JPS5964545A - ガラス−セラミツク複合体 - Google Patents
ガラス−セラミツク複合体Info
- Publication number
- JPS5964545A JPS5964545A JP17484382A JP17484382A JPS5964545A JP S5964545 A JPS5964545 A JP S5964545A JP 17484382 A JP17484382 A JP 17484382A JP 17484382 A JP17484382 A JP 17484382A JP S5964545 A JPS5964545 A JP S5964545A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- ceramic
- composite material
- ceramic particles
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス−セラミック複合体に関り゛るものであ
る。
る。
例えば、高周波絶縁材わ１、ＩＣパッケージ又は多層基
板などに用いられる電気絶縁用のセラミック材料どして
は、従来、アルミノが主として利用されているが、アル
ミナは■誘電率が大きく、信号の伝播遅延を引き起こ１
こと、■焼成温度が晶゛モく、イのため、信号伝導体と
して例えば、タングステン又はモリブデンなどの融点の
高い金属を用いる必要があるが、タングステン、モリブ
デン等は良好な導体とは古えり゛、配線導体の電気抵抗
が大ぎくなること、及び■熱膨張係数がシリコンチップ
に較べＣ大きいため、歪応力が発生りることなどの問題
点があった。
板などに用いられる電気絶縁用のセラミック材料どして
は、従来、アルミノが主として利用されているが、アル
ミナは■誘電率が大きく、信号の伝播遅延を引き起こ１
こと、■焼成温度が晶゛モく、イのため、信号伝導体と
して例えば、タングステン又はモリブデンなどの融点の
高い金属を用いる必要があるが、タングステン、モリブ
デン等は良好な導体とは古えり゛、配線導体の電気抵抗
が大ぎくなること、及び■熱膨張係数がシリコンチップ
に較べＣ大きいため、歪応力が発生りることなどの問題
点があった。
これに対し、レラミック梢￥３１の中でも、カフス又は
結晶化ガラスは、アルミノ−に比較して誘電率が低いの
みならず、焼成温度が低いので、例えば、銅などの良好
な信号伝導体を用いることができ、しかし、同■）焼成
が可能であると言うメリツ１〜を右づる。しかしながら
、このノコラス又は１７シミツクガラスの場合には、熱
伝導率が低いため熱敢敗性が悪く、また、焼成後の寸法
精度が悪い欠点がある。
結晶化ガラスは、アルミノ−に比較して誘電率が低いの
みならず、焼成温度が低いので、例えば、銅などの良好
な信号伝導体を用いることができ、しかし、同■）焼成
が可能であると言うメリツ１〜を右づる。しかしながら
、このノコラス又は１７シミツクガラスの場合には、熱
伝導率が低いため熱敢敗性が悪く、また、焼成後の寸法
精度が悪い欠点がある。
そこで、■誘電率が低いこと、■焼成温度が低いこと、
■熱膨張係数がシリコンチップと同程度であること、さ
らに、■熱転Ｓ″ｖＡが高いこと及び■焼成後の寸法精
度が良好なことの５点を満足できるセラミック月別の出
現が望まれでいた。
■熱膨張係数がシリコンチップと同程度であること、さ
らに、■熱転Ｓ″ｖＡが高いこと及び■焼成後の寸法精
度が良好なことの５点を満足できるセラミック月別の出
現が望まれでいた。
本発明者は上記実情に鑑み、電気絶縁用のｔ？ラミック
材利として総合的に優れたものを得るべく１Φ々検関し
た結果、ある特定の熱膨張係数を右づるガラス又は結晶
化カラスとある特定の処理を施しだセラミックスを配合
して？５られるガラス−＝ヒラミック複合体の場合には
、ガラス叉（、（ケラミックガラスの右りるメリッ１〜
とどしに、熱転ｎ ：＜＋’−’ｂ高く、また、焼成後
の寸ｄ、粕１哀も良いので、−１−記５点の効果が全Ｕ
ｑｓられることを兇い出し本発明を完成した。
材利として総合的に優れたものを得るべく１Φ々検関し
た結果、ある特定の熱膨張係数を右づるガラス又は結晶
化カラスとある特定の処理を施しだセラミックスを配合
して？５られるガラス−＝ヒラミック複合体の場合には
、ガラス叉（、（ケラミックガラスの右りるメリッ１〜
とどしに、熱転ｎ ：＜＋’−’ｂ高く、また、焼成後
の寸ｄ、粕１哀も良いので、−１−記５点の効果が全Ｕ
ｑｓられることを兇い出し本発明を完成した。
りなわら、本発明の要旨とりるどころは、熱１１６３−
り 張係数が５・〜４５Ｘ１０ のガラス又はイー、晶化
ガラスに、表面にＳｉ ０２被膜を槓たμたセラミック
ス粒子を５〜６０容甫％分散させたことを特徴と覆るカ
ラスーヒラミック複合体に存置る。
り 張係数が５・〜４５Ｘ１０ のガラス又はイー、晶化
ガラスに、表面にＳｉ ０２被膜を槓たμたセラミック
ス粒子を５〜６０容甫％分散させたことを特徴と覆るカ
ラスーヒラミック複合体に存置る。
以下、本発明の詳細な説明覆る。
本発明で対象となるガラス又は結晶化ガラスの熱膨張係
数は５〜４５ Ｘ １０−．好ましく【よ２Ｏ−４５Ｘ
