JPS595168A - 液晶材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は液晶材料に関するものである。たとえばデジタ
ル式の計算器、時計、計器および簡単な文字表示器のよ
うな表示器（４において電気光学的効果を示すために液
晶材料を使用することは現在周知りかモー棒。しかしな
がら、公知の液晶材料は全ての面で理想的ではなく、こ
れらの性質を改善するため当業界において現在相当な研
究が行なわれている。通常、液晶材料は化合物の混合物
よりなり、改良された材料は改良された性質の組合せを
有する新規な混合物を生成することにより得られる 本発明の目的は、混合物、特に巾広い温度範囲のネマチ
ック液晶混合物に使用して成る場ばに改良された性′Ｎ
を与えうる新規な種類の液晶化合物を提供することであ
る。

本発明によれば、式： し石’）−ｃＨ！・ＣＨべ）Ｘ　　　式Ｋ〔式中　（Σ
はトランス−２，５−二置換−１，３−ジオキサン環ま
之は２，５−二置換−１，３−ピリミジン環であり、 舎は任意に側置換基として１個もしくはそれ以上のＦ’
、　ｃｔ、またはＯＲ，基を有するｌ、４−二置換ベン
ゼン環であり、 島はアルキル基であり、 ＸはＨ，ＣＮ、　Ｃ１，Ｆおよび鳥から選択される末端
基であり、ここでＲｍｒｒｉアルキルＲトアルコキシＯ
Ｒ１、アルキルカルポニルオキク０ＣＯＲ，およびアル
コキシカルボニルオキシ０ＣＯＯＲ，かう選択される〕 を有する液晶化汁物が提供される。

式１の化合物の例は、弐１ａ〜１ｈを有するものであり
、次の通りである： 好ましくは、島および鳥はそれぞれ独立して１〜１８個
、望ましくは１〜９個の炭素原子を有するアルキル基で
ある。これらの基は、ｎ−アルキル基または分枝鎖のア
ルキル基とすることができる。分枝鎖の場合は、キラル
中心を有することができる。

般的に言って、式■の化合物は比較的低い融点（通常１
００℃未満）を有する液晶化合物である。これらは基Ｘ
に応じて広い範囲のΔＣ（低周波数における誘電異方性
）値を示すうＸがＣＮの場合、Δｅは一般にｌＯよシ大
きくかつ正である。

ＸがＦまたはαである場合、ΔＣは一般に３より大きい
が、ＩＯより小さい。ＸがＨまたは島である場合、Δ６
は一般に３より小さくかつ正または負であり得る、一般
に、ＸがＨまたは島でありか　　　　　゛つＸＫｘが９
１１Ｉ　ｔｔ換されている場合、Δ６は負である。

式１の化合物は、公知のエチル架橋さｔｔた液晶化合物
と比奴して、改良された性質を示す。

たとえば、式１ａおよび弐１ｂの化合物は、式：計◇）
ＣＨ＊　ＩＩＣＨａ＋ＣＮ　の公知のシクロヘキサン化
合物よりもより高い正の誘電異方性Δεを示すことかで
きる。

このために、電気光学的表示器に使用される液晶材料中
に弐Ｉの化合物を含有させれば、より低い操作（閾値）
′電圧を使用することが可能となる〇双極子−双極子対
のより大きな立体障害に部分的に基づき、より高い誘′
は異方性が可能でろ、す、これにより透過性（平均分子
軸に沿う）に寄与する多数の双極子が与えられると信じ
られ　さらに平均分子軸に沿う縦方向の双極子１１もよ
り大きくなると信じられている。

さらに、式１ａ、Ｉｄ、ＩｇおよびＩｈの化合物は、シ
アノ置換物置の混合物の多様性を向上させる低いまたは
中庸の粘度添加剤の範囲を拡大させるという価値を有す
ることもひきる。さらに、これらはＪｊｌ−（）−の代
シにシクロヘキサン環もしくはベンゼン環を有する公知
化合物よりも、より低たがって光学特性のより大きな多
様性を与えると共に、たとえば式１ｇおよび１ｈのよう
な成る種の側１樅挨された化合物の場合より大きい負の
Δε値を示−１０ また式１の化合物は、液晶混合物に使用した陽陰、望ま
しくない注入スメクチック相の抑制を示す。

「液晶化合物」という用語は、次の２種の公知範嗜の１
つにおける化合物を意味する：Ｌｌ）　　通常液晶相を
示す化合物、 １１１）　　通帛には液晶相を示さないが、他の液晶化
合物に溶解した場合に液晶挙動の成る面に有効に作用す
る化合物。

軛＠　ｔ　ＩＩ）の化せ物は、その固相の融点よシ低い
温間において、「モノトロピック」または「バーチュア
ル」な液晶から等方性液体への相転位を示す。

モノトロピックまたはバーチュアルな転位は、それぞれ
液相の急冷により、或いは液晶相を示す材料中に化合物
を溶解させ、添加による材料の寺方相への転位を観察し
、かつ外挿により仮想（ｖｉｒｔｕａｌ　）転位温度を
ざ［算−ｒることにより検出することができる。

４４（ＩＩ）の化合物をたとえば、他の液晶化合物中に
有効に溶解させて、これら化合物の液晶温度範囲を拡大
または変化させることができ、或いは分子綿線ピッチ（
コレステリック液晶の場合）を変化させることができる
。

式■による１種もしくはそれ以上の化合物は下記の用途
のいずれかに使用゛Ｔることができる（ここで正の誘電
異方性を有する材料を「正」の材料と呼び、かつ負の誘
導異方性を有する材料を「負」の材料と呼ぶ）； （：）多重装置を包含するねじりネマチック効実装置に
使用するための正のネマチック材料の１つもしくはそれ
以上の成分として； この種の装置のトリは後記する； ＋ｌｌ）　　電場により分子配１１をホメオトロピック
組織（オフ状態）からホモジニアス組織（オン状態）ま
で変化させうるフリーブリックス効果装置（負のネマチ
ック型）に使用する、好ましくは多色性染料と併用され
る負の拐料の１つもしくはそれ以上の成分として；この
種の装置の例は後記する：＋１ｉｌ）　　電場により分
子配置をホモジニアス組織（オフ状態）からホメオトロ
ピック組織（オン状態すまで変化させうるフリーブリッ
クス効果装置（正のネマチック型）に使用する、好まし
くは多色性染料と併用される正のネマチック材料の１つ
もしくはそれ以上の成分として； （Ｉψ　電場により分子配列をホモジニアス組織（オフ
状態）から不規則な赦乱焦点（４’ｔｕｒｂｕｌｅｎｔ
＠ｃａｔｔｅｒｊｎｇ　ｆｏｃａｌ　）　：Ｊニラク組
＃Ｉｔ（オ、・状１円）まＣ変化させうるコレステリッ
ク８山腫モード装置に使用ｊ　ルｆｔ　メ（／Ｊ、適当
’ｒ　５ｊ’ｃ抗値（約ｌＯ″ｏｂｍ、　ｃｍ　）　ｆ
。

