JPS5969936A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS5969936A
JPS5969936A JP57181945A JP18194582A JPS5969936A JP S5969936 A JPS5969936 A JP S5969936A JP 57181945 A JP57181945 A JP 57181945A JP 18194582 A JP18194582 A JP 18194582A JP S5969936 A JPS5969936 A JP S5969936A
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JP
Japan
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resin
bubbles
tape
semiconductor device
display
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JP57181945A
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English (en)
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JPS6251493B2 (ja
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Hiroshi Kiriyama
桐山　博
Kazuo Yuikawa
結川　一男
Hironori Nakano
博則 中野
Mitsuhiro Nakagaki
充弘 中垣
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体チッ
プを樹脂モールドによって保護した半導体装置において
、樹脂中に含まれる気泡の脱泡に関するものである。
〈従来技術〉 数字や図形表示等に用いられる発光ダイオード表示体は
、例えば第１図に示す如く表示窓１１．１２・・・毎に
発光ダイオード素子２１，２゜が設けられ、表示内容に
応じて選択された素子のみに通電が行われて、発光表示
される。上記発光ダイオード表示体は、発光ダイオード
素子２１”　２・・をポンディングしたリードフレーム
３□、３２・・・を遮光性を備え且つ上記表示窓■　　
１　・・・が形成されたケー９　２ ス４内に納めて、各リードフレームとケース４とノ の間に液状樹脂５を注入すると共に、硬化させて両者の
間を位置固定している。
処で上記構造の発光ダイオード表示体は、モールドのた
めに液状樹脂５が用いられているため、注入時に気胞の
混入がしばしば生じ得る。混入した気胞は発光ダイオー
ド２□、２２・・・かう放射された光の進行方向を妨け
て表示品質を低下させるばかりでなく、ケース壁との間
に空隙を生じさせる惧れがあり水等の侵入を招いて表示
体の寿命を短かくする慣れがあった。
従ってこの種の半導体装置を製造する場合、ケース４内
に液状樹脂を注入した後脱泡処理を実施している。従来
から行われている脱泡処理は、真空装置を利用するもの
であり、また加熱を必要としていた。そのために大損り
な設備が必要になるばかりではなく、時間的にも３０分
程度の長い時間を要するという欠点があった。
〈発明の目的〉 本発明は」二記従来の製造方法における欠点を除去し、
簡単な作業で脱泡処理することができ、表示匠支障をき
たさない脱泡を行うことができる製造方法を提供するこ
とである。
〈実施例〉 第２図において表示体の外枠を構成する遮光性ケース４
には、表示窓となる開口１．、＋２が形成されているた
め、樹脂注入に際して洩れを防止するためにテープ６が
密着される。表示窓］、、］２がテープ６によって封じ
られた後ケース４の内部空間を埋めるべく液状樹脂５が
注入される。注入後樹脂が充分軟らかい状態でテープ６
側を外側にして回転装置に装着され、遠心力が付勢され
る。
樹脂５に混入した気泡７は、樹脂５より比重が小さいた
めに軟らかい樹脂中を次第に浮き」一つ、樹脂の中心側
表面から大気中に放出されて樹脂の脱泡が行われる。脱
泡速度は樹脂の粘性、比重を選ぶことによって制御する
ことかできる。
脱泡処理された樹脂中に、予め発光タイオード素子がポ
ンティングされたリードフレームか第１図に示す如く位
置合せして埋め込まれ、続いて液状樹脂の硬化処理が行
われて半導体装置を完成する。樹脂硬化後表示窓側のテ
ープ６は剥され、表示窓を通して発光状態を観察し得る
。
」二記実施例は発光ダイオードの樹脂モールドについて
説明したが、他の半導体装置の樹脂モールドにも適用し
得る。
〈効果〉 以」一本発明によれば、樹脂と気泡の比重差を利用する
ことにより遠心力を伺勢するのみて簡単に脱泡すること
ができ、従来方法に比べて短時間で処理することができ
、また特に加熱する必要なく、量産性に適した樹脂の脱
泡方法を得ることができる０
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂モールド型半導体装置の一部切欠き斜視図
、第２図は本発明による実施例の一工程を示す断面図で
ある。 ２２　：発光タイオード素子、３．．３２：す１’　　
　　２

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）半導体チップが取付けられたリードフレームを樹脂
    モールドしてなる半導体装置の製造方法において、型に
    流し込まれたモールド用樹脂が硬化する以前に、遠心力
    を作用させて強制的に脱泡処理を施こする寺春工程を備
    えてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
JP57181945A 1982-10-15 1982-10-15 半導体装置の製造方法 Granted JPS5969936A (ja)

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JPS5969936A true JPS5969936A (ja) 1984-04-20
JPS6251493B2 JPS6251493B2 (ja) 1987-10-30

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000164937A (ja) * 1998-11-27 2000-06-16 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置及びその製造方法
JP2004029468A (ja) * 2002-06-26 2004-01-29 Taiwan Lite On Electronics Inc カラーセクションディスプレイユニットの製造方法
JP2004267947A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Tohoku Ricoh Co Ltd 光触媒装置
US7910940B2 (en) 2005-08-05 2011-03-22 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device

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US7910940B2 (en) 2005-08-05 2011-03-22 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device

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