JPS5954693A - 太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造装置 - Google Patents

太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造装置

Info

Publication number
JPS5954693A
JPS5954693A JP58151455A JP15145583A JPS5954693A JP S5954693 A JPS5954693 A JP S5954693A JP 58151455 A JP58151455 A JP 58151455A JP 15145583 A JP15145583 A JP 15145583A JP S5954693 A JPS5954693 A JP S5954693A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
area
melt
silicon
melting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58151455A
Other languages
English (en)
Inventor
ヘルム−ト・フエル
ヨ−ゼフ・グラ−プマイヤ−
リヒアルト・フアルケンベルク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Schuckertwerke AG, Siemens AG filed Critical Siemens Schuckertwerke AG
Publication of JPS5954693A publication Critical patent/JPS5954693A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/007Pulling on a substrate
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/903Dendrite or web or cage technique
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1036Seed pulling including solid member shaping means other than seed or product [e.g., EDFG die]
    • Y10T117/1044Seed pulling including solid member shaping means other than seed or product [e.g., EDFG die] including means forming a flat shape [e.g., ribbon]
    • Y10T117/1048Pulling includes a horizontal component
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1032Seed pulling
    • Y10T117/1056Seed pulling including details of precursor replenishment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、シリコン融体に対−「ろ耐性はある□ が−
採vc 蒜n得る網状構造を有する支持体を溶融シ(ノ
コンにより被覆する太l!!電1:也用犬而積・jW状
シリコン結晶の製造装置に関″4″る。この装置は、シ
リコン鋤体を入れろ溶、融1乃とその領(成力に彼!i
すべき支持体をτ車続的に融体と接触させろlこめの案
内手段を備えている。
かかる装置は特開昭55−7345’O号公報に記載さ
itている。そル((おいては黒鉛網から成る支持体を
連続法で溶i偵中に育在てる/リコン融困の表面上に接
して引き、その場合、11品化現象の1麦では支持体は
ンリコン帯状体中に埋め込まれている。この方法Vこよ
才tば1m27分の面引き抜き速度□が得られろ。
この場合融体中に生じろ向流は、結晶化前i/ir v
)著しい温度変動並びVC平面状シリコン結晶の厚さの
変動ケ生じるという技術的離点火ひき起と−f。
ノリコン融体を連続的にまた一様に補給し、そitによ
−)て融体液面を常に同じ高さに保持することも、七σ
)ことが支持体の一様な被覆に対して同仔に必要な前提
であろけitども、やはり困難である。
一様な被覆は、特開昭56−146226号公報に記載
さitているように、被覆が引き抜き車度に関して、黒
鉛庄tこは黒鉛被覆石英ガラス繊維から成る支持体1図
の1コの中に溶@シリコンの高い表面張力に基づいて薄
い層だけが形成さJ’Lるように行わst、帯状の網は
溶融槽の底部に設けられ、融体、’=i11の方向へ延
びる」(導路のスリット形開口?、通じて導かれ、その
場合スリット形1用口が帯状AJ’41/)’+J法(
