JPH0240034B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

産業上の利用分野 本発明は、炭素材料の製造方法に関し、その目
的とするところは耐酸化性に優れ、機械的強度の
大きい炭素材料を提供することにある。 従来の技術及びその問題点 炭素材料には炭素質のものと黒鉛質のものとが
ある。これら炭素材料は、いずれにしろ炭素質材
料から成つているために耐熱特性に優れ、高温下
での機械的強度が大きく、それ故に黒鉛電極、ル
ツボ、発熱体、摺動材等として使用されている。
しかしながら、これら炭素材料は、高温での酸素
共存下では徐々に酸化されて消耗するという大き
な難点がある他、気体や液体に対する浸透性が大
き過ぎるという難点を有している。 このためにこのような炭素材料に優れた耐酸化
性、不浸透性等の性質を付与すべく種々の提案が
なされている。これら提案の一例としては、例え
ば分相性ホウケイ酸ガラスが含有された炭素材
料、該分相性ホウケイ酸ガラスが含浸された炭素
材料に熱処理、酸処理等の処理を施して該ガラス
中のSiO₂成分を高ケイ酸化した炭素材料（高ケ
イ酸化ガラス含浸炭素材料）等が知られている。 しかしながら、これらの炭素材料は、上記諸性
質はある程度改善されるものの、尚不充分であ
り、上記提案は充分な成果を挙げていない。特に
耐酸化性の点については、次のような欠点があ
る。 即ち、前者の炭素材料は、約1400℃以上の高温
下では不安定であり、酸化される傾向が著しい。
また、後者の炭素材料は、約1400℃以上の高温下
では比較的安定であるものの、約800〜1200℃の
範囲の温度下では不安定であつて、酸化による消
耗が著しくなるのを避け得ない。 このように800〜1600℃にの広い温度範囲に亙
つて優れた耐酸化性を具備する炭素材料は、未だ
開発されていないのが現状である。 問題点を解決するための手段 本発明者は、800〜1600℃の広い温度範囲に亙
つて優れた耐酸化性を具備する炭素材料を開発す
べく鋭意研究を重ねてきた。そしてその研究過程
において、従来の高ケイ酸化ガラス含浸炭素材料
を1800〜2000℃の温度範囲で熱処理することによ
り、該炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面の少な
くとも一部に炭化珪素が被覆形成された炭素材料
の開発に成功すると共に、該炭素材料が800〜
1600℃の広い範囲温度に亙つて優れた耐酸化性を
有することを見い出した。本発明は、この様な知
見に基いて完成されたものである。 すなわち、本発明は、下記の炭素材料の製造方
法を提供するものである： 細孔乃至微細孔を有する炭素材料に分相性ホ
ウケイ酸ガラスを含浸し、熱処理および酸処理
して細孔乃至微細孔内にSiO₂相を形成させた
後、炭素材料を1800〜2000℃で加熱することを
特徴とする細孔乃至微細孔内表面の少なくとも
一部が炭化珪素により被覆されている耐酸化性
に優れた炭素材料の製造方法（以下この方法を
本願第一発明という）。 細孔乃至微細孔を有する炭素材料にエチルシ
リケートを含浸し、熱処理して細孔乃至微細孔
内にSiO₂相を形成させた後、炭素材料を1800
〜2000℃で加熱することを特徴とする細孔乃至
微細孔内表面の少なくとも一部が炭化珪素によ
り被覆されている耐酸化性に優れた炭素材料の
製造方法（以下この方法を本願第二発明とい
う）。 細孔乃至微細孔を有する炭素材料にコロイダ
ルシリカを含浸し、熱処理して細孔乃至微細孔
内にSiO₂相を形成させた後、炭素材料を1800
〜2000℃で加熱することを特徴とする細孔乃至
微細孔内表面の少なくとも一部が炭化珪素によ
り被覆されている耐酸化性に優れた炭素材料の
製造方法（以下この方法を本願第三発明とい
う）。 細孔乃至微細孔を有する炭素材料に分相性ホ
ウケイ酸ガラスを含浸し、熱処埋および酸処理
して細孔乃至微細孔内にSiO₂相を形成させ、
次いでエチルシリケートを含有し、熱処理して
該細孔乃至微細孔内にさらにSiO₂相を形成さ
せた後、炭素材料を1800〜2000℃で加熱するこ
とを特徴とする細孔乃至微細孔内表面の少なく
とも一部が炭化珪素により被覆されている耐酸
化性に優れた炭素材料の製造方法（以下この方
法を本願第四発明という）。 細孔乃至微細孔を有する炭素材料に分相性ホ
ウケイ酸ガラスを含浸し、熱処理および酸処理
して細孔乃至微細孔内にSiO₂相を形成させ、
次いでコロイダルシリカを含浸し、熱処理して
該細孔乃至微細孔内にさらにSiO₂相を形成さ
せた後、炭素材料を1800〜2000℃で加熱するこ
とを特徴とする細孔乃至微細孔内表面の少なく
とも一部が炭化珪素により被覆されている耐酸
化性に優れた炭素材料の製造方法（以下この方
法を本願第五発明という）。 本発明方法により製造される炭素材料（以下単
に本発明の炭素材料という）は、該材料の細孔内
乃至微細孔内表面の少なくとも一部に炭化珪素が
