JPS5992923A - 多孔質ガラス膜の製造方法 - Google Patents
多孔質ガラス膜の製造方法Info
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- JPS5992923A JPS5992923A JP19998582A JP19998582A JPS5992923A JP S5992923 A JPS5992923 A JP S5992923A JP 19998582 A JP19998582 A JP 19998582A JP 19998582 A JP19998582 A JP 19998582A JP S5992923 A JPS5992923 A JP S5992923A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
- C03B19/1423—Reactant deposition burners
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/50—Multiple burner arrangements
- C03B2207/54—Multiple burner arrangements combined with means for heating the deposit, e.g. non-deposition burner
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は多孔″繊ガラス膜の製造方法に関するものであ
る。
る。
７昆合ガスを非多孔質膜あるいは多孔値）喫中を・１ぢ
過さぜ、ノ昆せガスの１成分葦ヅヒはイＪＪ！、合ガス
を分Ｈ；Ｈ（Ｋ抽出する方法は古くから矧られている。
過さぜ、ノ昆せガスの１成分葦ヅヒはイＪＪ！、合ガス
を分Ｈ；Ｈ（Ｋ抽出する方法は古くから矧られている。
非第孔゛汝ｊ陣とパｄ、気体が重過する゛孔″が高分子
の熱振動によって統計的に生じている状態であって−・
η的には有礫鳩分子の化付物を膜状ケこ成型したものが
使われている。壕だ多孔・１（隙とは、径の小さい孔力
誦勾哩的に存在している状態であって 、ｊ＋父的に
は多孔質ガラスがあげられる。
の熱振動によって統計的に生じている状態であって−・
η的には有礫鳩分子の化付物を膜状ケこ成型したものが
使われている。壕だ多孔・１（隙とは、径の小さい孔力
誦勾哩的に存在している状態であって 、ｊ＋父的に
は多孔質ガラスがあげられる。
非多孔質膜、多孔質ｌｑとも、ｌζ中に混合ガセを通導
せしめ、成分ガス１両に対する湾両沫ｊ尼や分離係数の
着にもとすいて成分ガスを分離する。
せしめ、成分ガス１両に対する湾両沫ｊ尼や分離係数の
着にもとすいて成分ガスを分離する。
非多孔質＋１りでｉｄ気体分子が拡散していり１１１略
は高分子の掲系・助による分子間隙であることを前記し
たが、この太ささけ、せいぜい１０Ｘ程度寸でであり、
時間的にたえず変化し固ポ的なもので（寸ない。従って
”孔径″の制御およびＩＯＡ以上の大孔径化が困輔であ
る。葦だガスの透過速度が遅いことや膜が化学的に不安
定であること、さらには幌の使用温度が低い（限界は約
７Ｃ）℃）などの問題点がある。
は高分子の掲系・助による分子間隙であることを前記し
たが、この太ささけ、せいぜい１０Ｘ程度寸でであり、
時間的にたえず変化し固ポ的なもので（寸ない。従って
”孔径″の制御およびＩＯＡ以上の大孔径化が困輔であ
る。葦だガスの透過速度が遅いことや膜が化学的に不安
定であること、さらには幌の使用温度が低い（限界は約
７Ｃ）℃）などの問題点がある。
一方、石屍や天然ガス寺の代替炭素・１σθのガス化に
より得られる佇成ガス（ＣＯ，Ｈ２の混合ガス）を原料
とした各種基礎化学製品の新しい製造方法、ている。多
孔質ガラス族の最大の特徴は耐熱性に非富に優れている
点である（約７００℃まで便用可能）。
