JPS5946954B2 - 抗生物質の製法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な抗生物質を製造する方法に関するもので
ある。

更に詳しくは、本発明は７−位に置換分を有する新規な
７−アミノセフアロスポラン酸誘導体を製造する方法に
関するものである。重要にして、且つ有効である抗生物
質であることの判つたペニシリンの発見は、この分野に
おける大きな興味を刺戟した。次に、種々な病原菌によ
る感染を処理する医師の武器を増大せしめるストレプト
マイシン、テトラサイクリン、ノボビオシンなどの種々
な他の抗生物質が見出された。不幸にして、これらの抗
生物質の使用は、これらの既知の抗生物質に抵抗性の病
原菌の菌株を与える。さらに既知の抗生物質は、或る型
の菌に対してのみ有効であつて、そして広範囲の病原菌
に対して有効でないという不利点を有している。したが
つて、他の抗生物質に対する研究が続けられている。本
発明の目的は、抗菌活性を有する新規なセフアロスポリ
ンを製造する方法を提供せんとするものである。上記目
的を達成する本発明は、陰性的に置換されたアミドのト
リ置換シリル誘導体の存在下において式（式中ＡＡはα
−アミノアジポイル基を示す。

Ａは水素、カルバモイルオキシまたはアセトキシを示す
。Ｒ１は水素またはメトキシを示す。）の化合物または
その誘導体（カルボキシ基がベンズヒドリルエステルと
して閉塞され、そしてアミノ基がトリクロロエトキシカ
ルボニルまたはｔ−ブトキシカルボニル基によつて閉塞
されている）をアシル化剤好適にはアシル酸クロライド
と反応せしめて１つのアシル基がα−アミノアジポイル
基であり、そして第２のアシル基が異なるアシル基であ
る相当する７ージアシル化誘導体を生成させ、次にジア
シル化生成物を分裂せしめてα−アミノアジポイル基を
除去し、そして３−ＣＨ２Ａ−Jヨルボン酸またはその
エステル誘導体を得、得られたエステルを分裂せしめて
遊離酸またはその塩を得ることを特徴とする式（式中Ｒ
’は２−フエニルアセチル、２−チエニルアセチル、２
−フリルアセチル、チオフエノキシアセチル、またはＤ
，Ｌ−α−アジドフエニルアセチルを示す。

Ｒ１及びＡは前述した通りである。）の化合物またはそ
の塩の製法よりなる。本発明の新規なセフアロスポリン
はΔ３−セフアム核すなわち融合β−ラクタムを有する
デヒドロチアジン環が７一位に置換分を含有している化
合物である。このように、構造式（式中Ｒ’，Ａおよび
Ｒ１は上記に定義した通りである。

）によつて示し得るこれらの新規なセフアロスポリンお
よびエステル、アミドおよび塩のようなその誘導体は、
価値ある新規な抗生物質である。当該技術において使用
されるセフアロスポリン化合物の命名によれば、構造式
により示すことのできるセフアロスポリンＣの加水分解
により得られる化合物は、７ーアミノセフアロスポラン
酸または７一ＡＣＡと呼ばれる。

或る生成物を説明するために、本明細書中において使用
される゛゜デセフアロスポラン酸’’なる語は、構造式
を有する基複素環式核を示す。

従つて、式 の化合物はこの命名系を使用して３−メチルー本発明が
関係するセフアロスポリン化合物は、また、有利には、
セフアムとして知られている基融合−環β−ラクタムチ
アジン構造を含有する゛゜セフアム’’化合物とも称し
得る。

このように、セフアロスポリン化合物は、単一オレフイ
ン結合を有する基構造に関しでセフエム’’と称される
。例えば、この命名系においては、構造式を有するセフ
アロスポリンＣは、７ −（ ５’−アミノアジパミド
）−３−アセトキシメチル−３−セフエム一 ４ −カ
ルボン酸と呼ばれる本発明の実施化によれば、新規な生
成物は、７ーアシルアミドセフアロスポリン化合物のア
シル基を異なるアシル置換分によつて得られる。

この新規な方法によれば、７ーアシルアミドセフアロス
ポリン化合物をアシル化剤と反応せしめて２つの異なる
アシル置換分を含有する中間体７ージアシルアミドセフ
アロスポリン化合物を得、次にもとのアシル基を分裂せ
しめて新規な７ーアシルアミドセフアロスポリン化合物
を得る。この方法は、次のフローシートによつて示され
る。式中、Ａｃはアシル基を示す。

Ａ’，Ｒ’１及びＲｐはそれぞれＡ，Ｒ，及びＲ’とし
て定義した置換分を示すまたは保護基または閉塞基の除
去によつてこれらに変換し得るものである。前記フロー
シートに示した方法においては、反応は、遊離酸をもつ
て実施することができる。

しかしながら、一般には、方法の終りに容易に除去し得
る適当なエステルの形成によつてカルボキシ基を閉塞ま
たは保護することが好適であることが判つた。この方法
の第１の工程は、セフアロスポリン化合物またはカルボ
キシル基が閉塞されたその誘導体をシリル基の存在下に
おいて、アシル化剤好適にはハロゲン化アシルと反応せ
しめて７ージアシルアミド化合物を生成させることから
なる。

次に、この生成物を反応せしめてもとのアシル置換分を
除去し、そして新規な７ーアシルアミド置換分を有する
セフアロスポリン化合物を生成させる。ジアシル化生成
物を製造する第１工程は、陰性的に置換されたアミドの
トリ置換シリル誘導体の存在下において、適当な溶剤媒
質中でセフアロスポリン化合物をアシル化剤と緊密に接
触せしめることによつて最善に実施される。反応を実施
する温度は特に重要でなく、そして一般に約−２０℃乃
至約１００℃の温度が満足である。しかしながら、反応
を約２５〜４０℃で実施することが好適である。クロロ
フオルム、アセトニトリル、塩化メチレン、ジオキサン
、ベンゼン、ハロベンゼン、四塩化炭素及びジエチルエ
ーテルのような活性水素を含有していない種々な溶剤が
反応における媒質としてもつとも適当している。ヒドロ
カルビル置換分が低級アルキル（ １〜６個の炭素原子
）、フエニルのようなアリール、またはベンジルのよう
なアラルキル基である種々なトリヒドロカルビルシリル
化合物を本発明の方法に利用することができる。

これらの化合物は、等分子量のトリヒドロカルビルシリ
ルハライド及び陰性的に置換されたアミドまたはイミド
を反応せしめることによつて容易に製造される。しかし
ながら、一般に、トリ低級アルキルシリル誘導体特にト
リメチルシリル誘導体は安価にして且つ容易に入手でき
るので、これらの誘導体を使用することが好適である。
陰性的に置換されたアミド及びイミドの例は、サクシン
アミド、フタルイミド、シアノアセトアミド、トリフル
オロアセトアミド、ベンズアミド、ｐ−ニトロベンズア
ミド、トリクロロアセトアミド、スルフオンアミドなど
である。特に有用であるトリ低級アルキルシリル誘導体
の例は、Ｎ−トリメチルシリルトリフルオロアセトアミ
ド、Ｎ−トリメチルシリルフタルアミドである。一般に
、カルボキシ基が閉塞または保護されたセフアロスポリ
ン化合物を使用して、上記反応を実施することが好適で
ある。

何故かというと、このような誘導体をもつて所望の生成
物の最高の収量を得ることができるからである。この目
的に対して、当該技術によく知られている方法によつて
容易に除去し得るベンズヒドリルエステルを形成させる
ことによつてカルボキシ置換分を閉塞することができる
。更に、出発セフアロスポリン化合物中に存在するアミ
ノ基を閉塞または保護することが一般に好適である。何
故かというと、このような誘導体を使用して所望の生成
物の最高収量が得られるからである。この目的に対して
、基は好適には、容易に除去できる置換分で閉塞される
。このような基は、当該技術においてよく知られている
。アミノ基は、トリクロロエトキシカルボニルまたはｔ
−ブトキシカルボニル基によつてもつとも有利に閉塞さ
れる。もとのアシル基を分裂する工程は、幾つかの方法
によつて、例えば反応時間を延長することによつて、低
級アルカノールまたは低級アルキルチオールのようなア
ルコールを加えることによつて、または少量の酸または
塩基を含有する水溶液中で加水分解することによつて実
施し得る。

