JPS6317246Y2 - - Google Patents
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- JPS6317246Y2 JPS6317246Y2 JP1982159998U JP15999882U JPS6317246Y2 JP S6317246 Y2 JPS6317246 Y2 JP S6317246Y2 JP 1982159998 U JP1982159998 U JP 1982159998U JP 15999882 U JP15999882 U JP 15999882U JP S6317246 Y2 JPS6317246 Y2 JP S6317246Y2
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- electron beam
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 考案の技術分野
本考案は電子ビーム露光装置に係り、特に電子
ビーム照射によつて絶縁性試料上に蓄積する帯電
電位を低減させる試料の支持機構に関する。
ビーム照射によつて絶縁性試料上に蓄積する帯電
電位を低減させる試料の支持機構に関する。
(b) 技術の背景
微細素子の加工技術はレジスト面に露光パター
ンを得るリソグラフイ技術とそのレジストパター
ンをマスクとして素子を加工するエツチング技術
からなつている。光学的方法では光の回折、干渉
効果などのため解像度に限界があり、例えば幅
1μｍ以下の解像度を得ることは困難である。こ
のため光に比して波長の短い電子線を用いた電子
ビーム露光技術が高密度マスクプロセスにおいて
定着している。半導ウエハ上への直接描画も超
LSIの製造プロセスに導入されつゝある。近年描
画図形を任意寸法の矩形要素に分割して描画する
可変面積型（可変寸法成形ビーム型）の露光技術
は従来の電子ビームスポツトによるベクタ走査型
露光方式に比し露光速度は飛躍的に向上すると共
にサブミクロン領域の微細パターンを高精度で描
画する。
ンを得るリソグラフイ技術とそのレジストパター
ンをマスクとして素子を加工するエツチング技術
からなつている。光学的方法では光の回折、干渉
効果などのため解像度に限界があり、例えば幅
1μｍ以下の解像度を得ることは困難である。こ
のため光に比して波長の短い電子線を用いた電子
ビーム露光技術が高密度マスクプロセスにおいて
定着している。半導ウエハ上への直接描画も超
LSIの製造プロセスに導入されつゝある。近年描
画図形を任意寸法の矩形要素に分割して描画する
可変面積型（可変寸法成形ビーム型）の露光技術
は従来の電子ビームスポツトによるベクタ走査型
露光方式に比し露光速度は飛躍的に向上すると共
にサブミクロン領域の微細パターンを高精度で描
画する。
(c) 従来技術と問題点
第１図は電子ビーム露光装置の概要を示す構成
図である。
図である。
電子ビーム装置によつて描画したいパターン情
報は予じめパターンデータメモリ１に電算機２を
介して入力され記憶される。電子ビーム照射中電
算機２は電子ビームの偏向器と基板３を移動制御
するステージ４に所定のパターンが基板３のレジ
スト膜面上に描画されるよう信号を出し、同時に
電子ビームを入、切断する。また基板ホルダー６
は基板３を保持し自動制御により移動するテスー
ジ４の所定位置に取付けられる。
報は予じめパターンデータメモリ１に電算機２を
介して入力され記憶される。電子ビーム照射中電
算機２は電子ビームの偏向器と基板３を移動制御
するステージ４に所定のパターンが基板３のレジ
スト膜面上に描画されるよう信号を出し、同時に
電子ビームを入、切断する。また基板ホルダー６
は基板３を保持し自動制御により移動するテスー
ジ４の所定位置に取付けられる。
第２図は従来例である絶縁性基板の上面及び絶
縁層に生ずる帯電電位の発生を説明するための図
である。
縁層に生ずる帯電電位の発生を説明するための図
である。
アルミ又はアルミ合金等でなる導電性のホルダ
ー６は接地構造でその上面の絶縁性の基板３が取
付けられる。電子ビーム光学系からの加連電子７
は例えば−20KVの高速性を有し、導電性基板に
照射しホルダー６を介して接地し電位０となつて
描画されるのが理想的である。しかし基板３は通
常ガラス基材か、リン・シリケートガラス（P.S.