より得られる佇成ガス（ＣＯ，Ｈ２の混合ガス）を原料
とした各種基礎化学製品の新しい製造方法、ている。多
孔質ガラス族の最大の特徴は耐熱性に非富に優れている
点である（約７００℃まで便用可能）。
従来、多孔狛ガラス膜の製造方法としては、Ｓ ｉＯ＊
−Ｂｚ Ｏｓ −Ｎａ２Ｏなどの成分からなるガラス
を熱処理して、５ｉ０１相とＢｓ Ｏｓ −Ｎａｘ Ｏ
相に相分離させた後、酸処理によってＢ２０８−Ｎａｓ
Ｏ相を溶出させることで孔を形成する方法が知−られて
いる。この方法によれは、敵の童や処理時間によって孔
径のそろった均一な細孔腹ができるが、同時に強度が低
下するという間ｊ眞がある。
−Ｂｚ Ｏｓ −Ｎａ２Ｏなどの成分からなるガラス
を熱処理して、５ｉ０１相とＢｓ Ｏｓ −Ｎａｘ Ｏ
相に相分離させた後、酸処理によってＢ２０８−Ｎａｓ
Ｏ相を溶出させることで孔を形成する方法が知−られて
いる。この方法によれは、敵の童や処理時間によって孔
径のそろった均一な細孔腹ができるが、同時に強度が低
下するという間ｊ眞がある。
まだ任意の孔径を作るのが困難で、かつ製這工程が抜雑
になるなどの欠点もある。
になるなどの欠点もある。
本発明省らは以上の点に亀み、ｌず１００チ５ｉＣｈで
める多孔質ガラス体（族）の製造方法について恢討した
結果、５ｉ０４等のノ・ロゲン化物ないし硅系水累化！
＋／Ｉ紮気相状態で市水系炎中に等いて酸化反応せしめ
、生成される５１０２微１Ｍ子をターゲット上に堆積さ
せることにょ９、従来の膜に較べて製造が簡単で、しか
も性能の良好な多孔質ガラス膜（例えば、混合ガスの分
能、絹製などのｉＨＮ目を決める孔径の匍」伺１が自由
、ｊＮ１熱性、１討※品性などに優れている）ができる
ことを見出した（行＆！ｉ１昭５６−１６２３４４）。
める多孔質ガラス体（族）の製造方法について恢討した
結果、５ｉ０４等のノ・ロゲン化物ないし硅系水累化！
＋／Ｉ紮気相状態で市水系炎中に等いて酸化反応せしめ
、生成される５１０２微１Ｍ子をターゲット上に堆積さ
せることにょ９、従来の膜に較べて製造が簡単で、しか
も性能の良好な多孔質ガラス膜（例えば、混合ガスの分
能、絹製などのｉＨＮ目を決める孔径の匍」伺１が自由
、ｊＮ１熱性、１討※品性などに優れている）ができる
ことを見出した（行＆！ｉ１昭５６−１６２３４４）。
しかし、この３Ｒ法で得られるＪ仄の機料（的強度は、
従来の１Ｍよりは優れているものの、膜の７・ダ膜化に
伴って若干〃がら劣化する。すなわち、多孔質ガラス体
からｌｉｒ ｉｌ臭を得るだめの切断４１１Ｊ工時に、
Ｉ関が割れてしまうことがあり、加工付が若干劣ると言
う欠点がある。
従来の１Ｍよりは優れているものの、膜の７・ダ膜化に
伴って若干〃がら劣化する。すなわち、多孔質ガラス体
からｌｉｒ ｉｌ臭を得るだめの切断４１１Ｊ工時に、
Ｉ関が割れてしまうことがあり、加工付が若干劣ると言
う欠点がある。
すなわち、多孔質ガラスｊヅの薄膜化技術と高強度化は
、多孔質ガラス族の笑用化においてきわめて重女なｌさ
題である。
、多孔質ガラス族の笑用化においてきわめて重女なｌさ
題である。
本発明は前述の点に紘与なされたものであシ、孔の制御
性に秀れ、かつ耐熱性、ロロツ楽品性が良好で）さらに
伝扱的強度の大きい多孔質ガラス族俣を製造する方法を
提供すること金目げづとする。
性に秀れ、かつ耐熱性、ロロツ楽品性が良好で）さらに
伝扱的強度の大きい多孔質ガラス族俣を製造する方法を
提供すること金目げづとする。
したがって、本発明による多孔質ガラスＬＭのジ４遣方
法は硅素塩化物、硅索水系化丁勿の一檎以上を含むカラ
ス形成原料を酸化反応あるいは火炎加水分解反応せしめ
てガラス微粒子を止爪し、該ガラス微粒子が焼結する温
度以上で、かつ透明なガラス体になる温度未満ｒ（加熱
された基板上例、前記ガラス微粒子を堆積させることを
符似とするものである。
法は硅素塩化物、硅索水系化丁勿の一檎以上を含むカラ
