JPS5951417A - 誘導負荷用スイツチ - Google Patents
誘導負荷用スイツチInfo
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- JPS5951417A JPS5951417A JP15011883A JP15011883A JPS5951417A JP S5951417 A JPS5951417 A JP S5951417A JP 15011883 A JP15011883 A JP 15011883A JP 15011883 A JP15011883 A JP 15011883A JP S5951417 A JPS5951417 A JP S5951417A
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- Japan
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- switch
- auxiliary
- bridge side
- load
- voltage
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
- H03K17/161—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches
- H03K17/162—Modifications for eliminating interference voltages or currents in field-effect transistor switches without feedback from the output circuit to the control circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0814—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
- H03K17/08142—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Keying Circuit Devices (AREA)
- Control Of Direct Current Motors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は次の特徴を持つ誘導負荷のためのスイッチに関
する。
する。
ａ）直列に接続され、逆に作動される少々くとも二つの
電力用ＭＯ８ＦＥＴを備えた少くとも一つのブリッジ辺
、 ｂ）ブリッジ辺は二つの外側のクランプと二つのＭＯＳ
ＦＥＴの間に位置する一つの内側のタップを持ち、 Ｃ）負荷が内側のタップと外側の端子の選択される一つ
との間に存在する。
電力用ＭＯ８ＦＥＴを備えた少くとも一つのブリッジ辺
、 ｂ）ブリッジ辺は二つの外側のクランプと二つのＭＯＳ
ＦＥＴの間に位置する一つの内側のタップを持ち、 Ｃ）負荷が内側のタップと外側の端子の選択される一つ
との間に存在する。
そのようなスイッチ紘、例えば１４誌［エレクトｏ＝−
り（Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋ ） Ｊ １９８０年、第冴
号、９１ないし９４ヘージに記載されている。このスイ
ッチにおいて、両電力用ＭＯ８ＦＥＴは互に逆にスイッ
チングされる・すなわち一つのＭＯ８Ｆ１ｎＴがオンに
されると他はオフにされる。電力用ＭＯ８ＦＥＴは逆向
きの極性をもつダイオードを有し、それは給電電池から
出力が取シ出されない作動位相において自己誘導電流（
フライホイール電流）を導く。転流は先ずオン状態の電
力用ＭＯ８ＦＦｉＴに対して限界位相を示す。なぜなら
ＭＯＳＦＥＴに印加される電圧は初めに僅かだけ低下す
る間に電流が高まるからである。
り（Ｅｌｅｋｔｒｏｎｉｋ ） Ｊ １９８０年、第冴
号、９１ないし９４ヘージに記載されている。このスイ
ッチにおいて、両電力用ＭＯ８ＦＥＴは互に逆にスイッ
チングされる・すなわち一つのＭＯ８Ｆ１ｎＴがオンに
されると他はオフにされる。電力用ＭＯ８ＦＥＴは逆向
きの極性をもつダイオードを有し、それは給電電池から
出力が取シ出されない作動位相において自己誘導電流（
フライホイール電流）を導く。転流は先ずオン状態の電
