JPS5980928A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5980928A JPS5980928A JP19075382A JP19075382A JPS5980928A JP S5980928 A JPS5980928 A JP S5980928A JP 19075382 A JP19075382 A JP 19075382A JP 19075382 A JP19075382 A JP 19075382A JP S5980928 A JPS5980928 A JP S5980928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- impurity
- gas
- diffusion
- glass layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくは熱処
理工程に関するものである。
理工程に関するものである。
一般に、半導体装置は酸化、フォトエツチングおよび不
純物拡散をくυ返して製造されるが、この場合半導体基
板裏面に形成された熱酸化膜は通常のフォトエツチング
において全面的に除去されるのが一般的である。このよ
うな半導体基板を使用して数回の不純物拡散を行うと、
半導体基板の裏面には常に不純物が拡散されることにな
る。したがって、半導体基板裏面の不純物濃度は高くな
シ、時として熱処理中に裏面から不純物が飛出（以下「
外方拡散」と呼ぶ）し、同時熱処即を行っている他の半
導体基板表面に外方拡散した不純物が付着・拡散し、そ
の結果電気的特性に悪影響を及はすことがある。
純物拡散をくυ返して製造されるが、この場合半導体基
板裏面に形成された熱酸化膜は通常のフォトエツチング
において全面的に除去されるのが一般的である。このよ
うな半導体基板を使用して数回の不純物拡散を行うと、
半導体基板の裏面には常に不純物が拡散されることにな
る。したがって、半導体基板裏面の不純物濃度は高くな
シ、時として熱処理中に裏面から不純物が飛出（以下「
外方拡散」と呼ぶ）し、同時熱処即を行っている他の半
導体基板表面に外方拡散した不純物が付着・拡散し、そ
の結果電気的特性に悪影響を及はすことがある。
事実、ｎｐｎ バイポーラ型半導体集積回路装置の製
造工程において、特に分離を不純物拡散で行う集積回路
にあっては、埋め込み拡散時のＳｌ）やＡｓなとのＮ型
の高濃度不純物や、次いで行われる分離拡散工程時のポ
ロンなどのＰ型の不純物が次々と半導体基板の裏面に拡
散され、その裏面に非常に高濃度の不純物層が形成され
る。その結果、続いて行われるペース拡散の工程におい
て、前記裏面の高濃度不純物層からｎ型不純物が外方拡
散し、同時に処理を行っている他の基板の表面、あるい
は自分自身の表面へ付着し拡散されペース頭載の不純物
プロファイル′ｆｒ：変形させ、その結果、著しく電気
的特性を損なうという問題点がある。
造工程において、特に分離を不純物拡散で行う集積回路
にあっては、埋め込み拡散時のＳｌ）やＡｓなとのＮ型
の高濃度不純物や、次いで行われる分離拡散工程時のポ
ロンなどのＰ型の不純物が次々と半導体基板の裏面に拡
散され、その裏面に非常に高濃度の不純物層が形成され
る。その結果、続いて行われるペース拡散の工程におい
て、前記裏面の高濃度不純物層からｎ型不純物が外方拡
散し、同時に処理を行っている他の基板の表面、あるい
は自分自身の表面へ付着し拡散されペース頭載の不純物
プロファイル′ｆｒ：変形させ、その結果、著しく電気
的特性を損なうという問題点がある。
したがって、外方拡散を防ぐため、１半導体基板裏面の
高調度不純物層のエツチング除去ｊ、襲「不純物拡散時
に基板裏面の酸化膜を残し、裏面に不純物が拡散されな
いようにする」または［１回の熱処理で処理する基板枚
数を少なくし、基板間隔をあけるコなどの手段が必要と
なシ、工程の冷大や歩留シ低下または一括処理枚数を多
くすることができないなどの欠点があった。
高調度不純物層のエツチング除去ｊ、襲「不純物拡散時
に基板裏面の酸化膜を残し、裏面に不純物が拡散されな
いようにする」または［１回の熱処理で処理する基板枚
数を少なくし、基板間隔をあけるコなどの手段が必要と
なシ、工程の冷大や歩留シ低下または一括処理枚数を多
くすることができないなどの欠点があった。
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、従来に比較
して簡単に、かつ基板の一括処理枚数に制限が加わった
シすることなしに、熱処理中に不純物が基板から飛出し
たシ、雰囲気中から不要外不純物が基板内に入シ込まな
いようにすることができる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
して簡単に、かつ基板の一括処理枚数に制限が加わった
シすることなしに、熱処理中に不純物が基板から飛出し
