JPS5943873A - 蒸発材料収容器 - Google Patents
蒸発材料収容器Info
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- JPS5943873A JPS5943873A JP57154236A JP15423682A JPS5943873A JP S5943873 A JPS5943873 A JP S5943873A JP 57154236 A JP57154236 A JP 57154236A JP 15423682 A JP15423682 A JP 15423682A JP S5943873 A JPS5943873 A JP S5943873A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D1/00—Evaporating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、例えばセレン及びテルルからなる蒸発材料を
加熱、蒸発させる際に使用され、前記蒸発材料がその蒸
発面積より小さい開口を通して外方へ導出されるように
構成された蒸発材料収容器に関するものである。
加熱、蒸発させる際に使用され、前記蒸発材料がその蒸
発面積より小さい開口を通して外方へ導出されるように
構成された蒸発材料収容器に関するものである。
この種の蒸発材料収容器（以下、蒸着ボートと称する６
）として、蒸発材料の蒸発面積とほぼ同一サイズの上部
開口を有したいわゆるオープンボートが知られている。
）として、蒸発材料の蒸発面積とほぼ同一サイズの上部
開口を有したいわゆるオープンボートが知られている。
しかし、このようなオープンボートでは、蒸着速度の
制御が困難であり、しかも突沸が多い等の実用上の問題
が大きい。
制御が困難であり、しかも突沸が多い等の実用上の問題
が大きい。
また、このようなオープンボートを仮に低輻射率の材料
で形成したとしても、上記したことから使用が不可能で
ある。
で形成したとしても、上記したことから使用が不可能で
ある。
一方、オープンボートの欠点を解消したボートとして、
いわゆるクヌードセンセル型と称されるものがある。
これは、上部開口を蒸発面積より狭く絞ることにより、
蒸着速度が効果的に制御され、かつ突沸で飛出した蒸発
物が上部開口圧型るまでの間に壁部に付着して外方（即
ち被蒸着基体側）へ飛翔することはない等の点で、非常
に優れたものである。
いわゆるクヌードセンセル型と称されるものがある。
これは、上部開口を蒸発面積より狭く絞ることにより、
蒸着速度が効果的に制御され、かつ突沸で飛出した蒸発
物が上部開口圧型るまでの間に壁部に付着して外方（即
ち被蒸着基体側）へ飛翔することはない等の点で、非常
に優れたものである。
ところが、ボート外面、特に蒸発材料ど接し”〔いる壁
部外面からの熱輻射によって蒸発源の長さ方向において
温度分布のばらつきが大きくなり。
部外面からの熱輻射によって蒸発源の長さ方向において
温度分布のばらつきが大きくなり。
また蒸発源の高さ方向においても温度分布のばらつきが
大きくなることが判明した。 こうした温度分布のばら
つきによって蒸発ムラが生じ、これが蒸着膜の膜厚や特
性のムラを招き、製品の歩留若しくは収率が低下してし
まう。
大きくなることが判明した。 こうした温度分布のばら
つきによって蒸発ムラが生じ、これが蒸着膜の膜厚や特
性のムラを招き、製品の歩留若しくは収率が低下してし
まう。
また、別の観点からみると、公知の蒸発源においては、
蒸発材料と接触していない他の壁部分から外方へ放出さ
れる放熱量はそれ稈長くはないため、加熱開始後に急激
に温度が上昇し、所期の蒸着温度を容易に越えてしまい
、かつまたその後にヒーターをオフすると今度は熱的な
慣性で蒸着温度以下に降温し、引続いて温度コン）ｐ−
ルした除圧は蒸着温度を何度も上下するハンチング現象
が生じる。 即ち、公知のボートでは熱力；放出され難
いことが、却って温度応答性を悪くして温度コン）ｐ−
ルな困難とし、所定の蒸着温度に達するまで及びその蒸
着温度を安定に得るまでに長時間装することになる。
しかも、蒸着終了後（（ホードの冷却速度が遅く、これ
も上記の温ハＶコツトｐ−ルと共に操作の作業性を著し
く低下せしめる。
蒸発材料と接触していない他の壁部分から外方へ放出さ
れる放熱量はそれ稈長くはないため、加熱開始後に急激
に温度が上昇し、所期の蒸着温度を容易に越えてしまい
、かつまたその後にヒーターをオフすると今度は熱的な
慣性で蒸着温度以下に降温し、引続いて温度コン）ｐ−
ルした除圧は蒸着温度を何度も上下するハンチング現象
が生じる。 即ち、公知のボートでは熱力；放出され難
いことが、却って温度応答性を悪くして温度コン）ｐ−
ルな困難とし、所定の蒸着温度に達するまで及びその蒸
着温度を安定に得るまでに長時間装することになる。
しかも、蒸着終了後（（ホードの冷却速度が遅く、これ
も上記の温ハＶコツトｐ−ルと共に操作の作業性を著し
く低下せしめる。
本発明は、上記の如き蒸着ボートの特長を生がしつつそ
