JPS5965530U - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents

電子ビ−ム露光装置

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JPS5965530U
JPS5965530U JP15999882U JP15999882U JPS5965530U JP S5965530 U JPS5965530 U JP S5965530U JP 15999882 U JP15999882 U JP 15999882U JP 15999882 U JP15999882 U JP 15999882U JP S5965530 U JPS5965530 U JP S5965530U
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JP
Japan
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insulating film
conductive pin
electron beam
beam exposure
sample
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JP15999882U
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JPS6317246Y2 (ja
Inventor
賢次 杉島
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富士通株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は電子ビーム露光装置の概要を示す構成図、第２
客は従来例である絶縁性基板の上面及び絶縁層に生ずる
帯電電位の発生を説明するための図、第３図は本考案の
一実施例であるホルダーを示す断面図、第４図は本考案
の一実施例である導通ピンの形状を示す斜視図である。 図中１１・・・・・・基板、１２・・・・・・ホルダー
、１３・・・・・・板ばね、１４・・・・・・クランプ
プレート、１５・・・・・・導電ピン、１６・・・・・
・絶縁膜、１７・・・・・・スプリング、１８・・・・
・・チップ。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 試料上に被着された絶縁膜に塑性流動を起すに充分な硬
    度を持つ先端部を有する導電ピンが該試料を保持するホ
    ルダーに設けられ、該導電ピンは該絶縁膜を貫通して該
    試料に接触させることにより該絶縁膜に照射される電子
    を該導電ピンを介して逃すようにしたことを特徴とする
    電子ビーム露光装置。
JP15999882U 1982-10-22 1982-10-22 電子ビ−ム露光装置 Granted JPS5965530U (ja)

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JP15999882U JPS5965530U (ja) 1982-10-22 1982-10-22 電子ビ−ム露光装置

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Publication Number Publication Date
JPS5965530U true JPS5965530U (ja) 1984-05-01
JPS6317246Y2 JPS6317246Y2 (ja) 1988-05-16

Family

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008058809A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Nuflare Technology Inc 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57170547U (ja) * 1981-04-20 1982-10-27

Patent Citations (1)

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JPS57170547U (ja) * 1981-04-20 1982-10-27

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JP2008058809A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Nuflare Technology Inc 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

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JPS6317246Y2 (ja) 1988-05-16

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