JP3095783B2 - 発光ダイオード英数字表示素子のための閉鎖金型 - Google Patents

発光ダイオード英数字表示素子のための閉鎖金型

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Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は発光ダイオード英数字表示素子に一般的に関
する。本発明は特に発光ダイオード英数字表示素子を実
装する方法に関する。
発明の背景 特定の用途に応じて、発光ダイオード英数字表示素子
を取り付けるために、表面取り付け式、あるいはガルウ
イング状のリード線の構成が好まれる。こうしたリード
線配置を備えた表示素子の支持体となっているのは真空
金型により成形されエポキシ樹脂に封入されたプリント
回路基板である。しかし、こうした素子を製造するうえ
で、エポキシ樹脂が金型内に流し込まれる際に、エポキ
シ樹脂内に気泡や空気ポケットが形成される。エポキシ
樹脂内の気泡やポケットは表示部の外観を損ね、性能に
も影響する。エポキシ樹脂がリード線上に飛び散る可能
性も有り、この場合リード線の電気的、機械的な精度に
影響する。エポキシ樹脂がリード線に付着してしまった
場合、時間と費用の嵩む清浄化処置を施さなければなら
ない。
上述の難点を解決するうえで、表示部を樹脂に封入す
る方法と手段が提供されることが好ましい。
発明の概要 本発明は、例えば発光ダイオード英数字表示素子のよ
うな電子デバイスを封緘するための対向したプレート状
構造からなる閉鎖金型を提供することにより、上述の課
題を解決している。封入される素子は、エポキシ樹脂が
リード線に付着することを防止するための堰体を外縁に
備え、長手方向にリード線が配列されたリードフレーム
内に載置される。閉鎖金型の対向したプレート状構造に
より形成される漏斗状空間により、金型の内部でのエポ
キシ樹脂の流れが促進される。
図面の簡単な説明 本発明の理解を容易にするうえで、本発明の実施態様
と図面に基づき以下に説明する。
図１は、長手方向にリード線が配列されたリードフレ
ームを備えた発光ダイオード英数字表示素子の斜視図。
図２は、本発明の閉鎖金型の部分断面図。
図３は、図２の閉鎖金型のＡ−Ａ線に沿った断面図。
図４は、図３の閉鎖金型の拡大断面図。
図５は、基板に貫通挿入されるように形成されたリー
ド線を有する密封された発光ダイオード英数字表示素子
の斜視図。
図６は、表面に取り付けられるためにガルウイング状
に形成されたリード線を備えた密封された発光ダイオー
ド英数字表示素子の斜視図。
詳細な説明 図１には、リードフレームのバリ取りを行う前の段階
の、エポキシ樹脂12内に封入された発光ダイオード英数
字表示部10が示されている。この図では表示素子10は表
示要素22と、長手方向にリード線が配列されたリードフ
レーム30を備えた通常長方形のプリント回路基板20とを
有する。リードフレームは多数のリード線32と、外縁の
堰体34と、一時的に設けられた支持部材36を有する。堰
体34は回路基板34を包囲し、支持部材36と共に除去され
る。
図２〜４にかけて示されるように、エポキシ樹脂内へ
の封入を行うために、表示素子10は閉鎖金型50内に載置
されている。図２では、２個の表示素子10がリードフレ
ーム30内に支持されている状態が示されている。図３に
示されるように、リードフレーム30は対向した平板なプ
レート状構造70上に配置された上部金型プレート60と下
部金型プレート62の２個のプレートの間に挟持される。
上部金型プレート60と下部金型プレート62とにより金
型内の空洞80が区画されている。空洞80はプリント回路