力用ＭＯ８ＦＦｉＴに対して限界位相を示す。なぜなら
ＭＯＳＦＥＴに印加される電圧は初めに僅かだけ低下す
る間に電流が高まるからである。
一つの電力用ＭＯ８ＦＥＴから他の電力用ＭＯ８ＦＥＴ
への転流の場合に、阻止されるべきＭＯ８ＦＦｉＴにお
いて逆方向に導通するダイオードによって引き起こされ
る問題が付加的に現れる。逆方向に導通するダイオード
（逆ダイオード）は寄生バイポーラトランジスタのベー
ス・コレクタ路によって形成される。オフにされるべき
Ｍ０８ＦＩ！！ＴからオンにされるべきＭＯＳＦＥＴへ
の転流の際に、逆電流の一部分がパイボー２トランジス
タのコレクタ・ベース路を通じて流れる。それによって
バイボー２ト２ンジスタをターンオンすることができる
。そのとき同時にオフにされるべきＭ０８ＦＦｔＴに電
圧が加わると、とのＦＩＴが破壊されることがある。
への転流の場合に、阻止されるべきＭＯ８ＦＦｉＴにお
いて逆方向に導通するダイオードによって引き起こされ
る問題が付加的に現れる。逆方向に導通するダイオード
（逆ダイオード）は寄生バイポーラトランジスタのベー
ス・コレクタ路によって形成される。オフにされるべき
Ｍ０８ＦＩ！！ＴからオンにされるべきＭＯＳＦＥＴへ
の転流の際に、逆電流の一部分がパイボー２トランジス
タのコレクタ・ベース路を通じて流れる。それによって
バイボー２ト２ンジスタをターンオンすることができる
。そのとき同時にオフにされるべきＭ０８ＦＦｔＴに電
圧が加わると、とのＦＩＴが破壊されることがある。
本発明は、最初に挙げた種類のスイッチにおいて、ター
ンオンと転流の際に電力用ＭＯ８ＦＥＴに加わる負担を
、蚊ＦＥＴの破壊が避けられるように低減することを目
的とする。
ンオンと転流の際に電力用ＭＯ８ＦＥＴに加わる負担を
、蚊ＦＥＴの破壊が避けられるように低減することを目
的とする。
この目的は次の条件を満たすことによって達成される。
（５）
ｄ）ブリッジ辺に補助リアクトル（ＬＥ）が直列に接続
されており、 ｅ）ブリッジ辺に補助回路が並列接続されておシ、ｆ）
補助回路は補助電圧源とダイオードからなシ、ｇ）その
ダイオードは補助電流がＭＯＳＦＥＴを順方向に通流す
るような極性であシ、 ｈ）補助電圧（ＶＦ）はスイッチに印加される電圧（Ｖ
Ｂ）よシ小さく 、ＬＨを補助回路の寄生インダクタン
スとして場合 ｌｌｔ である大きさにされる。
されており、 ｅ）ブリッジ辺に補助回路が並列接続されておシ、ｆ）
補助回路は補助電圧源とダイオードからなシ、ｇ）その
ダイオードは補助電流がＭＯＳＦＥＴを順方向に通流す
るような極性であシ、 ｈ）補助電圧（ＶＦ）はスイッチに印加される電圧（Ｖ
Ｂ）よシ小さく 、ＬＨを補助回路の寄生インダクタン
スとして場合 ｌｌｔ である大きさにされる。
〔発明の実施例〕
本発明を第１図ないし菖６図に関連して二、三の実施例
を引用して詳細に説明する〇 第１図に示す装置は、以下単にＭ０８ＰＦｉＴと称する
二つの電力用ＭＯ８ＦＢＴ ＴｒｉおよびＴｒ２を有す
る。
を引用して詳細に説明する〇 第１図に示す装置は、以下単にＭ０８ＰＦｉＴと称する
二つの電力用ＭＯ８ＦＢＴ ＴｒｉおよびＴｒ２を有す
る。
このＭ０８ＦＢＴは直列に接続され、状況によってはイ
ンダクタンスの顧胤の、もとにスイッチのブリッジ辺を
形成する。このブリッジ辺は二つの外側の（６） クランプＡ、Ｂおよび一つの内側のタップＭを有する、
３この外側端千人と内部タップＭとに負荷が接続されて
いる。負荷は誘導分ＬＬと抵抗分ＲＬとからなる。ブリ
ッジ辺を直列に、ダイオードおよびツェナダイオードか
らなる直列回路によ９分路された補助リアクトルＲＬが
存在する。そのような補助リアクトルの使用と作用は、
例えば雑誌［ニー −ｆ −−ツエ、 ） （ＥＴＺ）
ｊ第１００巻（１９７９年）、第１３号、６６４ないし
６７０ページから公知である。
ンダクタンスの顧胤の、もとにスイッチのブリッジ辺を
形成する。このブリッジ辺は二つの外側の（６） クランプＡ、Ｂおよび一つの内側のタップＭを有する、
３この外側端千人と内部タップＭとに負荷が接続されて
いる。負荷は誘導分ＬＬと抵抗分ＲＬとからなる。ブリ
ッジ辺を直列に、ダイオードおよびツェナダイオードか
らなる直列回路によ９分路された補助リアクトルＲＬが
存在する。そのような補助リアクトルの使用と作用は、
例えば雑誌［ニー −ｆ −−ツエ、 ） （ＥＴＺ）