１０’であることが必要である。この熱膨張係数は分散
させる粒子の熱膨張係数と近い方が好ましく、イの差が
例えば、３０Ｘ１０ 以十になると、焼成後の複合体
にマイクロクラックが発生し強度及び気密性が低下づる
。また、ガラス又は結晶化ガラスの種類として番よ、例
えば、５１０２を主体どし、Ａ立２０：ｌ、Ｌｉ ２０
．Ｍ（Ｉ ０゜１−ｉ ０２ 、 Ｐ２Ｏ５、
Ｂ２０：ｌ 、 Ｎａ ２０ 、 又 （
まＫ ２ ’０などの成分を添加してなる種々のものを
使用量ることができるが、コーク１イエライＩ・系又は
β−スボジュ＝メン系のものが特に好ましい。
数は５〜４５ Ｘ １０−．好ましく【よ２Ｏ−４５Ｘ
１０’であることが必要である。この熱膨張係数は分散
させる粒子の熱膨張係数と近い方が好ましく、イの差が
例えば、３０Ｘ１０ 以十になると、焼成後の複合体
にマイクロクラックが発生し強度及び気密性が低下づる
。また、ガラス又は結晶化ガラスの種類として番よ、例
えば、５１０２を主体どし、Ａ立２０：ｌ、Ｌｉ ２０
．Ｍ（Ｉ ０゜１−ｉ ０２ 、 Ｐ２Ｏ５、
Ｂ２０：ｌ 、 Ｎａ ２０ 、 又 （
まＫ ２ ’０などの成分を添加してなる種々のものを
使用量ることができるが、コーク１イエライＩ・系又は
β−スボジュ＝メン系のものが特に好ましい。
本発明では上述のようなガラス又は結晶化ガラスに対し
、５〜６０容吊％、好ましくは１０・〜５０容昂％の酸
化アルミニウム（へ立２０３）又は窒化硼素（Ｂ Ｎ
）又は窒化珪素（３ｉＢＮａ）等を分散させることを必
須の要件とづるものである。
、５〜６０容吊％、好ましくは１０・〜５０容昂％の酸
化アルミニウム（へ立２０３）又は窒化硼素（Ｂ Ｎ
）又は窒化珪素（３ｉＢＮａ）等を分散させることを必
須の要件とづるものである。
複合体は１ｑられない。本発明では、予めセラミックス
粒子にＳｉ ０２被膜のコーティングを流し、その後、
ガラス又は結晶化ガラスと混合し、焼成したところ、緻
密なガラス−セラミック複合体が得られることを見い出
した。これは、セラミックス粒子１．１溶融ガラスにぬ
れにくいため、収縮が起りにくいが、溶融ガラスとぬれ
や３ノい５１０２被膜をコーディングしたために、収紺
（が起り、緻密なガラスーレラミック複合イホが１！７
られたしのと考えられる。この時、セラミック粒子の使
用量が（おまり少４ｆい場合には、１ｑられるガンスー
レラミック複合体の熱伝導率を十分に向上さけることは
ぐきず、また、あまり多い場合には、熱伝導率は向上す
るものの、気密焼結体よりなる複合体が得られないばか
りか誘電率も増加りるの（・りｒよしく４１い。このセ
ラミックス粒子の添加ににす、熱放散性が良好で誘電率
がアルミリに較べて低いカラス−セラミック複合体を得
ることができろ。
粒子にＳｉ ０２被膜のコーティングを流し、その後、
ガラス又は結晶化ガラスと混合し、焼成したところ、緻
密なガラス−セラミック複合体が得られることを見い出
した。これは、セラミックス粒子１．１溶融ガラスにぬ
れにくいため、収縮が起りにくいが、溶融ガラスとぬれ
や３ノい５１０２被膜をコーディングしたために、収紺
（が起り、緻密なガラスーレラミック複合イホが１！７
られたしのと考えられる。この時、セラミック粒子の使
用量が（おまり少４ｆい場合には、１ｑられるガンスー
レラミック複合体の熱伝導率を十分に向上さけることは
ぐきず、また、あまり多い場合には、熱伝導率は向上す
るものの、気密焼結体よりなる複合体が得られないばか
りか誘電率も増加りるの（・りｒよしく４１い。このセ
ラミックス粒子の添加ににす、熱放散性が良好で誘電率
がアルミリに較べて低いカラス−セラミック複合体を得
ることができろ。
なお、本発明では、酸化アルミニウム又は窒化硼素又は
窒化珪素以外のセラミック粒子を本発明の効果が失われ
ない範囲で配合してｔ）差し支えない。
窒化珪素以外のセラミック粒子を本発明の効果が失われ
ない範囲で配合してｔ）差し支えない。
ガラス−セラミック複合体を調製Ｊるには、所定巾のガ
ラス粉末と予めＳｆ ０２被膜を」−ディングしたケラ
ミック粉末を均一混合し、例えば、グリーンシート法な
どの常用手段により任意の成形体としたのち、これを通
常、９００〜１０００°Ｃの温度で、１−３時間ｆｊＡ
度、焼成覆ることにより行なうことができる。
ラス粉末と予めＳｆ ０２被膜を」−ディングしたケラ
ミック粉末を均一混合し、例えば、グリーンシート法な
どの常用手段により任意の成形体としたのち、これを通
常、９００〜１０００°Ｃの温度で、１−３時間ｆｊＡ
度、焼成覆ることにより行なうことができる。
このようにして得られるガラスーヒラミック複合体は熱
伝導率が大幅に改善さ４１ており、従来、ガラス又はガ
ラス−セラミックの有していｌ、：熱ｈりｔ＆ ｔｌが
劣ると合う問題点はない。又、焼成後の１」法精度もガ
ラス又は結晶化ガラスのみに比べ改善されるので、電気
絶縁用レラミック祠判として総合的に則れているもので
ある。したがって、特に、高周波絶縁祠料、ＩＣパッケ
ージ又（Ｊ、多ＩＩ？ｉ基１反としＣの利用価値は大き
いものである。
伝導率が大幅に改善さ４１ており、従来、ガラス又はガ
ラス−セラミックの有していｌ、：熱ｈりｔ＆ ｔｌが
劣ると合う問題点はない。又、焼成後の１」法精度もガ
