通って、
コンデンサＣ２に充電電流が流れ、時点ｔｏ−ｔｌにお
いてコンデンサＣ２が充電される。このコンデンサＣ２
と並列にツェナダイオードＤ６が設置されているので、
コンデンサＣ２の充電電圧、すなわちゲートエミッタ間
電圧は、第２図の波形Ｃ２に示すようにツェナ電圧（３
０ボルト）にクランプされる。コンデンサＣ２が３０Ｖ
まで充電されるとき、０点のゲートは電位り、Ｂ点のエ
ミッタは電位にとなり、トランジスタＩＧＢＴのゲート
エミッタ間に３０Ｖの電圧がかがり、トランジスタＩＧ
ＢＴは時点ｔ１で導通する。
ここで、閃光放電管Ｘｅは時点ｔＯ〜ｔ１の間に起動が
かかっているので、トランジスタＩＧＢＴが導通すると
、閃光放電管Ｘｅ内の希ガスは急速にそのインピーダン
スが低下し、第２図の時点ｔ２で放電発光を開始する（
第２図二発光波形参照）、、その後、抵抗Ｒ６やトラン
ジスタＩＧＢＴのゲートに接続された抵抗Ｒ４，Ｒ５な
どのインピーダンスによってコンデンサＣ３が時点ｔ２
まで放電される（第２図Ｂ点の波形）。また、発光電流
がトランジスタＩＧＢＴのコレクタエミッタ間を流れ、
時点ｔ２〜ｔ３間でコンデンサＣ３を急速に充電し、Ｂ
点の電位はダイオードＤ７の順方向電圧である約１ｖに
充電される。しかしながら、トランジスタＩＧＢＴのゲ
ートエミッタ間にはコンデンサＣ２が設けられているか
ら、この充電電圧により発光後もトランジスタＩＧＢＴ
のゲートに３０Ｖの電圧を印加するので、トランジスタ
ＩＧＢＴは引き続き導通して発光が続行する。
かかっているので、トランジスタＩＧＢＴが導通すると
、閃光放電管Ｘｅ内の希ガスは急速にそのインピーダン
スが低下し、第２図の時点ｔ２で放電発光を開始する（
第２図二発光波形参照）、、その後、抵抗Ｒ６やトラン
ジスタＩＧＢＴのゲートに接続された抵抗Ｒ４，Ｒ５な
どのインピーダンスによってコンデンサＣ３が時点ｔ２
まで放電される（第２図Ｂ点の波形）。また、発光電流
がトランジスタＩＧＢＴのコレクタエミッタ間を流れ、
時点ｔ２〜ｔ３間でコンデンサＣ３を急速に充電し、Ｂ
点の電位はダイオードＤ７の順方向電圧である約１ｖに
充電される。しかしながら、トランジスタＩＧＢＴのゲ
ートエミッタ間にはコンデンサＣ２が設けられているか
ら、この充電電圧により発光後もトランジスタＩＧＢＴ
のゲートに３０Ｖの電圧を印加するので、トランジスタ
ＩＧＢＴは引き続き導通して発光が続行する。
被写体が閃光放電管Ｘｅの発光により照明され、時点ｔ
３においてフィルム露光量が適正値となり、測光回路Ｂ
Ｄの出力端子りがハイレベルからローレベルとなる。こ
の結果、インターフェース回路ＩＦの出力端子２からハ
イレベルな発光停止信号が出力される。これにより、ト
ランジスタＴＲが導通してコンデンサＣ２が放電されて
トランジスタＩＧＥＴのゲート電圧が零ボルトとなり、
トランジスタＩＧＢＴは瞬時に非導通となって閃光放電
管Ｘｅはその放電ループが遮断されて発光を停止する。
３においてフィルム露光量が適正値となり、測光回路Ｂ
Ｄの出力端子りがハイレベルからローレベルとなる。こ
の結果、インターフェース回路ＩＦの出力端子２からハ
イレベルな発光停止信号が出力される。これにより、ト
ランジスタＴＲが導通してコンデンサＣ２が放電されて
トランジスタＩＧＥＴのゲート電圧が零ボルトとなり、
トランジスタＩＧＢＴは瞬時に非導通となって閃光放電
管Ｘｅはその放電ループが遮断されて発光を停止する。
なお、本発明は倍電圧回路で生成された電圧信号により
ＩＧＢＴのような電圧制御型スイッチング素子の制御電
圧を形成する点がポイントであるから、倍電圧回路その
ものや制御電圧形成回路ＣＶなどは実施例に限定されな
い。さらに発光をオン・オフするスイッチング素子もＩ
ＧＢＴに限定されない。
ＩＧＢＴのような電圧制御型スイッチング素子の制御電
圧を形成する点がポイントであるから、倍電圧回路その
ものや制御電圧形成回路ＣＶなどは実施例に限定されな
い。さらに発光をオン・オフするスイッチング素子もＩ
ＧＢＴに限定されない。
Ｇ１発明の詳細
な説明したように本発明によれば、閃光放電管の発光制
御用スイッチング素子としてＩ ＧＢＴのような電圧制
御型の素子を使用するにあたって、倍電圧回路のような
高電圧発生回路で発生した高電圧を用いて制御電圧を生
成するようにしたので、別設の中電位（数十ボルト）用
の電源回路が不要となり、スペース的に有利となる。
御用スイッチング素子としてＩ ＧＢＴのような電圧制
御型の素子を使用するにあたって、倍電圧回路のような
高電圧発生回路で発生した高電圧を用いて制御電圧を生
成するようにしたので、別設の中電位（数十ボルト）用
の電源回路が不要となり、スペース的に有利となる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図である。
第２図は第１図に示した回路の各部信号波形図である。
Ｃ１：メインコンデンサ
Ｃ２：制御電圧用コンデンサ
Ｃ３：倍電圧用コンデンサ
Ｃ４：トリガコンデンサ
Ｄ６：ツェナダイオード
ＩＧＢＴ：電圧制御型スイッチング素子Ｘｅ：閃光放電
管 Ｔ：トリガコイルＳＣＲ：サイリスタ ＴＲ：発光停止用トランジスタ
管 Ｔ：トリガコイルＳＣＲ：サイリスタ ＴＲ：発光停止用トランジスタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）主コンデンサに充電された電荷により発光する閃光
放電管と、 制御端子に印加される電圧によりオン・オフして前記閃
光放電管の発光を制御する電圧制御型のスイッチング素
子と、 前記閃光放電管の発光に先立って前記主コンデンサの充
電電圧以上の電圧を前記閃光放電管の両端に印加する高
電圧印加手段とを備えた電子閃光装置において、 前記高電圧印加手段で生成した高電圧に基づいて、前記
電圧制御型スイッチング素子の制御端子に印加される電
圧を生成する制御電圧生成手段を具備することを特徴と
する電子閃光装置。 ２）前記スイッチング素子は絶縁ゲート型バイポーラト
ランジスタであり、前記制御電圧生成手段で生成された
電圧をこの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのエミ
ッタゲート間に印加するように構成したことを特徴とす
