JPS5954693A - 太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造装置 - Google Patents
太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造装置Info
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- JPS5954693A JPS5954693A JP58151455A JP15145583A JPS5954693A JP S5954693 A JPS5954693 A JP S5954693A JP 58151455 A JP58151455 A JP 58151455A JP 15145583 A JP15145583 A JP 15145583A JP S5954693 A JPS5954693 A JP S5954693A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/007—Pulling on a substrate
-
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-
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- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1036—Seed pulling including solid member shaping means other than seed or product [e.g., EDFG die]
- Y10T117/1044—Seed pulling including solid member shaping means other than seed or product [e.g., EDFG die] including means forming a flat shape [e.g., ribbon]
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-
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シリコン融体に対−「ろ耐性はある□ が−
採vc 蒜n得る網状構造を有する支持体を溶融シ(ノ
コンにより被覆する太l!!電1:也用犬而積・jW状
シリコン結晶の製造装置に関″4″る。この装置は、シ
リコン鋤体を入れろ溶、融1乃とその領(成力に彼!i
すべき支持体をτ車続的に融体と接触させろlこめの案
内手段を備えている。
採vc 蒜n得る網状構造を有する支持体を溶融シ(ノ
コンにより被覆する太l!!電1:也用犬而積・jW状
シリコン結晶の製造装置に関″4″る。この装置は、シ
リコン鋤体を入れろ溶、融1乃とその領(成力に彼!i
すべき支持体をτ車続的に融体と接触させろlこめの案
内手段を備えている。
かかる装置は特開昭55−7345’O号公報に記載さ
itている。そル((おいては黒鉛網から成る支持体を
連続法で溶i偵中に育在てる/リコン融困の表面上に接
して引き、その場合、11品化現象の1麦では支持体は
ンリコン帯状体中に埋め込まれている。この方法Vこよ
才tば1m27分の面引き抜き速度□が得られろ。
itている。そル((おいては黒鉛網から成る支持体を
連続法で溶i偵中に育在てる/リコン融困の表面上に接
して引き、その場合、11品化現象の1麦では支持体は
ンリコン帯状体中に埋め込まれている。この方法Vこよ
才tば1m27分の面引き抜き速度□が得られろ。
この場合融体中に生じろ向流は、結晶化前i/ir v
)著しい温度変動並びVC平面状シリコン結晶の厚さの
変動ケ生じるという技術的離点火ひき起と−f。
)著しい温度変動並びVC平面状シリコン結晶の厚さの
変動ケ生じるという技術的離点火ひき起と−f。
ノリコン融体を連続的にまた一様に補給し、そitによ
−)て融体液面を常に同じ高さに保持することも、七σ
)ことが支持体の一様な被覆に対して同仔に必要な前提
であろけitども、やはり困難である。
−)て融体液面を常に同じ高さに保持することも、七σ