このように、或る場合においては、分裂は、１〜６個の
炭素原子を含有する低級アルカノールまたは低級アルキ
ルチオール、ベンジルアルコールのようなアラルカノー
ルまたは相当するチオールの添加によつて行なわれる。
分裂は所望のモノアシル化セフアロスポリン化合物を与
えるまたはモノアシル化化合物の混合物を生成させるこ
とができる。後者の場合においては、所望のモノアシル
化セフアロスポリン化合物を当該技術においてよく知ら
れているクロマトグラフイー処理のような離操作によつ
て採取し得る。本発明のこの実施化の方法は、醗酵によ
つて得られるもののようなセフアロスポリン及び３−位
に他の置換分を有するその誘導体の７一（アミノアジポ
イルアミド）側鎖のアミノアジポイル基を置換するのに
特に適当している。

このように、本方法の特定の実施化によれば、セフアロ
スポリンＣまたは７ −（ Ｄ − ５’−アミノ−
５’一カルボキシバレラミド）−３−カルバモイロキシ
メチルーはその誘導体のようなセフアロスポリン化合物
を、トリ置換シリル基の存在下においてアシル化剤と反
応せしめて２つの異なるアシル基を有する７ージアシル
アミド誘導体を得る。このジアシル化生成物は、選択同
に分裂せしめてα−アミノアジポイル基を除去し、そし
て所望の異なる７ーアシルアミドセフアロスポリン化合
物を得ることができる。セフアロスポリン化合物自体を
本発明の方法によつてエステル交換し得るけれども、セ
フアロスポリン化合物のアミノ及びカルボキシ置換分を
本発明の方法の実施に当り閉塞または保護した場合に方
法が容易化され、そして新規な７ーアシルアミド化合物
の最高の収量が最適の条件下で得られるということが判
つた。前述した閉塞または保護基がこの目的に対して適
当している。このように、例えば、本発明のこの好適な
実施化によつて前述したセフアロスポリンのα−アミノ
アジポイル側鎖を他のアシル基で置換するに当つては、
４−位のカルボキシ基及びアミノアジポイル置換分のカ
ルボキシ基を閉塞し、そしてアミノ基も同様に保護する
。得られた閉塞された誘導体を陰性的に置換されたアミ
ドまたはイミドのトリ置換シリル誘導体の存在下におい
て、アシル化剤好適には酸塩化物のような酸ハライドと
反応せしめて７ージアシルアミド誘導体を生成させる。
このアシル化反応中に、若干のα−アミノアジポイル基
の分裂が起るが、大部分の生成物はジアシル化誘導体の
形態で得られる。トリクロロエトキシカルボニルまたは
ｔ−ブトキシカルボニル基から選ばれるアミノアジポイ
ル部分のアミノ置換分の保護基を適当な手段によつて除
去する場合は、アミノアジポイル基の選択的分裂が起る
。

アミノ官能の保護基のこの除去は、明らかにアミノアジ
ポイル基の内部環化を与えて式のα一カルボン酸エステ
ルとしての基の分裂を与える。

現在の証拠は、これがこの分裂の機構であることを示す
が、この分裂の起り方の説明によつて制限されることを
望まない。

何故かというと、生成物が若干の他の方法で分裂される
ことが研究によつて確立し得るからである。分裂の起り
方のこの説明は、本発明をよりよく理解せしめるために
与えるものである。アミノ及びカルボキシ官能の保護基
の分裂は、当該技術においてよく知られている方法によ
つて達成される。

このように、例えば、トリクロロエトキシカルボニル基
は亜鉛及び酢酸との反応によつて除去されるそしてｔ−
ブトキシカルボニル及びベンズヒドリル基はトリフルオ
ロ酢酸との反応によつて除去される。本発明の他の見地
によれば、本発明の方法によつて得られる新規な７ージ
アシルアミド化合物は、モノアシル化セフアロスポリン
の製造における中間体として有用であるのみでなく、種
々な病原菌に対して活性な有用な抗菌生成物である。

本発明の方法のより完全な理解が次の例示的実施化によ
つて与えられる。

この様に、次の反応順序によつて、７ −（ Ｄ −
５’−アミノ− ５’一カルボキシバレラミド）− ３
−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシ一３−セフ
エム一４−カルボン酸を相当する７ −（ ２ −チエ
ニルアセトアミド）化合物に変換し得る。上述した方法
においては、出発化合物をトリクロロエトキシカルボニ
ルクロライドとの反応によつてアシル化せしめてＮ−ト
リクロロエトキシカルボニル誘導体を生成させ、次にこ
れをジフエニルジアゾメタンでアルキル化せしめてジベ
ンズヒドリルエステルに変換する。

得られたセフアロスポリン化合物をトリメチルシリルト
リフルオロアセトアミド及び２−チエニルアセチルクロ
ライドと反応せしめて７一〔（Ｄ−５’一トリクロロエ
トキシカルボニルアミノ一 ５’一カルボキシバレリノ
０−（ ２ −チエニルアセチルアミノ）〕化合物を得
る。次にアミノアジポイル基を酸の存在下における亜鉛
との反応によつて分裂せしめて３−カルバモイロキシメ
チル一 ７ −（ ２ −チエニルアセトアミド）デセ
フアロスポラン酸のベンズヒドリルエステルを得、次に
これを更に脱閉塞せしめてベンズヒドリル基を除去し、
そして遊離酸を形成させる。ベンズヒドリル基は、アニ
ソールの存在下におけるトリフルオロ酢酸との反応によ
つて容易に分裂される。この生成物は、当該技術に知ら
れている方法によつて塩に変換することができる。上記
フローシートに示した２−チエニルアセチルクロライド
の代りに前記Ｒ１に定義したような他のアシル化剤を使
用して、相当する７ーアシルアミドセフエム化合物を得
ることができる。このようなアシル化剤を使用する場合
においては、反応中影響を及ぼす置換分を含有するアシ
ル化剤の使用を避けることが必要である。このように、
アシル化剤のアミノまたはカルボキシ置換分は、前述し
たような基によつて閉塞または保護し、そして次に後に
除去しなければならない。他の具体的なアシル化剤の例
は、フエニルアセチルクロライド、２−フリルアセチル
クロライド、チオフエノキシアセチルクロライド、α−
アジドフエニルアセチルクロライドなどである。また、
無水物または混合無水物のような他のアシル化剤を酸ハ
ライドの代りに使用することができる。以下の例は説明
のために与えるものであつて限定のために与えるもので
はない。

例１ ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−フ
エニルアセトアミド一３−セフエムー４−カルボン酸工
程Ａ： ７β−（ Ｄ − ５’一トリクロロエトキシカルボニ
ルアミノ一５−カルボキシバレラミド）− ３ −カル
バモイロキシメチルーJメ[メトキシ一３−セフエム一４
−カルボン酸７β−（ Ｄ − ５ −アミノ−５−カ
ルボキシバレラミド）−３−カルバモイロキシメチルー
Jメ[メトキシ一３−セフエム一４−カルボン酸のモノナ
トリウム塩（ ２０．５９）をアセトン（８０ｍ０およ
び水性１０％燐酸水素二カリウム（２４０ｍ１）の混合
物に溶離する。

この溶液に、アセトン（８０ｍｉ）中のトリクロロエト
キシカルボニルクロライド（ ２５ｆ１） １１８ミリ
モル）を滴加する。添加中、２．５Ｎ水酸化ナトリウム
溶液の徐々な添加によつて、溶液のＰＨ９．ｌに保持す
る。３０分後に、混合物を酢酸エチルで抽出し、酢酸エ
チル相を捨て、次に水性相を濃塩酸で酸性にしてＰＨ２
．５にする。

沈澱した生成物を酢酸エチル中に抽出する。硫酸ナトリ
ウム上で乾固し、そして溶剤を真空除去した後、所望の
化合物を油として得る。ＵＶ： （ ＣＨ３ＯＨ）λＭ
ａｘ２６２．５ε＝５４５０ＮＭＲ： （溶剤−ＤＭＳ
Ｏ，ｄ６）δ＝ ３．４３（Ｏ−ＣＨ３，Ｓ），４．７
３（ ２ −Ｈ，部分的可視）４．８１ＣＣ１３（ＣＨ
２−０，Ｓ），５．１２（６−Ｈ，Ｓ），〜４．７４（
１０−Ｈ２、部分的可視）。

工程Ｂ： ７β一（ ０ − ５’ 一トリクロロエトキシカルボ
ニルアミノ一 ５’一カルボキシバレラミド）− ３
ーカルバモイロキシメチルーJメ[メトキシ一 ３ ーセ
フエム一４−カルボン酸のジーベンズヒドリノレエステ
ノレ酢酸エチル（５００ｍ１）中の上記７β−（ Ｄ
一５−トリクロロエトキシカルボニルアミノ− ５’ー
カルボキシバレラミド）−３−カルバモイロキシメチル
ーJメ[メトキシ一３−セフエム一４−カルボン酸の溶液
に、エーテル２００ｍ１中のジフエニルジアゾメタン（
１７９）を加える。