たシ、雰囲気中から不要外不純物が基板内に入シ込まな
いようにすることができる半導体装置の製造方法を提供
することを目的とする。
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。
まず、＠１の実施例について説明する。第１の実施例は
、パイポーラトランミノスタのペース拡散を例にとる。
、パイポーラトランミノスタのペース拡散を例にとる。
通常ペース拡散は、■不純物を基板に低温で軽くドープ
する工程と、■前記不純物を■の工程よシ高温で熱処理
し、再拡散する工程との２工程に分けて行う。
する工程と、■前記不純物を■の工程よシ高温で熱処理
し、再拡散する工程との２工程に分けて行う。
第１図は、■の工程によシネ鈍物を軽くドープした基板
の断面図であ）、１は半導体基板、２はホトリソ技術で
窓あけされｆＣ，酸化膜、３は軽くドープされたゾロン
、４は基板裏面の高濃度不純物層である。この高濃度不
純物層４には、埋め込み拡散時のＳｂ９分離拡散時のボ
ロン、ペース拡散時に軽くドープされたゾロンなどの不
純物を含む。
の断面図であ）、１は半導体基板、２はホトリソ技術で
窓あけされｆＣ，酸化膜、３は軽くドープされたゾロン
、４は基板裏面の高濃度不純物層である。この高濃度不
純物層４には、埋め込み拡散時のＳｂ９分離拡散時のボ
ロン、ペース拡散時に軽くドープされたゾロンなどの不
純物を含む。
次に、第２図に示すような拡散装置を用いて■の再拡散
の工程を行うが、第１の実施例では、まず、不純物を含
まないガラス層の形成を行い、次に再拡散を行う。
の工程を行うが、第１の実施例では、まず、不純物を含
まないガラス層の形成を行い、次に再拡散を行う。
すなわち、第２図において、５は石英で作られた炉芯管
すなわち熱拡散反応管、６はこの反応管５を加熱するヒ
ータであシ、予め反応管５を５００゛（ ℃〜７００℃の比較的低温に制御しておく。そして、拡
散が一ドアに、第１図で示したように拡散すべき位置に
不純物が軽くドーグされた半導体基板ｌを装填して、そ
れらを反応管５内に挿入する。
すなわち熱拡散反応管、６はこの反応管５を加熱するヒ
ータであシ、予め反応管５を５００゛（ ℃〜７００℃の比較的低温に制御しておく。そして、拡
散が一ドアに、第１図で示したように拡散すべき位置に
不純物が軽くドーグされた半導体基板ｌを装填して、そ
れらを反応管５内に挿入する。
次いで、ガス注入口８からＳｉＨガスを、また０！注入
口９から０２ガスをそれぞれ反応管５内に注入する。す
ると、注入されたＳｉＨガスと０２ガスとは反応管５的
において Ｓ ｉ Ｈ４＋２０２→５ｔ（ｈ ＋２Ｈ２０の反応を
起し、その結果、第３図に示すように、半導体基板ｌの
表裏面に不純物を含まないガラス層１３が形成される。
口９から０２ガスをそれぞれ反応管５内に注入する。す
ると、注入されたＳｉＨガスと０２ガスとは反応管５的
において Ｓ ｉ Ｈ４＋２０２→５ｔ（ｈ ＋２Ｈ２０の反応を
起し、その結果、第３図に示すように、半導体基板ｌの
表裏面に不純物を含まないガラス層１３が形成される。
次いで、ガス注入口８からのＳｉＨガスを停止する一方
、注入口９がらの０２ガス、注入口１１からのＨ２ガス
ならひ忙注入口１２からのＮ２などの不活性ガスを反応
管５に注入する。
、注入口９がらの０２ガス、注入口１１からのＨ２ガス
ならひ忙注入口１２からのＮ２などの不活性ガスを反応
管５に注入する。
同時に、反応管５の温度を徐々に上昇させ、ガラス層１
３を形成した温度よシ高（事の９ｏｏ℃〜１２００℃に
コントロールし、第１図に示す軽くドーグされたボロン
３の再拡散を行う。しかる後、反応管５の温度を７００
’Ｃ〜９５０℃の比較的低温になるまで徐々に下け、そ
の後、半導体基板１を反応管５から取シ出し、不純物を
再拡散する工程を終了させる。
３を形成した温度よシ高（事の９ｏｏ℃〜１２００℃に
コントロールし、第１図に示す軽くドーグされたボロン
３の再拡散を行う。しかる後、反応管５の温度を７００
’Ｃ〜９５０℃の比較的低温になるまで徐々に下け、そ
の後、半導体基板１を反応管５から取シ出し、不純物を
再拡散する工程を終了させる。
なお、第２図において、ｌｏは７０〜メータである。
以上のような第１の実施例によれば、半導体基板１裏面
の高調度不純物層４がガラス層１３で覆われるとともに
、表面の、ホトリソ技術で酸化膜２に窓あけされた部分
もガラス層１３で覆ゎれ、その状態で再拡散（熱処理）
の工程が行われる。
の高調度不純物層４がガラス層１３で覆われるとともに
、表面の、ホトリソ技術で酸化膜２に窓あけされた部分
もガラス層１３で覆ゎれ、その状態で再拡散（熱処理）
の工程が行われる。
したがって、再拡散工程において、第４図で示すような
不純物の基板１裏面からの外方拡散、および雰囲気中の
不要な不純物が基板１に取シ込まれる現象がなくなシ、
不純物分布を正確に制御することかでき、最終特性の抵
抗値や、バイポーラ型トランジスタのｈＦＥおよび遅延