)ことが支持体の一様な被覆に対して同仔に必要な前提
であろけitども、やはり困難である。
一様な被覆は、特開昭56−146226号公報に記載
さitているように、被覆が引き抜き車度に関して、黒
鉛庄tこは黒鉛被覆石英ガラス繊維から成る支持体1図
の1コの中に溶@シリコンの高い表面張力に基づいて薄
い層だけが形成さJ’Lるように行わst、帯状の網は
溶融槽の底部に設けられ、融体、’=i11の方向へ延
びる」(導路のスリット形開口?、通じて導かれ、その
場合スリット形1用口が帯状AJ’41/)’+J法(
繊維の太さ)に合一)ているどきに得らitろ。溶融(
・1す中へのシリコノの補給θ)問題はそこで01な+
6十分には貿欠されていない。
さitているように、被覆が引き抜き車度に関して、黒
鉛庄tこは黒鉛被覆石英ガラス繊維から成る支持体1図
の1コの中に溶@シリコンの高い表面張力に基づいて薄
い層だけが形成さJ’Lるように行わst、帯状の網は
溶融槽の底部に設けられ、融体、’=i11の方向へ延
びる」(導路のスリット形開口?、通じて導かれ、その
場合スリット形1用口が帯状AJ’41/)’+J法(
繊維の太さ)に合一)ているどきに得らitろ。溶融(
・1す中へのシリコノの補給θ)問題はそこで01な+
6十分には貿欠されていない。
同じことは同−ロソバ特許出願第+10 J 3985
号畦叩111 :’、J’ &こより公知のノj法−t
7エわち貯液’eF−2客からの(容ム独/リコンがシ
リコンと、混合できないがシリコンに濡2しかつその融
点がシリコノのそれより下にある非元素の潤滑融体と1
宴帥し、この潤i’l’i副1体の−1を屑ってシリコ
ンフィルムが引き1友かオt1その融点以下θ)冷却K
J:ワ全面的に凝固さぜられる方法に対しても当てはま
る。この方法は工内的には非常に費用がかかる。
号畦叩111 :’、J’ &こより公知のノj法−t
7エわち貯液’eF−2客からの(容ム独/リコンがシ
リコンと、混合できないがシリコンに濡2しかつその融
点がシリコノのそれより下にある非元素の潤滑融体と1
宴帥し、この潤i’l’i副1体の−1を屑ってシリコ
ンフィルムが引き1友かオt1その融点以下θ)冷却K
J:ワ全面的に凝固さぜられる方法に対しても当てはま
る。この方法は工内的には非常に費用がかかる。
本発明の目的は、一様な波呵が高い製造速度で保証され
るような安価に製造されろ太陽電池用帯状シリコン結霜
のための引き抜き装置な提供f7−。
るような安価に製造されろ太陽電池用帯状シリコン結霜
のための引き抜き装置な提供f7−。
ことにあり、fなわち機体中の対流ン1t!4thし、
簡単な補給系乞使用できるもθ〕を提供することにあろ
う この目的は冒頭に挙げた種類の装置において、a)溶融
・漕がその底部に垂直方向外側て通じている平行に配置
された複数個び)毛細管状孔を融体の供給のために酊し
、 b)溶融僧の下部の毛細管状σ)孔の領曖に水子方向に
7=りかつ支持体の案円のための加熱可能な泗導路が配
置されろこと、 あるいは a)溶融(f々が垂直方向に延びかつ平′斤に配置され
た複数個の毛細管状孔からなる物体と結合して(6つ、 b)毛細管体の上方の・シリコン融体により満たされる
毛細管状孔、の領戎中に水平方向に走る慄η・1fl!
3が被覆さj−1,るべき支持体の案内のために配置さ
才tろこと によって1幸成されろ。・ 毛細管体グ)使用により□・C一方では支持体への融本
供給が貯酸’fly a’aとは切り随さA1、他方で
は同流(てよる(径部が結晶化領域中の融体の詩かな)
7さと毛、■管1)−の高い熱室@/7)ために閉止さ
れる。
簡単な補給系乞使用できるもθ〕を提供することにあろ
う この目的は冒頭に挙げた種類の装置において、a)溶融
・漕がその底部に垂直方向外側て通じている平行に配置
された複数個び)毛細管状孔を融体の供給のために酊し
、 b)溶融僧の下部の毛細管状σ)孔の領曖に水子方向に
7=りかつ支持体の案円のための加熱可能な泗導路が配
置されろこと、 あるいは a)溶融(f々が垂直方向に延びかつ平′斤に配置され
た複数個の毛細管状孔からなる物体と結合して(6つ、 b)毛細管体の上方の・シリコン融体により満たされる
毛細管状孔、の領戎中に水平方向に走る慄η・1fl!