の欠点を解消すべくなされたものであって、冒頭に述べ
た蒸発材料収容器において、前記蒸発材料と接触する壁
部分の輻射率が小さく、かつ他の壁部分の輻射率が大き
く構成されていることを特徴とする蒸発材料収容器に係
るものである。
の欠点を解消すべくなされたものであって、冒頭に述べ
た蒸発材料収容器において、前記蒸発材料と接触する壁
部分の輻射率が小さく、かつ他の壁部分の輻射率が大き
く構成されていることを特徴とする蒸発材料収容器に係
るものである。
本発明による容器は、蒸発材料との低輻射率の接触部分
と高輻射率の他の部分とを巧みに組合せることによって
１次の如く顕著な効果を得ることができたものである。
と高輻射率の他の部分とを巧みに組合せることによって
１次の如く顕著な効果を得ることができたものである。
即ち、蒸発材料との接触部分の輻射率を小さく（特に
０，４以下、更に望ましくは０．１以下）しているため
、蒸発材料との接触域から外方への熱放出が大幅に減少
し、特に蒸発源の長さ方向、更には深さ方向での温度分
布のばらつきが減少し、これによって安定した蒸発を可
能となし、蒸発ムラ、及び蒸着膜の膜厚、特性のムラな
なくし、収率な大ぎく向上させることができる。 しか
も、蒸発材料と接触しない（容器の大部分を形成してい
る）他の部分の輻射率を大きく（特に０．７以上）して
いるので、容器からの輻射放熱量を全体として大きくす
る（望ましくは、加熱源出力の９０ｑ６以上を放熱する
）ことができる。 この結果、温度応答性が大幅に向上
し、加熱開始後に制御すべき温度への追従性が良好とな
って、温度コントルールを精度良く行なうことができる
。 従って、既述した如きＡＭ現象が生じることはなく
、設定された蒸着温度へ短時間のうちに加熱、保持する
ことが可能とフ、（す、かつまた冷却速度も早くなるこ
とから、蒸着の作業性が大幅に向上する。
０，４以下、更に望ましくは０．１以下）しているため
、蒸発材料との接触域から外方への熱放出が大幅に減少
し、特に蒸発源の長さ方向、更には深さ方向での温度分
布のばらつきが減少し、これによって安定した蒸発を可
能となし、蒸発ムラ、及び蒸着膜の膜厚、特性のムラな
なくし、収率な大ぎく向上させることができる。 しか
も、蒸発材料と接触しない（容器の大部分を形成してい
る）他の部分の輻射率を大きく（特に０．７以上）して
いるので、容器からの輻射放熱量を全体として大きくす
る（望ましくは、加熱源出力の９０ｑ６以上を放熱する
）ことができる。 この結果、温度応答性が大幅に向上
し、加熱開始後に制御すべき温度への追従性が良好とな
って、温度コントルールを精度良く行なうことができる
。 従って、既述した如きＡＭ現象が生じることはなく
、設定された蒸着温度へ短時間のうちに加熱、保持する
ことが可能とフ、（す、かつまた冷却速度も早くなるこ
とから、蒸着の作業性が大幅に向上する。
本発明においては、上記の低輻射率部分ＱＪ、鏡面加工
されたＡ／、黄銅、Ｃｒ、 Ｃｕ％Ａｕ、 Ｆｅ、 Ｍ
ｏ、Ｎｉ、 Ｐｔ、 Ｔａ、 Ｗ等からなっていてよく
、また上記の高輻射率部分は熱酸化ステンレス鋼、アル
マいて イト処理したＡＩ、磁器等からなっ腎丁い、上記の低輻
射率部分は他の壁部分と一体に連設される他、蒸発材料
と接触する壁部分が％輻射生材を外面に有していてよい
。 後者の場合には、イら輻射生材が外面に覗付けられ
たり、或〜・に１．溶射、蒸着等で塗布されていてよい
。
されたＡ／、黄銅、Ｃｒ、 Ｃｕ％Ａｕ、 Ｆｅ、 Ｍ
ｏ、Ｎｉ、 Ｐｔ、 Ｔａ、 Ｗ等からなっていてよく
、また上記の高輻射率部分は熱酸化ステンレス鋼、アル
マいて イト処理したＡＩ、磁器等からなっ腎丁い、上記の低輻
射率部分は他の壁部分と一体に連設される他、蒸発材料
と接触する壁部分が％輻射生材を外面に有していてよい
。 後者の場合には、イら輻射生材が外面に覗付けられ
たり、或〜・に１．溶射、蒸着等で塗布されていてよい
。
以下、本発明を実施例について図面参照下に詳細忙説明
する。
する。
第１図は真空蒸着装置の要部を概略的に示すものであっ
て、ペルジャー（図示せず）内忙蒸発強１と対向して被
蒸着基体２（例えば回転可能なアルミニウムドラム）が
配されている。 蒸発源１は、蒸発材料３（例えばセン
ンーテルル合金）を収容する蒸着ボート４からなってい
る。 このボート４は上下２段に配された各２つのヒー
ターランプ５．６を容する上壁部７と、蒸発材料３を容
する下壁部８とによって構成され、土壁部７には蒸発材
料８の蒸発面積より小さい上部開口９から制御された状
態で蒸気が外方（即ち基体側）へ飛翔するようになって
いる。 これはいわゆるクヌードセンセル型蒸発源と称
されるものである。
て、ペルジャー（図示せず）内忙蒸発強１と対向して被
蒸着基体２（例えば回転可能なアルミニウムドラム）が
配されている。 蒸発源１は、蒸発材料３（例えばセン
ンーテルル合金）を収容する蒸着ボート４からなってい
る。 このボート４は上下２段に配された各２つのヒー
ターランプ５．６を容する上壁部７と、蒸発材料３を容
する下壁部８とによって構成され、土壁部７には蒸発材