ラス又は結晶化ガラスのみに比べ改善されるので、電気
絶縁用レラミック祠判として総合的に則れているもので
ある。したがって、特に、高周波絶縁祠料、ＩＣパッケ
ージ又（Ｊ、多ＩＩ？ｉ基１反としＣの利用価値は大き
いものである。
また、銅の厚膜Ｊ：りなる導電パターンを施した内部接
続多層基板を製造づる場合、本発明のガラス−ヒラミッ
ク複合体を用いると、常法のグリーンシート法により銅
ペーストを塗布した成形体をセラミックの焼成と同時に
焼成でき、配線作成が容易となるので好ましい。
続多層基板を製造づる場合、本発明のガラス−ヒラミッ
ク複合体を用いると、常法のグリーンシート法により銅
ペーストを塗布した成形体をセラミックの焼成と同時に
焼成でき、配線作成が容易となるので好ましい。
次に本発明を実施例にＪ、り更に詳細に説明覆るが、本
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものひはない。
発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定され
るものひはない。
実施例
■ヒラミツ９粒子のＳ ！ ０２被膜コーｊイング山販
のＳｉ ０２被膜−コーティング剤をコーテイング後の
被膜の１９さが数十・〜数自入どなるＪ、うに希釈し、
Δ立２０ ａ 、Ｂ Ｎ 、 Ｓ ： ａ Ｎ ａの粉
末を均一混合し、その搬、５００″Ｃひ３０分焼２ｘ付
けを行った。
のＳｉ ０２被膜−コーティング剤をコーテイング後の
被膜の１９さが数十・〜数自入どなるＪ、うに希釈し、
Δ立２０ ａ 、Ｂ Ｎ 、 Ｓ ： ａ Ｎ ａの粉
末を均一混合し、その搬、５００″Ｃひ３０分焼２ｘ付
けを行った。
■ガラス又は結晶化ガラスのｉｌｌ、！ｌ製ＳｉＯ２、
へ立（Ｏｔ（） ３．１．、 ｉ ２ ＣＯｓ 、ＭＱ
ＣＯａ 、Ｔｉ ０２ 、ｔ−１ａ ＰＯａ、ｌｌａ
１３０ａ、Ｎａ ２ｃＯａ、、に２１ＣＯ３を第１表
に示す成分組成となるように秤量し、ライカイ機に−（
均一混合したのち、アルミナ又は白金ルツボで１３００
〜１５００℃の温度ぐ溶融し、次いで、この溶融液を水
中に投入づることにより急冷し、ガラス化し、その後、
ガラスをアルミナ製ボールミルぐ細かく粉砕【ノフリッ
トくガラス粉末）を冑た。このフリットの熱膨張係数を
測定したどころ、第２表に示り結果を得た。
へ立（Ｏｔ（） ３．１．、 ｉ ２ ＣＯｓ 、ＭＱ
ＣＯａ 、Ｔｉ ０２ 、ｔ−１ａ ＰＯａ、ｌｌａ
１３０ａ、Ｎａ ２ｃＯａ、、に２１ＣＯ３を第１表
に示す成分組成となるように秤量し、ライカイ機に−（
均一混合したのち、アルミナ又は白金ルツボで１３００
〜１５００℃の温度ぐ溶融し、次いで、この溶融液を水
中に投入づることにより急冷し、ガラス化し、その後、
ガラスをアルミナ製ボールミルぐ細かく粉砕【ノフリッ
トくガラス粉末）を冑た。このフリットの熱膨張係数を
測定したどころ、第２表に示り結果を得た。
第１表
第２表
■ガラスーセラミック複合体の調製
上述のガラス成分と第３表に承りような割合に、Ｓｉ
０２被膜を持つＡ立２０：ｌ、ＢＮ、Ｓｉ ａＮ４と混
合し、常法のグリーンシー１−法を用いて成形体を１９
だのち、この成形体を人気中で５００℃の温度まで２０
０ ’Ｃ／時間の冒温速度ひ加熱し、ぞの後、Ｎｚガス
雰囲気中で１０００℃の温度まで１００℃／時間の昇温
速度で加熱し、次いＣ１同温度で２１１）間、焼成処理
づることにより焼成体を １′？ １こ 。
０２被膜を持つＡ立２０：ｌ、ＢＮ、Ｓｉ ａＮ４と混
合し、常法のグリーンシー１−法を用いて成形体を１９
だのち、この成形体を人気中で５００℃の温度まで２０
０ ’Ｃ／時間の冒温速度ひ加熱し、ぞの後、Ｎｚガス
雰囲気中で１０００℃の温度まで１００℃／時間の昇温
速度で加熱し、次いＣ１同温度で２１１）間、焼成処理
づることにより焼成体を １′？ １こ 。
このようにして１″、１ｋがラスーレラミツク複合体に
つき、比誘重宝、熱転３＃″ｌ’：にどの各特性を測定
したどころ、第３表に示り結果を１１ノｋ。
つき、比誘重宝、熱転３＃″ｌ’：にどの各特性を測定
したどころ、第３表に示り結果を１１ノｋ。
なａ３、比較のために、本発明の配合剤−ＣあるΔｎ
２０３．１３ Ｎ ＳＳ ｉ ３Ｎ ａ Ｍを全く加
え４ｒい場合の物性についても同様に測定したのぐ、そ
の結果を（７１ｕで示す。
２０３．１３ Ｎ ＳＳ ｉ ３Ｎ ａ Ｍを全く加
え４ｒい場合の物性についても同様に測定したのぐ、そ
の結果を（７１ｕで示す。
３０１
以上、第３表の結果より、本発明のガラスーレラミック
複合体の場合には、Δ立２０ａ、ＢＮ１３ｉ ３Ｎａを
配合しない場合に較べて、特に熱伝導率が改善されてい
ることが判る。
複合体の場合には、Δ立２０ａ、ＢＮ１３ｉ ３Ｎａを
配合しない場合に較べて、特に熱伝導率が改善されてい
ることが判る。
代理人 弁理士 定立 勉
ほか１名
３０２−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 熱膨張係数が５〜’Ｉ ５ Ｘ １０ のガラス
又１ユ結晶化ガラス中に、表面にＳｉ ０２被膜を持た
せたけラミックス粒子を５〜６０容吊％分散させたこと