ス形成原料を酸化反応あるいは火炎加水分解反応せしめ
てガラス微粒子を止爪し、該ガラス微粒子が焼結する温
度以上で、かつ透明なガラス体になる温度未満ｒ（加熱
された基板上例、前記ガラス微粒子を堆積させることを
符似とするものである。
本発明によれば、ガラス微粒子の堆積する基板温度を制
ｎｉｌ Ｌながら、ガラス微粒子を焼結して、多孔質ガ
ラス膜を一！：Ａ造するので、砿様的強１＝が良好でか
つ性能の秀れた多孔質ガラスノ戻を提供しえる。
ｎｉｌ Ｌながら、ガラス微粒子を焼結して、多孔質ガ
ラス膜を一！：Ａ造するので、砿様的強１＝が良好でか
つ性能の秀れた多孔質ガラスノ戻を提供しえる。
本発明を史に許しく祝明する。
本発明による多孔質ガラス族の製造方法によれば、まず
、硅素塩化物、硅素水素化物の一１１ｕ以上を宮むガラ
ス形成原料を酸化反応あるいは火炎加水分用反応せしめ
てガラス微粒子を形成する。
、硅素塩化物、硅素水素化物の一１１ｕ以上を宮むガラ
ス形成原料を酸化反応あるいは火炎加水分用反応せしめ
てガラス微粒子を形成する。
’ｒｑＵ記ガラメガラス形成原料ｃ４寺の硅素塩化物、
ＳｉＨ，専の硅素水素化物を一穂以上含むものであるが
、このガラス形成原料には孔住制＋ｊｌあるいはガラス
族の性買吟を考慮して、畠ｉ］次的成分、たとえｕｐｏ
ｃｔ、、Ｇ ｅ Ｃ４、ＢＣｔｌｌ寺を言まぜることが
できる。
ＳｉＨ，専の硅素水素化物を一穂以上含むものであるが
、このガラス形成原料には孔住制＋ｊｌあるいはガラス
族の性買吟を考慮して、畠ｉ］次的成分、たとえｕｐｏ
ｃｔ、、Ｇ ｅ Ｃ４、ＢＣｔｌｌ寺を言まぜることが
できる。
ガラス形成原＃＋は気相ないし液柘吠態で熱等によシ硅
累化物を含むガラス微粒子を形成するが、たとえば気相
の場合、バブラーを用い、数体のガラス形成原料を気相
状悪とし、酸水素バーナサにより火炎加水分解し、ガラ
ス微粒子とすることができる。また、液体のガラス形成
原料を初秋とし、これを前記酸水素バーナ吟に送り込み
、火炎加水分子ｉｔｖ Ｌでガラス微粒子とすることも
できる１、また火炎加水分用はかシでなく熱酸化寺によ
ってもガラス微粒子を曾成できる。即ち、カラス形成原
料をガラス微粒子とする具体的方法は、本発明において
限定されるものではなり０ 仄に、このように形成されたガラス微粒子を基・取上に
堆積させる。
累化物を含むガラス微粒子を形成するが、たとえば気相
の場合、バブラーを用い、数体のガラス形成原料を気相
状悪とし、酸水素バーナサにより火炎加水分解し、ガラ
ス微粒子とすることができる。また、液体のガラス形成
原料を初秋とし、これを前記酸水素バーナ吟に送り込み
、火炎加水分子ｉｔｖ Ｌでガラス微粒子とすることも
できる１、また火炎加水分用はかシでなく熱酸化寺によ
ってもガラス微粒子を曾成できる。即ち、カラス形成原
料をガラス微粒子とする具体的方法は、本発明において
限定されるものではなり０ 仄に、このように形成されたガラス微粒子を基・取上に
堆積させる。
堆積させる基板は不完（カにおいて眠たさｎるものでは
ない。たとえばカーボン装奉板であることかでさる。
ない。たとえばカーボン装奉板であることかでさる。
前記凸版の確度はガラス涜、活温）瓦以上で、前記ガラ
ス族が透明ガラス化しない温度未（両である。
ス族が透明ガラス化しない温度未（両である。
カラス焼結温度未満であるとガラス微粒子は焼結せずガ
ラス膜が生成されないし、一方、透明ガラス化温度以上
であると、ガラス＃は透明カラスとなってし甘うからで
ある。このような温度札囲は前記ガラス形成原料の種類
ないし組成等、さらにガラス膜製造系の状態等により変
化するため一概には決定しにくい力１、一般的には、好
ましくは９００〜１５００℃であり、対も好捷しくけ１
０００℃〜１４００℃未渦である。ｉ−ｓ ＯＯ℃未／
ｒ・りであると、伏皓頻屑は光分満足できる栓大きくな
らないし、一方１５００℃以上であると、透明ガラス化
してしまうことが多いからである。