繊維の太さ)に合一)ているどきに得らitろ。溶融(
・1す中へのシリコノの補給θ)問題はそこで01な+
6十分には貿欠されていない。
同じことは同−ロソバ特許出願第+10 J 3985
号畦叩111 :’、J’ &こより公知のノj法−t
7エわち貯液’eF−2客からの(容ム独/リコンがシ
リコンと、混合できないがシリコンに濡2しかつその融
点がシリコノのそれより下にある非元素の潤滑融体と1
宴帥し、この潤i’l’i副1体の−1を屑ってシリコ
ンフィルムが引き1友かオt1その融点以下θ)冷却K
J:ワ全面的に凝固さぜられる方法に対しても当てはま
る。この方法は工内的には非常に費用がかかる。
本発明の目的は、一様な波呵が高い製造速度で保証され
るような安価に製造されろ太陽電池用帯状シリコン結霜
のための引き抜き装置な提供f7−。
ことにあり、fなわち機体中の対流ン1t!4thし、
簡単な補給系乞使用できるもθ〕を提供することにあろ
う この目的は冒頭に挙げた種類の装置において、a)溶融
・漕がその底部に垂直方向外側て通じている平行に配置
された複数個び)毛細管状孔を融体の供給のために酊し
、 b)溶融僧の下部の毛細管状σ)孔の領曖に水子方向に
7=りかつ支持体の案円のための加熱可能な泗導路が配
置されろこと、 あるいは a)溶融(f々が垂直方向に延びかつ平′斤に配置され
た複数個の毛細管状孔からなる物体と結合して(6つ、 b)毛細管体の上方の・シリコン融体により満たされる
毛細管状孔、の領戎中に水平方向に走る慄η・1fl!
3が被覆さj−1,るべき支持体の案内のために配置さ
才tろこと によって1幸成されろ。・ 毛細管体グ)使用により□・C一方では支持体への融本
供給が貯酸’fly a’aとは切り随さA1、他方で
は同流(てよる(径部が結晶化領域中の融体の詩かな)
7さと毛、■管1)−の高い熱室@/7)ために閉止さ
れる。
以下図面について本発明の実施例ηピ詳細に説明゛1「
ゐ。
第j図゛l工いし第3図に示す装置においては、支持体
の移動を?テ5・、濃構は本発明にとって重要でないか
ら省略さ1tりいる。
第J図θ〕喫施例では、黒鉛または石英ガラスからなる
溶融譜Iの中しこ存在しかつ被)5によって消を置いて
簡単な補給系((開示せず)により補給されろ溶融シリ
コン2は、溶融槽1の底部3において垂直方向に下方に
通じている互に子桁に走る毛細“管状孔4ン介して、溶
融イ偕1:f7’)下部を水平方向(矢印5参照)千μ
導;洛内火導かれる黒鉛網からなる支會体・7に::給
・さ゛れる。憚導門6け加熱体□8を備え、それによっ
て支持体7を濡らす溶融ン1)′コン2は、高導路6を
雅2するli’;4 +で初めてl省品化+Lで支持体
7θ)中に腹合さλするシリコン帯Jli、、体9にな
る。出口部に拓いて毛細管状孔4の高さに付加的なヒー
タ10%よ、び支、持仏の下方に冷却手段、例えば送J
戦機(矢印20参照)、ど配置ずろことかでき、そit
によって結晶化現象が、助成さi’!−ろ。
■第2′図の実施例で□は、’ m’! J曹J、J内
の溶融シリ、、コニ、ン12は、垂直力りに延びかつま
た平行に毛る毛′1細1′’tIF状孔】4を備えた黒
鉛製C)′物体」3ソ(−て需導蕗J6中を水平方向(
矢印17を参照)7c案内□、、さ3tろ黒鉛網からな
る支持体J8に供給される。
毛細′1;f状孔I4乞備えた物体137χンリコン融
体12の中に浸i−rると、液体シリコンは毛、:ζ[
]?’F伏孔】4中を上昇1−1側導路16を液体シリ
コンで満tこし、通過−する支持体】8をM覆する。毛
1wI’j:F体】3はシリコンを液体状態に1呆つた
めVC直接通電に工って加熱可能である(図示せず)。
同様に高導路も加熱することができる。高導路16?離
J’Lろ際、結晶イヒσ)助成θ)ために被覆さ才11
こ支持体(−シリコン帯状体19)は下から送、風磯2
0によって冷却されることができる。
第3「杓の実施1列では、帯状支持体J8,19θ)非
7」称的味覆は、欄導路】6の出口孔2】o)下方化拡
げ、出[」孔21σ)前でシリコンで被覆された支持体
】9の」二・alUに加熱手段22を、下側に冷却子1
り、11えば送風機20を配置f6゜そ1’L以外は第
2図と同じ部分1には同じ符号が付されている。
第4「4から明らかなように、液体シリコンは引と抜き
速度V、/、で支持体18の冷却手段20に向いた田1
]で当初用品イヒする。加熱手段22の方向における温
度勾配σ)ために支持体18.19の方向への後続の結
晶化は速度VK<V、、で行わfする。
第4図では第3図と同じ符号が付せらitている。
【図面の簡単な説明】
・第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図、第3図
はそれぞれ異なる実籏例σ)断面図、第4図は第3図グ
〕要部拡大図である。 1.11 ・・・ 溶融槽、  2.A2・・・シリコ
ン融体、  3・・・貯蔵槽底部、  4・・・毛細管
状孔、6116・・・ 習導路、  7.」8 ・・・
支持体、 9゜A9・・・被覆された支持体、  In
、22・・・ 加熱手段、  20 ・・・冷却手段。 FIG 1 /U FIG2 FIG 3 IG4