被覆形成されたものである。 炭素材料は、炭素質のもの、黒鉛質のもの等い
ずれであつてもよく、またその形状も特に限定さ
れるものではなく、球状、円柱状、立方形状、直
方形状、網状等各種の形状が広い範囲で包含され
る。該炭素材料は、その内部に細孔及び微細孔を
有している。細孔及び微細孔径は、特に制限され
るものではないが、通常細孔径は1μｍ〜２mmの
範囲内であり、微細孔径は0.005〜1μｍである。
本発明の炭素材料は、該材料の細孔及び微細孔の
全表面に炭化珪素が被覆形成されたものであつて
も、該材料の細孔内乃至微細孔内表面の一部に炭
化珪素が被覆形成されたものであつてもよい。炭
素材料の細孔内乃至微細孔内表面の一部に炭化珪
素が被覆形成されている場合、炭化珪素の被覆割
合としては、特に限定されるものではないが、通
常炭素材料の細孔及び微細孔の全表面の40％以
上、好ましくは80％以上が被覆されているのがよ
い。 本発明の炭素材料は、該材料の細孔内に上記炭
化珪素の他、ホウケイ酸ガラス、分相性ホウケイ
酸ガラス等のガラス又はピツチ等が更に含浸され
たものであつてもよい。 本発明の炭素材料は、例えばまず原料となる炭
素材料の細孔内にSiO₂を充填し、次いでこれを
1800〜2000℃程度の高温下に熱処理することによ
り製造される。 本発明において原料として用いられる炭素質材
料としては、その材料は何等限定されず従来公知
のものをいずれも使用でき、例えば炭素質のも
の、黒鉛質のもの等を挙げることができる。また
該炭素材料の形状については特に制限がなく、球
状、円柱状、立方形状、直方形状、網状等各種の
形状が広い範囲で包含される。更にまた該炭素質
材料はそれが使用される用途によつて限定される
ことはなく公知のものを広く使用でき、例えば金
属の精練乃至加工に用いられる機械部品用炭素質
材料、黒鉛電極用炭素質材料、発熱体用炭素質材
料、摺動材用炭素質材料等を挙げることができ
る。 本発明の炭素材料の細孔内及び微細孔内の全表
面に炭化珪素を被覆形成されるためには、炭素質
材料の細孔内にできるだけ多くのSiO₂を充填さ
せておくことが必要であり、このためには本願第
一発明によることが好ましい。また、本願第四発
明および本願第五発明における様に、SiO₂相の
形成を複数回行なう場合にも、炭素質材料の細孔
乃至微細孔内に多量のSiO₂を充填させることが
できる。 分相性ホウケイ酸ガラスの分相化現象を利用し
てSiO₂を炭素質材料の細孔内に含浸させる本願
第一発明の方法をより具体的に示すと以下の通り
である。 まずオートクレーブの上部に炭素質材料を保持
し、下部に分相性ホウケイ酸ガラス（SiO₂含有
量55〜85％）の入つた容器を置く。真空ポンプで
減圧にしながら容器を加熱して分相性ホウケイ酸
ガラスを溶融させる。次にオートクレーブの上部
に保持している炭素質材料を溶融ガラス中に浸漬
する。次いでオートクレーブ内に窒素ガスを導入
し５〜100Kg／cm²に加圧し、炭素質材料の細孔内
へ分相性ガラスを含浸、充填する。該炭素質材料
を窒素ガス気流中に500〜650℃にて数十時間保持
し、ガラス中の成分を酸に可溶なB₂O₃・Na₂Oの
相と酸に不溶なSiO₂の相とに分相させる。その
後、該炭素質材料を硫酸等の酸性水溶液に10〜30
日間浸漬して酸に可溶なB₂O₃・Na₂Oの相を上記
酸性水溶液中に溶出させる。斯くしてその細孔内
にSiO₂含有量が75〜96％である多孔質高ケイ酸
ガラスが含浸、充填された炭素材料が製造され
る。 エチルシリケートを用いて炭素質材料の細孔内
にSiO₂を含浸させる本願第二発明の方法をより
具体的に示すと以下の通りである。 まず炭素質材料をエチルシリケートの水溶液に
室温下に浸漬した後、この系内を真空にする。次
いでこの炭素質材料を取出し、約100℃の室内に
数時間保持して加水分解を起させると同時に水分
の除去を行なう。この操作を10回程度繰返し行な
つて、細孔内にSiO₂が含浸された炭素質材料が
製造される。 コロイダルシリカを用いて炭素質材料の細孔内
にSiO₂を含浸させる本願第三発明方法は、エチ
ルシリケート水溶液の代りにコロイダルシリカを
使用する以外は、上記したエチルシリケートを用
いて炭素質材料の細孔内にSiO₂を含浸させる方
法と同様にして行なうことができる。 上記で得られるSiO₂が含浸、充填された炭素
質材料は、引き続き1800〜2000℃程度の高温下に
熱処理される。この熱処理は、窒素ガス気流中で
行なわれる。該熱処理により、炭素質材料の細孔
中に含浸、充填されたSiO₂が気相となつて、細
孔内表面を形成している炭素と反応してSiCを生
成し細孔表面を被覆すると共に、SiO₂が気相と
なつて微細孔内にも浸入し、微細孔内表面を形成
している炭素と反応してSiCを生成して微細孔内
表面を被覆するか、又は炭素質材料の細孔中に含
浸、充填されたSiO₂が既に細孔内表面を形成し