時間などの電気的特性を再現性よく安定に得るこくがで
きる。
不純物の基板１裏面からの外方拡散、および雰囲気中の
不要な不純物が基板１に取シ込まれる現象がなくなシ、
不純物分布を正確に制御することかでき、最終特性の抵
抗値や、バイポーラ型トランジスタのｈＦＥおよび遅延
時間などの電気的特性を再現性よく安定に得るこくがで
きる。
第５図Ｕペース領域の不純物のグロファイルヲ示す。第
５図（４）はこの発明の第１の実施例にょシ作られた試
料によるもの、第５図（［３）は従来の工程により作ら
れた試料によるものであシ、それぞれイオン・マイクロ
−アナライザ（Ｉｏ’ｎ ＭｉｃｒθＡｎａ−１ｙｚｅ
ｒ ） Ｋよル測輩された結果である。第５１６（Ｂ）
のリン（Ｐ）６４度は異常に高く、そのプロファイルは
ガウス分布の形状を示しているが、これは第４は１に示
す「リンの外方拡散ｊの影粋によるものである。これに
対して、この発明の第１の実施例によシ作られた資料に
よる第５図（４）では「リンの外方拡散」の影響は認め
られない。
５図（４）はこの発明の第１の実施例にょシ作られた試
料によるもの、第５図（［３）は従来の工程により作ら
れた試料によるものであシ、それぞれイオン・マイクロ
−アナライザ（Ｉｏ’ｎ ＭｉｃｒθＡｎａ−１ｙｚｅ
ｒ ） Ｋよル測輩された結果である。第５１６（Ｂ）
のリン（Ｐ）６４度は異常に高く、そのプロファイルは
ガウス分布の形状を示しているが、これは第４は１に示
す「リンの外方拡散ｊの影粋によるものである。これに
対して、この発明の第１の実施例によシ作られた資料に
よる第５図（４）では「リンの外方拡散」の影響は認め
られない。
した矛五って、この発明の第１の実施例によれば、外方
拡散を防ぐために行われている「半導体基板裏面の高６
″達度不純物層のエツチング除去」、［不純物拡散時に
基板裏面の酸化膜を残し、裏面に不純物が拡散されない
ようにする」または［１回の熱処理で処理する基板枚数
を少疫くし、基板間隔をあける」などの方法を行うこと
なく加印にして、かつ、多数の基板１を一括して、しか
も、その基板１および反応管５を不純物により汚すこと
なく、熱処理を行うことが可能となシ、その結果安定し
た不純物プロファイルを得ることができる。
拡散を防ぐために行われている「半導体基板裏面の高６
″達度不純物層のエツチング除去」、［不純物拡散時に
基板裏面の酸化膜を残し、裏面に不純物が拡散されない
ようにする」または［１回の熱処理で処理する基板枚数
を少疫くし、基板間隔をあける」などの方法を行うこと
なく加印にして、かつ、多数の基板１を一括して、しか
も、その基板１および反応管５を不純物により汚すこと
なく、熱処理を行うことが可能となシ、その結果安定し
た不純物プロファイルを得ることができる。
第１の実施例では、表面保腹のためのガラス層の形成を
ＳｉＨ４と０２の反応によって得た。しかしながら、第
１の実施例で掲げた「リンの外方拡散」に限るならば、
実質的に基板に影響・を与えるほどにこの現象が生じる
臨界温度が、９００℃を越える温度以上９５０℃以下で
あるため、水蒸気酸化によって前記ガラス層を形成して
もよい。
ＳｉＨ４と０２の反応によって得た。しかしながら、第
１の実施例で掲げた「リンの外方拡散」に限るならば、
実質的に基板に影響・を与えるほどにこの現象が生じる
臨界温度が、９００℃を越える温度以上９５０℃以下で
あるため、水蒸気酸化によって前記ガラス層を形成して
もよい。
ガラス層の形成を水蒸気酸化にして、第１の実施例と同
様にペース拡散を行う場合を第２の実施例として以下に
述べる。まず、第１の実施例と同様に、既知のホトリソ
技術で選択拡散法により不純物を軽くドープした基板を
第１の実施例と同様に熱拡散反応管に挿入するが、この
時の温度を約９００℃とする。次に、約１０分間程、Ｈ
２と０２オたはＨ２Ｏ（ガス）と０２を流して半導体基
板の表裏面を酸化することにより、その表裏面にガラス
層を形成する。この時、９００℃の温度では、基板内の
リン原子は、実質的に基板に影響を与えるほどの外方拡
散をしない仁とが実し的に確められている。その後、第
１の実施例と同様に、既知の技術によシ知られている適
切なガス、たとえばドライ０鵞を流しながら昇温して必
要な熱処理を行い、不純物の再拡散を行う。この時、水
蒸気酸化で生成されたガラス層であっても、そのガラス
層は外方拡散防１１］膜としての役割を充分果す。した
がって、不純物拡散を正ＮＭ Ｋ制御でき、拘現性を向
上できる。
様にペース拡散を行う場合を第２の実施例として以下に
述べる。まず、第１の実施例と同様に、既知のホトリソ
技術で選択拡散法により不純物を軽くドープした基板を
第１の実施例と同様に熱拡散反応管に挿入するが、この
時の温度を約９００℃とする。次に、約１０分間程、Ｈ
２と０２オたはＨ２Ｏ（ガス）と０２を流して半導体基
板の表裏面を酸化することにより、その表裏面にガラス
層を形成する。この時、９００℃の温度では、基板内の
リン原子は、実質的に基板に影響を与えるほどの外方拡