を特徴とするガラス−セラミック複合体。 ２ 上記レラミックス粒子が、Ａ立２０３、ＢＮ、５ｉ
ａＮａである特許請求の範囲第１項記載のガラス−レラ
ミック複合体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17484382A JPS5964545A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | ガラス−セラミツク複合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17484382A JPS5964545A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | ガラス−セラミツク複合体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5964545A true JPS5964545A (ja) | 1984-04-12 |
| JPS636503B2 JPS636503B2 (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=15985622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17484382A Granted JPS5964545A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | ガラス−セラミツク複合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5964545A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142759A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ｉｃパツケ−ジ用基板 |
| JPS6350345A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-03-03 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラスセラミツク焼結体 |
| JPS63210043A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 高熱伝導性ガラス−セラミツク複合体 |
| US5346751A (en) * | 1988-12-19 | 1994-09-13 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Electronic package using closed pore composites |
| US5352482A (en) * | 1987-01-22 | 1994-10-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process for making a high heat-conductive, thick film multi-layered circuit board |
| US5405562A (en) * | 1988-02-10 | 1995-04-11 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process of making a coated substrate having closed porosity |
| JP2003083817A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Anritsu Keiki Kk | 接触式温度計 |
| JP2018155505A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 株式会社Ｓｏｋｅｎ | 圧力センサおよびその製造方法 |
| JP2020528867A (ja) * | 2017-08-02 | 2020-10-01 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | 窒化ホウ素ナノチューブ−ケイ酸塩ガラス複合体 |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP17484382A patent/JPS5964545A/ja active Granted
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61142759A (ja) * | 1984-12-14 | 1986-06-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Ｉｃパツケ−ジ用基板 |
| JPS6350345A (ja) * | 1986-08-15 | 1988-03-03 | Matsushita Electric Works Ltd | ガラスセラミツク焼結体 |
