JPS5949727B2 - 可変移相回路 - Google Patents

可変移相回路

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JPS5949727B2
JPS5949727B2 JP5952276A JP5952276A JPS5949727B2 JP S5949727 B2 JPS5949727 B2 JP S5949727B2 JP 5952276 A JP5952276 A JP 5952276A JP 5952276 A JP5952276 A JP 5952276A JP S5949727 B2 JPS5949727 B2 JP S5949727B2
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JP
Japan
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differential amplifier
output terminal
voltage
output
phase shift
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JP5952276A
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健治 小嶋
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/16Networks for phase shifting
    • H03H11/20Two-port phase shifters providing an adjustable phase shift

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  • Processing Of Color Television Signals (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は可変移相回路に関し、特に例えばカラーテレ
ビジョン受像機の色相制御等のように供給された電気信
号の位相を変化させるような可変□移相回路に関する。
従来より、このような可変移相回路においては、交流信
号の位相を変化させるのに、抵抗、コンデンサ、インダ
クタ等の受動素子が用いられてきた。
第1図はこの発明の背景となる可変移相回路の一例を示
す回路図である。
すなわち、信号源1からの例えば交流信号は、入力端子
2に与えられ、抵抗3、コンデンサ4、可変インダクタ
5、抵抗6およびコンデンサ7で構成される移相制御回
路を介して適宜移相されて出力端子8に導出される。
その移相量は、前記可変インダクタ5のインダクタンス
を変化することによって適当に調整できる。
また、最近ではすべての回路をできるだけ集積回路で実
現することが望まれるが、上述のごとくの第1図の移相
回路はそれぞれコンデンサおよびインダクタンス等を用
いているため、半導体集積回路で実現するには困難であ
る。
さらに、このような回路においては、交流的に位相を制
御しているため、例えばカラーテレビジョン受像機の色
相制御で用いられるように、信号が例えば3.58MH
z等の高周波の場合には、その配線にシールド線を用い
る必要があり、作業性が悪く、しかも高価になるという
問題点に遭遇する。
それゆえに、この発明の主たる目的は、上述のごとくの
困難性を除いて半導体集積回路によって構成するに適し
た可変移相回路を提供することである。
入力端子と定電流源をもつ第1の差動増幅器を設け、そ
の第1の差動増幅器の差動出力に第2、第3の差動増幅
器を縦続接続し、第2の差動増幅器の第1の入力端子と
第3の差動増幅器の第1の入力端子とを接続して制御端
子とし、第2の差動増幅器の第2の入力端子と第3の差
動増幅器の第2の入力端子とを接続して制御端子とし、
第2の差動増幅器の出力端子および第3の差動増幅器の
出力端子には、それぞれ、直流的にはインピーダンスが
等しく交流的にはインピーダンスの異なる負荷を接続し
、その出力電圧をバッファを通した後には抵抗マトリッ
クスによって合成するようにした可変移相回路である。
この発明の上述の目的およびその他の目的と特徴は図面
を参照して行なう以下の詳細な説明から一層明らかとな
ろう。
第2図はこの発明の一実施例を示す回路図である。
第3図はその動作を示すベクトル図である。トランジス
タ10.11は、第1の差動増幅器を構成し、定電流源
9と入力端子30,31と差動出力端子とを備え、その
一方の出力端子にはトランジスタ12.13で構成され
る第2の差動増幅器が縦続接続され、他方の出力端子に
はトランジスタ14.15で構成される第3の差動増幅
器が縦続接続されている。
この第2の差動増幅器の2つの入力端子32.33は、
それぞれ制御端子29.28に結合され、その出力端子
25には電源VCCにその一端を接続した負荷抵抗16
(抵抗値R)が接続されている。
一方、第3の差動増幅器の2つの入力端子34.35は
、それぞれ制御端子28.29に結合され、その出力端
子26には電源VCCにその一端を接続した、かつ前記
負荷抵抗16にその大きさが等しい負荷抵抗18 (抵
抗値R)が接続される。
さらに、前記負荷抵抗18には、コンデンサ17 (容
量値C)が接続されている。
このコンデンサ17は比較的小容量のものでよい。
前記第2の差動増幅器の出力端子25はトランジスタ1
9に接続され、第3の差動増幅器の出力端子26はトラ
ンジスタ20に接続される。
このトランジスタ19と抵抗23とは、エミッタホロワ
として結合され、バッファを構成している。
同様にトランジスタ20と抵抗24とは、エミッタホロ
ワとして結合され、バッファを構成している。
前記トランジスタ20のエミッタおよび斗うンジスタ1
9のエミッタには、それぞれ、抵抗値の相等しい抵抗2
1および22が接続され、その一方端は共通的に出力端
子27に接続される。
この等しい値をもつ抵抗21,22は、抵抗マトリック
スを形成し、その合成出力は出力端子27に導出される
ここで、まず、入力端子30.31に交流信号□が入ら
ない場合について考えてみる。
一方の制御端子29に一定直流電圧Eを、他方の制御端
子28に可変直流電圧E′を加える。