混合物を一夜撹拌した後、それを順次に重炭酸ナトリウ
ムおよび塩化ナトリウム溶液で抽出する。溶剤を乾燥溶
液から蒸発して粗生成物を得、次にこれをシリカゲル上
のクロマトグラフイー処理によつて精製する。クロロフ
オルムおよび酢酸エチルの２：１混合物を溶離に対して
使用する。この物質はＴＬＣクロマトグラフイ一に対し
て単一のスポツトを示す。ＵＶ：（ ＣＨＯＨ）λＭａ
ｘ２６５Ｏμｍε＝７０００ＮＭＲ： （溶剤−ＣＤＣ
ｌ３）δ＝ ３．４５（Ｏ−ＣＨ３，Ｓ），３．３５（
２ −Ｈ２、部分的可視）、ＣＣｌ３４．６９（ Ｃ
Ｈ２− ０，Ｓ），５．３０（６−Ｈ，Ｓ），〜 ４．
８８（１０−Ｈ２、部分的可視）。

工程Ｃ：７β−〔（ ０ − ５’一トリクロロエトキ
シカルボニルアミノ一 ５’一カルボキシバレリル）フ
エニルアセチルアミノ〕−３−カルバモイロキシメチル
ーJメ[メトキシ一３−セフエム一４−カルボン酸のジー
ベンズヒドリルエステル７β一（ ０ − ５’一トリ
クロロエトキシカルボニルアミノ一 ５’一カルボキシ
バレラミド）−３−カルバモイロキシメチルーJメ[メト
キシ一３−セフエム一４−カルボン酸のジーベンズヒド
リルエステル（ １．１θ、１．１８ミリモル）、アセ
トニトリル（５ｍ１）およびビス−トリメチルシリルト
リフルオロアセトアミド（３ｍ１）の混合物を、室温で
６時間放置する。

この期間後に、揮発性生成物を高真空中で除去し、次に
残留物を塩化メチレン３ｍ１に溶解する。この溶液に、
フエニルアセチルクロライド（０．２３ｍ１） １．７
９ミリモル）を加え、次に混合物を室温で６５時間放置
する。その後、溶液を蒸発し、そして残留物をテトラヒ
ドロフラン５ｍ１および２．５Ｎ塩酸０．７ｍ１に溶解
する。２０分の反応時間後に、溶剤を蒸発し、次に残留
物を塩化メチレンおよび重炭酸ナトリウム溶液間に分配
する。

有機相を塩化ナトリウム溶液で洗浄し、乾燥し、次に蒸
発乾固する。このようにして得られた粗生成物を、溶離
剤としてクロロフオルム一酢酸エチル（９５：５）を使
用して、シリカゲル上でクロマトグラフイー処理するこ
とによつて精製する。得られた所望の化合物は、薄層ク
ロマトグラフイ一に対してホモゲナウスであると思われ
る。ＵＶ：（ＣＨ３ＯＨ）λＭａｘ２６４Ｏμε６６５
０ＮＭＲ： （溶剤−ＣＤＣｌ３）δ＝ ３．５０（Ｏ
−ＣＨ３，Ｓ），３．３１（ ２Ｈ，部分的可視）、４
．６７ＣＣｌ３（ＣＨ２−０，Ｓ），５．０４（６ −
Ｈ，Ｓ），〜 ４．９６（１０−Ｈ２、部分的可視）、
３．９５（１３−Ｈ２，Ｓ）工程Ｄ： ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−フ
エニルアセトアミド一３−セフエム一４−カルボン酸の
ベンズヒドリルエステル９０％酢酸−水（１ｍ１）中の
７β−〔（Ｄ−５’一トリクロロエトキシカルボニルア
ミノ一 ５’一カルボキシバレリル）フエニルアセチル
アミノ〕一３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシ
一３−セフエム一４−カルボン酸のジーベンズヒドリル
エステル（１０４〜）の溶液を亜鉛末１００Ｔｆ１９と
ともに５時間撹拌する。

その後、溶液を濾過し、次に溶剤を真空除去する。残留
物を塩化メチレンおよび水間に分配し、次に塩化メチレ
ン相を重炭酸ナトリウムおよび塩化ナトリウム溶液で抽
出する。乾燥および蒸発後に、粗生成物を得、これをシ
リカゲルプレートおよびクロロフオルムおよび酢酸エチ
ルの３：２混合物を利用して薄層クロマトグラフイ一に
よつて精製する。生成物は、そのＩＲおよびＮＭＲスペ
クトルによつて特徴づけられる。ＩＲ：（ ＣＨＣＩ）
．１７８０，１７３０，及び１６８０ａｔ−１ＵＶ：（
ＣＨＯＨ）．λＭａｘ２６４ＯμＭ，ε５８７０ＮＭＲ
：（溶剤−ＣＤＣｌ３）δ＝ ３．４０（Ｏ−ＣＨ３，
Ｓ），３．３３（ ２Ｈ２部分的可視）、５．０１（６
−Ｈ，Ｓ），４．８８（１０−Ｈ２、部分的可視）３．
３６（１３− Ｈ２，Ｓ）。

工程Ｅ： ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−フ
エニルアセトアミド一３−セフエムー一４−カルボン酸
３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−フ
エニルアセトアミド一３−セフエム一４−カルボン酸の
ベンズヒドリルエステル（１７〜）をアニソール（ ０
．２ｍ０にとかし、次にトリフルオロ酢酸（０．５ｍ１
）で５分処理する。

この時間後に、混合物を高真空中で急速に濃縮し、次に
酢酸エチルでうすめる。生成物をＰＨ７．５の燐酸ナト
リウム緩衝液で抽出することによつて酢酸エチル溶液か
ら除去する。緩衝溶液を稀塩酸で酸性にしてＰＨ２．５
となし、次に所望の生成物を酢酸エチルによる抽出によ
つて除去する。溶液を乾燥および蒸発した後、生成物を
得る。酢酸エチルから再結晶することによつて、分析用
試料を得る。融点゛５９〜１６１にＣＵＶ： （ ＰＨ
７緩衝液）λＭａｘ２６７ＯμＭ，ε８６５０ＩＲ：（
ＣＨ３ＣＮ）１７８０，１７３５および１７００ＮＭＲ
：（溶剤＝ＣＤ３ＣＮ−ｔ−Ｄ２Ｏ）δ＝３．４２（Ｏ
一ＣＨ３，Ｓ）３．３５（ ２ − Ｈ２、部分的可視
）、５．０１（ ６ −Ｈ，Ｓ）４．８３（１０− Ｈ
２，ｄ），３．６１（１３− Ｈ２，Ｓ）Ｃｌ８Ｈｌ９
Ｏ７Ｎ３Ｓに対する元素分析値：゛計算値：Ｃ５ｌ．２
９，Ｈ４．５４実験値二Ｃ５ｌ．４７，Ｈ４．７３ 上記の酸２Ｗ１９をメタノール１滴に溶離し、次に酢酸
エチル中のジベンジルエチレンジアミンジアセテート２
〜の溶液で処理する。

放置後、所望の化合物のジベンジルエチレンジアミン塩
が針状様の結晶として沈澱する。融点１４０〜１４３℃
。ＵＶ：（ ＣＨ３ＯＨ）λＭａｘ２６３με８６００
７β−（ Ｄ − ５ −アミノ−５−カルボキシバレ
ラミド）−３−（カルバモイロキシメチル）− ７ −
メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸のモノナトリ
ウム塩の製造。変性醗酵法 工程１：斜面培養基 ストレプトミセス・ラクタムジユランス （ＳｔｒｅｐｔＯｍｙｃｅｓｌａｃｔａｍｄｕｒａｎｓ
）培養菌（ＭＡ−２９０８）の凍結乾燥管を殺菌的に開
き、そして微生物を次の組成の培地に移す。

培地Ｍ １％ブラツクストラツプモラセス １％天然ビール醸造酵母 ２．５％ジフコ寒天 ＰＨ７．Ｏ 水 斜面培養基に接種し、そして２８゜Ｃで７日培養する。

冷時貯蔵した場合、斜面培養基は１３週間以上安定であ
る。工程２：種子段階：２段階系 第１種子：２５０ｍ１の三角フラスコ中の１％プライマ
リ一 ・ ドライド・イーストＮ．Ｆ．（ＰＨ７．Ｏ）
（イースト・プロダクト・コーポレーシヨンから得られ
た）４０ｍ１に、工程１の斜面培養基から直接第１の種
子を接種する。