| US5352482A (en) * | 1987-01-22 | 1994-10-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process for making a high heat-conductive, thick film multi-layered circuit board |
| JPS63210043A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 高熱伝導性ガラス−セラミツク複合体 |
| US5405562A (en) * | 1988-02-10 | 1995-04-11 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Process of making a coated substrate having closed porosity |
| US5635301A (en) * | 1988-02-10 | 1997-06-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Multilayered glass substrate |
| US5346751A (en) * | 1988-12-19 | 1994-09-13 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Electronic package using closed pore composites |
| JP2003083817A (ja) * | 2001-09-12 | 2003-03-19 | Anritsu Keiki Kk | 接触式温度計 |
| JP2018155505A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | 株式会社Ｓｏｋｅｎ | 圧力センサおよびその製造方法 |
| JP2020528867A (ja) * | 2017-08-02 | 2020-10-01 | ナショナル リサーチ カウンシル オブ カナダ | 窒化ホウ素ナノチューブ−ケイ酸塩ガラス複合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS636503B2 (ja) | 1988-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6041012B2 (ja) | 電導性金属組成物 | |
| CN101952221A (zh) | 低温共烧陶瓷粉及其专用原料与应用 | |
| JPS5992943A (ja) | 結晶化ガラス体 | |
| JPS6218494B2 (ja) | ||
| JPS5964545A (ja) | ガラス−セラミツク複合体 | |
| JP2512474B2 (ja) | 着色ムライトセラミック組成物 | |
| US3948812A (en) | Conductive compositions and processes therefor | |
| CN109180006A (zh) | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 | |
| JPS59137341A (ja) | 結晶化ガラス体 | |
| US4649126A (en) | Glass with anionic conductivity for fluorine | |
| JPS5983957A (ja) | 結晶化ガラス体 | |
| JPH0725570B2 (ja) | 着色結晶化ガラス体とその製造法 | |
| JPS6210940B2 (ja) | ||
| KR20030094774A (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 저온 소성 유전체세라믹의 제조방법 | |
| JPH01167259A (ja) | 電子部品パッケージング用のガラスセラミック基盤、その製造方法、およびそれに用いるガラス | |
| JPS6227353A (ja) | ガラスセラミツク複合材 | |
| JPS6379739A (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
| JPS6350345A (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
| JP3227733B2 (ja) | 高膨張性封着材料 | |
| JPH0517211A (ja) | 基板材料及び回路基板 | |
| JPS5945616B2 (ja) | ガラス組成物 | |
| JPH0232587A (ja) | 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品 | |
| JPH0193436A (ja) | 基板材料用ガラス組成物 | |
| JPH06191885A (ja) | 封着用ガラス及び回路部品 | |
| JP7117256B2 (ja) | ガラス組成物 |