料８の蒸発面積より小さい上部開口９から制御された状
態で蒸気が外方（即ち基体側）へ飛翔するようになって
いる。 これはいわゆるクヌードセンセル型蒸発源と称
されるものである。
この蒸発源においては、本発明に従って、ポート壁部８
のうち蒸発材料３との接触部分８ａが輻射率（ε）０．
４以下、特に０．１以下の高度研摩面を有スるアルミニ
ウム（ε−Ｏ，Ｏ１）によって形成されており、かつ他
の壁部分８ｂ及び７が高輻射率（特にｅ≧０，７）の例
えば熱酸化ステンレス鋼（ε＝ｉ＝０．９）で形成され
ている。 この低輻射率部分８ａは、壁部８の他の壁部
分８ｂと一体に連設されている、 このように構成すれば、低輻射率材８ａが蒸発材料と接
する領域に存在しているために、蒸発材料の有する熱が
外方へ放出され難くなると同時に、高輻射率材８ｂ及び
７によってポート全体としての放熱量を大とすることが
できる。
のうち蒸発材料３との接触部分８ａが輻射率（ε）０．
４以下、特に０．１以下の高度研摩面を有スるアルミニ
ウム（ε−Ｏ，Ｏ１）によって形成されており、かつ他
の壁部分８ｂ及び７が高輻射率（特にｅ≧０，７）の例
えば熱酸化ステンレス鋼（ε＝ｉ＝０．９）で形成され
ている。 この低輻射率部分８ａは、壁部８の他の壁部
分８ｂと一体に連設されている、 このように構成すれば、低輻射率材８ａが蒸発材料と接
する領域に存在しているために、蒸発材料の有する熱が
外方へ放出され難くなると同時に、高輻射率材８ｂ及び
７によってポート全体としての放熱量を大とすることが
できる。
第２図の例では、ポート本体４自体は例えば通常の熱処
理されたステンレス鋼で形成されるが、蒸発材料３と接
する壁部はその外面に上１己した如き低輻射率材料のカ
バー材ｌＯを有している。このようにカバー材１０を取
付けても、ポート外面、特に蒸発材料３０部分からの輻
射ｆよる放出熱社が少な（なり、かつボート全体として
は放熱量、が大きくなっている。 第３図は、第２図と
同様のカバー材１０が設ゆられているが、蒸発飼料 ３
の収容部の形状が異なったボートを示し°〔いる。
理されたステンレス鋼で形成されるが、蒸発材料３と接
する壁部はその外面に上１己した如き低輻射率材料のカ
バー材ｌＯを有している。このようにカバー材１０を取
付けても、ポート外面、特に蒸発材料３０部分からの輻
射ｆよる放出熱社が少な（なり、かつボート全体として
は放熱量、が大きくなっている。 第３図は、第２図と
同様のカバー材１０が設ゆられているが、蒸発飼料 ３
の収容部の形状が異なったボートを示し°〔いる。
第４図の例では、第２図と同様の壁部１７．１８の外面
忙上記した如き低輻射率材料２０が溶射又は蒸着によっ
て嘆布されている。
忙上記した如き低輻射率材料２０が溶射又は蒸着によっ
て嘆布されている。
第２図〜第４図の例においては、ボートからの熱放出に
よる温度分布のばらつきをカバー利ｌＯ又は菫布層２０
によって防止している。 なお、これらの低輻射率材
はボートの内面に及んでいてもよい。
よる温度分布のばらつきをカバー利ｌＯ又は菫布層２０
によって防止している。 なお、これらの低輻射率材
はボートの内面に及んでいてもよい。
以上に例示した如き低輻射率材及び高輻射率材の組合せ
によって次の如き顕著な効果が得られる。
によって次の如き顕著な効果が得られる。
まず、上記の低輻射率材８＆、１０，２０の適用によっ
て、上記した各ボートの側面形状を示す第５図（この図
では例示的に第１図のボートに対応した側面が示されて
いる。）において、ボート１の長さ方向での左端側の点
Ａ、中間点Ｂ、右端側の点Ｃの各温度間での最高温度と
最低温度との差（ΔＴ）は数℃程度と非常に小さくなる
。 従って、例えば、ボート４の長さ３ｍに対し、１つ
の温度測定点（例えば中間点Ｂ）に熱電対を配して１つ
の温度制御系を用いれば、所望の温度制御を行なうこと
が充分可能であり、蒸着膜として感光体膜を形成する場
合にはその感度ムラをなくし、特性を良好にすることが
できる。 これに反し、従来のボートでは上記の△Ｔが
２０数℃〜３０数℃と大きくなり、既述した如き蒸発ム
ラ等の問題が生じてしまう。
て、上記した各ボートの側面形状を示す第５図（この図
では例示的に第１図のボートに対応した側面が示されて
いる。）において、ボート１の長さ方向での左端側の点
Ａ、中間点Ｂ、右端側の点Ｃの各温度間での最高温度と
最低温度との差（ΔＴ）は数℃程度と非常に小さくなる
。 従って、例えば、ボート４の長さ３ｍに対し、１つ
の温度測定点（例えば中間点Ｂ）に熱電対を配して１つ
の温度制御系を用いれば、所望の温度制御を行なうこと
が充分可能であり、蒸着膜として感光体膜を形成する場
合にはその感度ムラをなくし、特性を良好にすることが
できる。 これに反し、従来のボートでは上記の△Ｔが
２０数℃〜３０数℃と大きくなり、既述した如き蒸発ム
ラ等の問題が生じてしまう。
また、蒸発材料の深さ方向托おける温度分布については
、第６図に示すように、蒸発材料（合金融液）３の液面
温度なＴＡ、底面温度Ｔｎ、壁部８の外面温度をＴＣと
したところ、第６Ａ図の従来例（輻射率０．５以上と大