次にフラスコを２吋スロウ（ＴｈｒＯｗ）の２２０ｒ．
ｐ．ｍ回転振盪機上で２〜３日２８℃で振盪する。第２
種子：第１種子段階からの２．５％の接種体をＰＨ７．
Ｏの２％フレイシユマンＳ−１５０イーストオウトリゼ
ートを含有するフラスコに加える。

この段階における生長は、かるくそして第１段階におけ
るようにして遂行される培養は、４８時間以上延長しな
い。工程３：生産培地 生産培地は、蒸留水１１当りデイスチラーズ・ソリユー
ブル３０ｇ、プライマリ一 ・ ドライド・イーストＮ
．Ｆ．７．５９および０２５Ｖ／Ｖ％のモビルパ一Ｓ脱
泡剤を含有している。

培地を少量の濃水酸化ナトリウム溶液でＰＨ７．Ｏとな
し、三角フラスコに分散し、そして１２１℃で１５また
は２０分オートクレープ処理する。冷却後、培地に工程
２で得られた２．５％の接種体を入れる。培養時間は約
５０〜１００時間に変化し得るが、約７２時間の培養時
間が好適である。それぞれのフラスコ中の培地の容量は
、３０〜 ５０ｍ１に変化し得るが、４０ｍ１が普通使
用される。接種体の濃度は、１％〜５％に変化し得るが
、実際には２．５％濃度が一般に使用される。工程４：
試験 醗酵が完了したときに、細胞を遠心処理によつて除去し
、次に醗酵液をフオスフエート緩衝液（ ＰＨ７．Ｏ）
でうすめる。

醗酵液中の７β−（Ｄ一５−アミノ−５−カルボキシバ
レラミド）− ３ 一（カルバモイロキシメチル）−
７ −メトキシ−３−セフエム一 ４ ＝カルボン酸の
濃度を、標準生物学的デスク試験法によつて測定する。
使用した試験微生物は、ビブリオ・パーコランス（Ｖｉ
ｂｒｉＯｐｅｒｃＯｌａｎｓ）（ＡＴＣＣ８４６ｌ）で
ある。濾紙デスクを稀釈プロスに浸漬し、そして次に試
験微生物ビブリオ・パーコランス（ＡＴＣＣ８４６ｌ）
で接種した寒天含有ペトリー皿の表面におく。また、こ
れらのペトリー皿上に、７β−（ Ｄ − ５ 一アミ
ノ一５−カルボキシバレラミド）− ３ −（カルバモ
イロキシメチル）−Jメ[メトキシ一３−セフエム一４−
カルボン酸の既知濃度を含有する標準溶液に予め浸漬し
たデスクをおく。デスクを２８℃で一夜放置し、そして
阻止帯域の直径を記録する。生成物の濃度および醗酵液
の濃度を、生成物の標準溶液の既知濃度を使用したとき
の帯域直径に関する標準カーブから改ざんによつて計算
する。この方法によつて、変性醗酵法においてストレプ
トミセス・ラクタムジユランスＭＢ−２９０８は、７β
−（ Ｄ − ５ −アミノ−５−カルボキシバレラミ
ド）− ３ −カルバモイロキシメチル一 ７ −メト
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸７８．６Ｗ９／ゴ
を生産することが計算される。工程５：単離 ろ過プロスを稀塩酸でＰＨ７．Ｏとなし、次に２９００
ｍ１を、１０ＷＬｅ／分で、スチレンージビニルベンゼ
ンマトリツクスを有する強塩基性陰イオン交換樹脂（ダ
ウエツクス１×２クロライドサイクルレンジ）（１００
ｇ）を含有するカラムに通す。

消費した溶剤は５００ゴ宛の区分に集める。樹脂カラム
を水で洗浄し、次に９０％メタノール中の３％塩化アン
モニウムで溶離する。溶離液は１００ｍ１宛の区分に集
める。消費した区分を合し、ＰＨを稀水酸化ナトリウム
でＰＨ７．２〜 ８．０となし次に１４ｍｉ／分でスチ
レンージビニルベンゼンマトリツクスを有する強塩基性
陰イオン交換樹脂（ダウエツクス１×２クロライドサイ
クルレジン）（１００θ）上に吸着させる。カラムを水
で洗浄し、そして５％水性塩化ナトリウムで溶離する。
溶離液を５０ｍ１宛の区分に集め、次に濃縮する。この
濃縮液を５００ゴにうすめ、稀塩酸でＰＨ８．８からＰ
Ｈ２．Ｏに調整し、次にスチレンージビニルベンゼンマ
トリツクスを有するスルフオネート型の強酸性陽イオン
交換樹脂（ダウエツクス５０×２・ハードロジン・サイ
クル・レジン）２５ゴ上に２．５ｍ１／分で吸着させる
。カラムを水２５ゴで洗浄し、次に２％ピリジンでカラ
ム流出液のＰＨがＰＨに上昇するまで（５４ｍ０溶離す
る。このようにして得られた溶離液を稀水酸化ナトリウ
ムでＰＨ８．Ｏとなし、次に真空濃縮してピリジンを除
去し、そして７β−（ Ｄ − ５ −アミノ−５−カ
ルボキシバレラミド）− ３ −カルバモイロキシメチ
ルーノナトリウム塩を得る。Ｃｌ６Ｈ２ｌＮ４ｓＯ９Ｎ
ａに対する元素分析値：計算値：Ｃ４ｌ．Ｏ％，Ｈ４．
５％，Ｎｌ２．Ｏ％，Ｓ６．８％実験値：Ｃ３９．３ｌ
％，Ｈ４．７６％，Ｎｌｌ．ｌ６％，Ｓ６．４６％例２ ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−フ
エニルアセトアミド一 ３ −セフエム一４−カルボン
酸工程Ａ： ７β−〔（ Ｄ − ５’一トリクロロエトキシカルボ
ニルアミノ一 ５’一カルボキシバレリル）フエニルア
セチルアミノ〕−３−カルバモイロキシメチル一 ７
−メトキシ−３−セフエム一４−カルボン酸のジーベン
ズヒドリルエステルアセトニトリル５０ｍ１中の７β＝
（ Ｄ − ５ −トリクロロエトキシカルボニルアミ
ノ−５−カルボキシバレラミド）− ３ −カルバモイ
ロキシメチル一 ７ −メトキシ−３−セフエム一 ４
−カルボン酸のジーベンズヒドリルエステル（９．３
９、１０ミリモル）、Ｎ−トリメチルシリルフタルイミ
ド（ ７．８θ、４０ミリモル）およびフエニルアセチ
ルクロライド（ ５．３ゴ、４０ミリモル）の溶液を、
４０℃で２０時間加熱する。

この時間後に、混合物を室温で冷却し、次に濾過する。
濾液を蒸発乾固し、次にヘキサンと共にすりつぶす。７
β−〔（ Ｏ − ５’一トリクロロエトキシカルボニ
ルアミノ一 ５’一カルボキシバレリル）フエニルアセ
チルアミノ〕−３−カルバモイロキシメチルーJメ[メト
キシ一３−セフエム一 ４ −カルボン酸のジーベンズ
ヒドリルエステルを含有する不溶性残留物を精製するこ
となしに次の工程に使用する。

工程Ｂ：３−カルバモイロキシメチル一 ７ −メトキ
シー７β−フエニルアセトアミド一３−セフエムー４−
カルボン酸のベンズヒドリルエステル工程Ａからの粗生
成物を酢酸エチル（５０ｍ１）、酢酸（４５ｍ１）およ
び水（５ｍ１）の混合物に溶解する。

この溶液に、亜鉛粉末２０ｇを加え、そして混合物を室
温で４時間撹拌する。その後、過剰の亜鉛を濾過によつ
て除去し、次に濾液を酢酸エチル及び水の間に分配する
。有機相を重炭酸ナトリウム溶液及び水で洗浄し、乾燥
し、次に溶剤を蒸発する。このようにして得られた粗生
成物を溶離に対してクロロフオルム、へキサン及びメタ
ノール（４７：４７：６）の混合物を使用してシリカゲ
ル１ｋｆ！上でクロマトグラフイー処理することにより
精製する。得られた生成物は、例１の工程Ｅに述べた物
理的特性を有している。工程Ｃ： ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−フ
エニルアセトアミド一３−セフエム一４−カルボン酸こ
の化合物は、例１の工程Ｅに述べた方法によつて得られ
る、そして例１の生成物と同じ物理的持性を有している
。