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1) ンリ・ン融体(2)K対する耐性はあるが融体(
    2)に濡れ得る網状構造を何才る支持体(7)を溶融ン
    リコしてより被覆することにより太陽電c′lu用大面
    積帯状シリコン結晶を製造−(1)ため、シリコ□ン融
    体(2)を入れる溶融1fl(1)とその領域内に披′
    覆オペぎ支持体(7)を連続的(/C融体(2)と接触
    させるための案内手l蒙を備える装BVcおいて、a)
     溶融槽(1)がそθ)底部(3)に垂直方向に外B1
    gに通じている平行に配置された複数量・ハ厄細庁状孔
    (4)?融(1σ]供給のために角し、 b)1恰1.1すi4f’r (] )の下部σ)毛+
    >+n管状孔(4ンの領域にlk・上方向(5)に′;
    Lつかつ支持体(7)の案内のだめの加熱可能(8)な
    清導路(6)が配置されること を特徴とする太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造襞
    置二 2〕 被覆さitた支持体(9)を出口3部において上
    側から加熱するとともに下側から冷却することを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載σ)装置。 3) シリコン粧体(I2)に対する耐性はある□が融
    体(12)’Ic濡2を得る網状構分を有する支持体(
    183′?:溶融シリコンにより被覆することにより太
    陽電通用大面積帯状シリコン結晶を製造するためンシリ
    コン融体(12)を入れる溶融If!(z)とその領域
    内□に被覆てべき支持体(I8)を連続的に融体(12
    )と1妾触させるための案内手段′?:備える装置にお
    いて、 a) 溶融:1(J])が垂直方向に延び、かつ平行に
    配置された複数向の毛1γ10管状孔(I4)からなる
    物体(]I3と結合してkつ、  □+1)  毛:N
    II管体(+ 3 ) +n 上j5o)7+) コy
    融(;l=(12) vcより構た;iする6細管状孔
    〔14)の・卸I戊中に水平方向(17)K走る猷)導
    路(]6)が被覆されるべき支持体”’(’ ”18 
    )の案内〆ハためVC配置されること を特徴と才ろ太陽電池用大面積帯状シリコン、結晶製造
    ・装置。 4)℃細・1f体(13)が直接通電によって引熱可1
    jシであることを特徴とする特許請求の範囲第3噴記載
    の装置。 ”)’:IJ)導路(]6)が被覆された支持体(19
    )のための下方に一拡がった出[]孔(21)を備え、
    出口孔(2])の領域内において被覆さ71、た支持体
    (19)の」二側に加熱手段(22)を、そのTi1I
    llに冷、1j11手段(2Q)を備えろことを特徴と
    する特許請求の範囲第3頃または2a4項記!dの装置
    。 6)測導路(16)をl111熱する手段を備えること
    を特徴とする特許請求の範囲第3項プエいし第51頁の
    いず11かにコ己載σ)装、買。
JP58151455A 1982-08-23 1983-08-19 太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造装置 Pending JPS5954693A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE32313268 1982-08-23
DE19823231326 DE3231326A1 (de) 1982-08-23 1982-08-23 Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5954693A true JPS5954693A (ja) 1984-03-29