ている炭素と反応してSiC及び二酸化炭素を生成
し、この内のSiCが気相状となつて微細孔内に浸
入、微細孔内表面上に沈着して、本発明の炭素材
料が製造されることになる。 本願第四発明では、本願第一発明と同様にして
炭素質材料に対して分相性ホウケイ酸ガラスを使
用するSiO₂相の一次形成を行つた後、本願第二
発明と同様にしてエチルシリケートを使用する
SiO₂相の二次形成を行ない、引続き1800〜2000
℃程度の高温下に熱処理を行なえば良い。 また、本願第五発明では、本願第一発明と同様
にして炭素質材料に対して分相性ホウケイ酸ガラ
スを使用するSiO₂相の一次形成を行なつた後、
本願第三発明と同様にしてコロイダルシリカを使
用するSiO₂相の二次形成を行ない、引続き1800
〜2000℃程度の高温下に熱処理を行なえば良い。 また、上記の方法により得られる炭素材料（そ
の細孔内乃至微細孔内表面上に炭化珪素が被覆形
成された炭素材料）の細孔内に更に適当な組成の
ガラス、例えばSiO₂62.5％、B₂O₃27.28％、
Na₂O7.22％及びAl₂O₃3.00％からなる組成の分相
性ホウケイ酸ガラス、又はピツチ等を含浸させる
こともできる。この含浸方法には、従来公知の方
法を広く適用できる。斯くして製造される炭素材
料も本発明の炭素材料に包含される。 発明の効果 本発明の炭素材料は、約800〜1600℃の広範囲
の温度領域において優れた耐酸化性を具備してい
るものである。また本発明の炭素材料は、不浸透
性、耐薬品性、機械的強度等の点においても優れ
ている。従つて本発明の炭素材料は、800〜1600
℃の範囲の温度領域で使用される金属精練用乃至
加工用機械部品、黒鉛電極、ルツボ等広範な分野
に好適に使用し得るものである。 実施例 以下に実施例を掲げて本発明をより一層明らか
にする。 実施例 １ (1) 原 料 炭素質材料としてカサ密度1.61ｇ／cm³、電気
比抵抗751μΩcm、曲げ強度78Kgｆ／cm²、圧縮強
度155Kgｆ／cm²、弾性率793Kgｆ／mm²、気孔率
26.9％、粘性流拡散係数B_O2.5×10^-8cm²及び熱
膨脹係数4.5×10^-6／℃なる特性を有する黒鉛
電極のニツプル材を用いる。 また分相性ホウケイ酸ガラスとして
SiO₂62.50％、B₂O₃27.28％、Na₂O7.22％及び
Al₂O₃3.00％なる組成のガラスを使用する。こ
のガラスの熱膨脹係数は4.6×10^-6／℃であり、
また、1240℃における粘度は20ポイズである。 (2) 含浸処理 カンタル発熱体を内臓した圧力容器（直径30
cm、高さ60cm）の上部に保持された耐熱性特殊
鋼製カゴに上記炭素質材料（直径15cm、高さ24
cm）を入れ、また上記ガラスを該容器の下部に
入れる。該容器を５mmHgまで減圧にし、約５
℃／分の割合で昇温する。温度は圧力容器の底
部から差し入れた熱電対で測定する。 1250℃まで昇温し、この温度に10分間保持
し、次いで容器の上部に保持された耐熱性特殊
鋼製カゴを下げて溶融状態にあるガラス中に炭
素質材料を浸漬する。次に減圧ポンプを止め、
容器内の気圧が50Kg／cm²となるように窒素ガス
を圧入し、約１時間該温度を保持する。次に該
耐熱性特殊鋼製カゴを引き下げ、容器内の圧力
を１気圧に戻し、炭素質材料を圧力容器から取
出した後自然放冷し、炭素質材料の表面に付着
したガラスを削り落す。この炭素材料を「炭素
材料Ａ」という。 上記で得られる炭素材料Ａを25c.c.／分の窒素
気流中５℃／分の昇温速度で550℃まで昇温し、
この温度で48時間保持し、該炭素材料中のガラ
ス部分のSiO₂相とB₂O₃、Na₂O、Al₂O₃相とを
分相させ、常温に戻す。次いで該炭素材料を90
℃の1N−硫酸水溶液に浸漬し、SiO₂相と分相
しているB₂O₃、Na₂O、Al₂O₃相を溶出するた
めに10日間保持した後、該材料を水洗する。上
記の処理により炭素材料中に含浸されているガ
ラスは溶出された部分によつて多孔質となつて
いる。この炭素材料（この炭素材料を以下「炭
素材料Ｂ」という）中に含浸されている多孔質
高ケイ酸ガラスの組成は、SiO₂95.36％、
B₂O₃4.02％、Na₂O0.15％、Al₂O₃0.47％であ
る。 (3) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面上への
SiCの生成 上記(2)で得られる炭素材料Ｂを、周波数
300KHzの高周波誘導炉を用い、窒素ガス25
cm³／分の気流中、100℃／分の速度で1950℃ま
で昇温させ、この温度で30分間保持して熱処理
することによつて、細孔内乃至微細孔内表面上
に炭化珪素が被覆形成された本発明の炭素材料
を得る。該炭素材料は、細孔及び微細孔の全表
面の約85％が被覆されたものである。 上記で得られる本発明の炭素材料の各種特性
を下記第１表に示す。この第１表には、原料と
して用いられた炭素質材料の各種特性をも併せ
て示す。