ラス膜が生成されないし、一方、透明ガラス化温度以上
であると、ガラス＃は透明カラスとなってし甘うからで
ある。このような温度札囲は前記ガラス形成原料の種類
ないし組成等、さらにガラス膜製造系の状態等により変
化するため一概には決定しにくい力１、一般的には、好
ましくは９００〜１５００℃であり、対も好捷しくけ１
０００℃〜１４００℃未渦である。ｉ−ｓ ＯＯ℃未／
ｒ・りであると、伏皓頻屑は光分満足できる栓大きくな
らないし、一方１５００℃以上であると、透明ガラス化
してしまうことが多いからである。
前述の基板はガラス微粒子堆積局において好１しくに回
転せしめるのがよい。ガラス倣板子を基板に均一に堆積
させるだめである。
転せしめるのがよい。ガラス倣板子を基板に均一に堆積
させるだめである。
このように基板上に堆積させるガラス膜の厚さは暴本的
に限定されるものではないが、カラス族の孔寸法、形成
速度前は、前ｆｆｅガラス倣板子の堆積量の温度により
制御されるものでるるから、厚くなシすきると、基板温
度と、カラス族表面の堆堆面の温度が相違してくるおそ
れがある。このためカラス膜の生成速度前が変化するこ
とがある。
に限定されるものではないが、カラス族の孔寸法、形成
速度前は、前ｆｆｅガラス倣板子の堆積量の温度により
制御されるものでるるから、厚くなシすきると、基板温
度と、カラス族表面の堆堆面の温度が相違してくるおそ
れがある。このためカラス膜の生成速度前が変化するこ
とがある。
しｆｃがって、カラス族の堆積厚は基板温度にょシ温度
制御される６度の厚さであるのが好せしい。
制御される６度の厚さであるのが好せしい。
この厚さは、ガラス膜の独力１その他により変化すルカ
一般に８ｍｍ以下であるのが好ましい。
一般に８ｍｍ以下であるのが好ましい。
基板を加λたする手段は本発明において服定されるもの
ではなく、高周波による加熱、シリコニットやカーボン
を発熱体とする炉を用いてもよい。
ではなく、高周波による加熱、シリコニットやカーボン
を発熱体とする炉を用いてもよい。
次に、本発り・ゴを笑ｂｔｒするための装置−を例にと
って、不弁明の方法を説明する。
って、不弁明の方法を説明する。
第１図は本発明による方法を芙施するための装置の一例
であり、１は多孔質ガラス族を形成させるための基板、
２は回歓装匠、３はガラス微粒子合成トーチ、４はガラ
ス微粒子、５は多孔質カラス膜、６はトーチ移ム辺装亘
、７は尚周波コイル、８は尚周波元＆装匝、９は反応容
器、ｌＯは不活法ガス尋人口、１１はわＦ丸目でめる。
であり、１は多孔質ガラス族を形成させるための基板、
２は回歓装匠、３はガラス微粒子合成トーチ、４はガラ
ス微粒子、５は多孔質カラス膜、６はトーチ移ム辺装亘
、７は尚周波コイル、８は尚周波元＆装匝、９は反応容
器、ｌＯは不活法ガス尋人口、１１はわＦ丸目でめる。
第１図の装置を−ＡｊＪ１乍させるには、尚Ａ肢兄振裟
直８によって旨ノん阪コイル７から尚周波を兜振させて
、回１云装碓２によって回４云する刀−ホン表示板１を
加熱する。一方、ガラス微粒子合成トーチ３（ここでは
同心円状多重１トーチを９用した）にＨ，ガス、０２
ガスを等き、トーチ３の吹出部に飲水累炎を形成さぜる
。トーチ３はトーチ移動装置６によシカ−ホン製基板１
の表（Ｉ」に対して内線的に移動させる。また、反応容
器９の下部にある不活性ガス尋人口１０より不活１生ガ
スをυＩＬシ、カーボン製基板１の４セ化を防ぐ。
直８によって旨ノん阪コイル７から尚周波を兜振させて
、回１云装碓２によって回４云する刀−ホン表示板１を
加熱する。一方、ガラス微粒子合成トーチ３（ここでは
同心円状多重１トーチを９用した）にＨ，ガス、０２
ガスを等き、トーチ３の吹出部に飲水累炎を形成さぜる
。トーチ３はトーチ移動装置６によシカ−ホン製基板１
の表（Ｉ」に対して内線的に移動させる。また、反応容
器９の下部にある不活性ガス尋人口１０より不活１生ガ
スをυＩＬシ、カーボン製基板１の４セ化を防ぐ。
