JPS5944846A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5944846A JPS5944846A JP15629782A JP15629782A JPS5944846A JP S5944846 A JPS5944846 A JP S5944846A JP 15629782 A JP15629782 A JP 15629782A JP 15629782 A JP15629782 A JP 15629782A JP S5944846 A JPS5944846 A JP S5944846A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- silicate glass
- wiring layer
- windows
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にｍ聞納縁膜
として用いられる燐硅酸ガラス膜の段差部或は配線接続
部での配線層の断線を防止するための熱処理方法の改善
に関する１゜ （ｂ） 従来技術と問題点 半導体装置、例えばＭＯ８措造０半導体素子を形成する
に際しては、周知のごど＜゛１°メダ１．１’ ｊｉ！
４４・４−１に選択酸化法などによって分８Ｉ：、さ
れた領域に６テ？化膜を介してポリシリコンか１等より
なるゲート山４極を形成し、該ゲートζも極をマスクと
してｎ「足のイ純物イオンを注入してソース及びドＩ／
イン領域を形成してなる半１（、’ｌ、体基（反上に１
／１硅酸ガンス層からなる１１刺＋１Ｊ絶縁＋１ｆｉを
被Ｊｔ′ｉシ、該；絶縁膜に所望のｊ〉≦続窓を形成し
た後、所定の熱処理を施１−て該接η、ｉ′シ窓を介し
てアルミニウムなどの１１１１線層を形成する方法か−
・般に用いＣ）れている。
として用いられる燐硅酸ガラス膜の段差部或は配線接続
部での配線層の断線を防止するための熱処理方法の改善
に関する１゜ （ｂ） 従来技術と問題点 半導体装置、例えばＭＯ８措造０半導体素子を形成する
に際しては、周知のごど＜゛１°メダ１．１’ ｊｉ！
４４・４−１に選択酸化法などによって分８Ｉ：、さ
れた領域に６テ？化膜を介してポリシリコンか１等より
なるゲート山４極を形成し、該ゲートζも極をマスクと
してｎ「足のイ純物イオンを注入してソース及びドＩ／
イン領域を形成してなる半１（、’ｌ、体基（反上に１
／１硅酸ガンス層からなる１１刺＋１Ｊ絶縁＋１ｆｉを
被Ｊｔ′ｉシ、該；絶縁膜に所望のｊ〉≦続窓を形成し
た後、所定の熱処理を施１−て該接η、ｉ′シ窓を介し
てアルミニウムなどの１１１１線層を形成する方法か−
・般に用いＣ）れている。
又」二記シ’Ｈ佳ｒｉ？ガラス層からなる層間納経１．
ｊが適度の爵濃度を含有するす゛Ｉ合Ｋ１１７！Ｔ「定
の熱処理によって表面層溶融（Ｇｌａｓｓ Ｆｌｏｗ）
を生しる現象があり、それを利月１ｔ、１半？＋；Ｌ体
基板」二に形成されろ納経）ｌ′らの段差部ノ・りびイ
！（絶縁膜の接続窓開口」二部周Ｈバ１；の急峻なエッ
チ部の形吠を、かかるＧ１部ｓ Ｆｂバさ°せ゛ること
に−」−）で、ゆるやかなテーバ・状に笈形さぜ、Ｊ二
ｉｔ己配祿層のｌ’；’ｉ ＡＪ＋ｊの危１食を防Ｊｌ
−，ｉることか良く知ト）れている。
ｊが適度の爵濃度を含有するす゛Ｉ合Ｋ１１７！Ｔ「定
の熱処理によって表面層溶融（Ｇｌａｓｓ Ｆｌｏｗ）
を生しる現象があり、それを利月１ｔ、１半？＋；Ｌ体
基板」二に形成されろ納経）ｌ′らの段差部ノ・りびイ
！（絶縁膜の接続窓開口」二部周Ｈバ１；の急峻なエッ
チ部の形吠を、かかるＧ１部ｓ Ｆｂバさ°せ゛ること
に−」−）で、ゆるやかなテーバ・状に笈形さぜ、Ｊ二
ｉｔ己配祿層のｌ’；’ｉ ＡＪ＋ｊの危１食を防Ｊｌ
−，ｉることか良く知ト）れている。
Ｌか１．２、このｊ、うなに １．ｓ８ｓ Ｆ １ ｏ
ｗは、１！ｒニ来ｊ＋ｌｉ 當の拡散炉のよ）７．Ｌ）
Ｊｕ ｌ＋：ｂ炉を使用して、加熱温■Ｌ約ｌ＋＋！’
