DE3524997A1 - Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung - Google Patents
Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von
bandförmigen Siliziumkristallen für Halbleiterbauelemente,
insbesondere für Solarzellen, bei dem ein gegenüber der
Siliziumschmelze resistenter Trägerkörper in horizontaler
oder nahezu horizontaler Richtung tangieren über die in
einer Wanne befindliche Schmelze gezogen und mit Silizium
beschichtet wird, wobei der Trägerkörper zugleich Kristallisationskeim
für den Aufbau des kristallinen Siliziumbandes
ist.
Ein solches Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Durchführung
dieses Verfahrens wird in der deutschen Patentanmeldung
P 34 28 257.2 vorgeschlagen. Dabei werden als
Trägerkörper und Kristallisationskeimbildner für die Beschichtung
in Ziehrichtung parallel laufende Fäden aus
Graphit, graphitiertem Quarz oder Siliziumcarbid verwendet
und die Schmelzenwanne so dimensioniert, daß ihre
Länge mindestens so groß ist wie die Kontaktlänge, die
sich aus der Verweildauer und der Ziehgeschwindigkeit ergibt.
Die Ziehrichtung wird im Winkel α 10% gegen die
Horizontale geneigt eingestellt.
Ein Problem entsteht dadurch, daß das Abziehen des Kristallbandes
in nahezu horizontaler Richtung erfolgen muß.
Dabei kann die Schmelze von der kristallisierenden Siliziumschicht
über den Schmelzwannenrand mitgezogen werden.
Wenn dies geschieht, treten Wachstumsstörungen an der Unterseite
der Schicht auf. Außerdem besteht die Gefahr,
daß dadurch die Schmelze ausläuft und es deshalb zu einer
Unterbrechung des kontinuierlichen Ziehprozesses kommt.
Darüber hinaus können durch das Auslaufen der Schmelze
die Heizeinrichtungen für die Schmelzwanne zerstört werden.
Aus einem Bericht von Bates und Jewett aus den Proceedings
of the Flat-Plate Solar Arrey Project Research Forum on
the High-Speed Growth and Characterization of Crystals
for Solar Cells, 25. bis 27. Juli 1983, Port St. Lucie,
Florida, auf den Seiten 297 bis 307, ist bekannt, zur
kontinuierlichen Herstellung von Siliziumbändern ohne
Trägerkörper mit Geschwindigkeiten bis zu 80 cm/min (sogenanntes
LASS-Verfahren = low ªngle silicon sheet) zur
Vermeidung des Mitziehens von Siliziumschmelze Abschabvorrichtungen
(sogenannte scraper) aus Quarz zu verwenden
(siehe Fig. 1 und 2).
Nachteile solcher Vorrichtungen sind, daß Quarz bei der
hohen Temperatur der Siliziumschmelze (ungefähr 1420°C)
nicht formstabil ist. Dazu kommt, daß der Quarz-Scraper
im Laufe des Prozesses mit Silizium bedeckt wird und dann
keine Barriere für Silizium mehr darstellt.
Die Aufgabe die der Erfindung zugrundeliegt, besteht nun
darin, ein Verfahren anzugeben, bei dem ein kontinuierliches
horizontales Bandziehen (web-Verfahren) mit hohen
Ziehgeschwindigkeit möglich ist, ohne daß Siliziumschmelze
mit der kristallisierenden Schicht über den
Schmelzwannenrand hinausgezogen wird.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren der eingangs genannten
Art dadurch gelöst, daß das in Ziehrichtung im
Bereich des Schmelzwannenrandes liegende Ende der Schmelze
dem Einfluß eines magnetischen Wanderfeldes ausgesetzt
wird, so daß aus der Wechselwirkung zwischen induzierten
Strömen und Wanderfeld ein berührungsfrei wirkender Druck
entgegengesetzt der Ziehrichtung auf den Schmelzenmeniskus
ausgeübt wird.
Die Erfindung nützt dabei die hohe elektrische Leitfähigkeit
(12 000 Ohm-1 cm-1) des flüssigen Siliziums aus, die
um etwa einen Faktor 20 über dem Wert von festem Silizium
bei der gleichen Temperatur liegt (zum Vergleich sei angegeben,
daß das Verhältnis der Leitfähigkeiten flüssig/
fest am Schmelzpunkt für Metalle kleiner 1 ist).