）の場合にはＴＡ（３３０℃）＞＞ＴＢ（３００℃）＞
ＴＣ（２９５℃）と 温度分布のばらつきが大きくなる
。 しかし、本発明に従って壁材８として低輻射率材８
ａを用いた場合（第６Ｂ図）には、ＴＡ（３０２℃）中
ＴＢ（３００℃）キＴＣ（２９９℃）となり、深さ方向
でも温度が均一化している。 即ち、従来例ではＴＡ−
ＴＢが大であって、蒸発の進行忙伴なって蒸発温度が３
３０℃から３００℃まで３０℃も変化するので蒸発ムラ
が生じるが、本例ではＴＡ−ＴＢが２℃程度であつ又、
安定な蒸発が可能となる。
、第６図に示すように、蒸発材料（合金融液）３の液面
温度なＴＡ、底面温度Ｔｎ、壁部８の外面温度をＴＣと
したところ、第６Ａ図の従来例（輻射率０．５以上と大
）の場合にはＴＡ（３３０℃）＞＞ＴＢ（３００℃）＞
ＴＣ（２９５℃）と 温度分布のばらつきが大きくなる
。 しかし、本発明に従って壁材８として低輻射率材８
ａを用いた場合（第６Ｂ図）には、ＴＡ（３０２℃）中
ＴＢ（３００℃）キＴＣ（２９９℃）となり、深さ方向
でも温度が均一化している。 即ち、従来例ではＴＡ−
ＴＢが大であって、蒸発の進行忙伴なって蒸発温度が３
３０℃から３００℃まで３０℃も変化するので蒸発ムラ
が生じるが、本例ではＴＡ−ＴＢが２℃程度であつ又、
安定な蒸発が可能となる。
第７図は、上記した方法で得られた５ｅ−Ｔｏ蒸着膜の
Ｔｏ濃度プｐファイルを示す。 この蒸着に当っては、
Ｔｅ含有量が１３．５重量％のＳｅ −Ｔ。
Ｔｏ濃度プｐファイルを示す。 この蒸着に当っては、
Ｔｅ含有量が１３．５重量％のＳｅ −Ｔ。
合金を蒸発材料として用い、これを３００℃に加熱し、
ペルジャー内の真空度を１０ Ｔｏｒｒ以下とした。
ペルジャー内の真空度を１０ Ｔｏｒｒ以下とした。
第５図忙示した蒸発源の長さ方向において、従来装置
では最高温度（ＴＨ） 、中間温度（ＴＭ ｍび最低温
度（ＴＬ）の 各部分からは第７図に実線で示す如き蒸
着膜の厚み方向のＴｅ濃度分布が得られ、温度のばらつ
きによって蒸着膜中のＴｅ濃度が場所的に著しく不均一
となっていることが分った。 しかしながら、本発明に
従って、ポートの壁部分を例えば輻射率０．０６の材料
８ａ１１０．２０で形成したり或いは被覆又は塗布した
とき（第１図〜第４図参照）には、第７図に破線で示す
如く、温度分布のばらつきが非常に小さいために蒸着膜
のＴｅ濃度が場所的にみて非常に均一となり、そのばら
つきは±１％以内に抑えられることが分った。
では最高温度（ＴＨ） 、中間温度（ＴＭ ｍび最低温
度（ＴＬ）の 各部分からは第７図に実線で示す如き蒸
着膜の厚み方向のＴｅ濃度分布が得られ、温度のばらつ
きによって蒸着膜中のＴｅ濃度が場所的に著しく不均一
となっていることが分った。 しかしながら、本発明に
従って、ポートの壁部分を例えば輻射率０．０６の材料
８ａ１１０．２０で形成したり或いは被覆又は塗布した
とき（第１図〜第４図参照）には、第７図に破線で示す
如く、温度分布のばらつきが非常に小さいために蒸着膜
のＴｅ濃度が場所的にみて非常に均一となり、そのばら
つきは±１％以内に抑えられることが分った。
一方、第８図は、従来のボートを使用した場合の温度変
化が示されているが、既述した如く忙加熱開始直後に昇
温速度が早いために過熱現象Ａが生じ、その後にヒータ
ーをオフすると降温しすぎ、更にハンチングＢが生じて
しまう。 従って、設定温度Ｔ（例えば３００℃の蒸着
温度）にするまで温度を安定保持するまでに２時間も要
することがある。 しかも、ポートが冷え難いから冷却
開始時ｔｅから元の温度に戻るまでにかなりの時間がか
かる。 これに対し、本発明に従う蒸発源を用いた場合
、高輻射材８ｂ、７によって全体の放熱量が大きくなる
ため、第９図に示す如く、設定温度Ｔに達するまでの時
間ｔｉが著しく短かく（例えば１５分）なり、４０〜７
０分程度の蒸着時間（ｔｏ−ｔｌ）で済むことになり、
更にｔｅ後の冷却時間も著しく短縮される。 従って、
本発明に従う蒸発源は、熱電対等による温度コン）ｐ−
ルで設定温度に制御し易く、作業性の面から言っても非
常釦有用である。
化が示されているが、既述した如く忙加熱開始直後に昇
温速度が早いために過熱現象Ａが生じ、その後にヒータ
ーをオフすると降温しすぎ、更にハンチングＢが生じて
しまう。 従って、設定温度Ｔ（例えば３００℃の蒸着
温度）にするまで温度を安定保持するまでに２時間も要
することがある。 しかも、ポートが冷え難いから冷却
開始時ｔｅから元の温度に戻るまでにかなりの時間がか
かる。 これに対し、本発明に従う蒸発源を用いた場合
、高輻射材８ｂ、７によって全体の放熱量が大きくなる
ため、第９図に示す如く、設定温度Ｔに達するまでの時
間ｔｉが著しく短かく（例えば１５分）なり、４０〜７
０分程度の蒸着時間（ｔｏ−ｔｌ）で済むことになり、
更にｔｅ後の冷却時間も著しく短縮される。 従って、
本発明に従う蒸発源は、熱電対等による温度コン）ｐ−
ルで設定温度に制御し易く、作業性の面から言っても非
常釦有用である。
以上、本発明を例示したが、上述の例は本発明の技術的
思想に基いて更に変形が可能である。