ｉ＋１℃２時間約１０分間程度処理する方法を用い【い
ｌ、二。
ｗは、１！ｒニ来ｊ＋ｌｉ 當の拡散炉のよ）７．Ｌ）
Ｊｕ ｌ＋：ｂ炉を使用して、加熱温■Ｌ約ｌ＋＋！’
ｉ＋１℃２時間約１０分間程度処理する方法を用い【い
ｌ、二。
ｊ−かｌ−ｊ（がら、１！１）作ノ１°’ｉ’ Ｉ’ｌ
’１線防【Ｉ：、のためのＪｏｆな形状の接続窓を形成
するＧｌａｓｓ Ｆｌｏ〜ｖ］二程の高温度処理は半導
体基板内にすでに形成されたソース及びビレ。イン拡散
層の拡散深さを大幅に変動させるなど、半導体素子の特
性を変化さ氾ることとなり、そのためできるだけ高温短
１１１間に熱処理する方法が望ましい。
’１線防【Ｉ：、のためのＪｏｆな形状の接続窓を形成
するＧｌａｓｓ Ｆｌｏ〜ｖ］二程の高温度処理は半導
体基板内にすでに形成されたソース及びビレ。イン拡散
層の拡散深さを大幅に変動させるなど、半導体素子の特
性を変化さ氾ることとなり、そのためできるだけ高温短
１１１間に熱処理する方法が望ましい。
（ｃ） 発明の目的
本発明の［１的は、かかる要望にかんがみてなされたも
のであり、赤外線ラングによ、）て断線防止のための良
好な形状を有する層間絶縁膜の形成と、拡散層寸法の変
動をなるべく少なくするための品温短時間熱処理方法の
提供にある。
のであり、赤外線ラングによ、）て断線防止のための良
好な形状を有する層間絶縁膜の形成と、拡散層寸法の変
動をなるべく少なくするための品温短時間熱処理方法の
提供にある。
（（１）発明の構Ｊ戊
本発明は半導体基板内に設けられたＶ、続窓をイーＩす
る燐硅酸ガラス膜を、赤外線ランプにより加熱して、該
燐硅酸ガラス１１へ表面を溶ｔＡ：にさせる工程が含ま
れてなることを特徴とする。
る燐硅酸ガラス膜を、赤外線ランプにより加熱して、該
燐硅酸ガラス１１へ表面を溶ｔＡ：にさせる工程が含ま
れてなることを特徴とする。
（ｅン 発明の実施例
以下、本発明の実施例について、はＳｌ １３１乃至第
３図に示す一実施例の工程要部断面図を用いて具体的に
説明する。なお前回と同等の部分に−）いては同一イ（
号＊：ＷＪｔズ：い、１．）。
３図に示す一実施例の工程要部断面図を用いて具体的に
説明する。なお前回と同等の部分に−）いては同一イ（
号＊：ＷＪｔズ：い、１．）。
ｉｔｓ １ 図ニＪｊｓ イ１、半一＝？ｊ ｆ４：基
板１上に選択酸化法（・（よっ−（形成！−た］・１・
−ｌレトｌ’ｉ＆化＋＋ｖｒ ２によっ゛〔分ｌ’１ｌ
Ｉｉされた１１）Ｉ域に所定Ｊ９の廉化膜３を介し″Ｃ
ポリシリコン層よりなるグー１市耗４を形成し、該グー
ｈｔ４極４及びフィールド前化挨２をマスクとして砒素
（Ａ ＦＬ ）不純：Ｉｂイオンを注入してソース領域
５及びド１／・ｆン領域６を形成してなる半ＩＪ’Ｊ、
ｌｉ−基板ｌＪＩ Ｋ Ｍｌｌ硅酸ガラスミからなる
絶縁膜゛ｉを全面シＣ被ノｔｆｌ−ｓ次いで１１１１記
ソー・スＩＩＪ５及びド１ツイン層（ｉに７１１１；１
ｉｉする接線、窓８及び８” ’４： ｊｕｊ常のフメ
トノロセス（・仁よって形成する。次（・てε１へ２図
に刀く１ように絶８１へ７２を、後述する加熱処１６１
及び＃Ｉ、Ａ度プ［ｊ）、づルにｊ、っ１表面Ｗ（ｔＡ
：ｌ！ （Ｇｌａｓｓ Ｆｌｏｗ）することによって、
ゆるやかなテーパ状１／Ｃ形成し、次いで第３図に示１
゛ように、かかる４Ｉ°）造の半導体基板−Ｌ ｆｃ接
続窓ｔ；・８／を介してアルミご、つ１．などの金属薄
１１１屑を通常の蒸着又はスパッタ法によって形成し１
パターンニングによって配線層９が形成されてなる。。
板１上に選択酸化法（・（よっ−（形成！−た］・１・
−ｌレトｌ’ｉ＆化＋＋ｖｒ ２によっ゛〔分ｌ’１ｌ
Ｉｉされた１１）Ｉ域に所定Ｊ９の廉化膜３を介し″Ｃ
ポリシリコン層よりなるグー１市耗４を形成し、該グー
ｈｔ４極４及びフィールド前化挨２をマスクとして砒素
（Ａ ＦＬ ）不純：Ｉｂイオンを注入してソース領域
５及びド１／・ｆン領域６を形成してなる半ＩＪ’Ｊ、
ｌｉ−基板ｌＪＩ Ｋ Ｍｌｌ硅酸ガラスミからなる