3が被覆さj−1,るべき支持体の案内のために配置さ
才tろこと によって1幸成されろ。・ 毛細管体グ)使用により□・C一方では支持体への融本
供給が貯酸’fly a’aとは切り随さA1、他方で
は同流(てよる(径部が結晶化領域中の融体の詩かな)
7さと毛、■管1)−の高い熱室@/7)ために閉止さ
れる。
以下図面について本発明の実施例ηピ詳細に説明゛1「
ゐ。
ゐ。
第j図゛l工いし第3図に示す装置においては、支持体
の移動を?テ5・、濃構は本発明にとって重要でないか
ら省略さ1tりいる。
の移動を?テ5・、濃構は本発明にとって重要でないか
ら省略さ1tりいる。
第J図θ〕喫施例では、黒鉛または石英ガラスからなる
溶融譜Iの中しこ存在しかつ被)5によって消を置いて
簡単な補給系((開示せず)により補給されろ溶融シリ
コン2は、溶融槽1の底部3において垂直方向に下方に
通じている互に子桁に走る毛細“管状孔4ン介して、溶
融イ偕1:f7’)下部を水平方向(矢印5参照)千μ
導;洛内火導かれる黒鉛網からなる支會体・7に::給
・さ゛れる。憚導門6け加熱体□8を備え、それによっ
て支持体7を濡らす溶融ン1)′コン2は、高導路6を
雅2するli’;4 +で初めてl省品化+Lで支持体
7θ)中に腹合さλするシリコン帯Jli、、体9にな
る。出口部に拓いて毛細管状孔4の高さに付加的なヒー
タ10%よ、び支、持仏の下方に冷却手段、例えば送J
戦機(矢印20参照)、ど配置ずろことかでき、そit
によって結晶化現象が、助成さi’!−ろ。
溶融譜Iの中しこ存在しかつ被)5によって消を置いて
簡単な補給系((開示せず)により補給されろ溶融シリ
コン2は、溶融槽1の底部3において垂直方向に下方に
通じている互に子桁に走る毛細“管状孔4ン介して、溶
融イ偕1:f7’)下部を水平方向(矢印5参照)千μ
導;洛内火導かれる黒鉛網からなる支會体・7に::給
・さ゛れる。憚導門6け加熱体□8を備え、それによっ
て支持体7を濡らす溶融ン1)′コン2は、高導路6を
雅2するli’;4 +で初めてl省品化+Lで支持体
7θ)中に腹合さλするシリコン帯Jli、、体9にな
る。出口部に拓いて毛細管状孔4の高さに付加的なヒー
タ10%よ、び支、持仏の下方に冷却手段、例えば送J
戦機(矢印20参照)、ど配置ずろことかでき、そit
によって結晶化現象が、助成さi’!−ろ。
■第2′図の実施例で□は、’ m’! J曹J、J内
の溶融シリ、、コニ、ン12は、垂直力りに延びかつま
た平行に毛る毛′1細1′’tIF状孔】4を備えた黒
鉛製C)′物体」3ソ(−て需導蕗J6中を水平方向(
矢印17を参照)7c案内□、、さ3tろ黒鉛網からな
る支持体J8に供給される。
の溶融シリ、、コニ、ン12は、垂直力りに延びかつま
た平行に毛る毛′1細1′’tIF状孔】4を備えた黒
鉛製C)′物体」3ソ(−て需導蕗J6中を水平方向(
矢印17を参照)7c案内□、、さ3tろ黒鉛網からな
る支持体J8に供給される。
毛細′1;f状孔I4乞備えた物体137χンリコン融
体12の中に浸i−rると、液体シリコンは毛、:ζ[
]?’F伏孔】4中を上昇1−1側導路16を液体シリ
コンで満tこし、通過−する支持体】8をM覆する。毛
1wI’j:F体】3はシリコンを液体状態に1呆つた
めVC直接通電に工って加熱可能である(図示せず)。
体12の中に浸i−rると、液体シリコンは毛、:ζ[
]?’F伏孔】4中を上昇1−1側導路16を液体シリ
コンで満tこし、通過−する支持体】8をM覆する。毛
1wI’j:F体】3はシリコンを液体状態に1呆つた
めVC直接通電に工って加熱可能である(図示せず)。
同様に高導路も加熱することができる。高導路16?離
J’Lろ際、結晶イヒσ)助成θ)ために被覆さ才11
こ支持体(−シリコン帯状体19)は下から送、風磯2
0によって冷却されることができる。
J’Lろ際、結晶イヒσ)助成θ)ために被覆さ才11
こ支持体(−シリコン帯状体19)は下から送、風磯2
0によって冷却されることができる。
第3「杓の実施1列では、帯状支持体J8,19θ)非
7」称的味覆は、欄導路】6の出口孔2】o)下方化拡
げ、出[」孔21σ)前でシリコンで被覆された支持体
】9の」二・alUに加熱手段22を、下側に冷却子1
り、11えば送風機20を配置f6゜そ1’L以外は第
2図と同じ部分1には同じ符号が付されている。
7」称的味覆は、欄導路】6の出口孔2】o)下方化拡
げ、出[」孔21σ)前でシリコンで被覆された支持体
】9の」二・alUに加熱手段22を、下側に冷却子1
り、11えば送風機20を配置f6゜そ1’L以外は第
2図と同じ部分1には同じ符号が付されている。
第4「4から明らかなように、液体シリコンは引と抜き
速度V、/、で支持体18の冷却手段20に向いた田1
]で当初用品イヒする。加熱手段22の方向における温
度勾配σ)ために支持体18.19の方向への後続の結
晶化は速度VK<V、、で行わfする。
速度V、/、で支持体18の冷却手段20に向いた田1
]で当初用品イヒする。加熱手段22の方向における温
度勾配σ)ために支持体18.19の方向への後続の結
晶化は速度VK<V、、で行わfする。
第4図では第3図と同じ符号が付せらitている。
・第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図、第3図
はそれぞれ異なる実籏例σ)断面図、第4図は第3図グ
〕要部拡大図である。 1.11 ・・・ 溶融槽、 2.A2・・・シリコ
ン融体、 3・・・貯蔵槽底部、 4・・・毛細管
状孔、6116・・・ 習導路、 7.」8 ・・・
支持体、 9゜A9・・・被覆された支持体、 In
、22・・・ 加熱手段、 20 ・・・冷却手段。 FIG 1 /U FIG2 FIG 3 IG4
はそれぞれ異なる実籏例σ)断面図、第4図は第3図グ
〕要部拡大図である。 1.11 ・・・ 溶融槽、 2.A2・・・シリコ
ン融体、 3・・・貯蔵槽底部、 4・・・毛細管
状孔、6116・・・ 習導路、 7.」8 ・・・
支持体、 9゜A9・・・被覆された支持体、 In
、22・・・ 加熱手段、 20 ・・・冷却手段。 FIG 1 /U FIG2 FIG 3 IG4
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1) ンリ・ン融体(2)K対する耐性はあるが融体(
2)に濡れ得る網状構造を何才る支持体(7)を溶融ン