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen,
zur Erzeugung des magnetischen Wanderfeldes einen
ebenen Stator mit Drehstromwicklung zu benutzen und ihn
parallel zur Oberfläche der Schmelze direkt über der
Schmelze anzuordnen. Der Stator ist, wie aus dem Buch von
P. K. Budig "Drehstromlinearmotoren", Heidelberg 1978,
auf der Seite 18/19 zu entnehmen ist, so gewickelt, daß
bei Drehstromfluß durch die Wicklungen an seiner der
Schmelzoberfläche zugewandten Seite eine Folge magnetischer
Pole entsteht, zwischen denen die magnetischen
Induktionswellen verlaufen. Weitere Einzelheiten sind aus
den Fig. 1 und 2 ersichtlich.
Die Durchführung des Verfahrens kann beispielsweise mit
der in der deutschen Patentanmeldung P 34 28 257.2 vorgeschlagenen
Vorrichtung erfolgen, welche durch die erfindungsgemäße
Maßnahme, beispielsweise durch den in den
Unteransprüchen beanspruchten Stator ergänzt wird.
Die Erfindung wird im einzelnen anhand der Fig. 1 bis 3
noch näher erläutert. Dabei zeigen
die Fig. 1 in schematischer Darstellung die Anordnung
des Stators über der Schmelze in Seitenansicht,
die Fig. 2 die gleiche Anordnung in Draufsicht mit den
Stromdichtenlinien in der Schmelze und
die Fig. 3 den Stator in perspektivischer Darstellung.
Fig. 1: Das magnetische Wanderfeld, gekennzeichnet durch
die mit Pfeilen versehenen Linien 1 der magnetischen Induktion
B wird durch einen ebenen Stator 2 mit Drehstromwicklung
3 erzeugt. Der Stator 2 ist über der Siliziumschmelze
4 parallel zur Oberfläche der Schmelze 4 angeordnet.
Der Stator 2 ist, wie bereits erwähnt, so gewickelt,
daß bei Drehstromfluß durch die Wicklung 3 an seiner Unterseite
eine Folge magnetischer Pole v. . . N - S - N - S . . .
entsteht, zwischen denen die magnetischen Induktionslinien 1
verlaufen. Der Abstand aufeinanderfolgender
Pole wird mit τ angegeben. Die Pole und mit ihnen das
Induktionsfeld B bewegen sich längs des Stators 2 mit
einer konstanten Geschwindigkeit v in negativer x-Richtung,
also entgegengesetzt zu der Ziehrichtung 6 des kristallisierenden
Siliziumbandes 7. Ist f die Drehstromfrequenz,
dann rechnet sich die Geschwindigkeit v = 2 τ f.
Mit dem Bezugszeichen 5 ist der Schmelzwannenrand und mit
8 der Schmelzenmeniskus bezeichet.
Fig. 2: Die zeitliche Änderung des Induktionsfeldes
dB/dt induziert in der Schmelze 4 Ströme, die durch
Stromdichtelinien 11 angedeutet sind (die elektromagnetische
Einwirkung auf das dünne kristallisierende Siliziumband 7
kann wegen des oben bereits erwähnten großen
Leitfähigkeitsunterschiedes zwischen flüssigem und festem
Silizium vernachlässigt werden). Nach der Lenz′schen Regel
ist das Magnetfeld des Induktionsstromes bestrebt,
die Änderung des einwirkenden Feldes zu verhindern. Das
ist hier nur möglich, wenn die Schmelze 4 dem sich mit
der Geschwindigkeit v bewegenden Feld B folgt. Ist die
Bewegungsrichtung des Feldes der Ziehrichtung 6 des kristallisierenden
Bandes 7 entgegengerichtet, so kann auf
den Schmelzenmeniskus (8) eine stabilisierende Wirkung
ausgeübt werden.
Zur Stabilisierung des Schmelzenmeniskus (8) muß eine
Kraft F vom Stator (2, 3) auf die Schmelze (4) übertragen
werden. Es gilt folgende Gleichung (Budig, Drehstromlinearmotoren,
Seite 82):
F = A · (B · 2p · τ · v) · (b · d · )
F = A · (B · 2p · τ · v) · (b · d · )
In dieser Gleichung ist die Schmelze (4) charakterisiert
durch:
ihre Breite b (= 5 cm) siehe Fig. 2,
ihre Dicke d (= 0,5 cm) siehe Fig. 1 und
die Leitfähigkeit (12 000 Ω-1cm-1).
ihre Breite b (= 5 cm) siehe Fig. 2,
ihre Dicke d (= 0,5 cm) siehe Fig. 1 und
die Leitfähigkeit (12 000 Ω-1cm-1).