思想に基いて更に変形が可能である。
例えば、蒸着ボートの形状や構造は種々変更でき、上述
した蒸発拐料を低輻射率の別の容器に収容してこれを蒸
発源の空間内に配置してもよい。
した蒸発拐料を低輻射率の別の容器に収容してこれを蒸
発源の空間内に配置してもよい。
この場合でも、蒸発源の外壁は本発明に従って高輻射率
材料で形成することができる。 また、使用する蒸発材
料は５ｅ−ＴｅＫ限らず％５ｅ−８、Ｆｅ−Ｎｉ、Ａｇ
Ｂｒ−Ｉ 等でもよい。
材料で形成することができる。 また、使用する蒸発材
料は５ｅ−ＴｅＫ限らず％５ｅ−８、Ｆｅ−Ｎｉ、Ａｇ
Ｂｒ−Ｉ 等でもよい。
図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図は真
空蒸着装置の要部概略図、 第２図、第３図、第４図は他の各側による蒸発源の各断
面図、 第５図は蒸発源の側面図、 第６Ａ図は従来例による蒸発材料及びボートの一部分の
拡大断面図、 第６Ｂ図は本実施例における第６Ａ図と同様の拡大断面
図、 第７図は得られた蒸着膜中のＴｅ 濃度プルファイルを
示す図、 第８図は従来例による蒸発源の温度変化を示すタイムチ
ャート、 第９図は本発明による蒸発源の温度変化を示すタイムチ
ャート、 である。 なお、図面に示された符号において、 工・・・・・・・・・・・・・・・蒸発源２・・・・・
・・・・・・・・・・被蒸着基体３・・・・・・・・・
・・・・・・蒸発材料４・・・・・・・・・・・・・・
・蒸着ポート５．６・・・・・・・・・ヒーター ７．８ｂ・・・・・・高輻射率材 ８ａ、１０，２０・・・・・・低輻射率材９・・・・・
・・・・・・・・・・上部開口である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第２１鱒 第３１０ 時閉 時間 （自発） 月−系ダｔネ＋１ｉ ７１巳具１：昭
和５８年７月９日 特許庁長官 若 杉 和 人 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 １第１５４２３ （：号２、発明
の名称 蒸発材料収容器 ３、補正をする五 事（ｑとの関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西Ｘｆ［宿１丁目２６番２号名
称 （１２７）小西六写真＋１業株式会に１４、代理人 住 所 東京都立川市柴崎町３−９−１７鈴木ビル２階
６、補止に、１１ツ増加する発明の数 ７、補正のス１象 明細１１（の特許請求の範囲の＋ｌｉ及び発明の詳細な
説明の欄、図面の第５図及び第８図 ８、補正の内容 （１）、特許請求の範囲を別紙の１ｆｆｉ／）に訂正し
ます。 （２）、明細書箱２頁１２〜１３行目の「前記芸発拐料
−１を１前記蒸発材料の蒸気」と訂正しまず。 （３）、同第３頁１４行目の［壁部外面−１を「壁部外
面の輻射率が大きい場合には、該表面」と訂正します。 （４）、同第４頁１〜２行目の「また・・・・・・壁部
分」を「−万、ボート外面、特に蒸発材料と接している
壁部外面の輻射率が小さい場合は、間壁部外面」と訂正
します。 （５）、同第４頁９〜１１行目の「公知のボート・・・
・・・困難とし」を「過大な温度分布のばらつきが生し
て蒸着膜の膜厚や特性のむらを招き、製品の歩留若しく
は収率が低下したり、更には熱が放出され難いホードで
は却って温度応答性が悪くなって温度コントロールが困
難となりｊと訂正します。 （６）、同第４真下から３〜１行目の「前記蒸発材料・
・・・・・構成されている」を１前記苺発材料と接触す
る壁部分の少なくとも外面の輻射率が小さく、かつ前記
蒸発材料と接触しない他の壁部分の少なくとも外面の輻
射率が大きく構成されているＪと訂正します。 （７）、同第５頁５〜６行目の「接触部分」を「接触部
分の少なくとも外面」と訂正しまず。 （８）、同第５頁１４行目の「他の部分」を１他の部分
の少なくとも外面」と訂正しまず。 （９）、同第７頁７行目の「蒸発材料８」を「蒸発材料
３」と訂正します。 （１０） 、同第８頁下から６行目の「壁部１７．１旧
を１壁部８」と削正します。 （１１） 、同第１１１下から６行目の「ボート」を「
低輻射率のボート」と訂正します。 （１２） 、同第１１頁下から２〜１行目の「設定温度
」を「安定した設定温度」と訂正します。 （１３） 、同第１２２頁１〜３行目［６０分も要し・
・・・・・ことがある。」を［６０分も要することがあ
る（第８図に実線で示したタイプ）。 また、ハンチングを避けるために別の昇温手段を採用す
ると、安定した設定温度に到達するまでに２時間前後も
要することがある（第８図に破線で示したタイプ）。」
と訂正しまず。 （１４） 、願書に添付した図面のうち、第５図及び第
８図を別紙の通りに夫々訂正します。 −一一−以 Ｉ−−一 特許請求の範囲 １、蒸発材料を加熱、蒸発させる際に使用され、前記茎
発月料吸蒸−笈がその蒸発面積より小さい開口を１ｌｌ
ｉＬで外方へ導出されるように構成された蒸発材料収容
器において、前記蒸発材料と接触する壁部分の剋（とも
外面■輻射率が小さく、かつ前−記漢溌！Ａ」」１７乍