例３ ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−（
２ −チエニルアセトアミド）−３−セフエム一４−
カルボン酸丁程Ａ： ７β一〔（Ｄ−５’一トリクロロエトキシカルボニルア
ミノ一 ５’−カルボキシバレリル） − ２ 一チエ
ニルアセチルアミノ〕−３−カルバモイロキシメチルー
Jメ[メトキシ一３−セフエム一４−カルボン酸のジーベ
ンズヒドリルエステル７β一（ Ｄ − ５’一トリク
ロロエトキシカルボニルアミノ一 ５’一カルボキシバ
レラミド）−３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキ
シ一３−セフエム一４−カルボン酸のジベンズヒドリル
エステル６．０９（ ６．３ミリモル）、Ｎ−トリメチ
ルシリルトリフルオロアセトアミド４．７９（ ４０ミ
リモル）、２−チエニルアセチルクロライド３．４２ｍ
１（２５ミリモル）及びクロロフオルム５０ｍｅの混合
物を４７゜Ｃで１６時間加温する。

溶剤を蒸発によつて除去した後、粗反応混合物をヘキサ
ンで抽出し次に溶離剤としてクロロフオルム中の１０％
酢酸エチルを使用したシリカゲル１ｋｇ上のクロマトグ
ラフイー処理によつて精製する。ＵＶ： （ ＣＨ３Ｏ
Ｈ）λＭａｘ２６５με５８１０ＮＭＲ：（溶剤−ＣＤ
Ｃｌ３）δ＝ ３．５３（−０ＣＨ３，Ｓ）、〜 ３．
４（ ２ − Ｈ２，ｄ），４．７４ＣＣ１３（ ＣＨ
２− ０，Ｓ），５．０５（ ６ −Ｈ，Ｓ）、〜５．
０（１０−Ｈ２、部分的可視）、４．１５（１３−Ｈ２
，Ｓ）。

工程Ｂ： ３−カルバモイロキサメチルーJメ[メトキシー７β−（
２ −チエニルアセトアミド）− ３ −セフエム一
４−カルボン酸のベンズヒドリルエステル７β−〔（
Ｄ−５’一トリクロロエトキシカルボニルアミノ一 ５
’一カルボキシバレリル）− ２ −チエニルアセチル
アミノ〕−３−カルバモイロキシメチル− ７ −メト
キシ−３−セフエム一４−カルボン酸のジベンズヒドリ
ルエステル（ ４．２θ、３．８ミリモル）を酢酸エチ
ル３０ｍ１に溶解し、次に９０％水性酢酸３０ｍ１およ
び亜鉛末１２１に加える。

混合物を室温で５／時間はげしく撹拌する。亜鉛を濾去
した後、過剰の酢酸を水による酢酸エチル溶液の洗浄に
よつて除去する。例１の工程Ｅに説明したと同じ方法で
、所望の化合物を単離する。それは、単一のスポツトの
物質としてＴＬＣ（ １：１のＣＨＣｌ３：ｎ −ヘキ
サン中の７％ＣＨ３ＣＨ）により特徴づけられる。ＩＲ
：（ ＣＨＣｌ３）１７４０，１８００Ｃ７ＴＬ−１Ｕ
Ｖ：λＭａｘ２６３μｍ ε５８００ＮＭＲ：（溶剤−
ＣＤＣｌ３）δ＝ ３．４５（＝０ＣＨ３，Ｓ）、〜
３．４（ ２ − Ｈ２，ｄ），５．０２（６ −Ｈ，
Ｓ）、〜 ４．９２（１０−Ｈ２、部分的可視）、３．
８５（１３− Ｈ２，Ｓ）。

工程Ｃ： ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β＝（
２ −チエニルアセトアミド）− ３ −セフエム一
４ −カルボン酸アニソール１０．８８ｍ１中の３−
カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−（ ２
−チエニルアセトアミド）− ３ −セフエム一４−
カルボン酸のベンズヒドリルエステル（ １．３６ｇ）
の冷溶液を、トリフルオロ酢酸５．４４ゴとともに０℃
で１／２時間撹拌する。

揮発性物を高真空中で除去する。生成物は酢酸エチルか
ら再結晶せしめる。融点１６５〜１６７゜Ｃ０ＵＶ：（
ＰＨ７の緩衝液）λＭａｘ２６３μｍ ε８８４０２３
６μｍ ε１４００００〕Ｄ（ Ｃ ＝１，ＣＨ０Ｈ）
一 ＋１９９ ＮＭＲ： （溶剤−ＣＤ３ＣＮ＋ｌ）２
０）δ− ３．４８（−０ＣＮ３，Ｓ）、〜 ３．４（
２ − Ｈ２、部分的可視）、５．０５（ ６ −
Ｈ，Ｓ），４．９１（１０− Ｈ２，ｄ）３．８６（１
３− Ｈ２，Ｓ）。

Ｃｌ６Ｈｌ７Ｎ３Ｏ７Ｓ２に対する元素分析値：計算値
：Ｃ４４．９６，Ｈ４．Ｏｌ，Ｎ９．８３実験値：Ｃ４
４．８６，Ｈ３．９９，Ｎ９．２ｌ，Ｓｌ５．ＯＯ工程
Ｄ：ナトリウム３ −ーカルバモイロキシメチルーJメ
[メトキシー７β一（ ２ −チエニルアセトアミトウ
一３−セフエム一４−カルボキシレート重炭酸ナトリウ
ム０．２９を徐々に加えながら、蒸留水１００ｍ１中の
３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−（
２ −チエニルアセトアミド）− ３ −セフエム一
４−カルボン酸１１の懸濁液を室温で撹拌する。

溶液が得られ、そしてＰＨが実質的に中性（ＰＨ６〜７
）になつたときに、混合物を凍結乾燥びん中に濾過する
。濾液を凍結乾燥する。無定形のナトリウム３−カルバ
モイロキシチル一 ７ −メトキシー７β−（ ２ −
チエニルアセトアミド）−３−セフエム一４−カルボキ
シレート１９が得られる。

これは９９％の採取を示す。ＵＶ：（ＰＨ７の緩衝液：
Ｅ％２６２ｎｍで１９８，２３６ｎｍで３１５。ＩＲ（
ＫＢｒ）：１７６０（ラクタム）。

０Ｄ＝１８３．１ｒ（Ｃ＝１，ｐＨ７の緩衝液）。

例４３−カルバモイロキシメチルー７β−（ ２ −フ
リルアセトアミド）− ７ −メトキシ−３−セフエム
一４−カルボン酸工程Ａ： ７β一〔（ Ｄ − ５’一トリクロロエトキシカルボ
ニルアミノ一 ５’−カルボキシヴアレリル）−２＝フ
リルアセチルアミノ〕−３−カルバモイロキシメチルー
Jメ[メトキシ一３−セフエム一４−カルボン酸のジーベ
ンズヒドリルエステル７β−〔（ Ｄ − ５’一トリ
クロロエトキシカルボニルアミノ一 ５’一カルボキシ
ヴアレルアミド）一３−カルバモイロキシメチルーJメ
[メトキシ一３−セフエム一４−カルボン酸のジーベン
ズヒドリルエスツル（ ９．３１）、ビス一（トリメチ
ルシリル）一トリクロロアセトアミド（ ７．０ゴ）、
塩化２−フリルアセチル（ ４．７ｍ０およびジクロロ
メタン（５０ｍ１）の混合物を４７℃において１６時間
加熱する。

溶媒を蒸発により除去し、粗反応混合物をヘキサンで抽
出し、残留物を精製することなく次の工程に使用する。
ＮＭＲ： （溶媒− ＣＤＣｌ３）８ ＝ ３．４８（
−｛）ＣＨ３，Ｓ），３．０８（ ２ − Ｈ２，ｄ）
，４．６３ＣＣ１３（ＣＨ２，Ｓ），５．０２（ ６
− Ｈ，Ｓ）、〜４．８８（１０− Ｈ２，ｄ），３．
７２（１３−Ｈ２，Ｓ）。

工程Ｂ： ７β−（ ２ −フリルアセトアミド）−３−カルバモ
イロキシメチル一 ７ −メトキシ−３−セフエム一４
−カルボン酸のベンズヒドリルエステノレ例３工程Ｂ中
記載した操作に従つて工程Ａからのジーベンズヒドリル
エステルを亜鉛末および酢酸と反応させる。