Stator 2 und Induktionsfeld B sind charakterisiert durch:
- maximale Induktion B m am Ort der Schmelze (= 200 G) (= Gauß)
- Zahl der Pole 2p (= 4)
- Abstand aufeinanderfolgender Pole τ (= 2,5 cm)
- v = 2 · τ · f, f = Drehstromfrequenz (= 50 Hz).
- maximale Induktion B m am Ort der Schmelze (= 200 G) (= Gauß)
- Zahl der Pole 2p (= 4)
- Abstand aufeinanderfolgender Pole τ (= 2,5 cm)
- v = 2 · τ · f, f = Drehstromfrequenz (= 50 Hz).
Der Faktor A enthält Größen, die für die vorliegende Abschätzung
ungefähr 1 gesetzt werden können.
Durch Einsetzen ergibt sich
F = 3 × 10-2 N ≅ 3 p
F = 3 × 10-2 N ≅ 3 p
Wie sich aus Berechnungen der Druckverhältnisse in der
Schmelze (4) ergibt, ist eine Kraft dieser Größenordnung
zur Stabilisierung des Meniskus (8) ausreichend.
Fig. 3: Gemäß einem Ausführungsbeispiel nach der Lehre
der Erfindung wird der Stator 2, 3 zum Schutz vor Überhitzung
mit einer Gas- oder Flüssigkeitskühlung 9 (die
Pfeile zeigen die Strömungsrichtung an) versehen und
auf der, der Schmelze (4) zugewandten Seite mit einer
Strahlungsabschirmung 10 aus nichtmagnetischem Material
abgedeckt.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung von bandförmigen Siliziumkristallen
für Halbleiterbauelemente, insbesondere für
Solarzellen, bei dem ein gegenüber Siliziumschmelze
resistenter Trägerkörper in horizontaler oder nahezu
horizontaler Richtung tangierend über die in einer Wanne
befindliche Schmelze gezogen und mit Silizium beschichtet
wird, wobei der Trägerkörper zugleich Kristallisationskeim
für den Aufbau des kristallinen Siliziumbandes ist,
dadurch gekennzeichnet, daß das in
Ziehrichtung (6) im Bereich des Schmelzwannenrandes (5)
liegende Ende der Schmelze (4) dem Einfluß eines magnetischen
Wanderfeldes (1, 2, 3) ausgesetzt wird, so daß aus
der Wechselwirkung zwischen induzierten Strömen und Wanderfeld
ein berührungsfrei wirkender Druck entgegengesetzt
der Ziehrichtung (6) auf den Schmelzenmeniskus (8) ausgeübt
wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das magnetische Wanderfeld
(1) durch einen ebenen Stator (2) mit Drehstromwicklung
(3), der parallel zur Oberfläche der Schmelze (4) direkt
über der Schmelze (4) angeordnet ist, erzeugt wird und
daß ein Stator (2, 3) verwendet wird, der so gewickelt
ist, daß bei Drehstromfluß durch die Wicklungen (3) an
seiner der Schmelzenoberfläche (4) zugewandten Seite eine
Folge magnetischer Pole (. . . N-S-N-S . . .) entsteht,
zwischen denen die magnetischen Induktionslinien
(1) verlaufen.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Stator (2, 3) verwendet
wird, welcher zum Schutz vor Überhitzung mit einer
Gas- oder Flüssigkeitskühlung (9) versehen ist und auf
der, der Schmelzenoberfläche (4) zugewandten Seite mit
einer Strahlungsabschirmung (10) aus nicht-magnetischem
Material abgedeckt ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19853524997 DE3524997A1 (de) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19853524997 DE3524997A1 (de) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3524997A1 true DE3524997A1 (de) | 1987-01-15 |
Family
ID=6275655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19853524997 Ceased DE3524997A1 (de) | 1985-07-12 | 1985-07-12 | Verfahren zum herstellen von bandfoermigen siliziumkristallen mit horizontaler ziehrichtung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3524997A1 (de) |
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