この状態でトーチ３にＡｒ ガスでキャリアーされた気
相状５ｉＣ４を尋人すると、−一水系炎中で火炎加水分
Ｓ＋反応が生じ、５ｉＯ７倣桟子が生成される。生成さ
れる５ｉＯ−倣梓子４は、清仮１の搬面に堆積されるが
、堆積と同時に基板１の温度に応じて焼結され、個々の
５ｉ０２微牧子がくさシ状に焼結された多孔質ガラ、Ｘ
、博族５が端板１上に形成される。基板１上に堆積され
なかっだＳ ｉ ０２微粒子は、ただちに上部の排気口
１１かられト気される。
相状５ｉＣ４を尋人すると、−一水系炎中で火炎加水分
Ｓ＋反応が生じ、５ｉＯ７倣桟子が生成される。生成さ
れる５ｉＯ−倣梓子４は、清仮１の搬面に堆積されるが
、堆積と同時に基板１の温度に応じて焼結され、個々の
５ｉ０２微牧子がくさシ状に焼結された多孔質ガラ、Ｘ
、博族５が端板１上に形成される。基板１上に堆積され
なかっだＳ ｉ ０２微粒子は、ただちに上部の排気口
１１かられト気される。
形成される多孔質ガラス薄膜５の厚さは、５ｉＣ１４吟
のガラス形成原料の供ｆｊＱ１ｊｋを一尾とすれば、前
６已工程を呆行する時間によって任意の厚さに制御でき
るが５ｉＣ４等のガラス形成原料の供給菫を少なくして
、かつ一定に抹ちながら厚さの制ｇｊを行なうのが好ま
しい。Ｓ ｉ Ｃ４等の原料の供胎新゛が多い揚台には
、基イ反１の〆晶ハ（ｒ（応じて焼示吉されず、形成さ
れる多孔質ガラス薄膜５の厚さや孔径の制御が困尖羨に
なることがあるからである。
のガラス形成原料の供ｆｊＱ１ｊｋを一尾とすれば、前
６已工程を呆行する時間によって任意の厚さに制御でき
るが５ｉＣ４等のガラス形成原料の供給菫を少なくして
、かつ一定に抹ちながら厚さの制ｇｊを行なうのが好ま
しい。Ｓ ｉ Ｃ４等の原料の供胎新゛が多い揚台には
、基イ反１の〆晶ハ（ｒ（応じて焼示吉されず、形成さ
れる多孔質ガラス薄膜５の厚さや孔径の制御が困尖羨に
なることがあるからである。
ま友多孔質ガラス与膜の孔径は、基板１０７ｇ反によっ
て制御することができる。５ｉＣ１−ａ等の火炎加水分
解反応によって生成されるＳｉＯ２微粒子の大きさは約
５００Ａであシ、七の形仏は球ブレである。従って１固
々のＳｉＯ２微粒子の胱祐度、すなわち基或１の確度に
よって孔径が決まる。男２図は、この様子を模式的に示
しだものであり、図（ａ）は粘械謡厩が低い場合の５ｉ
Ｏｓ做社子の焼結状態、図（ｂ）は基板温度が尚い吻什
のＳｉＯ２微粒子の焼結状恕である。この図からｖ７１
・るように参似温反が尚くなるほど５ｉＯｓ做縁子相互
の焼結が進み、中心部の孔２１のサイズは（孔径とは一
収Ｈヲに倣粒子相互が焼結された佐に残る空■］の平均
の径を称している）は小さくなる。
て制御することができる。５ｉＣ１−ａ等の火炎加水分
解反応によって生成されるＳｉＯ２微粒子の大きさは約
５００Ａであシ、七の形仏は球ブレである。従って１固
々のＳｉＯ２微粒子の胱祐度、すなわち基或１の確度に
よって孔径が決まる。男２図は、この様子を模式的に示
しだものであり、図（ａ）は粘械謡厩が低い場合の５ｉ
Ｏｓ做社子の焼結状態、図（ｂ）は基板温度が尚い吻什
のＳｉＯ２微粒子の焼結状恕である。この図からｖ７１
・るように参似温反が尚くなるほど５ｉＯｓ做縁子相互
の焼結が進み、中心部の孔２１のサイズは（孔径とは一
収Ｈヲに倣粒子相互が焼結された佐に残る空■］の平均
の径を称している）は小さくなる。
また第２図のように本発明による孔は、ＳｉＣ２微粒子
相互の焼結によって形成されるだめ、非常に１伐彷・；
的９虫度の・１紮れた多孔質ガラスマ埼肛己をイ尋るこ
とができる。
相互の焼結によって形成されるだめ、非常に１伐彷・；
的９虫度の・１紮れた多孔質ガラスマ埼肛己をイ尋るこ
とができる。
本発明によれば、多孔質ガラス薄膜の形状は、基板１の
形状を変えることにより、１更用目的に応じた任窩の形
状に形成することができる。
形状を変えることにより、１更用目的に応じた任窩の形
状に形成することができる。