駐他の壁部分の沙プし仁と４」泊（７）輻射率が大きく
構成されていることを特徴とする蒸発材料収容器。 ２、蒸発材料と接触する壁部分が他の壁部分と一体に連
設されている、特許請求の範囲の第１項に記載した蒸発
材料収容器。 ３、蒸発材料と接触する壁部分が、低輻射率材を外面に
有している、特許請求の範囲の第１項に記載した蒸発材
料収容器。 ４、低輻射率材が取付けられている、特許請求の範囲の
第３項に記載した蒸発材料収容器。 ５、低輻射率材が塗布されている、特許請求の範囲の第
３項に記載した蒸発材料収容器。 ６、蒸発材料と接触する壁部分の少左に者を九百−の輻
射率が０．４以下であり、肋朴し」１１： ’ ”−−
り他の壁部分の沙しパ惨娼し泪師Φ輻射率が０．７以１
−である、特許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか
１項に記載した蒸発材料収容器。 ７、蒸発材料と接触する壁部分の少なくとｔ杏訓Φ輻射
率が０．１以下である、特許請求の範囲の第６ ｒ４ｑ
に記載した蒸発材料収容器。 温 肩 第５図 ／ 第８図 ■ Ｍ間
空蒸着装置の要部概略図、 第２図、第３図、第４図は他の各側による蒸発源の各断
面図、 第５図は蒸発源の側面図、 第６Ａ図は従来例による蒸発材料及びボートの一部分の
拡大断面図、 第６Ｂ図は本実施例における第６Ａ図と同様の拡大断面
図、 第７図は得られた蒸着膜中のＴｅ 濃度プルファイルを
示す図、 第８図は従来例による蒸発源の温度変化を示すタイムチ
ャート、 第９図は本発明による蒸発源の温度変化を示すタイムチ
ャート、 である。 なお、図面に示された符号において、 工・・・・・・・・・・・・・・・蒸発源２・・・・・
・・・・・・・・・・被蒸着基体３・・・・・・・・・
・・・・・・蒸発材料４・・・・・・・・・・・・・・
・蒸着ポート５．６・・・・・・・・・ヒーター ７．８ｂ・・・・・・高輻射率材 ８ａ、１０，２０・・・・・・低輻射率材９・・・・・
・・・・・・・・・・上部開口である。 代理人 弁理士 逢 坂 宏 第２１鱒 第３１０ 時閉 時間 （自発） 月−系ダｔネ＋１ｉ ７１巳具１：昭
和５８年７月９日 特許庁長官 若 杉 和 人 殿 １、事件の表示 昭和５７年 特許 １第１５４２３ （：号２、発明
の名称 蒸発材料収容器 ３、補正をする五 事（ｑとの関係 特許出願人 住 所 東京都新宿区西Ｘｆ［宿１丁目２６番２号名
称 （１２７）小西六写真＋１業株式会に１４、代理人 住 所 東京都立川市柴崎町３−９−１７鈴木ビル２階
６、補止に、１１ツ増加する発明の数 ７、補正のス１象 明細１１（の特許請求の範囲の＋ｌｉ及び発明の詳細な
説明の欄、図面の第５図及び第８図 ８、補正の内容 （１）、特許請求の範囲を別紙の１ｆｆｉ／）に訂正し
ます。 （２）、明細書箱２頁１２〜１３行目の「前記芸発拐料
−１を１前記蒸発材料の蒸気」と訂正しまず。 （３）、同第３頁１４行目の［壁部外面−１を「壁部外
面の輻射率が大きい場合には、該表面」と訂正します。 （４）、同第４頁１〜２行目の「また・・・・・・壁部
分」を「−万、ボート外面、特に蒸発材料と接している
壁部外面の輻射率が小さい場合は、間壁部外面」と訂正
します。 （５）、同第４頁９〜１１行目の「公知のボート・・・
・・・困難とし」を「過大な温度分布のばらつきが生し
て蒸着膜の膜厚や特性のむらを招き、製品の歩留若しく
は収率が低下したり、更には熱が放出され難いホードで
は却って温度応答性が悪くなって温度コントロールが困
難となりｊと訂正します。 （６）、同第４真下から３〜１行目の「前記蒸発材料・
・・・・・構成されている」を１前記苺発材料と接触す
る壁部分の少なくとも外面の輻射率が小さく、かつ前記
蒸発材料と接触しない他の壁部分の少なくとも外面の輻
射率が大きく構成されているＪと訂正します。 （７）、同第５頁５〜６行目の「接触部分」を「接触部
分の少なくとも外面」と訂正しまず。 （８）、同第５頁１４行目の「他の部分」を１他の部分
の少なくとも外面」と訂正しまず。 （９）、同第７頁７行目の「蒸発材料８」を「蒸発材料
３」と訂正します。 （１０） 、同第８頁下から６行目の「壁部１７．１旧
を１壁部８」と削正します。 （１１） 、同第１１１下から６行目の「ボート」を「
低輻射率のボート」と訂正します。 （１２） 、同第１１頁下から２〜１行目の「設定温度
」を「安定した設定温度」と訂正します。 （１３） 、同第１２２頁１〜３行目［６０分も要し・
・・・・・ことがある。」を［６０分も要することがあ
る（第８図に実線で示したタイプ）。 また、ハンチングを避けるために別の昇温手段を採用す
ると、安定した設定温度に到達するまでに２時間前後も
要することがある（第８図に破線で示したタイプ）。」
と訂正しまず。 （１４） 、願書に添付した図面のうち、第５図及び第
８図を別紙の通りに夫々訂正します。 −一一−以 Ｉ−−一 特許請求の範囲 １、蒸発材料を加熱、蒸発させる際に使用され、前記茎
発月料吸蒸−笈がその蒸発面積より小さい開口を１ｌｌ
ｉＬで外方へ導出されるように構成された蒸発材料収容