基板20の寸法よりも若干大きく形成されており、最終的
に、封入された素子の寸法が決定される。気密化を行う
際に必要とされる圧力を低減させ、かつ金型の気密性を
高めるうえで、0.025センチメーター（0.010インチ）の
厚さのシリコーン製ガスケット64を上部金型プレート60
とプレート状構造70との間、及び下部金型プレート62と
プレート状構造70との間に配置することも可能である。
更に、図３、４に示されるように、上部金型プレート60
と下部金型プレート62のそれぞれの対向面上にガスケッ
ト66を配置することも可能である。
プレート状構造70には、エポキシ樹脂を供給するため
に漏斗状空間90が形成されている。漏斗状空間90は互い
に離間し、金型内の空洞80のそれぞれに一致するように
形成されている。エポキシ樹脂が漏斗空間90内に注入さ
れる。漏斗空間90の全体を、対向するプレート状構造70
のいずれか一方の内部に形成することも可能である。
表示素子10を封入する際には、表示素子10が上部金型
プレート60と下部金型プレート62の間に配置された後、
金型50が閉鎖され、気密化される。気密性を維持するた
めに必要な圧力を極力小さく抑えることが可能である。
金型50はこの後真空室内で、例として１トールの気圧下
に置かれる。
この後、予めガス抜きされたエポキシ樹脂92が個々の
漏斗空間90内に速やかに注入される。エポキシ樹脂を比
較的安定した流れで注入することで、材料の薄片化や気
泡の混入を防止することが可能である。封入に必要とさ
れるエポキシ樹脂の量は表示素子のプリント回路基板20
の体積の約1.5倍である。この後真空状態を破断すると
金型の真空化した空洞80内にエポキシ樹脂が流入する。
金型空洞がエポキシ樹脂で充満した時点で漏斗空間90内
に余剰エポキシ樹脂が残るように意図的に調整してあ
る。この後、エポキシ樹脂は硬化し、樹脂の余剰分が除
去され、堰体34が切除され、リード線32が形成されて、
表示素子が完成する。
図５には、バリ取りされ、貫通挿入して設置されるよ
うに構成されたリード線32を有する表示素子100が示さ
れている。図６には、ガルウイング状のリード線構成11
2を有する表示素子110が示されている。
ここに示された実施態様はあくまで本発明の原理を説
明する目的のものであり、当業者によって本発明の範囲
あるいはその精神から逸脱することなく、異なる改良が
実施されうる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−8250（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−350949（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−45651（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−32140（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−151515（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−108444（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−232006（ＪＰ，Ａ) 特公 平７−37051（ＪＰ，Ｂ２) 実公 昭63−8130（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B29C 45/00 - 45/84 B29C 33/00 - 33/76 H01L 21/56