クロロホルムーヘキサンから結晶化させて後、純生成物
は次の物理的特性を有する：ＭＰ：１６８−１７１物Ｃ ＩＲ：（ ＣＨＣｌ３）１８００，１７２０，１７００
ＵＶ：λＭａｘ２６５μＭ，ε７２００ＮＭＲ：（溶媒
−ＣＤ３ＣＮ）δ＝ ３．４３（−０ＣＨ３，Ｓ），３
３９（ ２ −Ｈ２、部分的に可視）５．０（ ６ −
Ｈ，Ｓ），４．７５（１０− Ｈ２，ｄ），３．６４
（１３− Ｈ２，Ｓ）工程Ｃ： ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−（
２ −フリルアセトアミド）− ３ −セフエム＝４
−カルボン酸３−カルバモイロキシメチル一 ７ −メ
トキシー７β一（ ２ −フリルアセトアミド）−３−
セフエム一４−カルボン酸は、例３工程Ｃ中記載した操
作に従つて工程Ｂの生成物から製造される。

生成物は、酢酸エチルから再結晶の後、１５６− １６
１℃の融点を有する。ＵＶ：（ ＰＨ７緩衝液）λＭａ
ｘ２６５μＭ．，ε７２００ＩＲはこの構造に一致する
。

ＮＭＲ：（溶媒−ＣＤ３ＣＮ＋Ｄ２Ｏ）δ＝ ３．４４
（−０ＣＨ３，Ｓ）、〜 ３．３８（ ２ −Ｈ２、部
分的に可視）、５．０２（ ６ − Ｈ，Ｓ），４．８
２（１０−Ｈ２，ｄ），３．６６（１３−Ｈ２，Ｓ）。

例５３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β
−チオフエノキシアセトアミド一３−セフエム一４−カ
ルボン酸工程Ａ： ７β一（（ Ｄ − ５ −トリクロロエトキシカルボ
ニルアミノ−５−カルボキシヴアレリル）チオフエノキ
シアセトアミド〕−３−カルバモイカキシメキシーJメ
[メトキシ一３−セフエム一４−カルボン酸のジーベン
ズヒドリルエステル例４工程Ａ中記載した操作に実質的
に従い、塩化２−フリルアセチルを等モル量の塩化フエ
ニルチオアセチルに置換えることにより７β一〔（Ｄ−
５ −トリクロロエトキシカルボニルアミノ−５−カ
ルボキシヴアレリル）チオフエノキシアセトアミド〕−
３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシ一３−セフ
エム一４−カルボン酸のジーベンズヒドリルエステルが
得られる。

ＮＭＲ：（溶媒−ＣＤＣｌ３）δ＝ ３．３３（ −０
ＣＨ３，Ｓ）、３．２３（ ２ − Ｈ２、部分的に可
視）、ＣＣＩ。

４．８７（ ＣＨ２，Ｕ），５．０（ ６ ＝Ｈ，Ｓ）
，４．８７（１０− Ｈ２，Ｕ），３．６８（１３−Ｈ
２，Ｓ）。

工程Ｂ： ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシーJメ[チオ
フエノキシアセトアミド一３−セフエム一４−カルボン
酸のベンズヒドリルエステル例４工程Ｂ中記載した操作
に実質的に従い、７β一〔（ Ｄ − ５’一トリクロ
ロエトキシカルボニルアミノ一 ５’一カルボキシヴア
レリル）−２−フリルアセチルアミノ〕−３−カルバモ
イロキシメチルーJメ[メトキシ一 ３ −セフエム一４
−カルボン酸のジーベンズヒドリルエステルの代りに７
β一〔（ Ｄ − ５ −トリクロロエトキシカルボニ
ルアミノ− ５ −カルボキシヴアレリル）チオフエノ
キシアセトアミド〕−３−カルバモイロキシメチルーJ
メ[メトキシ一 ３ −セフエム一４−カルボン酸のジ
ーベンズヒドリルエステルに置き換えることにより、ク
ロマトグラフイー精製の後、薄層クロマトグラフイ一（
ＴＬＣ）上単一ースポツトとして現われる実質的に純粋
な生成物が得られる。

ＩＲはこの構造に一致する。ＵＶ：λＭａｘ２７４μＭ
，ε１１３５０ＮＭＲ：（溶媒−ＣＤＣｌ３）δ＝ ３
．３４（−０ＣＨ３，Ｓ），３．２４（ ２ −Ｈ２、
部分的に可視）。

５．０（ ６ − Ｈ，Ｓ），４．８（１０− Ｈ２，
ｄ）３．６８（１３− Ｈ２，Ｓ）。

工程Ｃ： ３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシー７β−チ
オフエノキシアセトアミド一３−セフエム一４−カルボ
ン酸標題の化合物は、例３工程Ｃの操作に従つて上の工
程Ｂの生成物から製造される。

この生成物はＴＬＣ上単一のスポツトを示す。ＭＰ：１
１９の〜１２３℃ ＵＶ：（ＰＨ７緩衝液）λＭａｘ２４７μｍε１０４０
０ＮＭＲ：（溶媒−ＣＤＣｌ３＋Ｄ２Ｏ）δ＝ ３．３
８（ −０ＣＨ３，Ｓ），３．３４（ ２ − Ｈ２、
部分的に可視）、５．０（ ６ − Ｈ，Ｓ），４．８
２（１０−Ｈ２，Ｓ）、３．７１（１３− Ｈ２，Ｓ）
。

例６７β一（ Ｄ，Ｌ−α−アジドフエニルアセチル）
〜 ３ −カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシ一３
−セフエム一 ４ −カルボン酸工程Ａ： ７β−（ Ｏ − ５ ＝三級一ブトキシカルボニルア
ミノ一５−カルボキシヴアレルアミド）−３ーカルバモ
イロキシメチルーJメ[メトキシ一３ーセフエム一４−カ
ルボン酸７β−（０−５−アミノ〜５−カルボキシヴア
レルアミド）− ３ −カルバモイロキシメチルーJ■
■（　５０．０ｇ）を１５００ゴの水性５％燐酸水素二
ナトリウムと１０００ゴのアセトンとの混合物中溶解し
、２，５Ｎカセイソーダ溶液によりＰＨ９．５に調節す
る。

この溶液に撹拌下三級一ブトキシカルボニルアジド（５
０ゴ）を添加し、２０時間ＰＨを９．５に保つ。次に反
応混合物を酢酸エチルで抽出し、酢酸エチル層を棄て、
水層をｏ℃に冷却し、酢酸エチル１２００ｍ１と共に撹
拌し、濃塩酸でＰＨ２．５まで酸性とする。酢酸エチル
層を分離し、ホウ硝上乾燥し、真空濃縮するとこのよう
にして得た固形物は更に精製することなく使用すること
ができる。ＩＲ：１７９０（β−ラクタム）、１７００
ＵＶ：（ＰＨ７緩衝液）λＭａｘ２６３ε６８２０ＮＭ
Ｒ：（溶媒−ＤＭＳＯ，ｄ６）δ＝ ３．３０（−０Ｃ
Ｈ３，Ｓ），３．４２（ ２ −Ｈ２、部分的に可視）
、５．０６（ ６ − Ｈ，Ｓ），４．７８（１０−
Ｈ，ｄ），１．３８（ ｔ −Ｂｕ，Ｓ）。

工程Ｂ： ７β−（０−５−三級一ブトキシカルボニルアミノ一５
−カルボキシヴアレルアミド）− ３ ーカルバモイロ
キシメチルーJメ[メトキシ一３ーセフエム一４−カルボ
ン酸酢酸エチル（５００ゴ）中７β−（Ｄ−５−ブトキ
シカルボニルアミノ一５−カルボキシヴアレルアミド）
−３−カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシ一３−セ
フエム一 ４ −カルボン酸（１５．０９）の溶液にエ
ーテル７ ０ｍ１中のジアゾメタン（ ５．５１）を添
加する。

反応混合物を撹拌下４０℃に加温し、３０分後更にエー
テル（７０ｍ１）中のジフエニルジアゾメタン（５．５
１）で処理する。３時間後、溶媒を真空除去し、メタノ
ール（５００ｍ０と水（２０ｍ０との混合物により置換
する。