器において、前記蒸発材料と接触する壁部分の剋（とも
外面■輻射率が小さく、かつ前−記漢溌！Ａ」」１７乍
駐他の壁部分の沙プし仁と４」泊（７）輻射率が大きく
構成されていることを特徴とする蒸発材料収容器。 ２、蒸発材料と接触する壁部分が他の壁部分と一体に連
設されている、特許請求の範囲の第１項に記載した蒸発
材料収容器。 ３、蒸発材料と接触する壁部分が、低輻射率材を外面に
有している、特許請求の範囲の第１項に記載した蒸発材
料収容器。 ４、低輻射率材が取付けられている、特許請求の範囲の
第３項に記載した蒸発材料収容器。 ５、低輻射率材が塗布されている、特許請求の範囲の第
３項に記載した蒸発材料収容器。 ６、蒸発材料と接触する壁部分の少左に者を九百−の輻
射率が０．４以下であり、肋朴し」１１： ’ ”−−
り他の壁部分の沙しパ惨娼し泪師Φ輻射率が０．７以１
−である、特許請求の範囲の第１項〜第５項のいずれか
１項に記載した蒸発材料収容器。 ７、蒸発材料と接触する壁部分の少なくとｔ杏訓Φ輻射
率が０．１以下である、特許請求の範囲の第６ ｒ４ｑ
に記載した蒸発材料収容器。 温 肩 第５図 ／ 第８図 ■ Ｍ間
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、蒸発材料を加熱、蒸発させる際に使用され、前記蒸
発材料がその蒸発面積より小さい開口を通して外方へ導
出されるように構成された蒸発材料収容器罠おいて、前
記蒸発材料と接触する壁部分の輻射率が小さく、かつ他
の壁部分の輻射率が大きく構成されていることを特徴と
する蒸発材料収容器。 ２、蒸発材料と接触する壁部分が他の壁部分と一体に連
設され【いる、特許請求の範囲の第１項に記載した蒸発
材料収容器。 ３、蒸発材料と接触する壁部分が、低輻射率材を外面に
有している、特許請求の範囲の第１項に記載した蒸発材
料収容器。 ４、低輻射率材が取付けられている、特許請求の範囲の
第３項に記載した蒸発材料収容器。 ５、低輻射率材が塗布されている、特許請求の範囲の第
３項に記載した蒸発材料収容器。 ６、蒸発材料と接触する壁部分の輻射率が０．４以下で
あり、他の壁部分の輻射率が０．７以上である、特許請
求の範囲の第１項〜第５項のいずれか１項に記載した蒸
発材料収容器。 ７、蒸発材料と接触する壁部分の輻射率が０．１以下で
ある、特許請求の範囲の第６項に記載した蒸発材料収容
器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154236A JPS5943873A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発材料収容器 |
| US06/527,667 US4576797A (en) | 1982-09-04 | 1983-08-30 | Vapor source holding container |
| DE19833331653 DE3331653A1 (de) | 1982-09-04 | 1983-09-02 | Behaelter mit dampfquelle |
| GB08323731A GB2127315B (en) | 1982-09-04 | 1983-09-05 | Vapor source-holding container |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154236A JPS5943873A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発材料収容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943873A true JPS5943873A (ja) | 1984-03-12 |
| JPH0254426B2 JPH0254426B2 (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=15579815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154236A Granted JPS5943873A (ja) | 1982-09-04 | 1982-09-04 | 蒸発材料収容器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4576797A (ja) |
| JP (1) | JPS5943873A (ja) |
| DE (1) | DE3331653A1 (ja) |
| GB (1) | GB2127315B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102677000A (zh) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 松下电器产业株式会社 | 蒸镀用舟皿和使用该蒸镀用舟皿的成膜方法 |