絶縁膜゛ｉを全面シＣ被ノｔｆｌ−ｓ次いで１１１１記
ソー・スＩＩＪ５及びド１ツイン層（ｉに７１１１；１
ｉｉする接線、窓８及び８” ’４： ｊｕｊ常のフメ
トノロセス（・仁よって形成する。次（・てε１へ２図
に刀く１ように絶８１へ７２を、後述する加熱処１６１
及び＃Ｉ、Ａ度プ［ｊ）、づルにｊ、っ１表面Ｗ（ｔＡ
：ｌ！ （Ｇｌａｓｓ Ｆｌｏｗ）することによって、
ゆるやかなテーパ状１／Ｃ形成し、次いで第３図に示１
゛ように、かかる４Ｉ°）造の半導体基板−Ｌ ｆｃ接
続窓ｔ；・８／を介してアルミご、つ１．などの金属薄
１１１屑を通常の蒸着又はスパッタ法によって形成し１
パターンニングによって配線層９が形成されてなる。。
第４図は本発明の一実施例のＧｌａｓＲＦｌｏｗ工程に
使用する高温度加熱炉の一例の模式的１１７１面図、同
装置による温度ブロク１イｎ／を第５図に示している。
使用する高温度加熱炉の一例の模式的１１７１面図、同
装置による温度ブロク１イｎ／を第５図に示している。
第４図に粘いて高温加熱装置ＩＯは上下に、例えばタン
グステン等の赤外線ランプ１１を有し、該赤外線ランフ
１１の半側面に金メットされた反射板１２が取付けられ
、冷却水口１３を進じて冷却水によって冷却されてなる
２、加熱装置ｉｌｌの加熱赤外カｊｔランプ１１間に、
一端に開口部１４を有し他端に輩素（Ｎ、）ガス導入口
１５を有する石英管１６が配設され、ｉ、・（開口部１
４より半Ｈｇ（体基伽１７を加熱数置ｌＯ内に挿入する
ための支持板１８が駆動装置ａ、（図示せず）によって
自動搬送され処理時間中は加熱温度領域ＡＳ：前後振幅
運！＋ｊ＋）によって温度均一性を保つ碕摺に４１・を
成されてなる。又赤外１！＋１ランプ１）の加熱制御は
第５図に示すような温度グロファイルにより”（自動プ
ログラムコントロールされる櫨（昔（図示せず）を有し
ている。かかるｔｉケ造の高温加熱装置ｉｊに １０を
用うれば、従来の加熱装置１ｔによるＧｌａｓｓ ｉ’
ｌｏｗに比べＣ１より短時間に１−１１温加熱が可能で
ある。即ち亀５図に示すような処理温度プロン１イノＶ
Ｄの温度処」１１！設足によって約４（川℃に予備力
旧７．１％された加チ１１を装置中に半導１４、基板を
挿入して約１秒間に６０ζ・の割合で昇ｉｉ、ｊ Ｌ
、所定温度約１２００ ’Ｃに達したならば約２（１４
ツ間放置１−て半一１７１体Ｊ１（板表面層を所望形状
に溶融し、約１ｔｊ Ｌ：／：秒の１Ｍ：’ ｆζ速度
にて冷却り、 Ｇ１．。
グステン等の赤外線ランプ１１を有し、該赤外線ランフ
１１の半側面に金メットされた反射板１２が取付けられ
、冷却水口１３を進じて冷却水によって冷却されてなる
２、加熱装置ｉｌｌの加熱赤外カｊｔランプ１１間に、
一端に開口部１４を有し他端に輩素（Ｎ、）ガス導入口
１５を有する石英管１６が配設され、ｉ、・（開口部１
４より半Ｈｇ（体基伽１７を加熱数置ｌＯ内に挿入する
ための支持板１８が駆動装置ａ、（図示せず）によって
自動搬送され処理時間中は加熱温度領域ＡＳ：前後振幅
運！＋ｊ＋）によって温度均一性を保つ碕摺に４１・を
成されてなる。又赤外１！＋１ランプ１）の加熱制御は
第５図に示すような温度グロファイルにより”（自動プ
ログラムコントロールされる櫨（昔（図示せず）を有し
ている。かかるｔｉケ造の高温加熱装置ｉｊに １０を
用うれば、従来の加熱装置１ｔによるＧｌａｓｓ ｉ’
ｌｏｗに比べＣ１より短時間に１−１１温加熱が可能で
ある。即ち亀５図に示すような処理温度プロン１イノＶ
Ｄの温度処」１１！設足によって約４（川℃に予備力
旧７．１％された加チ１１を装置中に半導１４、基板を
挿入して約１秒間に６０ζ・の割合で昇ｉｉ、ｊ Ｌ
、所定温度約１２００ ’Ｃに達したならば約２（１４
ツ間放置１−て半一１７１体Ｊ１（板表面層を所望形状
に溶融し、約１ｔｊ Ｌ：／：秒の１Ｍ：’ ｆζ速度
にて冷却り、 Ｇ１．。
ｓ８１ｉ１ｎｗ工程を完了するが、合計時間とＩ−Ｃ約
２勺以内の短時間熱処理が…能となる。なおＸ軸ｔ？に