散をしない仁とが実し的に確められている。その後、第
１の実施例と同様に、既知の技術によシ知られている適
切なガス、たとえばドライ０鵞を流しながら昇温して必
要な熱処理を行い、不純物の再拡散を行う。この時、水
蒸気酸化で生成されたガラス層であっても、そのガラス
層は外方拡散防１１］膜としての役割を充分果す。した
がって、不純物拡散を正ＮＭ Ｋ制御でき、拘現性を向
上できる。
以上実施例で詳述しブヒようにこの発明の半導体装置の
製造方法でｔよ、半導体基板上に不純物を含まないガラ
ス層全形成し、その状態で昇温して必要とされる熱処理
を行う。したがって、従来に比較して簡単に、しかも、
基板の一括処理枚数忙制限が加わったシすることなしに
、熱処理中に不純物が基板から飛出したシ、称囲気から
不要な不純物が基板内に入シ込まないようにすることが
できる。なお、この発明の方法は、パイ？−ラ型半導体
集積回路装置の製造方法以外にも応用できることはいう
までもない。
製造方法でｔよ、半導体基板上に不純物を含まないガラ
ス層全形成し、その状態で昇温して必要とされる熱処理
を行う。したがって、従来に比較して簡単に、しかも、
基板の一括処理枚数忙制限が加わったシすることなしに
、熱処理中に不純物が基板から飛出したシ、称囲気から
不要な不純物が基板内に入シ込まないようにすることが
できる。なお、この発明の方法は、パイ？−ラ型半導体
集積回路装置の製造方法以外にも応用できることはいう
までもない。
第１図は不純物を軽くドープした基板の断面図、第２図
は拡散装置を示す構成図、第３図は基板の表裏面にガラ
ス層を形成した状態を示す断面図、第４図は再拡散工程
において不純物が基板裏面から外方拡散する様子を示す
図、第５図はペース領域の不純物プロファイルを示す図
である。 １・・・半導体基板、５・・・炉芯管（熱拡散反応管）
、６・・・ヒータ、８，９，１１，１２・・・ガス注入
口、１３・・・ガラス層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和、７Ａ年（９月１０日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第 １９０７５３ 号２、
’Ｊｌ′ｌ’ｌｉの名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ５、補正命令の目付 昭和 年 月 「１ （
自発）７、補正の内容 ＼−・
、−→１１の→ｍ−チ １）明細書５負２行、同頁４行、同頁１０行各々ｒｓｉ
ＨＪをｒｓｉ）Ｉ４Ｊ と訂正する。 １６１−
は拡散装置を示す構成図、第３図は基板の表裏面にガラ
ス層を形成した状態を示す断面図、第４図は再拡散工程
において不純物が基板裏面から外方拡散する様子を示す
図、第５図はペース領域の不純物プロファイルを示す図
である。 １・・・半導体基板、５・・・炉芯管（熱拡散反応管）
、６・・・ヒータ、８，９，１１，１２・・・ガス注入
口、１３・・・ガラス層。 特許出願人 沖電気工業株式会社 手続補正書 昭和、７Ａ年（９月１０日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特 許 願第 １９０７５３ 号２、
’Ｊｌ′ｌ’ｌｉの名称 半導体装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人（０２９）沖電
気工業株式会社 ５、補正命令の目付 昭和 年 月 「１ （
自発）７、補正の内容 ＼−・
、−→１１の→ｍ−チ １）明細書５負２行、同頁４行、同頁１０行各々ｒｓｉ
ＨＪをｒｓｉ）Ｉ４Ｊ と訂正する。 １６１−
Claims (1)
- 半導体基板を反応管に挿入し、かつ、ガラス層を形成す
るの姉必要なガスを前記反応管に流し込んで前記半導体
基板上に不純物を含まないガラス層を形成する工程と、
次いで反応管の＠度を上げて熱処理を行う工程とを具備
してなる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19075382A JPS5980928A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19075382A JPS5980928A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980928A true JPS5980928A (ja) | 1984-05-10 |
Family