有ｒるコレステリック（キラルなネマチック相である負
の材料の１つもしくはそれ以との成分として； ｊ■゛屯場電場り分子配置〆を弱故乱、［なわちきれい
に表面帯列したホメオトロピック組織（オン状ＷＪＪ　
）から強（ｓｔｒｏｎｇｌＦ）故乱ねじリホモジニアス
組織（オン状態）まで変化させうるコレステリック−ネ
マチック相転位動実装置（正のコントラスト型）に使用
するだめの、好ましくは多色性染料と１ノド用されるコ
レステリックである強度に負の材料の１つ本しくはそれ
以上の成分とし−Ｃ；ｔｖ６　４場により分子配Ｉ崖を
Ｗｉ跣焦点コニック組織（オフ状態）からきれいなホメ
オトロピック組織（オン状１ｉｉＭ）まで変化させうる
コ１ノステリツクーネマテツク相転位効実装Ｉｆ（負の
コント２スト型）に使用−［るための、好ましくは多色
性染料と併用される長い輝線分子ピッチ（たとえば〜３
μｍ）を有し且つコレステリックである正の材料の１つ
もしくはそれ以上の成分として； （ｖｉｌ）　　４場により分子配置をきれいなホメオト
ロピック組織（オフ状態）から不規則散乱組織（オン状
態）まで変化させうる動的散乱効果装置に使用するため
の、適当な抵抗値（約１０°ｏｈｍ、　ｔｌＫ　）を有
−［る負のネマチック材料の１つもしくはそれ以上の成
分として； （ｉｌｉｉ）＾周波を場の印加により材料の誘電異方性
を低周波における正（オフ状態）から負（オン状態）ま
で変化させうる２つの周波数切換え効果装置（ねじりネ
マチック効実装置であり得る）に使用するための正のネ
マチック材料の１つもしくはそれ以上の成分として。

上記装置の構造および操作ならびにこれら装置に使用す
るのに適した一般的棹類の材料はそれ自体公知である。

式１の特定化合物を与えれば、この化合物を使用しうる
特定用途はこの化合物の特定の性質、特にそのΔε値に
依存することは当業者に明白である。

Ｊコしシネマチック効果、コレステリック−ネマチック
相転位効果（負のコントラスト型）またはフリーブリッ
クス効果（正のネマチック型）の装置に材料を使用する
場合、この材料は室温で液晶相ならびに正の誘電異方性
を示すように、次の種類から選択される正の誘電異方性
を有する１種もしくはそれ以上の化付物を包含すること
ができる：〔式中、好ましくはｎ−アルキルは１〜７個
の炭素原子を有Ｌ７、各基Ｒは同一もしくは異なるアル
キル基である。〕 典型的には、正の誘゛区異男性化合物は全部で材料の４
０〜１００車着％に相当する。

さらに、材料の液晶温度ψｌ工曲の上１浪を拡大するた
めこの材料は１種もしくはそれ以上の高クリアリングポ
イント（ｃｌｅａｒｉｎｇ　ｐｏｉｎｔ）の化合物を含
有することもでき（典型的には、約２５重量％まで）、
たとえば次の種類から選択することができる。

（べα）（Σ（弓トぐ◇−Ｒ式（１ｇ）Ｒべ３◇−ＣＯ
・０（冨Ｘ（◇−Ｒ式（■ｈ）〔式中、各Ｒはそれぞれ
好ましくは１〜７個の炭素原子を有するｎ−アルキル基
である。〕式Ｉの化合物は、多重ねじりネマチック効実
装随に使用しうる液晶材料中に配合することができる。

英国特許出願公開第２，０３１，０１０号および第２，
０６３．２８７号明細書に教示されているように、たと
えば上記式（■ａ”−ｈ）の種類から選択されるｌ禰も
しくはそれ以上の畠クリアリングポイントの化合物と併
用される強度に正のホスト材料の多様性は、低誘電異方
性（丁なわら弱い正または負）の成分の添加によって改
善することができる。この改善は、低誘電異方性を有す
る材料の導入によりシアン化合物分子の反平行対が破壊
されるためと信じられる。

訪電異方性に応じ一〇１式１の化合物は正のネマチック
成分（たとえば式ＩにおけるＸがＣＮまたはＣｔ　であ
る）の１部としてまたは低誘電異方性成分（たとえばＸ
　７５！　Ｈまたは鳥である）の１部として、或いはそ
の両者として材料中に配合することができる。

低誘電異方性の成分は、次の公知種類から選択される１
種もしくはそれ以上の化合物からなることができる： 〔式中、Ｘは）・ロゲン、好ましくは弗素”、ビシクロ
（２，２，２）オクタンであ！１、Ｒは上ｉ己の１１ぶ
りである。〕 多重ねじりネマチックは、少量たとえば約２重量％まで
のキラル添加物、ｌことえばＨＤｉ（（ヒ金物Ｃ１５を
含有することもできる。

たとえば、本発明を実現化する多重ねじりネマチック効
実装置に適した液晶材料は、好ましくは′Ｔ−記第１表
に示す成分がらなっている：式１の化合物は、好ましく
は全材料組成の５〜８０取鼠％を占める。

式ｌの化＆物を宮む液晶混合物は、公知方法により、た
とえば単に成分化付換を加熱しで全体的に等方性液体を
生成させ、この液体を短時間、たとえば約１０分間攪拌
し、がつこれを冷却することにより生成させることがで
きる。

混合物のより一般的な例を与えるため、少なくとも１種
の上記式■の化合物を下記の公知種駒の任意の化合物の
１種もしくはそれ以上と混合して、上記した１つもしく
はそれ以上の用途に使用することができる（実際の用途
は混合物の性質に依存する）； ｖ（１１枢→−ＣＯ・ＯＸ＋　Ｙｉ ｌｘ　ＲＯツーＣ０−０−Ｘ、−Ｙ。

ＸＨＲＯｃ＝ｃ％ｙ。

ｘｌｉｌ　　ｎｏ＠−ｃ＝ｃ＠−ｙ。

ｘｌｖ　Ｒ（ｏ、９−ａＮ ＸＶ　ＲＧＣＨ＝Ｎ＋Ｙｔ ｘｖ＋　ＲＯＯ−ＣＨ＝ＮＯＹ＋ ｘｖｎ　Ｒ−（ｆ□＜％）−７，：ｍ＝ｌ、２ｘｖｌｌ
ｌ　Ｒ＠８ＣＯ・０　）Ｃ＋　Ｙ＋Ｘｘ　ｎｏ＠＠−ｃ
ｏ＠ｏ−Ｘ、−Ｙ。

ｘｘ　ａ−（ＩＤ−ｃｏ−ｏ−ｘ、−ｙ。

××ＩＲつ−ＣＨべ）Ｙｌ 〔式中、舎はトランス−１，４−二置換シクロヘキサン
環であり、−＋は１，４−二置換ビシクロ（２，２，２
）オクタン環であり、Ｘ、け１．４＝はトランス−１，
４−二＠換シクロヘキサン項であυ、Ｙ、はＣＮ　ＳＲ
’、ＯＲ’またけＣＯ・ｏ−ｘ−ｙ’であシ、ごこでは
Ｙ′はＣＮ、　Ｒ’もしくはＯＲ’であり、ＲおよびＲ
′はアルキル基である〕／またはベンゼン環の１つのＨ
がハロゲン、たとえばＦにより置換されているこれらの
１つの誘導体でも良い。

好ましくは、式Ｉの化合物は、混合物の５〜８０重量％
を占める。

本発明によれば、液晶装置は少なくとも一方が光学的に
透明である２つの誘電性基板と、これら基諒間に挾持さ
れた液晶材料層と、基板の内表面上に存在して液晶材料
層を横切って印加さ牡た電場によシ液晶材料層内に電気
光学的効果を与えうる電極とを備え、ここで液晶材料は
上記式ｌの化合物よりなるかまたは該化合物を含有する
ことを特徴とする。