【表】 実施例 ２ (1) 原 料 炭素質材料としてカサ密度1.66ｇ／cm³、電気
比抵抗1218μΩcm、曲げ強度361Kgｆ／cm²、圧縮
強度698Kgｆ／cm²、弾性率1191Kgｆ／mm²、気孔
率25.3％及び熱膨脹係数6.0×10^-6／℃なる特性
を有する機械用炭素質材料を用いる。 エチルシリケートの水溶液は、次のようにし
て調製する。即ち試薬１級のエチルシリケート
を用い、重量比にしてエチルシリケート64％、
水22％及びエチルアルコール14％の混合溶液を
作る。この混合溶液100mlに対し0.5％塩酸水溶
液1.5mlを加えてエチルシリケートの水溶液と
する。 (2) 含浸処理 上記炭素質材料をエチルシリケートの水溶液
に浸漬し、真空ポンプで1torrにした室内で１
時間放置する。その後、該材料を取り出し、
100℃の室内に入れ、加水分解の促進と乾燥の
ために４時間放置する。このような含浸処理を
10回繰返して行なう。 (3) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面上への
SiCの生成 上記(2)で得られる炭素材料を、周波数300K
Hzの高周波誘導炉を用い、窒素ガス25cm³／分の
気流中、100℃／分の速度で1950℃まで昇温さ
せ、この温度で30分間保持して熱処理すること
によつて、細孔内乃至微細孔内表面上に炭化珪
素が被覆形成された本発明の炭素材料を得る。
該炭素材料は、細孔及び微細孔の全表面の約80
％が被覆されたものである。 上記で得られる本発明の炭素材料の各種特性
を下記第２表に示す。この第２表には、原料と
して用いられた炭素質材料の各種特性をも併せ
て示す。

【表】

【表】 実施例 ３ (1) 原 料 炭素質材料としてカサ密度1.61ｇ／cm³、電気
比抵抗751μΩcm、曲げ強度78Kgｆ／cm²、圧縮強
度155Kgｆ／cm²、弾性率793Kgｆ／mm²、気孔率
26.9％及び熱膨脹係数4.5×10^-6／℃なる特性を
有する黒鉛電極のニツプル材を用いる。 コロイダルシリカは、次のようにして調製す
る。即ち試薬１級のエチルシリケートを用い、
SiO₂成分が40％であつて、0.05〜0.2ｍμの球
状の大きさの粒子が水中に分散するようにコロ
イド状の液体とする。 (2) 含浸処理 上記炭素質材料をコロイダルシリカに浸漬
し、真空ポンプで1torrにした室内で１時間放
置する。その後、該材料を取り出し、100℃の
室内に入れ、水分の除去と乾燥のために４時間
放置する。このような含浸処理を10回繰返して
行なう。 (3) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面上への
SiCの生成 上記(2)で得られる炭素材料を、周波数300K
Hzの高周波誘導炉を用い、窒素ガス25cm³／分の
気流中、100℃／分の速度で1950℃まで昇温さ
せ、この温度で30分間保持して熱処理すること
によつて、細孔内乃至微細孔内表面上に炭化珪
素が被覆形成された本発明の炭素材料を得る。
該炭素材料は、細孔及び微細孔の全表面の約80
％が被覆されたものである。 上記で得られる本発明の炭素材料の各種特性
を下記第３表に示す。この第３表には、原料と
して用いられた炭素質材料の各種特性をも併せ
て示す。

【表】

【表】 実施例 ４ (1) 原 料 炭素質材料として実施例１と同じ炭素質材料
を使用する。分相性ホウケイ酸ガラスとして実
施例１と同じ分相性ホウケイ酸ガラスを使用
し、また実施例２と同じエチルシリケート水溶
液を使用する。 (2) 第一次の含浸処理 実施例１における含浸処理と同様にして炭素
材料中に多孔質高ケイ酸ガラスを含浸させる。 (3) 第二次の含浸処理 上記(2)で得られる多孔質高ケイ酸ガラス含浸
炭素材料を、エチルシリケートの水溶液を使用
して実施例２と同様に含浸処理する。 (4) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面上への
SiCの生成 上記(3)で得られる炭素材料を、周波数300K
Hzの高周波誘導炉を用い、窒素ガス25cm³／分の
気流中、100℃／分の速度で1950℃まで昇温さ
せ、この温度で30分間保持して熱処理すること
によつて、細孔内及び微細孔内表面上に炭化珪
素が被覆形成された本発明の炭素材料を得る。
該炭素材料は、細孔及び微細孔の全表面の約90
％が被覆されたものである。 上記で得られる本発明の炭素材料の各種特性
を下記第４表に示す。この第４表には、原料と
して用いられた炭素質材料の各種特性をも併せ
て示す。