る請求項１に記載の電子閃光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173997A JP2841756B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 電子閃光装置 |
| US07/720,624 US5111233A (en) | 1990-06-28 | 1991-06-25 | Electronic flashing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2173997A JP2841756B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 電子閃光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462797A true JPH0462797A (ja) | 1992-02-27 |
| JP2841756B2 JP2841756B2 (ja) | 1998-12-24 |
Family
ID=15970846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2173997A Expired - Fee Related JP2841756B2 (ja) | 1990-06-28 | 1990-06-28 | 電子閃光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5111233A (ja) |
| JP (1) | JP2841756B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008101340A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Matsumoto Kiko Kk | 伸縮式避難梯子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3297446B2 (ja) * | 1991-06-26 | 2002-07-02 | ウエスト電気株式会社 | ストロボ装置 |
| US5752102A (en) * | 1992-04-16 | 1998-05-12 | Nikon Corporation | Electronic flashing device |
| US5640620A (en) * | 1993-07-22 | 1997-06-17 | Nikon Corporation | Radiation regulating device for an electronic flash device and method for regulating same |
| US5555021A (en) * | 1993-12-14 | 1996-09-10 | Watec America Corporation | Compact television camera with switching noise prevention |
| JPH07245187A (ja) * | 1994-03-07 | 1995-09-19 | Olympus Optical Co Ltd | ストロボ装置 |
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| CN1821570B (zh) * | 2005-02-04 | 2010-10-13 | 株式会社电装 | 用于内燃发动机的点火装置 |
| US7456585B2 (en) * | 2006-05-11 | 2008-11-25 | Simplexgrinnell Lp | Optical element driving circuit |
| US7994729B2 (en) * | 2008-07-21 | 2011-08-09 | Simplexgrinnell Lp | Optical element driving circuit |
| JP6188319B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2017-08-30 | キヤノン株式会社 | 発光システム、発光制御装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
Family Cites Families (2)
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|---|---|---|---|---|
| US4697906A (en) * | 1985-09-27 | 1987-10-06 | West Electric Company, Ltd. | Electric flash device |
| US5051768A (en) * | 1990-03-26 | 1991-09-24 | Polaroid Corporation | Electronic flash apparatus for reducing the incidence of human eyelid closures during exposure |
-
1990
- 1990-06-28 JP JP2173997A patent/JP2841756B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-06-25 US US07/720,624 patent/US5111233A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008101340A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-01 | Matsumoto Kiko Kk | 伸縮式避難梯子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5111233A (en) | 1992-05-05 |
| JP2841756B2 (ja) | 1998-12-24 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |