JPS5966177A - ホ−ル素子 - Google Patents
ホ−ル素子Info
- Publication number
- JPS5966177A JPS5966177A JP57176771A JP17677182A JPS5966177A JP S5966177 A JPS5966177 A JP S5966177A JP 57176771 A JP57176771 A JP 57176771A JP 17677182 A JP17677182 A JP 17677182A JP S5966177 A JPS5966177 A JP S5966177A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hall
- transistors
- voltage
- differential amplifier
- hall voltage
- Prior art date
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- Granted
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はホール素子に係り、特にホール電圧検出部に
ｌランラスタを設置したものの改良に関する。
ｌランラスタを設置したものの改良に関する。
従来、ホール素子のホール電圧検出部は、半導体基板の
エピタキシャル層上に形成したオーミックコンタクトで
構成されている。このようなホール素子では、ボール電
圧検出のためのオーミックコンタクトの形成には、大き
さ等において精度を必要とし、この精度が十分に得られ
ない場合にはホール電流の電流分布を乱し、ホール電圧
が低下し、十分なゲインが得られない欠点がある。そこ
で、オーミックコンタクト部はその形状を小さくし、電
流分布を乱さないように形成することが必要である。
エピタキシャル層上に形成したオーミックコンタクトで
構成されている。このようなホール素子では、ボール電
圧検出のためのオーミックコンタクトの形成には、大き
さ等において精度を必要とし、この精度が十分に得られ
ない場合にはホール電流の電流分布を乱し、ホール電圧
が低下し、十分なゲインが得られない欠点がある。そこ
で、オーミックコンタクト部はその形状を小さくし、電
流分布を乱さないように形成することが必要である。
そこで、このようなオーミックコンタクトを用いること
なく、ホール電圧の検出を可能にするとともに、その検
出を高効率で行なうために、ホール電圧検出部にトラン
ジスタを設置してボール電圧の検出をそのトランジスタ
で取り出すボール素子が提案されζいる。即ち、このホ
ール素子は、ボール電流を乱すことがなく、ホール電圧
を高効率で取り出す○とができる等の特徴がある。
なく、ホール電圧の検出を可能にするとともに、その検
出を高効率で行なうために、ホール電圧検出部にトラン
ジスタを設置してボール電圧の検出をそのトランジスタ
で取り出すボール素子が提案されζいる。即ち、このホ
ール素子は、ボール電流を乱すことがなく、ホール電圧
を高効率で取り出す○とができる等の特徴がある。
この発明は、ボール電圧検出部に形成したトランジスタ
で差動増幅器を構成し、その検出出力の増幅を行い、そ
の出力ケインを向上させることを可能にしたホール素子
の提供を目的とする。
で差動増幅器を構成し、その検出出力の増幅を行い、そ
の出力ケインを向上させることを可能にしたホール素子
の提供を目的とする。
この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。第
１図ないし第３図はこの発明のホール素子の実施例を示
し、第１図はその平面形状、第２図は第１図のｕ−ｎ線
に沿う断面、第３図はそのホール電圧検出部の回路を示
している。Ｐ型の半導体基板２の表面層にはエピタキシ
ャル層４が形成され、このエピタキシャル層４はＰ生型
の拡散を半導体基板２を直交する方向に形成した分１ｔ
ｓｌｔ ｆ３域６で区画分離されている。このように区
画されたエピタキシャル層４の長手方向の縁部には、ホ
ール電流供給用の拡散ｖｉ域８．１０が一定の間隔を置
いて形成され、この拡散領域８、】０には電極１２．１
４がｌｌ１ｉＩ別に形成されている。
１図ないし第３図はこの発明のホール素子の実施例を示
し、第１図はその平面形状、第２図は第１図のｕ−ｎ線
に沿う断面、第３図はそのホール電圧検出部の回路を示
している。Ｐ型の半導体基板２の表面層にはエピタキシ
ャル層４が形成され、このエピタキシャル層４はＰ生型
の拡散を半導体基板２を直交する方向に形成した分１ｔ
ｓｌｔ ｆ３域６で区画分離されている。このように区
画されたエピタキシャル層４の長手方向の縁部には、ホ
ール電流供給用の拡散ｖｉ域８．１０が一定の間隔を置
いて形成され、この拡散領域８、】０には電極１２．１
４がｌｌ１ｉＩ別に形成されている。
また、エピタキシャル層４の幅方向の縁部に設定された
ボール電圧検出部１６．１８には、その部分のエピタキ
シャル層４をヘースとするトランジスタ２０．２２が形
成されている。この実施例のトランジスタ２０．２２は
ラテラル型のトランジスタである。即ち、一方のホール