ID=16263159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19075382A Pending JPS5980928A (ja) | 1982-11-01 | 1982-11-01 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5980928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806173B1 (en) * | 1999-02-26 | 2004-10-19 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing highly doped semiconductor components |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544065A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Impurity diffusion method |
-
1982
- 1982-11-01 JP JP19075382A patent/JPS5980928A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS544065A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-12 | Hitachi Ltd | Impurity diffusion method |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6806173B1 (en) * | 1999-02-26 | 2004-10-19 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing highly doped semiconductor components |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4857480A (en) | Method for diffusing P-type material using boron disks | |
| JPH0126171B2 (ja) | ||
| US3767484A (en) | Method of manufacturing semiconductor devices | |
| JPS5980928A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6227727B2 (ja) | ||
| JPS6327846B2 (ja) | ||
| JP3001513B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| JP2519207B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2967593B2 (ja) | 開管式プレデポジション拡散方法 | |
| JPS6288328A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0673350B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08264475A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07130676A (ja) | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 | |
| JPS6261322A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS635534A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5954222A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01165156A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS57118633A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH027516A (ja) | 半導体に於ける不純物の拡散方法 | |
| JPH0465821A (ja) | 半導体ウェハの不純物デポジション拡散法 | |
| JPS55111125A (en) | Method for manufacture of semiconductor device | |
| JPH08316167A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07130675A (ja) | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 | |
| JPS58155721A (ja) | 半導体への不純物拡散方法 | |
| JPH02303120A (ja) | 不純物拡散層形成方法 |