また第１図では、加熱手段に置周彼勿用いているが、シ
リコニットやカーボンを発熱体とする炉を７Ｊｌ］熱手
段としてもかまわず、割述のようＶて不発明において、
これらの手段は限定されるものではつよい。これらの炉
を用いた場合には炉内の温度によって基板上に堆積され
ｆｃ Ｓ ｉ ０２微粒子を焼結させることになる。
リコニットやカーボンを発熱体とする炉を７Ｊｌ］熱手
段としてもかまわず、割述のようＶて不発明において、
これらの手段は限定されるものではつよい。これらの炉
を用いた場合には炉内の温度によって基板上に堆積され
ｆｃ Ｓ ｉ ０２微粒子を焼結させることになる。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例
第１図の装置就及び方法を用い、下糺の条件でガラスＭ
金製迄した。
金製迄した。
Ｈ２流重；毎分２．５ｔ
０２流量；毎分４ｔ
ＳｉＣ４供甜倣：毎分０．５ｇ
基板；外悦３０φカーボン埃
基版回転速皮、母分１５回転
トーチ移動距離；３０ｍｒｎ
トーチ移動速度；毎分１５０ｍｍ
不活性ガス：Ａｒ８分２０を
丞仮温Ｍ；１３００’Ｃ
以上の条件で多孔質ガラス薄膜盾の作製を５分間行なっ
たね未ｉ、板上に、直往３０ｍｍφ、ル１さ０．８ｍｍ
の〃４族がプレ族された。この饋輛仮から取りはずして
ｆｉＫを調べたが、従来の１１％に比べて後れているこ
とが確認された。
たね未ｉ、板上に、直往３０ｍｍφ、ル１さ０．８ｍｍ
の〃４族がプレ族された。この饋輛仮から取りはずして
ｆｉＫを調べたが、従来の１１％に比べて後れているこ
とが確認された。
第３凶は前記茶汁で、作表時１１と得られた膜厚の枯米
を示したものである。作表時＋ＭＪを５０分以上にする
と膜厚の柘加に笈化がみられるが、これは膜厚２約８ｍ
ｍ以上にすると、基板温度と族の堆恒衣ｔｈＩ温度が一
欽しなくなシ、准狽衣囲温度が低下したためと弓えられ
る。膜厚が８ｍｍまでは基板温度によって梢折に厚さ制
御ができた。
を示したものである。作表時＋ＭＪを５０分以上にする
と膜厚の柘加に笈化がみられるが、これは膜厚２約８ｍ
ｍ以上にすると、基板温度と族の堆恒衣ｔｈＩ温度が一
欽しなくなシ、准狽衣囲温度が低下したためと弓えられ
る。膜厚が８ｍｍまでは基板温度によって梢折に厚さ制
御ができた。
第４図は、前記条件で卆板温度を変化させ、基板温度と
作製された多孔質ガラス７チ腺の破附丁強にの曲係を示
したものである。基板温度を９００℃以上にすると破断
強度は急叡に増加し％ １１００′Ｃ以上の温度では
像上１強度が１０ ｋｇ／ｍｍ’ の薄膜が侍られた
。基板温度を１４００℃以上にすると、破断強度はさら
に急激に増加し、１５００℃では１００ ｋｇ／ｍｍ２
に達するが、この時の薄膜は多孔質状ではなく透明ガラ
スであった。従って、不発明によって強度の優れた（
５ ｋｇ／ｍｍ’ ）７専膜を得るには、是板畠度を１
０００°Ｃ以上、１５００℃以下のＤＩ２’ｒｆＨに設
定すればよいことがわかる。
作製された多孔質ガラス７チ腺の破附丁強にの曲係を示
したものである。基板温度を９００℃以上にすると破断
強度は急叡に増加し％ １１００′Ｃ以上の温度では
像上１強度が１０ ｋｇ／ｍｍ’ の薄膜が侍られた
。基板温度を１４００℃以上にすると、破断強度はさら
に急激に増加し、１５００℃では１００ ｋｇ／ｍｍ２
に達するが、この時の薄膜は多孔質状ではなく透明ガラ
スであった。従って、不発明によって強度の優れた（
５ ｋｇ／ｍｍ’ ）７専膜を得るには、是板畠度を１
０００°Ｃ以上、１５００℃以下のＤＩ２’ｒｆＨに設
定すればよいことがわかる。
以上説明したように、回転する基板上に５ｔｙｘ微粒子
を堆積させると１０Ｊ時に焼結させることを材似とする
本＃５明の多孔質ガラス薄膜の製法によれは、便米困離
であった多孔質ガラス腺の４腺化を容易に行なうことが
でさるばかりでなく、恒ｉ原的強度の捷れた任意の形状
を有する肉、腺を製造することができる。