G）又は二酸化シリコン（SiO2）、窒化シリコン
（Si3N4）等の被膜で絶縁された非導電性構成で
ありその表面はパターン描画のための絶縁性レジ
スト膜が塗布されている。このため電子ビーム光
学系からの加速電子７はその一部が図のように帯
電し、基板３の上面及び絶縁層内に蓄積され負
（マイナス）の帯電電位８を生ずる。このため加
速電子７は帯電電位８により干渉を受け、描画精
度例えば位置ずれ及び解像度の低下をもたらす。
このためホルダー６のクランププレート９内にり
ん青銅等でなる導電ピンを設けてレジスト膜、絶
縁層に加圧挿入し帯電電位を接地放電させるが硬
い絶縁層に対しては効果がなく接地構成が十分と
れない欠点があつた。
ー６は接地構造でその上面の絶縁性の基板３が取
付けられる。電子ビーム光学系からの加連電子７
は例えば−20KVの高速性を有し、導電性基板に
照射しホルダー６を介して接地し電位０となつて
描画されるのが理想的である。しかし基板３は通
常ガラス基材か、リン・シリケートガラス（P.S.
G）又は二酸化シリコン（SiO2）、窒化シリコン
（Si3N4）等の被膜で絶縁された非導電性構成で
ありその表面はパターン描画のための絶縁性レジ
スト膜が塗布されている。このため電子ビーム光
学系からの加速電子７はその一部が図のように帯
電し、基板３の上面及び絶縁層内に蓄積され負
（マイナス）の帯電電位８を生ずる。このため加
速電子７は帯電電位８により干渉を受け、描画精
度例えば位置ずれ及び解像度の低下をもたらす。
このためホルダー６のクランププレート９内にり
ん青銅等でなる導電ピンを設けてレジスト膜、絶
縁層に加圧挿入し帯電電位を接地放電させるが硬
い絶縁層に対しては効果がなく接地構成が十分と
れない欠点があつた。
(d) 考案の目的
本考案は上記の欠点に鑑み、基板上に形成され
る絶縁層の接地が容易にとれる有効な基板支持機
構の提供を目的とする。
る絶縁層の接地が容易にとれる有効な基板支持機
構の提供を目的とする。
(e) 考案の構成
上記目的を達成するために本考案は試料上に被
着された絶縁膜に塑性流動を起すに充分な硬度を
持つ先端部を有する導電ピンが該試料を保持する
ホルダーに設けられ、該導電ピンは該絶縁膜を貫
通して該試料に接触させることにより該絶縁膜に
照射される電子を該導電ピンを介して逃すことに
よつて達せられる。
着された絶縁膜に塑性流動を起すに充分な硬度を
持つ先端部を有する導電ピンが該試料を保持する
ホルダーに設けられ、該導電ピンは該絶縁膜を貫
通して該試料に接触させることにより該絶縁膜に
照射される電子を該導電ピンを介して逃すことに
よつて達せられる。
(f) 考案の実施例
第３図は本考案の一実施例であるホルダーを示
す断面図、第４図は本考案の一実施例である導電
ピンの形状を示す斜視図である。
す断面図、第４図は本考案の一実施例である導電
ピンの形状を示す斜視図である。
図においてホルダー１２に取付けられる基板１
１は板ばね１３により上方に押上げられクランプ
プレート１４の端面１４ａに突当り位置決め固定
される。クランププレート１４には導電ピン１５
を設け基板１１上に施されたレジスト膜や、絶縁
膜１６の表面に塑性流動を起させ導電ピン１５及
びホルダー１２を介して絶縁膜１６は接地され
る。これにより電子ビームの照射による電荷の蓄
積は起らない。一方導電ピン１５にコイル状のス
プリング１７を取付け一定圧の弾性となるよう予
じめ調整する。例えばレジスト−クローム膜−石
英で構成されるマスク基板等には約20ｇVの圧力
でレジスト層を破りクローム層に達する。またレ
ジスト−二酸化シリコン−シリコンで構成される
基板１１では約250gVでレジスト、二酸化シリコ
ン層に塑性流動を起こし、シリコンと接触して良
好な導通を得ることができる。
１は板ばね１３により上方に押上げられクランプ
プレート１４の端面１４ａに突当り位置決め固定
される。クランププレート１４には導電ピン１５
を設け基板１１上に施されたレジスト膜や、絶縁
膜１６の表面に塑性流動を起させ導電ピン１５及
びホルダー１２を介して絶縁膜１６は接地され
る。これにより電子ビームの照射による電荷の蓄
積は起らない。一方導電ピン１５にコイル状のス
プリング１７を取付け一定圧の弾性となるよう予
じめ調整する。例えばレジスト−クローム膜−石
英で構成されるマスク基板等には約20ｇVの圧力
でレジスト層を破りクローム層に達する。またレ
ジスト−二酸化シリコン−シリコンで構成される
基板１１では約250gVでレジスト、二酸化シリコ
ン層に塑性流動を起こし、シリコンと接触して良
好な導通を得ることができる。
導電ピン１５の先端形状は第４図で示すように
ベリリウム青銅又はりん青銅等の導電材の先端に
耐磨耗性に優れた超硬合金例えばタングステンカ
ーバイト（WC）又は導電性金属例えばクローム
又はモリブデン等をコーテイングしたダイヤモン
ドのチツプ１８を円錐形もしくは四角錐に形成し
て、導電ピン１５の先端に取付けたものである。
超硬合金タングステンカーバイトは破砕しても鋭