本発明の装置は、ねじりネマチック効実装置とすること
ができ、これは多重方式で操作しても或いは操作しなく
てもよく、さらにコレステリック−ネマチック相転位動
実装置、フリーブリックス効果装置または２−周波数切
換効実装＃、（これらは全て公知方法で構成される）或
いは上記の任意の他の装置とすることもできる。式ｌの
化合物をこれらの装置に使用する種々の方法は上記した
通９であり、当業者には明らかである。

路（経路Ａ）により作成することができる。

様権人：（η＝Ｈ１島、ＯＨ，Ｃ０ｔＨ１Ｆまたはｃｔ
であり、かつＲｃ、Ｒ，および（）−は上記した通りで
ある。） （Σがぐである式１の化合物は、次の経路（経路Ｂ）に
より作成することができる。

Ｈ檀Ｂ　：　（７，＝ｌ（，１（８、−ＯＨ，Ｆ　　ま
たはｃｔ　”Ｃ−０、かつＲ３、Ｒｊおよび舎は上記し
た通りである。ン 経路Ａおよび経路Ｂによる化合物の製造例を以Ｆに記載
する。

星像上巳 上記経ＭＡＫおイテ、工程Ａｌ−Ａｌ０は次のように行
なうことができる。

工［Ａ１：　　適当な４−置換ベンズアルデヒドからの
４−置換シンナムアルデヒドのＭＩＩｉ：アセトアルデ
ヒド（３，２ｇ、０．０７３モル）の無水アルコール（
３０ｍｊ）溶液を、４−ｔｆ置換ベンズアルデヒド０．
０７３モルンの無水アルコール（１００＋ｄ）Ｒｊ液と
１０％水酸化ナトリウム水溶液（２０＋ｄ）との攪拌混
合物へ、温度が２０〜２５℃に保たれるような速度で加
える。反応混合物を（８Ｇ＋ｄ）中に取シ出し、そして
水洗しく５Ｘ４０−）、脱水しく　Ｎａ１ＳＯ４）　、
濾過し、そして溶媒を減圧除去する。粗製の４−［換−
シンナムアルデヒドを必要に応じカラムクロマトグラフ
ィー、蒸留および結晶化により精製する。

工程Ａ２：　工程Ａ１で製造された４−置換−シンナム
アルデヒドからの対応の３−　（４’−置換フェニル）
プロピオンアルデヒドの製造：無水アルコール（１００
ｍ）中の４−置換−シンナムアルデヒド（Ｏ，ＩＳモル
少の溶液を、触媒としての炭素上のパラジウム（１９、
７，５％）を使用して室温で２４時間水素化する。触媒
を濾過により除去し、そして溶媒を減圧除去する。生成
物を必要に応じ蒸留および結晶化により精製する。

工程Ａ３：　　適当な臭化ｎ−アルキルからのｎ−アル
キルマロン酸ジエチルの製造： この工程は、適当なハロゲン化アルキル（特に臭化アル
キル）を使用するフロン酸ジエチルのアルキル化に関す
る文献記載の標準法を用いて行なうことができる〔たと
えば、Ｔｅｘｔｂｏｏｋ　ｏｆ　ＰｒａｃｔｉｃａｌＯ
ｒｇａｎｉｃＣｈｅｒｒｄｓｔｒｙ＋Ａ、１．ｖｏｇｅ
ｌ、４ｔｈＥｄｉｔｉｏｎ４９１（１９７８）参照〕。

工程Ａ４：　工程Ａ３で製造されたｎ−アルキルマロン
酸ジエチルからの対応の２−ｎ−アルキルノロパン−１
，３−ジオールの製造； この工程は、ジエステルからジオールへの還元に関する
文献記載の標準法を用いで行なうことがｔきる〔たとえ
ば、Ｔｅｘｔｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｏ
ｒｇａｎｉｃＣｈ＠ｒｎｉｇｔｒｙ、　Ａ、１．　Ｖｏ
ｇ＠ｌ、　４　ｔｈ　ｇｄｉｔｉｏｎ、　３６２（１９
７８）参照〕。

工程Ａ５：　適当な２−ｎ−アルキルプロパン−１，３
−ジオールおよび３−　（４’−置換フェニル）プロピ
オンアルデヒドからの１−（５’＝ｎ−アルキル−１−
３′−ジオキサン−２′−イル）−２−（４“−［０フ
エニル）エタンの製造： 工程Ａ４で製造さｎｆｃ２−ｎ−アルキルプロパン−１
，３−ジオール（０，００７モル）と工程Ａ２で製造さ
れたａ　−（４’−置換フェニル〕プロピオンアルデヒ
ド（０，００７モル）との混合物を・　トルエン−４−
スルホン酸（３ａＩｎｇ）　ト共ニ、ティーン・アンド
・スターク装置を用いて乾燥ベンゼン（３４ｄ）中で２
．５時間還流加熱して、反応の過程で生成した水を除去
する。溶媒を減圧除去し、そして残留物をエーテル（８
０ｍ）中に取り出し、抽出物を２％重炭酸ナトリウム水
溶液（３Ｘ４０ｍ１）、水（２Ｘ４０ｍ）で洗浄し、脱
水しくＮａ＊ＳＯＪそして濾過し、溶媒を減圧除去する
。できれば生成物を蒸留し、次いで結晶化させてトラン
ス生成物を得る（シス生成物は母液中に残留する）。

工程Ａ６；　工程Ａ５で製造された１　−（５’　−ｎ
−アルキル−１−３′−ジオキサン−２′−イル）−２
゛−（４ｎ−ヒドロ中ジフェニル）エタン（Ｙ、＝ＯＨ
）からの対応の１−　（ｓ’−れ−アルキル−１−３′
〜ジオキサン−２′−イル）　−２−（４”　−ｎ−ア
ルコキシフェニルラエタンの製造： この工程は、フェノールのアルキル化に関する文献記載
の標準性全使用して行なうことができる〔たとえばり、
　Ｃｏａｔｅｓ　　およびＧ、　Ｗ、　Ｇｒａｙによる
論ドロキシ化合物（Ｙ、＝Ｏ）Ｉ）からの対応の式：ヲ
有するエステル化合物の製造： これらの工程は、それぞれ適当な酸クロライドもしくは
クロル蟻酸アルキルと適当なフェノールとからのエステ
ルの製造に関する文献記載の標準法を用いて同様に行な
うことができ、この場合生成物は工程Ａ５により製造さ
れる式： の化合物である。たとえばＧ、　Ｗ、　Ｇｒａｙおよび
り、　Ｇ。

ＭｃＤｏｎｎ＠ｌｌ　による論文・回・立鵬・！ａｑ−
ｍ−會５３．１６２（１９７９）に記載された方法を使
用することができる。

工程Ａ９：　工程Ａ５で製造された１−（５’−ｎ−ア
ルキル−１：３′−ジオキサン−２′−イル）−２−（
フェニル−４＃−カルボン酸）エタン（η＝ＣＯ背　）
からの対応の１−（５’−ｎ−アルキル−１１３′−ジ
オキサン−２′−イル）−２−（フェニル−４″−カル
ボン酸アミド）エタンの製造：この工程は、英国特許出
願公開第２０６３２８８号明ｍ書（特に第３頁参照）に
開示されたと実質的に同じように、酸から酸アミドへの
変換により行なうことができる。