を堆積させると１０Ｊ時に焼結させることを材似とする
本＃５明の多孔質ガラス薄膜の製法によれは、便米困離
であった多孔質ガラス腺の４腺化を容易に行なうことが
でさるばかりでなく、恒ｉ原的強度の捷れた任意の形状
を有する肉、腺を製造することができる。
本う６明における多孔買カラスン専族は、光ファイバ装
造、牛！を捧、Ｃ１化字なとの工条分封にお・いて、贅
だ分析芋の分シｒにおいても谷狸気俸、液体分子の太さ
さの赴υ１」用した分備、イ’？’袈膜としてそのオＵ
用軛ｂｊは伊めで広く、経涜的効来太なるものがある。
造、牛！を捧、Ｃ１化字なとの工条分封にお・いて、贅
だ分析芋の分シｒにおいても谷狸気俸、液体分子の太さ
さの赴υ１」用した分備、イ’？’袈膜としてそのオＵ
用軛ｂｊは伊めで広く、経涜的効来太なるものがある。
凶ｍｌの洟」早なｔ発明
第１図は不発明の方法を実施するための装、ぼの、−サ
弐図、第２図は不発明による孔住制銅１の模式図、場３
図は作装峙間とＪ膜厚の一尖朕粕米、第４図は基板温度
と破断強度の実厭斧占米である０１・・・羞仮、２・・
・ｉ！”］転込匝、３・・ガラス微粒子合成トーチ、４
・・・ガラス微粒子、５・・・多孔質カラス腺、６・・
・トーチ杉ｙυ表ｉ１７・・・商周波コイル、８・・・
百周及うヒ振Ｔハ ９・・・長比、容器、１０・・・不
を占１生ガス纒入口、１１・・・排気口、２１・・・孔
。
弐図、第２図は不発明による孔住制銅１の模式図、場３
図は作装峙間とＪ膜厚の一尖朕粕米、第４図は基板温度
と破断強度の実厭斧占米である０１・・・羞仮、２・・
・ｉ！”］転込匝、３・・ガラス微粒子合成トーチ、４
・・・ガラス微粒子、５・・・多孔質カラス腺、６・・
・トーチ杉ｙυ表ｉ１７・・・商周波コイル、８・・・
百周及うヒ振Ｔハ ９・・・長比、容器、１０・・・不
を占１生ガス纒入口、１１・・・排気口、２１・・・孔
。
出ノ願人代理人 １：１〕 宮 正 テ第
１ 図 第２図 （０） （ｂ） 第３ 図 ホト製部間（分） 箒４ 図 、′ 基挑温度（０Ｃ）
１ 図 第２図 （０） （ｂ） 第３ 図 ホト製部間（分） 箒４ 図 、′ 基挑温度（０Ｃ）
Claims (1)
- 硅素塩仕初、硅素水累仕向の一種以上を含むガラス形成
原料を酸化反応あるい（は火炎刀日水分頃反応せしめて
ガラス倣粒子を生成し、該ガラス微粒子力埼゛占結する
’１Ｍｒ 度以上で、かつ透明ガラス体になる？ｌｉｉ
匿未満に加熱された基板上に、前記カラス倣粒子全堆績
させることを特徴とする多孔質ガラス１関の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19998582A JPS5992923A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 多孔質ガラス膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19998582A JPS5992923A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 多孔質ガラス膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5992923A true JPS5992923A (ja) | 1984-05-29 |
| JPH0218291B2 JPH0218291B2 (ja) | 1990-04-25 |
Family
ID=16416866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19998582A Granted JPS5992923A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | 多孔質ガラス膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5992923A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182227A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ガラス膜製造装置 |