メタノール水溶液をヘキサンで４回抽出し、次に真空蒸
発させる。残留物を酢酸エチルに溶解し、ホウ硝上乾燥
し、真空蒸発させて標題の化合物を得、これを精製する
ことなく次の工程に使用する。ＮＭＲ：（溶媒−ＣＤＣ
ｌ３）δ＝３．６０（−０ＣＨ３，Ｓ） ， ３．４（
２−Ｈ２、部分的に可視）、５．１０（ ６ −Ｈ，Ｓ
），４．９５（１０−Ｈ，部分的に可視）。工程Ｃ： ７β−〔（ Ｄ − ５’−三級一ブトキシカルボニル
アミノ一 ５’一カルボキシヴアレリル）−Ｉ），Ｌ−
α−アジドフエニルアセチルアミノ〕−３ーカルバモイ
ロキシメチル一 ７ −メトキシ−３ーセフエム一４−
カルボン酸のジーベンズヒドリノレエステノレ７β−（
０ − ５’一Ξ級一ブトキシカルボニルアミノ一
５’一カルボキシヴアレルアミド）− ３ −カルバモ
イロキシメチル〜 ７ −メトキシ−３−セフエム一４
−カルボン酸のジーベンズヒドリルエステル（１０．８
ｙ）、クロロホルム（１００ｍ０、ビス一（トリメチル
シリル）一トリクロロアセトアミド（１６．２１）およ
び塩化Ｄ，Ｌ−α−アジドーフエニルアセチルを４５℃
において１６時間加温する。

この混合物をクロロホルム（３００ｗ１ｉ）で希釈し、
２％水性重炭酸塩および飽和食塩水で洗浄し、ホウ硝上
乾燥し、蒸発させて油を得、このものをクロロホルム溶
液からへキサンにより沈殿させることによつて精製する
。この淡黄色の固体を更に精製することなく次の工程に
使用する。ＩＲ：１７９０（β−ラクタム、１，１７３
５，２１００（ −Ｎ３）ＮＭＲ：（溶媒−ＣＤＣｌｌ
３）δ＝ ３．７０（−０ＣＨ３，Ｓ），３．２（ ２
−Ｈ２、部分的に可視）。

工程Ｄ：７β−（ Ｄ，Ｌ−α−アジドフエニルアセチ
ルアミド）− ３ −カルバモイロキシメチルーJメ[メ
トキシ一３−セフエム一４−カルボン酸アンゾール（１
３ｍ１）中の７β−〔（ ０ − ５’−Ξ級一ブトキ
シカルボニルアミノ一 ５’一カルボキシヴアレリル）
−０，Ｌ−α−アジドフエニルアセチルアミノ〕−３−
カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシ一３−セフエム
一４−カルボン酸のジーベンズヒドリルエステル（１３
．０ｇ）の溶液を冷（０℃）トリクロロ酢酸６５ｍ１に
注ぐ。

５分後溶液を撹拌下冷（０℃）エーテル１８００ｍ１に
注ぐ。

析出した固形物を集め、１０％燐酸水素二ナトリウムと
酢酸エチルとの間に分配する。酢酸エチル層を棄て、水
層を新しい酢酸エチル層と重ね、混合物を撹拌下６０％
水性燐酸で冷時ＰＨ２とする。酢酸エチル層を集め、飽
和食塩水で洗浄し、次にホウ硝上乾燥する。真空下揮発
物質を除去して標題の化合物を得る。ＵＶ：λＭａｘ２
６４μｍε７５３７ ２３１μｍε１３５６７（ＰＨ７緩衝浚 ＩＲ：１７６０（β−ラクタム）１７０５，２１０５（
−Ｎ。

）ＮＭＲ： （溶媒−ＣＯ３ＣＮ）δ＝ ３．３６０℃
ＣＨ３，Ｓ），３．５０（−（）ＣＨ３，Ｓ），３．４
０（２−Ｈ２、部分的に可視）、５．０６（６−Ｈ，Ｓ
），４．８６（１０−Ｈ，Ｓ） ，５．１５（１３−Ｈ
，Ｓ）。

例７３−アセトキシメチルー７β−（ ２ −チエニル
アセトアミド）− ３ −セフエム一 ４ −カルボン
酸工程Ａ： ７β−（Ｄ−５−トリクロロエトキシカルボニルアミノ
−５−カルボキシヴアレルアミド）一３−アセチルメチ
ル−３−セフエム一４−カルボン酸アセトン（１３ｍ１
）および１０％燐酸水素二カリウム（４０ｍ０中７β−
（ Ｄ − ５ −アミノ−５−カルボキシヴアレルア
ミド）− ３ −アセトキシメチル−３−セフエム一４
−カルボン酸（ ２．５θ、０．５３モル）の溶液に塩
化トリクロロエトキシアセチル（３．３５１） ０．１
５９モル）を滴加する。

添加の間カセイソーダの１７％水溶液を徐々に添加する
ことにより溶液のＰＨを８．５〜 ９の範囲内に保つ。
３０分後混合物を酢酸エチルで洗浄し、濃塩酸によつて
水相をＰＨ２．５まで酸性とする。

析出する生成物を酢酸エチル中に抽出し、溶液をホウ硝
上乾燥し、濾過し、濾液を除去して７β−（Ｄ− ５
−トリクロロエトキシカルボニルアミノ−５−カルボキ
シヴアレルアミド）− ３ −アセチルメチル−３−セ
フエム一４＝カルボン酸を得る。工程Ｂ：７ −（ Ｄ
− ５ −トリクロロエトキシカルボニルアミノ−５
−カルボキシヴアレルアミド）＝３−アセチルメチル−
３−セフエム一４−カルボン酸のジベンズヒドリルエス
テル酢酸エチル（３０ｍ１）中７β−（Ｄ−５−トリク
ロロエトキシカルボニルアミノ−５−カルボキシヴアレ
ルアミド）−３−アセチルメチル−３ーセフエム一４−
カルボン酸の溶液にエーテル（２５ｍ１）中ジフエニル
ジアゾメタン（ ２．０９）を添加する。

混合物を一夜撹拌し、溶媒を除去して粗生成物４．０１
を得る。粗生成物を溶離剤としてクロロホルムを使用す
るシリカゲル上のクロマトグラフイ一により精製して実
質的に純粋な７一（Ｄ−５−トリクロロエトキシカルボ
ニルアミノ− ５ −カルボキシヴアレルアミド）−３
−アセチルメチル−３−セフエム一４−カルボン酸のジ
ベンズヒドリルエステル２．３Ｉを得る。ＮＭＲ： （
溶媒−ＣＤＣｌ３）δ＝ ２．０（メチル、Ｓ）４．９
（１０−Ｈ２、カルゼット）、３．２（２ 一Ｈ２、カ
ルゼット）、４．９（ ６ −Ｈ，ｄ），５．９２（
７ − Ｈ ），７．０（ジベンズヒドリルプロトン、
２Ｓ）。

工程Ｃ： Jヨ黶k（０−５−トリクロロエトキシカルボニルアミノ
−５−カルボキシヴアレリル）− ２ ーチエニルアセ
チルアミノ〕− ３ −アセトキシメチル−３−セフエ
ム一４−カルボン酸のジベンズヒドリルエステル７β−
（０−５−トリクロロエトキシカルボニルアミノ−５−
カルボキシヴアレルアミド）−３−アセトキシメチル−
３−セフエム一 ４ −カルボン酸のジベンズヒドリル
エステル（ ２．０９、０．０２モル）、Ｎ−トリメチ
ルシリルトリフロロアセトアミド（ １．６５ｇ、０．
０９モル）、塩化２−チエニルアセチル（ １．３１１
）０．０８１５モル）および塩化メチレン（６ｍ１）の
混合物を窒素気流中で２０時間油浴中で４０−４５℃に
加温する。

反応混合物をヘキサン（１００ｍ０中に注ぎ、ケイソウ
土を通して濾過する。溶媒を除去すると７一〔Ｄ −
５ −トリクロロエトキシカルボニルアミノ−５−カル
ボキシヴアレリル）− ２ −チエニルアセチルアミノ
〕−３−アセトキシメチル−３−セフエム一 ４ −カ
ルボン酸のジベンズヒドリルエステルを得る。工程Ｄ： ３−アセトキシメチル− ７ −（ ２ −チエニルア
セトアミド）− ３ −セフエム一４−カルボン酸のジ
ベンズヒドリルエステルこの７一〔（ Ｄ − ５ −
トリクロロエトキシカルボニルアミノ＝ ５ −カルボ
キシヴアレリル）−２−チエニルアセチルアミノ〕−３
−アセトキシメチル−３−セフエム一 ４ −カルボン
酸のジベンズヒドリルエステルを酢酸エチル（１０ｍ１
）に溶解し、９０％水性酢酸（１０ｍ１）と亜鉛末（１
．０１）の混合物に添加する。