工程ＡＩＯ：　　１−（５’−ｎ−アルキル−１１３′
−ジオキサン−２′−イル）−２−（フェニル−４″−
カルボン酸アミド）エタンからの対応の１−（５’−ｎ
−アルキル−１−３′−ジオキサン−２′−イルラーｚ
−（４”−７７ノフエニル）エタンの製造；この脱水工
程は、英国特許出願公開第２０６３２８８号明細４Ｆ（
第３員）に開示されたように、たとえはピリジンのよう
な塩基の存在Ｆで塩化ベンゼンスルホニルを用いるアミ
ド脱水法と実質的に同じ方法で行なうことができる。

生成物の純トランス異性体は、英国特許出鵬公開第２０
６３２８８号明細書の実施例１（第１４頁）に記載され
たシスおよびトランス異性体の混合物から得ることがで
きる。

製造例２ 上記経路Ｂにおいて、工程８１〜Ｂ１３は次のように行
なうことができる。

工丘１」　適当な１−　（４’−置換フェニル）−２−
ブロムエタンからの１　　（４’　−＋＆換フェニル）
−２−７７ノエタンの製造 ジメチルスルホキシド（４００ｒｄ）中のシアン化ナト
リウＡ（２８ｇ、０．５７モル）ｉ、浴＃するまで１５
０℃に加熱する。次いで、１−（４’−置侠フェニル）
−２−ブロムエタン（ｏ、　ｓ　４モル〕のジメチルス
ルホキシド（ｉ　ｏ　ｏａｔ）溶液を、発熱反応の温度
が１５０℃を越えないように満月する。冷却混合物を氷
水（２５０ｍ／）中へ注ぎ込み、そして有機物質をエー
テル中へ抽出する（３Ｘ８０−）。エーテル抽出物を食
塩水（３×６０ｍ）で洗浄し、脱水しく　Ｍｇ　８０４
　）、戸遇しそして溶媒を減圧除去する。粗輿の１−　
（４’−置換フェニル）−２−シアノエタンを減圧−Ｆ
で蒸留により精製する。

この工程での生成物の例は次の通りであるヮ　：（、Ｉ
）　　Ｙ鵞＝Ｈ（Ｄ生成物０４点は、０．１　ｔｍＨｇ
　”’Ｃ’　７５℃である、 １１１Ｉ　　Ｙ＊＝　ＯＣＨｇ　　の生成物の沸点は、
０．０５　ｗｍＨｇで９０℃である。

工程Ｂ２　工程Ｂｌで製造された１　−（４’−置換フ
ェニル）−２−シアノエタンからの対応の３−（４’−
ｆｔ換）ｚ＝ル）−１−エトキシプロビル−１−イミン
塩酸塩の＃！： １−（４’−［６フエニル）−２−シアンエタン（０，
２７モル）をエタノール（ｔｚ、ｓｇ、０．２７モルン
に加え、混合物を０℃まで冷却する。この混合物中に乾
燥塩化水素を４時間バブリングさせ、次いで混合物を室
温に１時間放置する８次いで、沈澱物を戸別し、エーテ
ル洗浄し、そして乾燥する。

この工程での生成物の一例として、Ｙ、＝Ｈの融点１２
０℃の生成物がある。

工程Ｂ３　工程Ｂ２で製造された３−（４’−７樅換フ
エニル）−１−エトキシプロビル−１−イミン塙酸塩か
らの対応の３−　（４’−置換フェニル）プロピル−１
−アミジン塩酸塩の製造： ３−（４’−［換フェニル）−１−エトキシプロビル−
１−イミン塩酸塩（０，１５モル）を無水メタノール（
７０ａｔ）中に溶解させ、そして約４モルのメタノール
性アンモニア（４０ｍ／）’ｉ１５分間かけて加える。

水（１５０ａｔ）を加えた後、溶液を濃塩酸で酸性化し
、エーテル洗浄する（３×６０　ｍｌ　）。さらに真空
で水を除去すると、白色固体が得られる。

この工程での生成物の例ｔま次の通りである：（：）Ｙ
鵞＝Ｈ：融点＝１６６℃、 ｆｌｌ）　　Ｙ＊＝　０ＣＨＨ：融点＝１５０℃。

工程Ｂ４　適当な臭化ｎ−アルキルからのローアルキル
マロン酸ジエチルの製造： この工程は、適当なハロゲン化アルキル（特に臭化アル
キル少を用いるマロン酸ジエチルのアルキル化に関する
文献記載の標準法を用いて行なうことができる〔たとえ
ばＴｅｘｔｂｏｏｋ　ｏｆ　ＰｒａｃｔｉｃａｌＯｒｇ
ａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、　Ａ、１．　Ｖｏｇｅ
ｌ、　４ｔｈ　Ｅｄｉｔｉｏｎ＋　４９１（１９７８）
参照〕。

この工程での生成物の例は次の通りである：（１）　　
Ｒ１＝ｎ　　ＣＨＨｙ　　：沸点＝　７０　℃（０，２
１１１Ｈｇ）、（Ｉｆ）　　Ｒ１＝　ｎ　　ＣｙＨｂ　
＊　：沸点＝　８０　℃（０，２ｍｘＨｇ）。

工程Ｂ５　工程Ｂ４で製造されたＩＩｉ！ｉ当なｎ−ア
ルキルマロン酸ジエチルと工程Ｂ３で製造された適当す
３−　（４’−Ｉｌ換フェニル）プロピル−１−アミジ
ン塩酸塩とからの１−（５’−ｎ−アルキル−４：ａ’
−ジヒドロキ７ピリミジンー２′−イル）−２−（４“
−置換フェニルンエタンの製造。

この工程は、適当なｎ−アルキルマロン酸ジエチルと適
当なアミジン塩酸塩とからの５−アルキル−４，６−ジ
ヒドロキシピリミジンの製造に関する文献記載の標準法
を用いて行なうことができる〔たとえばＡｒｔｈｕｒ　
Ｗ、　Ｄｏｘ　　およびＬｅｓｔｅｒ　Ｙｏｄｅｒによ
る文献１．麿、動、ジ凹、、４４，３６１（１９２２）
参照〕。

生成物は２００℃以上の融点を有している。

工程Ｂ６　工程Ｂ５で製造された１−（５’−ｎ−アル
キル−４ｚ６′−ジヒドロキシピリミジン−２′−イル
）　−２−（４”−置換フェニル）エタンからの対応の
１−　（ｓ’一覧−アルキル−４ｔ６′−ジクロルピリ
ミジン−２′−イル）−２−（４”−置換フエニこの工
程は、たとえばＡ、Ｒ，Ｔｏｄｄ　　およびＦ、　Ｂｅ
ｒｇｅｌによる論文、）、迦、鋤、、３６４（１９３７
）に記載されたようなヒドロキシピリミジンや塩素化に
関する文献記載の標準法を用いて行なうことができる。