利なエツゲが形成されるために導電ピン１５の先
端材料として優れている。
ベリリウム青銅又はりん青銅等の導電材の先端に
耐磨耗性に優れた超硬合金例えばタングステンカ
ーバイト（WC）又は導電性金属例えばクローム
又はモリブデン等をコーテイングしたダイヤモン
ドのチツプ１８を円錐形もしくは四角錐に形成し
て、導電ピン１５の先端に取付けたものである。
超硬合金タングステンカーバイトは破砕しても鋭
利なエツゲが形成されるために導電ピン１５の先
端材料として優れている。
またチツプ１８の先端部分の形成寸法は約10μ
ｍ×10μｍ以下に形成することにより絶縁層には
鋭利なエツヂが得られ良好な導通状態が得られ
る。
ｍ×10μｍ以下に形成することにより絶縁層には
鋭利なエツヂが得られ良好な導通状態が得られ
る。
(g) 考案の効果
以上詳細に説明したように本考案の導電ピンを
組込んだ基板支持構造とすることにより硬い絶縁
膜例えば窒化シリコン膜にも良好な塑性流動を起
させ、良好な接地面が得られるから、電子ビーム
光学系から加速電子を阻害する帯電電位を減小さ
せパターン精度が向上する大きな効果がある。
組込んだ基板支持構造とすることにより硬い絶縁
膜例えば窒化シリコン膜にも良好な塑性流動を起
させ、良好な接地面が得られるから、電子ビーム
光学系から加速電子を阻害する帯電電位を減小さ
せパターン精度が向上する大きな効果がある。
第１図は電子ビーム露光装置の概要を示す構成
図、第２図は従来例である絶縁性基板の上面及び
絶縁層に生ずる帯電電位の発生を説明するための
図、第３図は本考案の一実施例であるホルダーを
示す断面図、第４図は本考案の一実施例である導
電ピンの形状を示す斜視図である。 図中１１……基板、１２……ホルダー、１３…
…板ばね、１４……クランププレート、１５……
導電ピン、１６……絶縁膜、１７……スプリン
グ、１８……チツプ。
図、第２図は従来例である絶縁性基板の上面及び
絶縁層に生ずる帯電電位の発生を説明するための
図、第３図は本考案の一実施例であるホルダーを
示す断面図、第４図は本考案の一実施例である導
電ピンの形状を示す斜視図である。 図中１１……基板、１２……ホルダー、１３…
…板ばね、１４……クランププレート、１５……
導電ピン、１６……絶縁膜、１７……スプリン
グ、１８……チツプ。
Claims (1)
- 試料上に被着された絶縁膜に塑性流動を起すに
充分な硬度を持つ超硬合金をコーテイングしたダ
イヤモンドのチツプを先端に取付けた導電材から
なる導電ピンが該試料を保持するホルダーに設け
られてなることを特徴とする電流ビーム露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15999882U JPS5965530U (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 電子ビ−ム露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15999882U JPS5965530U (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 電子ビ−ム露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965530U JPS5965530U (ja) | 1984-05-01 |
| JPS6317246Y2 true JPS6317246Y2 (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=30352045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15999882U Granted JPS5965530U (ja) | 1982-10-22 | 1982-10-22 | 電子ビ−ム露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965530U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008058809A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nuflare Technology Inc | 基板カバー、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57170547U (ja) * | 1981-04-20 | 1982-10-27 |
-
1982
- 1982-10-22 JP JP15999882U patent/JPS5965530U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5965530U (ja) | 1984-05-01 |
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