加ｆ、“へ時曲＋ Ｙ＋ｈｌ＋Ｃに加熱温度を示Ｉ−で
いる。
２勺以内の短時間熱処理が…能となる。なおＸ軸ｔ？に
加ｆ、“へ時曲＋ Ｙ＋ｈｌ＋Ｃに加熱温度を示Ｉ−で
いる。
（ｆＪ 発明の効果
このよう忙ずれ（Ｊ：、断線防止のための良好な形状を
有する層間Ｎ１Δ縁１庖の形成と、かつｆ９ｉ足拡散層
を得ることができる。
有する層間Ｎ１Δ縁１庖の形成と、かつｆ９ｉ足拡散層
を得ることができる。
尚、実施例は本発明の一例としてあけたものであり、本
発明の範囲を制限するものではない１．
発明の範囲を制限するものではない１．
第１図乃至第３図は本発明の一実施例の工程要＋ｆｌ＜
ｌｌｉｌｒ面図、第４図は本発明の一実施例に使用す
る高温加熱装置の模式的Ｋ ＋ｆｉｉ図、εｉ’ｇ ５
１＊ｌは同装置による温度ノ”ロファイルである。図に
４．ｊいて、１は半導体基板、７は燐硅酸ガラス１８ノ
、りなる届；れ＋１・４゜８は接続窓、 １１は赤外線
ランノを示１゜第１図 第２図 第４図 ｂ 第５図 −一一−−一一−−−一−−一÷Ｂ
ｌｌｉｌｒ面図、第４図は本発明の一実施例に使用す
る高温加熱装置の模式的Ｋ ＋ｆｉｉ図、εｉ’ｇ ５
１＊ｌは同装置による温度ノ”ロファイルである。図に
４．ｊいて、１は半導体基板、７は燐硅酸ガラス１８ノ
、りなる届；れ＋１・４゜８は接続窓、 １１は赤外線
ランノを示１゜第１図 第２図 第４図 ｂ 第５図 −一一−−一一−−−一−−一÷Ｂ
Claims (1)
- 半導体基板上に設けられた接続窓を有するＪ、？Ｉｉ硅
酸ガラス膜を赤外線ランプにより加熱して、ｄタフ、・
“ト硅酸ガラス膜表面を溶融させる工程が含まれ゛（な
ることを特徴とする半導体装置の製造方法、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15629782A JPS5944846A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15629782A JPS5944846A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944846A true JPS5944846A (ja) | 1984-03-13 |
Family
ID=15624726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15629782A Pending JPS5944846A (ja) | 1982-09-07 | 1982-09-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944846A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249769A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS5280779A (en) * | 1975-12-27 | 1977-07-06 | Fujitsu Ltd | Production of simiconductor device |
-
1982
- 1982-09-07 JP JP15629782A patent/JPS5944846A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249769A (en) * | 1975-10-20 | 1977-04-21 | Hitachi Ltd | Process for production of semiconductor device |
| JPS5280779A (en) * | 1975-12-27 | 1977-07-06 | Fujitsu Ltd | Production of simiconductor device |
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