この工程での生成物の例は次のとおｐである；（１）　
　Ｒ１＝　ｎ　　Ｃ５Ｈｖ　＊　Ｙ＊＝Ｈ二融点＝５５
℃、（Ｉｌｌ　　＆＝ｎ　　ＣｗＨｔｔ＋’Ｙｔ＝）Ｉ
：融点＝５４℃（ｏ、ｏ　ｓ闇Ｈｇ　）、 （１１ＯＲ，＝　ｎ　　Ｃｄ１１　ｌ＋　Ｙ＊＝　０Ｃ
ＨＨ：融点２４０℃工程Ｂ７　工程Ｂ６で製造された１
−（５’−ｎ−アルキル−４−６′−ジ４０ルピリミジ
ンー２′−イル〕−２−（４”−置換フェニル）エタン
からの対応の１−（５’−ｎ−フルキルピリミジン−２
′−イル）−２−（４”−置換フェニル）エタンの製造
：この工程は、たとえばＡ、　Ｂｏｌｌｅｒ＋　Ｍ、　
Ｃｅｒｅｇｈｅｔｔｉ　。

Ｍ、　５ｅｈａｄｔ、およびＨ，５ｃｈｅｒｒｅｒＫよ
る論文、Ｍ吐。

９χ懸、凶、９１駐、４２．２１５（１９７７）に記載
さ７したように、ハロゲノピリミジンの接触脱ハロゲン
化に関する文献０己載の標準法全＋１１いて何１ｇつこ
とができる。

この工程での生成物の例は次の通りである：（ｌｌ　　
Ｒ１＝　ｎ　−Ｃ５ｆｋ　、Ｙｔ”　１（：融点＝２２
℃；クリアリングポイント＝−８５℃（１３Ｄｆ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌｓ　Ｌｔｄ＋　Ｐｏｏｌｅ＋　　英国から
人手した材料Ｅ７と混合後、測定、外押した値） イ占＋＆　　＜　　’ｇ力どｔ　）＝１３．３ｃＰ（２
０℃　ン、１ｌｌ）　　ｇ”＝　ｎ　−Ｃ！ＩＨ１＋　
＋　ＹＨ＝　ＯＨ：融点＝１０５℃０工程Ｂ８およびＢ
９　工程Ｂ７で製造さ八たヒドロキシ化合物、丁なわち
４＝ＯＨ１からの対応の式金肩する化合物の製造： この工程は、適当な酸クロライドと適当なフェノール（
工程Ｂ８）もしくは適当なりロル蟻酸アルキルと適当な
フェノール（工程Ｂ９）とからのエステルの製造に関ｙ
る文献記載の標準法を用いて行なうことができる、たと
えばＧ、　Ｗ、　Ｇｒａｙおよびり、　Ｇ、　ＭｃＤｏ
ｎｎｓｌｌによる論文、Ｍｏ１．９１蛙、　Ｌｑ。

９１区、５３．１６２（１９７９）に記載されている。

工程ＢＩＯ工程Ｂ７で製造された１−（５’−ｎ−アル
キルピリミジン−２′−イル）−２−（４”−ヒドロキ
シフェニル）エタン（Ｙ、＝　０１（）からの対応の１
−　（５’　−ｎ−アルキルピリミジン−２′−イル）
−２−（４”−ｎ−アルコキシフェニル）゛エタンの製
造： この工程は、フェノールのアルキル化に関する文献記載
の標準法を用いて行なうことができる。

たとえば、Ｄ、　Ｃｏａｔｅｓ　　およびＧ、　Ｗ、　
Ｇｒａｙによる論文ｅ　Ｊ、　Ｃｈｏｍ、　Ｓｏｃ、、
Ｐｅｒｋｉｎ　Ｌ８６７（１９７６）に記載されている
。

この工程での生成物の例は次の通りである：Ｉ　Ｉ）　
　Ｒ１＝ｎ　　ＣＨＨｌ　１　＋　Ｒ１＝　ＣＩ（１：
融点＝２６Ｃ。

クリアリングポイント＝−１５℃（Ｅ。

Ｍｅｒｅｋ　Ｃｏ、　ＤａｒｍｓｔａｄＬ　Ｗ、　Ｇｅ
ｒｍａｎｙｄｌら入手した材料ＺＬ１１１３２　中で測
定した）、 ｆｉｌ）　　ＲＩ＝ｎ　　Ｃ＋Ｈｏ、Ｒｍ＝ＣｔＨ，ｓ
：Ｍ！Ｉｔ点＝５２℃、クリアリングポイント＝−１，
５℃、 ｆｌｌｌ）　　ＲＩ＝　ｎ　　ＣｗＨｕ　＋　Ｒｓ＝　
ｎ　　Ｃ４Ｈ１１’融点＝４０℃、クリアリングポイン
ト＝４℃、 （ｌψ　Ｒ１＝　ｎ　　ＣＩＨｌｌ　＋　Ｒ１＝　ｎ　
　Ｃ６Ｈ１３：融点＝４５℃ クリアリングポイント＝ｉｏｃ。

工程８１１　　工程Ｂ７の製造された１−（５’−ｎ−
アルキルピリミジン−２１−イル）−２−フェニルエタ
ン（Ｙ＊＝　Ｈ）からの対応の１−（５’−ｎ−アルキ
ルピリミジン−２’　−（ル）−２−（フェニル−４“
−カルボン酸クロライド）エタンの製造：この工程は、
対応の置換ベンゼンを塩化オキサリルおよび塩化アルミ
ニウムによりフリーデルクラフトのアシル化によって塩
化ベンゾイルを製造するための文献記載の標準法を用い
て行なうことができる。たとえば、Ｍａｒｙ　Ｅ、　Ｎ
ｅｕｂｅｒｔ、　Ｌ、　Ｔ。

Ｃａｒｌｉｎｏ＋　Ｒ，Ｉ）’Ｓｌｄｏｃ１ｇおよびＤ
　Ｌ　Ｆｌｓｈｅｌ、　Ｍｏ１．　立川。

互は、立川、、５３．１０１（１９７９）ならびに英国
特許出願第８２０６２６５号明細書の工程９に記載され
ている。

工程Ｂ１２　　工程Ｂｌｌで製造された１−（５’−ｎ
−アルキルピリミジン−２１−イル）−２−Ｃフェニル
−４“−カルボン酸クロライド）エタンからの対応の１
−　（５’　−ｎ−アルキルピリミジン−２′−イル）
−２−（フェニル−４＃−カルボン酸アミド）エタンの
製造： この工程は、適当なカルボン酸クロライドからのカルボ
ン酸アミドの製造に関する文献記載の標準法を用いて行
なうことができる。たとえば、Ａ、　１．　ｖｏｇｅｌ
によりＴｅＸｔｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　
ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ、　４ｔｈｓｄｌｔ
ｌｏｎ、　１１１６（１９７８）にＡｔ載されており、
さらに英国特許出願第８２０６２６５号明細書の工程ｉ
ｏを参照することができる。

この工程での生成物の例は次の通りである二ｆｌ）　　
ＲＩ＝＝１　　ｃ、ｕ、　：融点＝２０５℃、ｆｉｌ）
　　Ｒ１＝　ｎ　　ＣＩＩＨｕ　’融点＝１８３℃０工
程Ｂ１３　工８Ｂ１２で製造された適当な１−（５’　
−ｎ−アルキルピリミジン−２′−イル）−２−（フェ
ニル−４“−カルボン酸アミド）エタンからの１−　（
５’　−ｎ−アルキルピリミジン−２′−イル）　−２
−（４”−シアノフェニル）エタンの↓造：この工程は
、適当な芳香族アミドの脱水による芳香族シアナイドの
製造に関する文献記載の標準法を用いて行なうことがで
きる。たとえば、ＡＩＶｏｇｅｌによりＴ＠ｘｔｂｏｏ
ｋ　ｏｆ　Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈ
ｅｒｒｄｓｔｒｙ＋４ｔｈ　＠ｄｉｔｉｏｎ、　１１１
６（１９７８）に８己載されており、さらに英国特許出
願第８２０６２６５号明細書の工程１１に記載されてい
る。