ｊ第１００巻（１９７９年）、第１３号、６６４ないし
６７０ページから公知である。
端子ＡおよびＢに、補助電圧ＶＨをもつ電源およびダイ
オードＤ２からなる補助回路が接続されている。
オードＤ２からなる補助回路が接続されている。
補助回路は、破線で示された無視できないインダクタン
スＬＨを持つ。
スＬＨを持つ。
本発明の説明のために、負荷がＴ、１の逆ダイオードを
通じて流れるフライホイール電流工を導くことを仮定す
る。この逆ダイオードは寄生バイポーラトランジスタＴ
のコレクタ・ペース路によって形成され、容量ＣＣＢを
有する。いまＭＯＳＦＥＴ −Ｔｒ２がオンにされると
、電流工はＴｒｌの逆ダイオードを通じてさらに流れ、
電流ｉが補助リアクトルＬｘのために飛躍的に増大でき
ないから、電流は始めは変化しない。インバータに印加
される電圧■はしかしＭＯＳＦＥＴのターンオンのため
に突然低下し、時間ｔｌ（第２図）に零に近い値に達す
る。
通じて流れるフライホイール電流工を導くことを仮定す
る。この逆ダイオードは寄生バイポーラトランジスタＴ
のコレクタ・ペース路によって形成され、容量ＣＣＢを
有する。いまＭＯＳＦＥＴ −Ｔｒ２がオンにされると
、電流工はＴｒｌの逆ダイオードを通じてさらに流れ、
電流ｉが補助リアクトルＬｘのために飛躍的に増大でき
ないから、電流は始めは変化しない。インバータに印加
される電圧■はしかしＭＯＳＦＥＴのターンオンのため
に突然低下し、時間ｔｌ（第２図）に零に近い値に達す
る。
電流工はこの場合負の値から発してｄｔ／ａｔ −ＶＢ
／ＬＥによシ零に戻シ、それからその方向を逆転して、
ＭＯＳＦＥＴ Ｔｒｌを通じて順方向に流れる。その際
電流１は１１および１２に分割され、その場合１２・Ｒ
ＢＥはバイポーラトランジスタＴに対する制御電圧ＵＢ
ＩＣを形成する。ＵＢＫがペース・エミ、り堰層電圧よ
シ大きくなれば、トランジスタＴが導通となる。
／ＬＥによシ零に戻シ、それからその方向を逆転して、
ＭＯＳＦＥＴ Ｔｒｌを通じて順方向に流れる。その際
電流１は１１および１２に分割され、その場合１２・Ｒ
ＢＥはバイポーラトランジスタＴに対する制御電圧ＵＢ
ＩＣを形成する。ＵＢＫがペース・エミ、り堰層電圧よ
シ大きくなれば、トランジスタＴが導通となる。
コレクタ・ペース容量ＣｃＢに蓄えられたキャリアの減
少と共にＭＯＳＦＥＴへの電圧Ｕが急に上昇する（菖２
図中の１２）。この電圧はバイポーラトランジスタＴへ
も加わる。コレクタ電流がここでトランジスタＴを通じ
て流れると、ＭＯＳＦＥＴ Ｔ、１ カ破壊されるほど
損失電力が高くなシ得る。
少と共にＭＯＳＦＥＴへの電圧Ｕが急に上昇する（菖２
図中の１２）。この電圧はバイポーラトランジスタＴへ
も加わる。コレクタ電流がここでトランジスタＴを通じ
て流れると、ＭＯＳＦＥＴ Ｔ、１ カ破壊されるほど
損失電力が高くなシ得る。
本発明によればここで電圧源ＬＨＮ場合によって存在す
る導体インダクタンスＬＨおよびダイオードＤ２からな
る補助回路がブリッジ辺に並列接続される。それによっ
てブリッジ辺、すなわち端子ＡおよびＢの間に加わる電
圧は零の近くまで落ちなくて電圧ＶＨの高さに固定され
る。これは第４図に図示され、上に電圧Ｕの経過、下に
電流Ｉ２の経過達し、そと海差し当たシ固定される。そ
の場合電流瞳は補助回路からダイオードＤ２を経て端子
Ａに流れる。その電流ｉＨは時点ｔ４ ｔでに零および
正の値に向けての強い増加をひき起こす。電流上昇はそ
の際ＶＨ／ＬＨによって定まる。ＭＯｉ９ＦＦｆＴ Ｔ
ｒの逆ダイオードの掃き出したひき起す電流Ｉ２が補助
回路のない場合よル大きく、その結果逆ダイオードに蓄
えられたキャリア（ＱＣＢ）は加速的に掃き出されるこ
とが明らかである。端子Ａに加わる電圧がなおＶＨの大
きさを持つ時点ｔ６に電流１２は零になる。すなわち、
キャリアが掃き出され、寄生バイボーラド２ンジスタは
オフにされる。それにダイオード２のターンオフタイム
ｔｇがつづく。ターンオフタイムの経過の開電流ｔ２は
依然として零のままであシ、端子人の電位はしかし高さ
ＶＨに固定（９） される。ブリッジ辺に加わる電圧は、時点 ｔ７のライ
フタイムの終りに初めて電圧Ｕに再び上昇する。電圧上
昇のｄｕ／ｄｔは補助リアクトルＬＳＩによって定めら
れる。ＭＯＳＦＥＴ Ｔｒｌ はそのときもはや電流
が流されていないから、寄生バイポーラトランジスタは