【表】

【表】 実施例 ５ (1) 原 料 炭素質材料として実施例２と同じ炭素質材料
を使用する。分相性ホウケイ酸ガラスとして実
施例と同じ分相性ホウケイ酸ガラスを使用す
る。 (2) 含浸処理 実施例１における含浸処理と同様にして炭素
材料中に多孔質高ケイ酸ガラスを含浸させる。 (3) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面上への
SiCの生成 上記(2)で得られる炭素材料を、周波数300K
Hzの高周波誘導炉を用い、窒素ガス25cm³／分の
気流中、100℃／分の速度で1950℃まで昇温さ
せ、この温度で30分間保持して熱処理すること
によつて、細孔内乃至微細孔内表面上に炭化珪
素が被覆形成された本発明の炭素材料を得る。
該炭素材料は、細孔及び微細孔の全表面の約85
％が被覆されたものである。 (4) 再度の含浸処理 SiCの生成後の炭素材料に、SiO₂62.50％、
B₂O₃27.28％、Na₂O7.22％及びAl₂O₃3.00％な
る組成のホウケイ酸ガラスを下記に示す方法で
含浸させる。 カンタル発熱体を内臓した圧力容器（直径30
cm、長さ60cm）の上部に保持された耐熱性特殊
鋼製カゴに上記(3)で得られる炭素質材料（直径
15cm、長さ24cm）を入れ、また上記ガラスを該
容器の下部に入れる。該容器を５mmHgまで減
圧にし、約５℃／分の割合で昇温する。温度は
圧力容器の底部から差し入れた熱電対で測定す
る。1250℃まで昇温し、この温度で10分間保持
し、次いで容器の上部に保持された耐熱性特殊
鋼製カゴを下げて溶融状態にあるガラス中に炭
素質材料を浸漬する。次に減圧ポンプを止め、
容器内の気圧が50Kg／cm²となるように窒素ガス
を圧入し、約１時間該温度を保持する。次に該
耐熱性特殊鋼製カゴを引き上げ、容器内の圧力
を１気圧に戻し、炭素材料を圧力容器から取出
した後自然放冷し、炭素材料の表面に付着した
ガラスを削り落して、本発明の炭素材料を得
る。 上記で得られる本発明の炭素材料の各種特性
を下記第５表に示す。この第５表には、原料と
して用いられた炭素質材料の各種特性をも併せ
て示す。

【表】 実施例 ６ (1) 原 料 炭素質材料としてネツト状多孔性炭素質材料
を使用する。このネツト状多孔性炭素質材料
は、次のようにして作成されたものである。 即ち、0.02ｇ／cm³のカサ密度を有する発泡ポ
リウレタンに400〜600分子量にまで縮重合反応
が進んでいるフルフリルアルコールを一様に付
着させる。該材料を60℃で10日間熱処理し、更
に120℃で60日間熱処理してフルフリルアルコ
ールの低温での縮重合反応を可能なかぎり進め
ておく。この時の該材料のカサ密度は0.13ｇ／
cm³である。 次に該材料を15℃／hrの速度で1000℃まで昇
温し、この温度に２時間保持して高温での縮重
合と炭化を行なう。斯くしてカサ密度0.07ｇ／
cm³のネツト状多孔性炭素質材料を得る。 またエチルシリケートの水溶液は、実施例２
と同じものを使用する。 (2) 含浸処理 実施例２と同様にして含浸処理を行なう。 (3) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面上への
SiCの生成 上記(2)で得られる炭素材料を、周波数300K
Hzの高周波誘導炉を用い、窒素ガス25cm³／分の
気流中、100℃／分の速度で1950℃まで昇温さ
せ、この温度で30分間保持して熱処理すること
によつて、細孔内乃至微細孔内表面上に炭化珪
素が被覆形成された本発明の炭素材料を得る。
該炭素材料は、細孔及び微細孔の全表面の約
100％が被覆されたものである。 上記で得られる本発明の炭素材料の各種特性
を下記第６表に示す。この第６表には、原料と
して用いられたネツト状多孔性炭素質材料の各
種特性をも併せて示す。