リコしてより被覆することにより太陽電c′lu用大面
積帯状シリコン結晶を製造−(1)ため、シリコ□ン融
体(2)を入れる溶融1fl(1)とその領域内に披′
覆オペぎ支持体(7)を連続的(/C融体(2)と接触
させるための案内手l蒙を備える装BVcおいて、a)
溶融槽(1)がそθ)底部(3)に垂直方向に外B1
gに通じている平行に配置された複数量・ハ厄細庁状孔
(4)?融(1σ]供給のために角し、 b)1恰1.1すi4f’r (] )の下部σ)毛+
>+n管状孔(4ンの領域にlk・上方向(5)に′;
Lつかつ支持体(7)の案内のだめの加熱可能(8)な
清導路(6)が配置されること を特徴とする太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造襞
置二 2〕 被覆さitた支持体(9)を出口3部において上
側から加熱するとともに下側から冷却することを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載σ)装置。 3) シリコン粧体(I2)に対する耐性はある□が融
体(12)’Ic濡2を得る網状構分を有する支持体(
183′?:溶融シリコンにより被覆することにより太
陽電通用大面積帯状シリコン結晶を製造するためンシリ
コン融体(12)を入れる溶融If!(z)とその領域
内□に被覆てべき支持体(I8)を連続的に融体(12
)と1妾触させるための案内手段′?:備える装置にお
いて、 a) 溶融:1(J])が垂直方向に延び、かつ平行に
配置された複数向の毛1γ10管状孔(I4)からなる
物体(]I3と結合してkつ、 □+1) 毛:N
II管体(+ 3 ) +n 上j5o)7+) コy
融(;l=(12) vcより構た;iする6細管状孔
〔14)の・卸I戊中に水平方向(17)K走る猷)導
路(]6)が被覆されるべき支持体”’(’ ”18
)の案内〆ハためVC配置されること を特徴と才ろ太陽電池用大面積帯状シリコン、結晶製造
・装置。 4)℃細・1f体(13)が直接通電によって引熱可1
jシであることを特徴とする特許請求の範囲第3噴記載
の装置。 ”)’:IJ)導路(]6)が被覆された支持体(19
)のための下方に一拡がった出[]孔(21)を備え、
出口孔(2])の領域内において被覆さ71、た支持体
(19)の」二側に加熱手段(22)を、そのTi1I
llに冷、1j11手段(2Q)を備えろことを特徴と
する特許請求の範囲第3頃または2a4項記!dの装置
。 6)測導路(16)をl111熱する手段を備えること
を特徴とする特許請求の範囲第3項プエいし第51頁の
いず11かにコ己載σ)装、買。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE32313268 | 1982-08-23 | ||
DE19823231326 DE3231326A1 (de) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5954693A true JPS5954693A (ja) | 1984-03-29 |
Family
ID=6171516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58151455A Pending JPS5954693A (ja) | 1982-08-23 | 1983-08-19 | 太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4563976A (ja) |
JP (1) | JPS5954693A (ja) |
DE (1) | DE3231326A1 (ja) |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4590043A (en) * | 1982-12-27 | 1986-05-20 | Sri International | Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
US4748014A (en) * | 1982-12-27 | 1988-05-31 | Sri International | Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid |
DE3306515A1 (de) * | 1983-02-24 | 1984-08-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
DE3560643D1 (en) * | 1984-04-09 | 1987-10-22 | Siemens Ag | Process for producing large-surface silicon crystal bodies for solar cells |
US4554203A (en) * | 1984-04-09 | 1985-11-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing large surface silicon crystal bodies for solar cells, and bodies so produced |
DE3419137A1 (de) * | 1984-05-23 | 1985-11-28 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiterfolien |
US4599244A (en) * | 1984-07-11 | 1986-07-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Method large-area silicon bodies |
EP0170119B1 (de) * | 1984-07-31 | 1988-10-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von bandförmigen Siliziumkristallen mit horizontaler Ziehrichtung |