| WO2012070375A1 (en) | 2010-11-26 | 2012-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical member and imaging apparatus |
| EP2511005A4 (en) * | 2009-12-11 | 2016-11-16 | Sumitomo Electric Industries | SILICONE-SUBSTITUTING HYDROGEN DISCOVERY MATERIAL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND HYDROGEN SCALING MODULE AND HYDROGEN PRODUCTION DEVICE WITH HYDROGEN DISK MATERIAL |
| CN107406290A (zh) * | 2015-02-13 | 2017-11-28 | 康宁股份有限公司 | 含二氧化硅片材以及相关的系统和方法 |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP19998582A patent/JPS5992923A/ja active Granted
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63182227A (ja) * | 1987-01-20 | 1988-07-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ガラス膜製造装置 |
| EP2511005A4 (en) * | 2009-12-11 | 2016-11-16 | Sumitomo Electric Industries | SILICONE-SUBSTITUTING HYDROGEN DISCOVERY MATERIAL AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND HYDROGEN SCALING MODULE AND HYDROGEN PRODUCTION DEVICE WITH HYDROGEN DISK MATERIAL |
| WO2012070375A1 (en) | 2010-11-26 | 2012-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical member and imaging apparatus |
| CN107406290A (zh) * | 2015-02-13 | 2017-11-28 | 康宁股份有限公司 | 含二氧化硅片材以及相关的系统和方法 |
| US10570048B2 (en) | 2015-02-13 | 2020-02-25 | Corning Incorporated | Silica-containing sheet and related system and methods |
| CN107406290B (zh) * | 2015-02-13 | 2020-08-14 | 康宁股份有限公司 | 含二氧化硅片材以及相关的系统和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0218291B2 (ja) | 1990-04-25 |
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