ターンオフされず、 ＭＯＳＦＥＴの破壊は阻止される
。
る導体インダクタンスＬＨおよびダイオードＤ２からな
る補助回路がブリッジ辺に並列接続される。それによっ
てブリッジ辺、すなわち端子ＡおよびＢの間に加わる電
圧は零の近くまで落ちなくて電圧ＶＨの高さに固定され
る。これは第４図に図示され、上に電圧Ｕの経過、下に
電流Ｉ２の経過達し、そと海差し当たシ固定される。そ
の場合電流瞳は補助回路からダイオードＤ２を経て端子
Ａに流れる。その電流ｉＨは時点ｔ４ ｔでに零および
正の値に向けての強い増加をひき起こす。電流上昇はそ
の際ＶＨ／ＬＨによって定まる。ＭＯｉ９ＦＦｆＴ Ｔ
ｒの逆ダイオードの掃き出したひき起す電流Ｉ２が補助
回路のない場合よル大きく、その結果逆ダイオードに蓄
えられたキャリア（ＱＣＢ）は加速的に掃き出されるこ
とが明らかである。端子Ａに加わる電圧がなおＶＨの大
きさを持つ時点ｔ６に電流１２は零になる。すなわち、
キャリアが掃き出され、寄生バイボーラド２ンジスタは
オフにされる。それにダイオード２のターンオフタイム
ｔｇがつづく。ターンオフタイムの経過の開電流ｔ２は
依然として零のままであシ、端子人の電位はしかし高さ
ＶＨに固定（９） される。ブリッジ辺に加わる電圧は、時点 ｔ７のライ
フタイムの終りに初めて電圧Ｕに再び上昇する。電圧上
昇のｄｕ／ｄｔは補助リアクトルＬＳＩによって定めら
れる。ＭＯＳＦＥＴ Ｔｒｌ はそのときもはや電流
が流されていないから、寄生バイポーラトランジスタは
ターンオフされず、 ＭＯＳＦＥＴの破壊は阻止される
。
！ｓ４図には唯一のブリッジ辺とＭＯ８Ｆ’１３Ｔ ’
ｒｒｔおよびＴ、２を有する簡単なインバータが示され
、それにおいては負荷は中間タップと二つのコンデンサ
から形成される人為的零点との間に接続されている。補
助回路は両ＭＯ８ＦＥＴに対して働く。彦ぜなら両ＭＯ
８ＦＥＴは補助回路に関して直列に接続されており、同
じ電流が流されているからである。
ｒｒｔおよびＴ、２を有する簡単なインバータが示され
、それにおいては負荷は中間タップと二つのコンデンサ
から形成される人為的零点との間に接続されている。補
助回路は両ＭＯ８ＦＥＴに対して働く。彦ぜなら両ＭＯ
８ＦＥＴは補助回路に関して直列に接続されており、同
じ電流が流されているからである。
第５図には二つのブリッジ辺、すなわち全波プリ、ジを
備えたスイッチが示されている。両ブリッジ辺はやはシ
それぞれ二つの極めて簡単化して図示した電力用ＭＯ８
ＦＥＴを有する。負荷は例えばブリ、ジ辺の中間タップ
の間に接続された直流電動機から外る。補助回路はここ
で第４図に示す装（１０） 置に類似して四つのＭＯＳＦＥＴすべてのために働く。
備えたスイッチが示されている。両ブリッジ辺はやはシ
それぞれ二つの極めて簡単化して図示した電力用ＭＯ８
ＦＥＴを有する。負荷は例えばブリ、ジ辺の中間タップ
の間に接続された直流電動機から外る。補助回路はここ
で第４図に示す装（１０） 置に類似して四つのＭＯＳＦＥＴすべてのために働く。
三相制御器への対応する拡張を第６図に示す。
これは三つのブリッジ辺からなシ、それに三相負荷、例
えば三相電動機が接続されている。補助回路は、ここで
は六つの電力用ＭＯ８ＰＥＴ全体に対応して働く。
えば三相電動機が接続されている。補助回路は、ここで
は六つの電力用ＭＯ８ＰＥＴ全体に対応して働く。
補助回路の効果に対する前提は、補助回路によって引き
起こされる電流上昇ｄｌ／ｄｔが、補助リアクトルＬＥ
のみによって引き起こされる電流上昇ｂｉ／ｄｔよシ大
きいことである。誘導性回路の電流上昇は印加される電
圧と回路のインダクタンスの商に等しいから、 の条件が満足されなければならない。そのことから、補
助電圧 り。
起こされる電流上昇ｄｌ／ｄｔが、補助リアクトルＬＥ
のみによって引き起こされる電流上昇ｂｉ／ｄｔよシ大
きいことである。誘導性回路の電流上昇は印加される電
圧と回路のインダクタンスの商に等しいから、 の条件が満足されなければならない。そのことから、補
助電圧 り。
Ｖ、ｕ ＞ ’ＶＢ −
Ｋ
でなければならないという結果が生じる。それは例えば
５ないし１０倍大きいとよい。補助電圧は図示されたよ
うに電池か−ら供給されることができる。
５ないし１０倍大きいとよい。補助電圧は図示されたよ
うに電池か−ら供給されることができる。
しかし、抵抗を介して電圧源につながるコンデンサを利
用することもできる。