この工程での生成物の例は次の通りである：ｔｌ）　　
ｇ、＝ＨＣ５ｋｂ　’融点＝７１℃、クリアリングポイ
ント＝３２℃（ｇ７中で測定）・（Ｉ＋＋　　”ｌ　＝
　ｎ　　ＣＩＩＨｕ　：融点＝５１ｃ、クリアリングポ
イント＝−１１℃（Ｅ７中で測定）、粘度（ネマチック
相、外挿）＝＝ｓｓｃＰ（ｚｏ℃、ＺＬ１１１３２で測
定）０ 経路Ａ（工程Ａ１〜Ａ５）により製造しうる式：の化合
物の例を、秤路Ａ（工程Ａ１〜Ａ５およびＡ６）により
製造しうる式： （Ｘ＋＝ＯＲｓ　）の化合物および同じく経路Ａ（工程
Ａ１〜Ａ５および工程人９〜Ａ１０）により製造（式中
為はＣＮであるンの化合物と共に、Ｆ起部１表に記載す
る（第１表に記載した選択的な末端置換基のうち１つの
末端置換基η、　ＸＩまたは為は各化合物の場合に適用
される）。

の化合物選択的な末端１【換基 Ｒ＋　　　　　ＹＩＹＩ　　ＹＩ　　ＹＩ　Ｘ愈　Ｘ。

ＣＨｊＨＦ　Ｃ１Ｒ，ＣＮ　ＯＲ。

Ｃ鵞Ｈ＠ＨＦ　ＣＬ　鳥ＣＮ　ＯＲ，′ｎ　　ＣＩＨｙ
　　　　　　　ＨＦ　　Ｃ６ｌｔ、　ＣＮ　　０ＲＢｎ
−Ｃ，Ｉ（、ＨＦ　ＣＬ　Ｒ，ＯＮ　０Ｒ１ｎ　（４Ｈ
１１ＨＦ　ＣＬ　ＲＨＣＮ　０ＲＢｎ　−ＣｌＨＢＩ　
　　ＨＦ　ＣＬ　Ｒ，ＣＮ　０ＲＢｎ　　ＣｙＨｌｌ　
　　ＨＦ　ＣＬ　ＲＨＣＮ　ＯＲ。

ｎ　ＣｌＨ１ｑ　　　ＨＦ　Ｃ６’Ｒ１ＣＮ　０Ｒｓｎ
　Ｃ＠ＨＩ＠　　　ｆ（Ｆ　ＣＬ　Ｒ３ＣＮ　０１ｊｌ
ｎ　Ｃ１６山Ｉ　　　ＨＦ　ＣＩ　ＲＪ　ＣＮ　０ＲＩ
ｎ　Ｃ＋＋Ｈ會ａｆ（Ｆ　ＣＬ　Ｒ１ＣＮ　０ＲＢｎ　
ＣＩ＊Ｈ！Ｉ　　　ＨＦ　ＣＬ　ＲＩ　ＣＮ　０ＲＢ２
−メチルブチル　ＨＦ　　Ｃ６ＲＨＣＮ　　ＯＲｇ〔式
中、Ｒ３はＣＨ１ｌ＋　ＣＪｓ　＋　ｎ　　ＣＨＨｑ　
＊　ｎ　　Ｃ４Ｈ＠　＋ｎ　（４１（＋Ｉ＋　ｎ　Ｃｌ
ＨＢ１　＊　ｎ　Ｃ１Ｈｔｓ　＋　ｎ　　Ｃ６Ｈ１ｙ　
＋　ｎ−Ｃ，Ｈ１＠＋ｎ　Ｃ１ｔＨｔｓ　＊　ｎ−Ｃｏ
Ｈｔ１＊　ｎ　Ｃ１ｔＨｔｓ　　もしくは２−メチルプ
チルである。〕 経路Ｂ（工程Ｂｌ〜１３７）により製造しうる式：の化
合物の例、ならびに経路Ｂ（工程８１〜Ｂ７および工程
ＢＩＯ）により製造しうる式：（式中、Ｘｓ＝　ＯＲ１
＋である）の化合物および経路Ｂ（工程８１〜Ｂ７およ
びＢｌｌ〜Ｂ１３）にょシ製造しうる式： の化合物の例をＦ起部２表に示す（第２表に示した選択
的な末端置換基のうち１つの末端置換基ＹＩ。

Ｘｌまたは為は各化合物の場合に適用される）。

の化合物選択的な末端置換基 Ｒ＋　　　　　ＹＩＹＩ　　Ｙｔ　　η　為　ＸＩＣＨ
ｓ　　　　　　ＨＦ　　ＣＩ　　Ｒｓ　　ＣＮ　　０Ｒ
ｓＣ鵞ｆ（、ＨＦ　　ＣＬ　　Ｒ，ＣＮ　　ＯＲ。

ｎ　−ＣＩＨｙ　　　　　　　　ＨＦ　　　ＣＬ　　　
Ｒ１ＣＮ　　　０ＲＢｎ　−Ｃ，ｋｌ、　　　　ＨＦ　
　Ｃ６Ｒ３ＣＮ　　ＯＲ，１ｎ　Ｃ５Ｈ１１ＨＦ　　Ｃ
４Ｒ１ＣＮ　　０Ｒａｎ　−ＣｌＨＨＨＦ　　ＣＬ　　
ＲＨＣＮ　　０ＲＢｎ　ＣｖＨ１６ＨＦ　　ＣＬ　　Ｒ
１ＣＮ　　Ｏ−ｎ　（４Ｈ１ｖ　　　　ＨＦ　　ＣＬ　
　ＲＩＩＯＮ　　０Ｒ４ｎ　−ＣｌＨ１，ｆ（Ｆ　　Ｃ
１，Ｒ，ＣＮ　　ＯＲ＠ｎ　Ｃ＋ｏＨ＊ｔ　　　ｆ（Ｆ
　　ＣＬ　　Ｒ３ＯＮ　　０ＲＢｎ　Ｃ１，ＨＩＨＦ　
　ＣＬ　　Ｒ５ＣＮ　　０Ｒｓｎ　−ＣＩ＊ＨＢ　　　
Ｉ（Ｆ　　Ｃ１Ｒ１ＣＮ　　０ＲＢ２−メチルブチル　
ＨＦ　　ＣＬ　　Ｒｊ　ＣＮ　　ＯＲ。

〔式中、Ｒ３はＣＨ３＊　ＣｌＨ６＋　ｎ　Ｃ３Ｈ７＋
　ｎ　　Ｃ４Ｈ＠　＋ｎ　　　Ｃ＠Ｉｆｔ＋　　＊　　
ｎ−Ｃ５Ｈ＋ｓ　　４　　ｎ　　　ＣｙＨｌｌｌ　　＋
　　ｎ　　　Ｃ４ｆ（ｌｖ　　＊ｎ　　　（４Ｈ１＠　
　＊　　ｎ　　　Ｃ＋ｏＨ＊＋　　＊　　ｎ　　　ＣＢ
Ｈ＊３　　＋　　ｎ　　　Ｃ１ｔＨｔｓ　　　もしくけ
２−メチルブチルである。〕 式１の化合物を配合した組成物およびこれら組成物を含
む装置樅の例を、添付図面を参照して実施例につき以ド
説明する： 第１図〜第４図の表示器（４１ｓｐｌａｙ　）は、スペ
ーサ４により約７μｍ互いに離間されたそれぞれ２つの
前部、後部のガラススライド２．３より形成されたセル
ｌかうなり、これら全てをエポキシ樹脂接着剤によジ結
合させる。液晶材料１２はスライド２．３とスベーｖ４
との間の空隙ｔ−埋めている。前部ガラススライド２の
前方には前部ポラライザ５が存在し、これを分極軸の軸
線に関し水平に配置する。リフレクタ７をスライド３の
背後に配置する。［１１ポラライザ６もしくはアナライ
ザをスライド３とリフレクタ７との間に配置する。