この直流電圧E=E′のとき、各トランジスター2.
13. 14. 15には、定電流源9に流れる電流I
の174ずつの警 電流7゛流する・″″′き0合成出力端子27″、圧v
2□は、 V27=VCCRI/4 VBE となる。
ここで、VBEはトランジスター9または20のベース
−エミッタ間電圧である。
つぎに、直流電圧E>E’となり、トランジスター2に
ΔIの電流が前記1/4より余分に流れたとする。
この場合、トランジスター2ないし15が全て同一のエ
ミッタ面積をもつとすれば第2差動増器の出力端子25
の電圧v2.は、 V25 = V cc R(I/4+ΔI)となる。
第3差動増幅器の出力端子26の電圧v26は、 V26 = V cc R(I/4−ΔI)となる。
従って、合成出力端子27の電圧v27は、 V27=1/2 (VCC−R(I/4+ΔI )
VBE十VCC−R(I/4−ΔI) 、 VBE
) = VCCRI/4−VBE となり、前述のE=E’の場合と等しくなる。
このことは、逆に直流電圧E<E’の場合も全く同様で
ある。
すなわち、出力端子27の直流出力電圧は、制御端子2
8の制御電圧の値によらず常に一定の値を保つことがで
きる。
つぎに、入力端子30から交流信号が入った場合につい
て考えてみよう。
信号e5をe5=E5Sinωt とすると、トランジスター0に流れる電流11は、”1
”g mE6sxnωt となる。
ここで、gmは、差動増幅器の相互のコンダクタンスで
ある。
また、トランジスタ11に流れる電流12は、 12=−gmE5Sinωt となる。
但し、il、 i2は交流信号成分のみを示し※ている
そして、制御直流電圧E=E’の場合、出力端子25の
電圧V25は、 v2.=−11R/2=−gmRE5/2・sinωt
となる。
また、出力端子26の電圧V26は、となる。
この電圧をベクトル的に合成したものが出力端子27に
得られる。
このことが第3図に示される。
すなわち、この第3図において、入力端子30からの入
力電圧の位相が参照符号36で示され、第2差動増幅器
の出力端子25の電圧V25の位相が参照符号37で示
され、第3差動増幅器の出力端子26の電圧v26の位
相が参照符号38で示され、そして出力端子27におけ
る合成された電圧V27の位相が参照符号39で示され
る。
つぎに、直流制御電圧E>E’になった場合について考
えてみると、このとき第2差動増幅器のトランジスタ1
2および第3差動増幅器のトランジスタ15に流れる交
流電流成分は増大するため、出力端子25における電圧
振幅は増大するが、出力端子26における電圧振幅−4
i減少する。
従って、合成出力端子27における合成された電圧の位
相は、第3図に示す37の位相に近づく。
逆に、制御電圧E<E’の場合には、出力端子27に。
おける合成された電圧の位相は、第3図に示す38に近
づく。
すなわち、制御端子28の直流電圧を変化させることに
よって、出力端子27に得られる交流信号の位相は、第
3図に示す37から38まで可変でき、しかも、既に述
べたようにその。
直流電位を一定に保つことができる。
さらに、出力端子25.26をトランジスタ13および
15のコレクタ側から取り出したり、負荷インピーダン
スの値を変化させることにより、種々の位相変化範囲を
もつ可変移送回路を得るこ;とができる。
なお、ここでは説明を簡略化するために、付加抵抗16
.18と抵抗マトリックス21.22との間にバッファ
としてエミッタホロワトランジスタを挿入した。
しかしながら、このバッファがない場合においても、出
力信号の振幅は小さくなるが、本願発明による回路の動
作原理には何ら影響がない。
以上のように、この発明によれば、従来の回路構成とは
異なり、比較的大容量の可変インダクないしコンデンサ
等を必要としないため、半導体集積回路に最適な回路構
成となる。
このような回路構成をとることによって、さらに、以下
のような特有の効果が期待される。
すなわち、直流的に位相を変化させることができるため
、その配線(シールド線等が不要)が簡単となり、また
90°以上の大きな位相変化範囲が得られる。
そして、出力バイアス電圧は常に一定であるため、次段
に直結でき、半導体集積回路構成とすることに極めて好
都合である。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の背景となる可変移相回路の一例を示
す回路図である。 第2図はこの発明の一実施例を示す回路図である。 第3図はその動作を示すベクトル図で゛ある。 図において、9は定電流源、10. 11. 12.1
3,14,15,19,20はトランジスタ、16,1
8,21,22,23,24は抵抗、17はコンデンサ
、27は合成出力端子、28.29は制御電圧入力端子
、30.31は信号入力端子である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 信号入力端子と定電流源とを有する第10差動増幅
    器、 前記第1差動増幅器の一方出力に接続される第2の差動
    増幅器、 前記第1差動増幅器の他方出力に接続される第3の差動
    増幅器、 前記第2差動増幅器と第3差動増幅器との各一方入力端
    子に共通接続される第1の制御電圧入力端子、 前記第2差動増幅器と第3差動増幅器との各他方入力端
    子に共通接続される第2の制御電圧入力端子、 前記第2差動増幅器の出力端子に接続される第1の負荷
    インピーダンス素子、 前記第3差動増幅器の出力端子に接続される、かつその
    インピーダンスが直流的には前記第1負荷インピーダン
    スと等しくかつ交流的には異なる第2の負荷インピーダ
    ンス素子、および 前記第2差動増幅器と第3差動増幅器との各出力端子に
    接続されて各出力電圧を合成する抵抗マトリックスを備
    える可変移相回路。 2 前記第1負荷インピーダンス素子は抵抗であり、か
    つ前記第2負荷インピーダンスは抵抗およびコンデンサ
    を含む特許請求の範囲第1項記載の可変移相回路。
JP5952276A 1976-05-21 1976-05-21 可変移相回路 Expired JPS5949727B2 (ja)

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