電圧検出部１６にはヘースとなるエピタキシャル層４を
一定の間隔をおいてＰ型拡散してエミッタ２４及びコレ
クタ２６が形成され、これらエミッタ２４及びコレクタ
２６にば１固号■こエミッタ電極２８、コレクタ電極３
０が形成されている。他方のボール電圧検出部１８には
、同様にエミッタ３２及びコレクタ３４が形成され、こ
れらエミッタ３２及びコレクタ３４には個別にエミッタ
電極３６、コレクタ電極３８が形成されている。なお、
４０は酸化膜である。
ボール電圧検出部１６．１８には、その部分のエピタキ
シャル層４をヘースとするトランジスタ２０．２２が形
成されている。この実施例のトランジスタ２０．２２は
ラテラル型のトランジスタである。即ち、一方のホール
電圧検出部１６にはヘースとなるエピタキシャル層４を
一定の間隔をおいてＰ型拡散してエミッタ２４及びコレ
クタ２６が形成され、これらエミッタ２４及びコレクタ
２６にば１固号■こエミッタ電極２８、コレクタ電極３
０が形成されている。他方のボール電圧検出部１８には
、同様にエミッタ３２及びコレクタ３４が形成され、こ
れらエミッタ３２及びコレクタ３４には個別にエミッタ
電極３６、コレクタ電極３８が形成されている。なお、
４０は酸化膜である。
そして、第３図に示すように、この実施例では１′ラン
ジスタＺＯ１２２で差動増幅器４２がｔｍ成されている
。即ち、［−ランラスタ２０．２２のそれぞれのエミッ
タは共通に接続されるとともに、このエミッタには共通
に抵抗４４を介して電圧印加端子４６が形成され、この
電圧印加端子４６には駆ｖＪ電圧Ｖｃｃが印加される。
ジスタＺＯ１２２で差動増幅器４２がｔｍ成されている
。即ち、［−ランラスタ２０．２２のそれぞれのエミッ
タは共通に接続されるとともに、このエミッタには共通
に抵抗４４を介して電圧印加端子４６が形成され、この
電圧印加端子４６には駆ｖＪ電圧Ｖｃｃが印加される。
また、各コレクタは抵抗４）３．５０を介して基準電位
点に接続され′ζいる。
点に接続され′ζいる。
以−１−のようり、二構成したので、拡ｎｂ領域８．１
０の間にポール電流を流し、同時にこの電流に垂直方向
に磁束を鎖交さ−Ｕれば、ホール電圧検出部１６．１８
に発生Ｊるホール電圧はトランジスタ２０．２２で取り
出される。トランジスタ２０．２２で差動増幅器４２が
構成されているので、各トランジスタ２０．２２で検出
されたホール電圧は外部回路を伴うことなく差動増幅さ
れて取り出される。
０の間にポール電流を流し、同時にこの電流に垂直方向
に磁束を鎖交さ−Ｕれば、ホール電圧検出部１６．１８
に発生Ｊるホール電圧はトランジスタ２０．２２で取り
出される。トランジスタ２０．２２で差動増幅器４２が
構成されているので、各トランジスタ２０．２２で検出
されたホール電圧は外部回路を伴うことなく差動増幅さ
れて取り出される。
このような構成によれば、従来のようなポイントコンタ
クトを形成する必要がないばかりでなく、従来のポイン
トコンタクトと異なり、ホール電圧の検出がエミッタ注
入によるヘースインピーダンスとなるため、ホール電圧
検出部１６．１８はホール電流分布に対して影響を与え
ｆｆ１ｔい。特に、ポイントコンタクトと異なり、トラ
ンジスタ２０．２２によるボール電圧の検出が高効率化
することができる。しかも、トランジス゛り２０．２２
で差動増幅器４２が構成されているので、ホール電圧の
検出とともに、その出力増幅が同時に行われ、従来のホ
ール素子のように外部に増幅器を伴うことなく、十分な
ゲインを得ることができ、回路構成の簡略化とともに、
高出力で省面積型のホール素子を形成することができる
。
クトを形成する必要がないばかりでなく、従来のポイン
トコンタクトと異なり、ホール電圧の検出がエミッタ注
入によるヘースインピーダンスとなるため、ホール電圧
検出部１６．１８はホール電流分布に対して影響を与え
ｆｆ１ｔい。特に、ポイントコンタクトと異なり、トラ
ンジスタ２０．２２によるボール電圧の検出が高効率化
することができる。しかも、トランジス゛り２０．２２
で差動増幅器４２が構成されているので、ホール電圧の
検出とともに、その出力増幅が同時に行われ、従来のホ
ール素子のように外部に増幅器を伴うことなく、十分な
ゲインを得ることができ、回路構成の簡略化とともに、
高出力で省面積型のホール素子を形成することができる
。
なお、実施例では一導電型のものについて説明したが、
反対導電型のホール素子に実施しても同様の効果が期待
できる。
反対導電型のホール素子に実施しても同様の効果が期待
できる。
また、ホール電圧検出ｍ（には、ホール電圧検出のため
に電昇効果トランジスタを設置しても同様の効果が期待
できる。
に電昇効果トランジスタを設置しても同様の効果が期待
できる。
以上説明したようにこの発明によれば、ホール電圧検出
部をトランジスタで構成し、このトランジスタで差動増
幅器を構成したの′乙従来のホール素子のように、ポイ
ントコンタク１〜のホール電流に影響を惟える等の不都
合はなく、ホール電圧をＡ ｕＪ率で取り出すことがで
きるとともに、高ゲインの出力を得ることができる。
部をトランジスタで構成し、このトランジスタで差動増
幅器を構成したの′乙従来のホール素子のように、ポイ