【表】 実施例 ７ (1) 原 料 炭素質材料として実施例６と同じネツト状多
孔性炭素質材料を使用する。 界面活性剤〔商品名デモール、花王(株)製〕
0.01％及びにかわ５％を含有する水100重量部、
エチルシリケートを100℃で加水分解すること
によつて生成したシリカを１ｍμ以下に粉砕し
たもの18重量部及び粒径約１ｍμのカーボンブ
ラツク２重量部の混合液を、含浸のための浸漬
液とする。 (2) 含浸処理 ネツト状多孔性炭素質材料を上記浸漬液に浸
漬し、真空ポンプで1torrにした室内で１時間
放置する。その後、該材料を取り出し、100℃
の室内に入れ、乾燥のために４時間放置する。
このような含浸処理を５回繰返して行なう。含
浸後のカサ密度は0.22ｇ／cm³である。 (3) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面上への
SiCの生成 上記(2)で得られる炭素材料を、周波数300K
Hzの高周波誘導炉を用い、窒素ガス25cm³／分の
気流中、100℃／分の速度で1950℃まで昇温さ
せ、この温度で30分間保持して熱処理すること
によつて、細孔内乃至微細孔内表面上に炭化珪
素が被覆形成された本発明の炭素材料を得る。
該炭素材料は、細孔及び微細孔の全細孔の全表
面100％が被覆されたものである。 上記で得られる本発明の炭素材料の各種特性
を下記第７表に示す。この第７表には、原料と
して用いられたネツト状多孔性炭素質材料の各
種特性をも併せて示す。

【表】 実施例 ８ (1) 原 料 炭素質材料として下記の方法で得られる三重
構造の炭素材料を使用する。 即ち、上記実施例６で得た炭素材料の表面に
再度400〜600分子量にまで縮重合反応が進んで
いるフルフリルアルコールを一様に付着させ
る。この炭素材料を60℃で10日間熱処理し、更
に120℃で60日間熱処理してフルフリルアルコ
ールの低温での縮重合反応を可能なかぎり進め
ておく。 次に該炭素材料を15℃／hrの速度で1000℃ま
で昇温し、この温度に２時間保持して高温での
縮重合と炭化を行なう。斯くして炭素質を中心
に炭化珪素で被覆され、更にその表面に炭素質
で覆われた材料、即ち三重構造を有する炭素材
料を得る。該材料のカサ密度は0.11ｇ／cm³であ
る。 またエチルシリケートの水溶液は、実施例２
と同じものを使用する。 (2) 含浸処理 実施例２と同様にして含浸処理を行なう。 (3) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面上への
SiCの生成 上記(2)で得られる炭素材料を、周波数300K
Hzの高周波誘導炉を用い、窒素ガス25cm³／分の
気流中、100℃／分の速度で1950℃まで昇温さ
せ、この温度で30分間保持して熱処理すること
によつて、細孔内乃至微細孔内全表面上に炭化
珪素が被覆形成された本発明の炭素材料（四重
構造を有する炭素材料）を得る。 上記で得られる本発明の炭素材料の各種特性
を下記第８表に示す。この第８表には、原料と
して用いられたネツト状多孔性炭素質材料の各
種特性を併せて示す。

【表】 耐酸化性試験 周波数300KHzの高周波誘導炉を使用し、上記
各実施例で得られる本発明炭素材料の耐酸化性
（高温での安定性）を下記の方法により測定する。
即ち、800℃、1000℃、1200℃、1400℃及び1600
℃の各温度に、窒素ガスを50ml／分の割合で流し
ながら10℃／分の割合で昇温させ、それぞれの温
度に達した時、窒素ガスを空気に切り代えて（流
量は同じ）その温度で120分保持する。その後再
び窒素ガスに切り代え、自然放冷する。それぞれ
の温度で熱処理した上記各材料の重量減少率を測
定して酸化率（％）とする。その結果を下記第９
表に示す。 尚、比較のために炭素材料Ａ及び炭素材料Ｂに
ついても、上記と同様にして酸化率を求め、その
結果も第９表に併せて示す。