DE3524997A1 (de) * | 1985-07-12 | 1987-01-15 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung |
DE3524983A1 (de) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung |
US4873063A (en) * | 1986-01-06 | 1989-10-10 | Bleil Carl E | Apparatus for zone regrowth of crystal ribbons |
US4749438A (en) * | 1986-01-06 | 1988-06-07 | Bleil Carl E | Method and apparatus for zone recrystallization |
US4775443A (en) * | 1986-02-06 | 1988-10-04 | Bleil Carl E | Method and apparatus for zone regrowth of crystal ribbons from bulk material |
JPS62291977A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-18 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 太陽電池用シリコン盤の切り出し方法と装置 |
DE3803769A1 (de) * | 1988-02-08 | 1989-08-17 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von duennen, bandfoermigen siliziumkristallen mit ebener oberflaeche, geeignet fuer die solarzellenfertigung |
DE3806001A1 (de) * | 1988-02-25 | 1989-09-07 | Siemens Ag | Anordnung zum vollstaendigen entleeren von mit siliziumschmelze gefuellten quarzwannen oder -tiegeln nach dem siliziumbandziehen |
DE3901042A1 (de) * | 1989-01-14 | 1990-07-26 | Nukem Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiter-schichtsystems |
US5055157A (en) * | 1990-02-05 | 1991-10-08 | Bleil Carl E | Method of crystal ribbon growth |
US5069742A (en) * | 1990-02-05 | 1991-12-03 | Bleil Carl E | Method and apparatus for crystal ribbon growth |
US5229083A (en) * | 1990-02-05 | 1993-07-20 | Bleil Carl E | Method and apparatus for crystal ribbon growth |
US5199990A (en) * | 1990-05-08 | 1993-04-06 | Zeniya Industry Co., Ltd. | Apparatus for solder-plating a lead-frame carrying electronic components |
JP2928664B2 (ja) * | 1991-08-12 | 1999-08-03 | 株式会社東芝 | 酸化珪素成膜方法およびこの方法に用いる成膜装置 |
EP0701487B1 (de) * | 1993-05-05 | 1998-11-25 | STEAG MicroTech GmbH | Vorrichtung zur belackung oder beschichtung von platten oder scheiben |
DE19846072B4 (de) * | 1998-10-06 | 2006-01-19 | Daimlerchrysler Ag | Vorrichtung zum Spülen von Lackiereinrichtungen |
US6482261B2 (en) | 2000-12-29 | 2002-11-19 | Ebara Solar, Inc. | Magnetic field furnace |
KR20090055646A (ko) | 2006-09-28 | 2009-06-02 | 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 | 결정질 실리콘 기재의 제조 방법 및 제조 장치 |
US8323408B2 (en) * | 2007-12-10 | 2012-12-04 | Solopower, Inc. | Methods and apparatus to provide group VIA materials to reactors for group IBIIIAVIA film formation |
US8163090B2 (en) * | 2007-12-10 | 2012-04-24 | Solopower, Inc. | Methods structures and apparatus to provide group VIA and IA materials for solar cell absorber formation |
US20150040819A1 (en) * | 2013-08-08 | 2015-02-12 | Energy Materials Research, LLC | System and method for forming a silicon wafer |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US600250A (en) * | 1898-03-08 | Galvanized or metallic-coated wire-cloth | ||