ントコンタク１〜のホール電流に影響を惟える等の不都
合はなく、ホール電圧をＡ ｕＪ率で取り出すことがで
きるとともに、高ゲインの出力を得ることができる。
第Ｘ図はこの発明のホール素子の実施例を示す十面図、
第２図は第１図の■−■線にｌＱう断面図、第３図はボ
ール電圧検出部のトランジスタの接続形態を示す回路図
である。 １Ｇ、１Ｂ・・・ホール電圧検出部、２０．２２・・・
１ランジスク、４２・・・差動増幅器。 笛 １ 図 第２図 ｎ 第３図 ４２ ｖｃｃ
第２図は第１図の■−■線にｌＱう断面図、第３図はボ
ール電圧検出部のトランジスタの接続形態を示す回路図
である。 １Ｇ、１Ｂ・・・ホール電圧検出部、２０．２２・・・
１ランジスク、４２・・・差動増幅器。 笛 １ 図 第２図 ｎ 第３図 ４２ ｖｃｃ
Claims (1)
- ホール電圧検出部の領域に、その領域を一部に含んで形
成されるトランジスタで差動増幅器を構成し、検出され
るホール電圧を差動増幅器で増幅して取り出すようにし
たことを特徴とするホール素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57176771A JPS5966177A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | ホ−ル素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57176771A JPS5966177A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | ホ−ル素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5966177A true JPS5966177A (ja) | 1984-04-14 |
| JPH0249032B2 JPH0249032B2 (ja) | 1990-10-26 |
Family
ID=16019535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57176771A Granted JPS5966177A (ja) | 1982-10-07 | 1982-10-07 | ホ−ル素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5966177A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208894A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-21 | カシオ計算機株式会社 | フレキシブル基板の製造方法 |
| KR20190060992A (ko) * | 2016-09-26 | 2019-06-04 | 페로보틱스 컴플라이언트 로봇 테크놀로지 게엠베하 | 로봇 보조 표면 기계가공을 위한 공작 기계 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562691A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Rohm Co Ltd | Hall-effect device |
| JPS57165557A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Floor material |
-
1982
- 1982-10-07 JP JP57176771A patent/JPS5966177A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562691A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Rohm Co Ltd | Hall-effect device |
| JPS57165557A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | Floor material |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60208894A (ja) * | 1984-04-03 | 1985-10-21 | カシオ計算機株式会社 | フレキシブル基板の製造方法 |
| JPH0434319B2 (ja) * | 1984-04-03 | 1992-06-05 | Casio Computer Co Ltd | |
| KR20190060992A (ko) * | 2016-09-26 | 2019-06-04 | 페로보틱스 컴플라이언트 로봇 테크놀로지 게엠베하 | 로봇 보조 표면 기계가공을 위한 공작 기계 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0249032B2 (ja) | 1990-10-26 |
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