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】互いに協働することにより少なくとも１つ
    のエポキシ樹脂供給漏斗空間（90）を区画する２個の対
    向したプレート状構造（70）と、 対向するプレート状構造（70）に固定され、互いに協働
    することによりエポキシ供給漏斗空間（90）に連通した
    少なくとも１つの金型空洞（80）を区画する第１の金型
    プレート（60）と第２の金型プレート（62）とからなる
    素子（10）をエポキシ樹脂（12）に封入するための閉鎖
    金型。
  2. 【請求項２】金型プレート（60,62）とプレート状構造
    の間にガスケット（64,66）が配置されていることを更
    なる特徴とする請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項３】ガスケット（64,66）がシリコーンで形成
    されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
  4. 【請求項４】封入される素子（10）が金型プレート（6
    0,62）により区画される金型空洞（80）に沿って伸びる
    堰体（34）を外縁に有することを特徴とする請求項１に
    記載の装置。
  5. 【請求項５】封入される素子（10）が表示素子であるこ
    とを特徴とする請求項１に記載の装置。
  6. 【請求項６】素子（10）を、長手方向にリード線が配列
    されたリードフレーム（30）内に載置する工程と、 互いに協働することにより少なくとも１つの金型空洞
    （80）を区画する第１の金型プレート（60）と第２の金
    型プレート（62）との間に素子（10）とリードフレーム
    （30）とを載置する工程と、 金型（50）を閉鎖する工程と、 金型（50）を真空室中で真空下に置く工程と、 金型空洞（80）の上方に配置された漏斗空間（90）に予
    めガス抜きされたエポキシ樹脂（92）を注入する工程
    と、 真空状態を破断し、エポキシ樹脂（92）を真空化された
    空洞（80）内に充満させる工程と、 エポキシ樹脂（92）が固化し、リードフレーム（30）の
    リード線（32）が形成される工程とからなる電子素子を
    エポキシ樹脂に封入するための方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5833903A (en) 1996-12-10 1998-11-10 Great American Gumball Corporation Injection molding encapsulation for an electronic device directly onto a substrate
AU747260B2 (en) 1997-07-25 2002-05-09 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
EP1168539B1 (en) * 1999-03-04 2009-12-16 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
US6334971B1 (en) * 2000-07-20 2002-01-01 Wen-Ping Huang Manufacturing method for diode group processed by injection molding on the surface
US7153462B2 (en) * 2004-04-23 2006-12-26 Vishay Infrared Components, Inc. Injection casting system for encapsulating semiconductor devices and method of use
US8821778B2 (en) * 2006-02-24 2014-09-02 Hilmar Kraus Method for encapsulating electrical and/or electronic components in a housing
TWI368624B (en) * 2007-10-29 2012-07-21 Ind Tech Res Inst Coplymer and method for manufacturing the same and packaging material utilizing the same
TWI344226B (en) * 2007-10-29 2011-06-21 Ind Tech Res Inst Method of packaging light emitted diode
TWI362769B (en) * 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3899305A (en) * 1973-07-23 1975-08-12 Capsonic Group Inc Insert frame for insert molding
US4084312A (en) * 1976-01-07 1978-04-18 Motorola, Inc. Electrically isolated heat sink lead frame for plastic encapsulated semiconductor assemblies
US4599062A (en) * 1981-01-26 1986-07-08 Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. Encapsulation molding apparatus
GB2104827B (en) * 1981-07-01 1985-09-11 Kras Corp Molding of electronic components
US4480975A (en) * 1981-07-01 1984-11-06 Kras Corporation Apparatus for encapsulating electronic components
US4460537A (en) * 1982-07-26 1984-07-17 Motorola, Inc. Slot transfer molding apparatus and methods
NL8203253A (nl) * 1982-08-19 1984-03-16 Arbo Handel Ontwikkeling Werkwijze en inrichting voor het met kunststof omhullen van elektronische componenten.
FR2545653B1 (fr) * 1983-05-04 1986-06-06 Pichot Michel Procede et dispositif d'encapsulation de circuits integres
FR2572987B1 (fr) * 1984-09-21 1987-01-02 Pont A Mousson Procede et dispositif de surmoulage d'un entourage de dimensions precises sur le pourtour d'une piece plane ou galbee a tolerances dimensionnelles
US4655274A (en) * 1984-10-26 1987-04-07 Ube Industries, Ltd. Horizontal mold clamping and vertical injection type die cast machine
US4615857A (en) * 1984-11-30 1986-10-07 Motorola, Inc. Encapsulation means and method for reducing flash
DE3736022A1 (de) * 1987-10-24 1989-05-03 Hennecke Gmbh Maschf Vorrichtung zum herstellen von formteilen aus einem zu kunststoff, insbesondere schaumkunststoff, ausreagierenden, fliessfaehigen reaktionsgemisch aus fliessfaehigen reaktionskomponenten
US4948359A (en) * 1987-12-11 1990-08-14 M. Yasui & Co., Ltd. Mold holding and positioning means for use with wax injector
JPH01232006A (ja) * 1988-03-14 1989-09-18 Nippon Kayaku Co Ltd 偏光プラスチックレンズの成形方法
US4881885A (en) * 1988-04-15 1989-11-21 International Business Machines Corporation Dam for lead encapsulation
US5059105A (en) * 1989-10-23 1991-10-22 Motorola, Inc. Resilient mold assembly
JP2564707B2 (ja) * 1991-01-09 1996-12-18 ローム株式会社 電子部品用リードフレームにおけるモールド部のマルチ式成形方法及び成形装置
GB2252746B (en) * 1991-01-17 1995-07-12 Towa Corp A method of molding resin to seal an electronic part on a lead frame and apparatus therefor
US5391346A (en) * 1991-11-20 1995-02-21 Rohm Co., Ltd. Method for making molded photointerrupters
US6458109B1 (en) * 1998-08-07 2002-10-01 Hill-Rom Services, Inc. Wound treatment apparatus

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Publication number Publication date
US5855924A (en) 1999-01-05
KR19990076804A (ko) 1999-10-15
WO1997024213A1 (en) 1997-07-10
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EP0873231A1 (en) 1998-10-28

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