典型的には１００Ａの厚さの酸化錫よりなる電極８，９
全、冗全層としてスライド２．３の内表面に何着させ、
そして第３図および第４図に示すような形状にエツチン
グする。この表示器はデジット１０につき７個のバーと
各デジット間にデシマル点１１とを有する。第３図に示
したように、後部゛電極構造体は３の電極Ｘ、　ｌ為Ｉ
　Ｘ、の形になっている。同様に、前部電極構造体はデ
ジットおよびデシマル点につき３つの′成極Ｆｌ　＋　
７ｔ　＋　３’ｓの形になっている。デジットにつき６
個の電極を調べると、８個の部材のそれぞれが独立して
、適当なＸ。

ｙ電極に対する適当な電圧の印加により印加電圧を有し
うろことがみとめられる。

組立的に、電極を担持するスライド２．３を清浄し、次
いでポリビニルアルコール（ｆｆＡ）　０．２重量９Ｃ
の水溶液に浸漬する。乾燥した後、これらスライドを軟
かいティシュ・ペーパーにより単一方向にこ丁シ、次い
で互いに直交かつ隣接ポラライザの光学軸線に対し平行
なこすり方向、′すなわちポラライザが交差する方向で
組立てる。ネマチック液晶材料１２をスライド２．３の
間に導入する際、スライド表面における分子は各こ丁シ
方向に沿って徐々にスライド間でねじれ乍ら存在する。

ゼロ電圧をセル１に印加すると、光は前部ポラライザ５
を通過し、セル１（９０回転；−た偏光の面を有する）
を通過し、かつ後部ポラライザ６を通過してリフレクタ
７に達し、ここで光は反射されて再び観察者に戻る（ス
ライド２．３の面における軸線ＸおよびＹに対し直角な
軸線２に対し４５の角度で第１図に示す）。閾値より高
い電圧を２つの電極８．９の間に印加すると、液晶層１
２はその光学活性を失い、分子はスライド２゜３に対し
垂直、すなわち軸線２に沿って存在−ｒるように再配列
される。かくして、こＧ状態の光はりフレフタ７に達せ
ず、かつデジットｌＯの１つもしくはそれ以上のバーの
暗い指示器を見ている観察者に反射されない。

゛電圧は、第５図、第６図および第７図に示したように
、線走査様式において３つの連続時間間隔で印加される
。３ｖ／２の電位を各ｘ１を極に印加し、すなわちスキ
ャンダウンし、その間−Ｖ　／　２の電位を残余のｘｆ
ｉ極に印加する。その間、−３Ｖ　／　２またはＶ／２
の電位をｙ′ｇ極に印加する０交差部で３ｖ／２と一３
ｖ／２とが一致すると、液晶層１２を横切って電圧３Ｖ
が生ずる。その他の個所において、′電圧はＶまたは−
Ｖである。かくして、−３Ｖ／２の電位を適当なｙ電極
へ、３Ｖ／２がｘ′電極をスキャンダウンしている際に
印加することにより、選択交差点（５ｅｌｅｃｔｅｄＩ
ｎｔｅｒｓｅｃｔｉｏｎｓ　）は濃い丸（５ｏｌｉｄ　
ｃｌｒｃｌｅｓ　）で示したようにオンに切換わる。電
圧Ｖはたとえば１００Ｈｚの方形波のａｅ倍信号あり、
符号は位相を示ｊ。

当業者には明らかなように、第１図〜第７図に示した装
置は多重表示器である。何故なら、電極はオンおよびオ
フの交差点間または表示部材の間に共有されるからであ
る。

上記装置に材料１２として使用するのに適した本発明の
材料を、下記第３表に示す（混合物１）。

第３表：混合物ｌ 化　　合　　物　　　　　　　重量％ Ｃ西ｉｃＮ　　　　　　　１５ ｎ　−Ｃ４Ｈ，（ｘ）ＣＮ　　　　　　２３ｅｔａべ）
ＣＯ・ｏ＄ｃＮ１２ ｎ−ＣＩＩＨＩｌ雨にハ）ｃＮ　　　　ｔ　。

ｎ　ＣＨＨｑ＋箔＠ＣＨ１＋ＯＣ貴Ｈ＠　　１０ネマチ
ツク材料１２として使用する別の材料は下記第４表にお
ける混合物２である。

第４表：混合物２ 材　　　料　　　　　　　　　重量％ ＺＬＩ　１２８９　　　７０ ＺＬＩ　１２８９　　はイー・メルク社より市販の材料
であり、これはシアノビフェニル化合物およびシアノフ
ェニルシクロヘキサン化合物を含有する。

このネマチック材料に少量のコレステリック材料を加え
ると、液晶層における分子に好適なねじり金もたらすこ
とができる。これにより並びに適当なスライド表面処理
を使用すると、英国ｑ′！ｆ許出ｋＩＡ第１，４７２，
２４７号および第１．４７８，５９２号明細書に教示さ
れたような表示むらの問題がなくなる。

適するコレステリック材料は次の通りである：Ｃ１５：
約０．１〜０．５重ｉｘおよびＣＢ１５：約０．０１〜
０．０５重置火 Ｃ１５は…−ＣＨ，＠ＣＨ！ａｃＩ−１（ＣＨ，）−ｃ
Ｈ，ｏ−４〒シ’）−＠）−ＣＮである。

ＣＢ１５は…−ＣＨａ・ＣＨｓ・ＣＨ（ＣＨｓ）”ＣＨ
ｔ＋○）−ＣＮである。

少量の多色性染料、たとえば英国特許出願公開第２０１
１９４０号明細書に記載されたアントラキノン染料の１
種を加えて、表示コントラストを高めることができる。

この場合、一方のポラライザを除去する。

また本発明では、本発明混合物をフリーブリックス効果
セルに使用することができる。この種のセルは、液晶材
料を上記装置におけるように、その内表面上に付着され
た電極フィルムを有するガラススライド間に挟持して構
成することができる。

しかしながら、この場合、ポラライザは必要でない。ガ
ラススライドの内表面をレシチンで被覆処理し、液晶材
料は負の材料であって、その分子はレシチン被覆により
スライド基椋（ホメオトロピック組織）に対し垂直なオ
フ状態に整列される。。

オン状態の材料を横切る適当な電場をかけると、分子は
スライド表面（ホメオトロピック組織）に対し平行に再
配列される。多色性染料を液晶材料中に混入させれば、
オン状態とオフ状態との間のコントラストを嶋めること
ができる。