US2673549A (en) * | 1952-02-02 | 1954-03-30 | Frucki Alfred | Moistening apparatus for flat surfaces |
US2928212A (en) * | 1955-01-24 | 1960-03-15 | Cie Reunies Glaces Et Verres | Method and apparatus for continuously drawing a glass sheet |
GB1498925A (en) * | 1975-02-07 | 1978-01-25 | Philips Electronic Associated | Method of manufacturing semiconductor devices in which a layer of semiconductor material is provided on a substrate apparatus for use in carrying out said method and semiconductor devices thus manufactured |
DE2633961C2 (de) * | 1975-07-28 | 1986-01-02 | Mitsubishi Kinzoku K.K. | Verfahren zum Ziehen eines dünnen Halbleiter-Einkristallbandes |
JPS5261180A (en) * | 1975-11-14 | 1977-05-20 | Toyo Shirikon Kk | Horizontal growth of crystal ribbons |
DE2638269C2 (de) * | 1976-08-25 | 1983-05-26 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium |
US4325917A (en) * | 1977-07-21 | 1982-04-20 | Pelts Boris B | Method and apparatus for producing sapphire tubes |
FR2401696A1 (fr) * | 1977-08-31 | 1979-03-30 | Ugine Kuhlmann | Methode de depot de silicium cristallin en films minces sur substrats graphites |
US4174234A (en) * | 1978-04-12 | 1979-11-13 | Semix, Incorporated | Silicon-impregnated foraminous sheet |
US4169739A (en) * | 1978-04-12 | 1979-10-02 | Semix, Incorporated | Method of making silicon-impregnated foraminous sheet by partial immersion and capillary action |
US4269652A (en) * | 1978-11-06 | 1981-05-26 | Allied Chemical Corporation | Method for growing crystalline materials |
DE2850790A1 (de) * | 1978-11-23 | 1980-06-12 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen von scheiben- oder bandfoermigen siliziumkristallen mit kolumnarstruktur fuer solarzellen |
DE2850805C2 (de) * | 1978-11-23 | 1986-08-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen |
US4430305A (en) * | 1979-02-12 | 1984-02-07 | Mobil Solar Energy Corporation | Displaced capillary dies |
US4289571A (en) * | 1979-06-25 | 1981-09-15 | Energy Materials Corporation | Method and apparatus for producing crystalline ribbons |
GB2059292A (en) * | 1979-09-28 | 1981-04-23 | Honeywell Inc | Growing silicon films on substrates |
DE3010557C2 (de) * | 1980-03-19 | 1986-08-21 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von großflächigen Siliziumkörpern für Solarzellen |
DE3231268A1 (de) * | 1982-08-23 | 1984-02-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum asymmetrischen beschichten eines bandfoermigen traegerkoerpers mit silizium fuer die weiterverarbeitung zu solarzellen |
-
1982
- 1982-08-23 DE DE19823231326 patent/DE3231326A1/de not_active Ceased
-
1983
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3231326A1 (de) | 1984-02-23 |
US4563976A (en) | 1986-01-14 |
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