Family

ID=6171516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58151455A Pending JPS5954693A (ja) 1982-08-23 1983-08-19 太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4563976A (ja)
JP (1) JPS5954693A (ja)
DE (1) DE3231326A1 (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4590043A (en) * 1982-12-27 1986-05-20 Sri International Apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid
US4748014A (en) * 1982-12-27 1988-05-31 Sri International Process and apparatus for obtaining silicon from fluosilicic acid
DE3306515A1 (de) * 1983-02-24 1984-08-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen
DE3560643D1 (en) * 1984-04-09 1987-10-22 Siemens Ag Process for producing large-surface silicon crystal bodies for solar cells
US4554203A (en) * 1984-04-09 1985-11-19 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing large surface silicon crystal bodies for solar cells, and bodies so produced
DE3419137A1 (de) * 1984-05-23 1985-11-28 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren und vorrichtung zur herstellung von halbleiterfolien
US4599244A (en) * 1984-07-11 1986-07-08 Siemens Aktiengesellschaft Method large-area silicon bodies
EP0170119B1 (de) * 1984-07-31 1988-10-12 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von bandförmigen Siliziumkristallen mit horizontaler Ziehrichtung
DE3524997A1 (de) * 1985-07-12 1987-01-15 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung
DE3524983A1 (de) * 1985-07-12 1987-01-22 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung
US4873063A (en) * 1986-01-06 1989-10-10 Bleil Carl E Apparatus for zone regrowth of crystal ribbons
US4749438A (en) * 1986-01-06 1988-06-07 Bleil Carl E Method and apparatus for zone recrystallization
US4775443A (en) * 1986-02-06 1988-10-04 Bleil Carl E Method and apparatus for zone regrowth of crystal ribbons from bulk material
JPS62291977A (ja) * 1986-06-06 1987-12-18 シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト 太陽電池用シリコン盤の切り出し方法と装置
DE3803769A1 (de) * 1988-02-08 1989-08-17 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von duennen, bandfoermigen siliziumkristallen mit ebener oberflaeche, geeignet fuer die solarzellenfertigung
DE3806001A1 (de) * 1988-02-25 1989-09-07 Siemens Ag Anordnung zum vollstaendigen entleeren von mit siliziumschmelze gefuellten quarzwannen oder -tiegeln nach dem siliziumbandziehen
DE3901042A1 (de) * 1989-01-14 1990-07-26 Nukem Gmbh Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleiter-schichtsystems
US5055157A (en) * 1990-02-05 1991-10-08 Bleil Carl E Method of crystal ribbon growth
US5069742A (en) * 1990-02-05 1991-12-03 Bleil Carl E Method and apparatus for crystal ribbon growth
US5229083A (en) * 1990-02-05 1993-07-20 Bleil Carl E Method and apparatus for crystal ribbon growth
US5199990A (en) * 1990-05-08 1993-04-06 Zeniya Industry Co., Ltd. Apparatus for solder-plating a lead-frame carrying electronic components
JP2928664B2 (ja) * 1991-08-12 1999-08-03 株式会社東芝 酸化珪素成膜方法およびこの方法に用いる成膜装置
EP0701487B1 (de) * 1993-05-05 1998-11-25 STEAG MicroTech GmbH Vorrichtung zur belackung oder beschichtung von platten oder scheiben
DE19846072B4 (de) * 1998-10-06 2006-01-19 Daimlerchrysler Ag Vorrichtung zum Spülen von Lackiereinrichtungen
US6482261B2 (en) 2000-12-29 2002-11-19 Ebara Solar, Inc. Magnetic field furnace
KR20090055646A (ko) 2006-09-28 2009-06-02 비피 코포레이션 노쓰 아메리카 인코포레이티드 결정질 실리콘 기재의 제조 방법 및 제조 장치
US8323408B2 (en) * 2007-12-10 2012-12-04 Solopower, Inc. Methods and apparatus to provide group VIA materials to reactors for group IBIIIAVIA film formation
US8163090B2 (en) * 2007-12-10 2012-04-24 Solopower, Inc. Methods structures and apparatus to provide group VIA and IA materials for solar cell absorber formation
US20150040819A1 (en) * 2013-08-08 2015-02-12 Energy Materials Research, LLC System and method for forming a silicon wafer