この混合物を室温において２時間撹拌する。反応混合物
を濾過して亜鉛を除く。反応混合物を水で２回、冷重曹
溶液、次に飽和食塩溶液（１５．０ゴ）で順次洗浄する
。酢酸エチル溶液をホウ硝上乾燥し、濾過し、溶媒を除
去して粗生成物１．９Ｉを得、これを溶離剤としてクロ
ロホルムと酢酸エチル（５０：１）の混合物を使用して
シリカゲル上クロマトグラフ処理して生成物０．３８０
ｇを得、このものは酢酸エチルから再結晶の後１４１．
５゜〜１４３℃の融点を有する。ＵＶ：（ ＣＨ３ＯＨ
）λＭａｘ２６３ε７５８０Ｃ２９Ｈ２６Ｎ２０６Ｓ２
に対する元素分析一計算値：Ｃ，６ｌ．９ｌ； Ｈ，４
．６６；Ｎ，４．９８；実験値：Ｃ，６２．ｌ４； Ｈ
，４．８４；Ｎ，４．９ｌ。工程Ｅ：３−（アセトキサ
メチル）− ７ −（ ２ −チエニルアセトアミド）
−３−セフエム一 ４ −カルボン酸アニソール（ １
．０ｍ１）およびトリフルオロ酢酸（０．５ｍ１）中３
−アセトキシメチル− ７ −（ ２ 一チエニルアセ
トアミド）− ３ −セフエム一 ４ −カルボン酸の
ジベンズヒドリルエステル（１００〜）の冷溶液をｏ℃
において３５分間撹拌する。

四塩化炭素（５０ゴ）を添加し、反応混合物を濃縮乾固
する。残留物をヘキサンでつぶす。傾瀉によりヘキサン
を除き、この残留物を酢酸エチル（１０ｍ１）に溶解し
、濃縮して１ゴとし、ジエチルエーテルを添加して沈殿
を得る。この沈殿をジエチルエーテルと酢酸エチルとの
混合物から再結晶して３−（アセトキシメチル）− ７
−（ ２ −チエニルアセトアミド）− ３ −セフ
エム一４−カルボン酸、Ｍｐｌ６４℃、０．０２５θを
得る。例８ ３−メチルーJメ[メトキシー７β−（ ２ −チエニル
アセトアミド一３−セフエム一４−カルボン酸のジベン
ズヒドリルエステル工程Ａ： ７β−（ Ｄ − ５ −アミノ−５−カルボキシヴア
レルアミド）− ３ −メチルーJメ[メトキシ一３−セ
フエム一４−カルボン酸炭末上１０％パラジウム触媒を
水（８０ゴ）に懸濁し、水素で処理する。

触媒を濾過し、再び水（５０ゴ）に懸濁し、この混合物
（ ２．６７θ）に水（１０ｍ１）中７β−（ Ｄ −
５ ＝アミノ−５−カルボキシヴアレルアミド）−
３ −カルバモイロキシメチルーJメ[メトキシ＝３−セ
フエム一４−カルボン酸のナトリウム塩（ １．０９）
を添加する。得られる混合物を２２時間室温で振とうす
る。濾過により触媒を除き水（５０ｍ１）で洗浄する。
洗液と戸液を合し濃縮乾燥して５２．８％の収量の７β
−（ Ｄ − ５ −アミノ− ５ −カルボキシヴア
レルアミド）− ３ −メチル− ７ −メトキシ−３
−セフエム一４−カルボン酸（５２８〜）を得る。ＵＶ
：λＭａｘ２６５μｍ；Ｅ｝ヱは１００である。工程Ｂ
：７β−（ Ｄ − ５ −三級一ブトキシカルボニル
アミノ一 ５ −カルボキシヴアレルアミド）− ７
−メトキシ−３−メチル−３−セフエム一４−カルボン
酸のジベンジルエチレンジアミン塩工程Ａの７β−（
Ｉ）− ５ −アミノ−５−カルボキシヴアレルアミド
）−Jメ[メトキシ一３−メチル−３−セフエム一４−カ
ルボン酸のニナトリウム塩（１１．５ｇ）の溶液を水（
１５０ゴ）およびアセトン（５０ｍ０に溶解する。

カセイソーダでＰＨを９ 〜 ９．１に調節し、１０ｍ
１のアジドギ酸三級一ブチルを添加する。更にカセイソ
ーダを添加してＰＨを９ 〜 ９．１に保ちながら反応
混合物を室温において１６時間撹拌する。この反応混合
物を酢酸エチル（１００ｍ１）で抽出し、有機層を棄て
る。希塩酸でＰＨを２．５に下げることにより生成物を
沈殿させる。遠心分離により沈殿を集め、そのジベンジ
ルエチレンジアミン塩に変換し、これを酢酸エチルから
結晶化させる。７β−（Ｄ−５−Ξ級一ブトキシカルボ
ニルアミノ一 ５ −カルボキシヴアレルアミド）−
７ −メトキシ−３−メチル−３−セフエム一 ４ −
カルボン酸のジベンジルエチレンジアミン塩、Ｍｐｌ７
７−一１７９．５℃（分解）、４．３９が得られる。

ＵＶ：λＭａｘ２６３μＭ，２３８Ｅ｝ヱ＝９８．２，
８１．１Ｃ３６Ｈ４９Ｎ５０９に対する元素分析： 計算値：Ｃ，５９．４２；Ｈ，６．７４；Ｎ，９．６３
；実験値：Ｃ，６Ｏ．Ｏ２；Ｈ，６．８Ｏ；Ｎ，９．７
９。

工程Ｃ：３−メチルーJメ[メトキシー７β−（２−チエ
ニルアセトアミド一３−セフエム一４−カルボン酸のジ
ベンジルエチレンジアミン塩この７β−（Ｄ−５−Ξ級
一ブトキシカルボニルアミノ一５−カルボキシヴアレル
アミド）−３−メチルーJメ[メトキシ一３−セフエム一
４ −カルボン酸を水性希塩酸（２００ｍ１，０．Ｉ
Ｎ）および酢酸エチル（１００ゴ）で処理して遊離の酸
を抽出する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ３−ＣＨ＿２Ａ−７−Ｒ＿１−７−アシルアミノ−
   ３−セフエム−４−カルボン酸のエステル誘導体（カル
   ボキシ基がベンズヒドリルエステルとして閉塞されてお
   り、かつ、ＡおよびＲ＿１は下記の通りである。 ）を分裂せしめて遊離酸またはその塩を得ることを特徴
   とする式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ′は２−フェニルアセチル、２−チエニルア
   セチル、２−フリルアセチル、チオフェノキシアセチル
   、またはＤ，Ｌ−α−アジドフェニルアセチルを示す。 Ａは水素、カルバモイルオキシまたはアセトキシを示す
   。Ｒ＿１は水素またはメトキシを示す。）の化合物また
   はその塩の製法。２ 陰性的に置換されたアミドのトリ
   置換シリル誘導体の存在下において式▲数式、化学式、
   表等があります▼ （式中ＡＡはα−アミノアジポイル基を示す。 Ａは水素、カルバモイルオキシまたはアセトキシを示す
   。Ｒ＿１は水素またはメトキシを示す。）の化合物また
   はその誘導体（カルボキシ基がベンズヒドリルエステル
   として閉塞され、そしてアミノ基がトリクロロエトキシ
   カルボニルまたはｔ−ブトキシカルボニル基によつて閉
   塞されている）をアシル化剤好適にはアシル酸クロライ
   ドと反応せしめて１つのアシル基がα−アミノアジポイ
   ル基であり、そして第２のアシル基が異なるアシル基で
   ある相当する７−ジアシル化誘導体を生成させ、次にジ
   アシル化生成物を分裂せしめてα−アミノアジポイル基
   を除去し、そして３−ＣＨ＿２Ａ−７−Ｒ＿１−７−ア
   シルアミノ−３−セフエム−４−カルボン酸またはその
   エステル誘導体を得、得られたエステルを分裂せしめて
   遊離酸またはその塩を得ることを特徴とする式▲数式、
   化学式、表等があります▼（式中Ｒ′は２−フェニルア
   セチル、２−チエニルアセチル、２−フリルアセチル、
   チオフェノキシアセチル、またはＤ，Ｌ−α−アジドフ
   ェニルアセチルを示す。 Ｒ＿１及びＡは前述した通りである。）の化合物または
   その塩の製法。