用することもできる。
本発明紘直列に接続され、逆に作動される電力用ＭＯ８
ＰＥＴを備えた例えば電動機制御器のような誘導負荷の
だめのインバータの、ＭＯＳＦＥＴからなるブリ、ジ辺
に直列接続の補助リアクトルならびに並列接続の補助電
源およびダイオードを有する補助回路を付加することに
よって、転流の際に一方では高められた掃き出し電流を
供給し、他方ではＭＯＳＦＥＴからキャリアが掃き出さ
れるまでの間トランジスタ電圧を低く保つものである。
ＰＥＴを備えた例えば電動機制御器のような誘導負荷の
だめのインバータの、ＭＯＳＦＥＴからなるブリ、ジ辺
に直列接続の補助リアクトルならびに並列接続の補助電
源およびダイオードを有する補助回路を付加することに
よって、転流の際に一方では高められた掃き出し電流を
供給し、他方ではＭＯＳＦＥＴからキャリアが掃き出さ
れるまでの間トランジスタ電圧を低く保つものである。
これによシ、転流の際にフライホイール電流が流れるタ
ーンオンされるべきＭＯＳＦＥＴに逆電流が流れ、その
場合トランジスタ電圧の上昇が起きると、ＭＯＳＦＥＴ
の寄生バイポーラトランジスタがターンオンされて、そ
のＭＯＳＦＥＴが破壊する問題が解決される。
ーンオンされるべきＭＯＳＦＥＴに逆電流が流れ、その
場合トランジスタ電圧の上昇が起きると、ＭＯＳＦＥＴ
の寄生バイポーラトランジスタがターンオンされて、そ
のＭＯＳＦＥＴが破壊する問題が解決される。
第１図は本発明の基底となる問題と本発明の説明のため
の原理的回路図、第２図は従来のスイ。 チにおける電力用ＭＯ８Ｆ、ＥＴの電圧、電流の経過を
示す線図、第３図は本発明の一実施例によるスイッチに
おける電力用ＭＯ８ＦＢＴの電圧、電流の経過を示す線
図、第４図ないし第６図はそれぞれ本発明の異なる実施
例を示す回路図でおる。 ’ｒｒｌ ｌ Ｔｒ２ ”・電力用ＭＯ８ＦＥＴ ＳＡ
、 Ｂ ・・・端子、Ｍ−・・り、プ、ＬＩＣ・・・
補助リアクトル、ＶＨ・・・補助電源、Ｔ・・・寄生ト
ランジスタ、ＬＬ・・・負荷誘導分、几Ｌ・・・負荷抵
抗分。 代理人弁理士 山 口 康 （１３）
の原理的回路図、第２図は従来のスイ。 チにおける電力用ＭＯ８Ｆ、ＥＴの電圧、電流の経過を
示す線図、第３図は本発明の一実施例によるスイッチに
おける電力用ＭＯ８ＦＢＴの電圧、電流の経過を示す線
図、第４図ないし第６図はそれぞれ本発明の異なる実施
例を示す回路図でおる。 ’ｒｒｌ ｌ Ｔｒ２ ”・電力用ＭＯ８ＦＥＴ ＳＡ
、 Ｂ ・・・端子、Ｍ−・・り、プ、ＬＩＣ・・・
補助リアクトル、ＶＨ・・・補助電源、Ｔ・・・寄生ト
ランジスタ、ＬＬ・・・負荷誘導分、几Ｌ・・・負荷抵
抗分。 代理人弁理士 山 口 康 （１３）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ａ）直列に接続され、逆に作動される少なくとも二
つの電力用ＭＯ８ＦＥＴを備えた少なくとも一つのブリ
ッジ辺を有し、 ｂ）該ブリッジ辺は二つの外側の端子と二つのＭＯＳＦ
ＥＴの間に位置する一つの内側のタップを持ち、 Ｃ）負荷が内側のタップと外側の端子の選択された一つ
との間に存在するものにおいて、ｄ）ブリ、ジ辺に補助
リアクトル（Ｌｘ）が直列に接続されておシ、 ｅ）ブリッジ辺に補助回路が並列接続されておシ・ ｆ）該補助回路は補助電圧源とダイオードからなシ、 ｇ）該ダイオードは補助電流がＭＯＳＦＥＴを順方向に
通流するような極性であシ、 ｈ）補助電圧（Ｖａ）はスイッチに印加される電圧（Ｖ
Ｂ ）よシ小さく％ＬＨを補助回路の寄生インダクタン
スとした場合、 Ｈ ｖＨ＞ ｖＢ・□ ＩＥ である大きさにされたことを特徴とする誘導負荷用スイ
ッチ。 ２、特許請求の範囲第１項記載のスイッチにおいいし１
０倍であることを特徴とする誇導負荷用スイッチ。 ３）特許請求の範囲第１項または第２項記載のスイッチ
において、 ａ）第二のブリッジ辺が直列に接続され、逆に作動され
る電力用Ｍ０８ＦＢＴを備え、ｂ）第二のブリッジ辺は
第一のブリッジ辺に並列接続されて内側のタップを有し
、 Ｃ）負荷は第一、第二のブリ、ジ辺の内側のり、プの間
に位置することを特徴とす石誘導負荷用スイ、チ。 ４）特許請求の範囲第３項記載のスイッチにおいて、 ａ）両ブリ、ジ辺に内側のタップを持つ第三のブリッジ
辺が並列に接続され、 ｂ）負荷が三相負荷でおって三つの端子を介してブリ、
ジの内側のタップのそれぞれと接続されたことを特徴と