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US600250A (en) * 1898-03-08 Galvanized or metallic-coated wire-cloth
US2673549A (en) * 1952-02-02 1954-03-30 Frucki Alfred Moistening apparatus for flat surfaces
US2928212A (en) * 1955-01-24 1960-03-15 Cie Reunies Glaces Et Verres Method and apparatus for continuously drawing a glass sheet
GB1498925A (en) * 1975-02-07 1978-01-25 Philips Electronic Associated Method of manufacturing semiconductor devices in which a layer of semiconductor material is provided on a substrate apparatus for use in carrying out said method and semiconductor devices thus manufactured
DE2633961C2 (de) * 1975-07-28 1986-01-02 Mitsubishi Kinzoku K.K. Verfahren zum Ziehen eines dünnen Halbleiter-Einkristallbandes
JPS5261180A (en) * 1975-11-14 1977-05-20 Toyo Shirikon Kk Horizontal growth of crystal ribbons
DE2638269C2 (de) * 1976-08-25 1983-05-26 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur Herstellung von substratgebundenem, großflächigem Silicium
US4325917A (en) * 1977-07-21 1982-04-20 Pelts Boris B Method and apparatus for producing sapphire tubes
FR2401696A1 (fr) * 1977-08-31 1979-03-30 Ugine Kuhlmann Methode de depot de silicium cristallin en films minces sur substrats graphites
US4174234A (en) * 1978-04-12 1979-11-13 Semix, Incorporated Silicon-impregnated foraminous sheet
US4169739A (en) * 1978-04-12 1979-10-02 Semix, Incorporated Method of making silicon-impregnated foraminous sheet by partial immersion and capillary action
US4269652A (en) * 1978-11-06 1981-05-26 Allied Chemical Corporation Method for growing crystalline materials
DE2850790A1 (de) * 1978-11-23 1980-06-12 Siemens Ag Verfahren zum herstellen von scheiben- oder bandfoermigen siliziumkristallen mit kolumnarstruktur fuer solarzellen
DE2850805C2 (de) * 1978-11-23 1986-08-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Herstellen von scheiben- oder bandförmigen Siliziumkristallen mit Kolumnarstruktur für Solarzellen
US4430305A (en) * 1979-02-12 1984-02-07 Mobil Solar Energy Corporation Displaced capillary dies
US4289571A (en) * 1979-06-25 1981-09-15 Energy Materials Corporation Method and apparatus for producing crystalline ribbons
GB2059292A (en) * 1979-09-28 1981-04-23 Honeywell Inc Growing silicon films on substrates
DE3010557C2 (de) * 1980-03-19 1986-08-21 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von großflächigen Siliziumkörpern für Solarzellen
DE3231268A1 (de) * 1982-08-23 1984-02-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zum asymmetrischen beschichten eines bandfoermigen traegerkoerpers mit silizium fuer die weiterverarbeitung zu solarzellen

Also Published As

Publication number Publication date
DE3231326A1 (de) 1984-02-23
US4563976A (en) 1986-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5954693A (ja) 太陽電池用大面積帯状シリコン結晶製造装置
US4329195A (en) Lateral pulling growth of crystal ribbons
CN101522960B (zh) 用于生产晶体硅基板的方法和设备
US4289571A (en) Method and apparatus for producing crystalline ribbons
JPS593408B2 (ja) レンゾクフユウホウ ニヨル ガラスノセイゾウ
CN104379516A (zh) 用于从持续移动的玻璃带移除边缘部分的设备和方法
DK146715B (da) Fremgangsmaade og anlaeg til fremstilling af planglas
JPS59156906A (ja) 太陽電池用大面積シリコンリボンの製造装置
US4402722A (en) Cooling arrangement and method for forming float glass
US4520752A (en) Device for depositing a layer of polycrystalline silicon on a carbon tape
NO117040B (ja)
US3721543A (en) Float glass apparatus with means for inserting wire
US4664745A (en) Method and apparatus for manufacturing tape-shaped silicon crystals with a threaded carrier
JPH0139998B2 (ja)
US4481235A (en) Apparatus and method for manufacturing tape-shaped silicon bodies for solar cells
JPS62291977A (ja) 太陽電池用シリコン盤の切り出し方法と装置
JPS60204631A (ja) ガラスシートの引抜き方法および装置
JP2003504295A (ja) 結晶リボン成長のエッジメニスカス制御
US3725045A (en) Apparatus and method for vaporizing molten metal
PL72606B1 (ja)
JPS596827B2 (ja) 再溶融式ガラス繊維製造用白金系紡糸炉
US3476579A (en) Method and apparatus for coating metallic core with a metallic coating
CA1320897C (en) Method and apparatus for making inorganic webs and structures formed thereof
JPH01226798A (ja) リボン状シリコン結晶の製造方法
JPH0362786B2 (ja)