【表】

【表】 実施例 ９ (1) 原 料 炭素質材料としては、実施例２と同様の炭素
質材料を使用する。 分相性ホウケイ酸ガラスとしては、実施例１
と同様の分相性ホウケイ酸ガラスを使用する。 コロイダルシリカとしては、実施例３と同様
のコロイダルシリカを使用する。 (2) 第一次含浸処理 実施例１と同様の手法により、炭素材料に多
孔質高ケイ酸ガラスを含浸させる。 (3) 第二次含浸処理 実施例３と同様の手法により、上記(2)で得ら
れた多孔質高ケイ酸ガラス含浸炭素材料にコロ
イダルシリカを含浸させる。 (4) 炭素材料の細孔内乃至微細孔内表面へのSiC
の生成 上記(3)で得られた炭素材料を300KHzの高周
波誘導炉を使用して、窒素ガス25cm³／分の気流
中100℃／分の速度で2000℃まで昇温させ、同
温度に30分間保持して熱処理することにより、
細孔内表面上および微細孔内表面上に炭化珪素
が被覆形成された炭素材料を得る。 得られた炭素材料は、細孔および微細孔の全
表面の約92％が被覆されたものである。 上記で得られた本発明による炭素材料の各種
物性を下記第10表に示す。なお、第10表には、
原料として使用した炭素材料の各種物性を併せ
て示す。

【表】

【表】 次に、本実施例で得られた炭素材料の耐酸化性
（高温での安定性）を上記の条件下に耐酸化性試
験に供した。 各試験温度における重量減少率（酸化率）を下
記第11表に示す。 第11表 熱処理温度（℃） 酸化率（％） 800 10.5 1000 11.2 1200 10.3 1400 10.9 1600 11.7 第11表に示す結果から、本実施例による炭素材
料の極めて優れた耐酸化性が明らかである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 細孔乃至微細孔を有する炭素材料に分相性ホ
   ウケイ酸ガラスを含浸し、熱処理および酸処理し
   て細孔乃至微細孔内にSiO₂相を形成させた後、
   炭素材料を1800〜2000℃で加熱することを特徴と
   する細孔乃至微細孔内表面の少なくとも一部が炭
   化珪素により被覆されている耐酸化性に優れた炭
   素材料の製造方法。 ２ 細孔乃至微細孔を有する炭素材料にエチルシ
   リケートを含浸し、熱処理して細孔乃至微細孔内
   にSiO₂相を形成させた後、炭素材料を1800〜
   2000℃で加熱することを特徴とする細孔乃至微細
   孔内表面の少なくとも一部が炭化珪素により被覆
   されている耐酸化性に優れた炭素材料の製造方
   法。 ３ 細孔乃至微細孔を有する炭素材料にコロイダ
   ルシリカを含浸し、熱処理して細孔乃至微細孔内
   にSiO₂相を形成させた後、炭素材料を1800〜
   2000℃で加熱することを特徴とする細孔乃至微細
   孔内表面の少なくとも一部が炭化珪素により被覆
   されている耐酸化性に優れた炭素材料の製造方
   法。 ４ 細孔乃至微細孔を有する炭素材料に分相性ホ
   ウケイ酸ガラスを含浸し、熱処理および酸処理し
   て細孔乃至微細孔内にSiO₂相を形成させ、次い
   でエチルシリケートを含浸し、熱処理して該細孔
   乃至微細孔内にさらにSiO₂相を形成させた後、
   炭素材料を1800〜2000℃で加熱することを特徴と
   する細孔乃至微細孔内表面の少なくとも一部が炭
   化珪素により被覆されている耐酸化性に優れた炭
   素材料の製造方法。 ５ 細孔乃至微細孔を有する炭素材料に分相性ホ
   ウケイ酸ガラスを含浸し、熱処理および酸処理し
   て細孔乃至微細孔内にSiO₂相を形成させ、次い
   でコロイダルシリカを含浸し、熱処理して該細孔
   乃至微細孔内にさらにSiO₂相を形成させた後、
   炭素材料を1800〜2000℃で加熱することを特徴と
   する細孔乃至微細孔内表面の少なくとも一部が炭
   化珪素により被覆されている耐酸化性に優れた炭
   素材料の製造方法。