上記の方法で作成されたフリーブリックス（Ｆｒ；ｅｄ
ｅｒｌｃｋｓｚ　）効果セルは下記の混合物３を挿入す
ることができ、セル間隔は１０μｍである。

第５表：混合物３ ｎ−ｃｇＨ１１＄ＣｇＨｅＩ２０ ｎ　（４Ｈｑ＋Ｃ１１Ｃ１１ｌ＠（■Ｃ４１１１１ｎ　
　２０化会物Ａｆ：負の添加物として混合物３に必要に
応じて加えることができる（混合物３の３重里％まで）
。

化合物Ａの製造は、英国特許出願公開第２０６１２５６
号明細書に記載されている。約１重葉％の公知の多色性
染料、たとえば１．５−ビス４ｌ−ｎ−ブチルフェニル
アミノアント２キノンを混合物３に加えて、染色混合物
を得ることができる（混合物３Ａ）。

′磁圧をセルに印加すると、色は弱吸収性の状態（ｗ＠
ａｋｌｙ　ａｂｓｔｏｒｂｔｎｇ　５ｔａＬ＠）から強
吸収性の状態まで変化する。

更に本発明では、コレステリック−ネマチック相転移動
実装置に上記の材料を組入れることもできる。

上記のねじりネマチックセルにおけると同様に、電極を
担持するガラススライド間に挾持された長い輝線ピンチ
のコレステリック材料を有するセルが製造さｎる。しか
しながら、この場合はポラライザおよびホモジニアス整
列のための表面処理、たとえばＳｉＯによるガラススラ
イド表面の処理は不用である。

ガラススライドが未処［里でありかつ液晶材料が正の誘
電異方性（２ｇ）ｔｌ−有する場合、液晶材料はねじり
焦点コニック分子組織においてオフ状態となり、これは
光を散乱する。ガラススライドの各内表面上の′ｆｔ極
対間に印加された電場の作用により、電極間の液晶材料
の領域をオン状態、即ちオフ状態よりも散乱の少ないホ
メオトロピックなネマチック組織であるオン状態に変換
させ得る。

これは、相転移動実装置の［負のコントラスト型」でお
る。

ガラススライド内表面を、たとえばレシチンの被覆で処
理して、これら表面に対し垂直に整列させかつ液晶材料
が負のΔｅを有する場合、オフ状態にある材料は入射光
に対し散乱効果の少ないホメオトロピック組織となる。

電場が各ガラススライドの内表面における電極対の間に
印加されると、電極間の液晶材料の領域は光を散乱する
ねじシホモジニアス組織に変換される（オン状態）。こ
れは相変化効果装置の「正のコントラスト］型である。

各場合における２つの状態の間のコントラスト社、少量
の適当な多色性染料（たとえばΔ６が正である場合、１
重量％の１，５−ビス−４′−ｎ−ブチルフェニルアミ
ノアントラキノン）を液晶材料へ加えて高めることがで
きる。

相転移動実装置（負のコントラスト型）に使用′１−る
本発明の適当な正の誘電異方性材料、すなわち混合物４
は次の通りである： 第６表：１．混合物４ 化　　会　　物　　　　　　　　車量％ｎ−Ｃ１１ＩＩ
Ｉ−ｏ−ｏ−ＣＮ２５ ｎ　ＣｖＨ１＠ｎＣＮ　　　　　２５ ｎ　Ｃ３Ｈ４０−＠）−ｃＮｔ　。

ＣＢ１５＝Ｒｃ％←ＣＮ　　（Ｒ，＝２−メチルブチル
）相転移動実装Ｉｆ（正のコントラスト型）に使用する
ための、本発明の適当な負の誘電異方性材料、丁なわら
混合物５ｔｉ次の通りである：第７表：混合物５ 材　　　料　　　　　　取鍋・％ 混合物３　　　　　　　　　　９９ １ｍ単なねじりネマチック表示器に適し、かつ式Ｉの化
会物を包含する、正の誘電異方性を有する高複屈折の低
粘度材料の例は、下記第８表に示す混合物６である： 第８表：混合物６ 化　　合　　物　　　　　　　■％ ｎ　ＣｍＨｌ、ａＣＮ　　　　　　２９ｎ　−ＣｖＨ＋
５ＩＣＮ　　　　　　１７ｎ　−ＣｇＨｓｓＩＣＮ　　
　　　８ ｎ−ｃ、Ｈ，、＄ＣＮ　　　　　１０ ｎ　Ｃ＠ｆ（ｖ＋ＣＯ”Ｏ℃Ｘ）晒、−ｎ１０

【図面の簡単な説明】

第１図はねじりネマチックデジタル表示器の断面図であ
り、 第２図は第１図に示した表示器の断面図であり、第３図
は第１図の後部電極の配置を示す図であり・ 第４図は第１図の前ｇ８電極の配置を示す図であり・ 第５図□、第６図、第７図は夫々典型的なアト°レス電
圧を有する第１図〜第４図の装置の略図である。 １・・・セル、２．３・・・ガラスス−２イド、５・・
・ポラライザ、８．９・・・電極、１２・・・液晶材料
。 ゛図面の浄３（内容に変更なし） 第１頁の続き ０発　明　者　クリステイーン・ホブ イギリス国ノース・パンパーサ イド・エイチ・ニー１７７ジエ イ・エル・ベヴアリー・モウル スフロフト・ヒル・フレスト・ ドライヴ３３ 手続補正書 昭和５８年７月１ｂ日 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示　　　昭和５８年特許願第１０６５９２
号２、発明の名称　　　液晶材料 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 名　称　　　　イギリス国

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）式： 〔式中、舎はトランス−２，５−二置換−１，３一ジオ
   キサン項および２．５−二置換−１，ａ　−ヒリミジン
   壌から選択される複素環であり、−Ｃは必要に応じ個置
   換基として１個もしくはそれ以上のＦ、　ＣＬまたはＣ
   Ｈ，基を有する１、４−二ｉｔ換ベンゼン項であり、鳥
   はアルキル基であり、ＸはＨ，ＣＮ、　Ｆおよび肯から
   選択される末端基であり、ここで島はアルキル、アルコ
   キシ、アルキルカルボニルオキシおよびアルコキシカル
   ボニルオキシから選択される〕 を有する液晶他片物。 である特許請求の範囲第１項に記載の化合物。 （３）角が１〜９個の炭素原子を有するｎ−アルキル基
   である特許請求の範囲第２項に記載の化合物０ （４）Ｘが■、ＣＮ、１〜５個の炭素原子を有するｎ−
   アルキルおよび１〜９個の炭素原子を有するｎ−アルコ
   キシから選択される特許請求の範囲第３項に記載の化合
   物。 である特許請求の範囲第１項に記載の化合物。 （６）島が１〜９個の炭素原子を有するｎ−アルキル基
   である特許請求の範囲第５項に記載の化合物。 （７）ＸがＨ，ＣＮ、１〜９個の炭素原子を有するｎ−
   アルキルおよび１〜９個の炭素原子を有するｎ−アルコ
   キシから選択される特許請求の範囲第５項に記載の化合
   物。 （８）少なくとも一力が光学的に透明である２つの誘電
   性基板と、これら基へ間に挾持された液晶材料層と、基
   俵の内表面に存在して液晶材料層を横切って印加さｎる
   電場によりそこに電気光学的効果を与えうる成極とを備
   える液晶装置において、液晶材料が特許請求の範囲第１
   項に記載の沙Φ÷♂やｙ馬 寺十士榛Ｇ式■の化合物を含む材料であることを特徴と
   する液晶装置。