する誘導負荷用スイッチ。 ５）特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載のスイッチにおいて、補助電源が電池であることを特
徴とする誘導負荷用スイッチ。 ６）特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記
載のスイッチにおいて、補助電源が抵抗を介して電圧源
につながるコンデンサであることを特徴とする誘導負荷
用スイッチ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE32309104 | 1982-08-19 | ||
| DE19823230910 DE3230910A1 (de) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | Schalter mit leistungs-mosfet |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951417A true JPS5951417A (ja) | 1984-03-24 |
Family
ID=6171250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15011883A Pending JPS5951417A (ja) | 1982-08-19 | 1983-08-17 | 誘導負荷用スイツチ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951417A (ja) |
| DE (1) | DE3230910A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4720638A (en) * | 1986-07-31 | 1988-01-19 | Briggs & Stratton Corporation | Electronically commutated coaxial starter motor/alternator for an internal combustion engine |
| DE4007564A1 (de) * | 1990-03-09 | 1991-09-12 | Siemens Ag | Leistungsverstaerker zur speisung induktiver lasten mit mos-feldeffekttransistoren |
| DE4430078A1 (de) * | 1994-08-25 | 1995-02-02 | Manfred Prof Dr Ing Gekeler | Schaltungsanordnung zur Vermeidung von Schaltverlusten eines Zweigpaares eines selbstgeführten Stromrichters mit eingeprägter Zwischenkreisgleichspannung |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255464A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Ibm | Switching circuit |
-
1982
- 1982-08-19 DE DE19823230910 patent/DE3230910A1/de active Granted
-
1983
- 1983-08-17 JP JP15011883A patent/JPS5951417A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5255464A (en) * | 1975-10-31 | 1977-05-06 | Ibm | Switching circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3230910C2 (ja) | 1987-09-24 |
| DE3230910A1 (de) | 1984-02-23 |
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