| CN102703871A (zh) * | 2012-05-18 | 2012-10-03 | 常熟晶玻光学科技有限公司 | 触控面板镀膜工艺 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3632027C1 (de) * | 1986-09-20 | 1988-02-18 | Rudnay Andre Dr De | Verfahren und Vakuumbedampfungsanlage zum Metallisieren von Folienoberflaechen |
| JP2005029895A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Agfa Gevaert Nv | 蒸着装置 |
| WO2007122203A2 (en) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Shell Erneuerbare Energien Gmbh | Thermal evaporation apparatus, use and method of depositing a material |
| WO2015047824A1 (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-02 | Gt Crystal Systems, Llc | Advanced crucible support and thermal distribution management |
| CN112368813A (zh) * | 2018-06-14 | 2021-02-12 | 应用材料公司 | 用于在基板上沉积材料的蒸发器、形成蒸发器的方法、及用于在柔性基板上沉积材料的蒸发设备 |
| DE102021006249A1 (de) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | Singulus Technologies Aktiengesellschaft | Beschichtungsquelle, Beschichtungsanlage und Verfahren zur Beschichtung von Substraten |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3281517A (en) * | 1963-11-19 | 1966-10-25 | Melpar Inc | Vacuum furnace |
| GB1103766A (en) * | 1964-04-30 | 1968-02-21 | Poudres Metalliques Alliages Speciaux Ugine Carbone | Improvements in or relating to vapourisation of metals and metalloids |
| JPS5234039B2 (ja) * | 1973-06-04 | 1977-09-01 | ||
| US3984585A (en) * | 1974-05-30 | 1976-10-05 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Vacuum evaporation plating method |
| US4217855A (en) * | 1974-10-23 | 1980-08-19 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Vaporized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition device |
| JPS5399762A (en) * | 1977-02-12 | 1978-08-31 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Device for producing compound semiconductor film |
| US4447276A (en) * | 1981-06-15 | 1984-05-08 | The Post Office | Molecular beam epitaxy electrolytic dopant source |
| US4426237A (en) * | 1981-10-13 | 1984-01-17 | International Business Machines Corporation | Volatile metal oxide suppression in molecular beam epitaxy systems |
| US4446357A (en) * | 1981-10-30 | 1984-05-01 | Kennecott Corporation | Resistance-heated boat for metal vaporization |
-
1982
- 1982-09-04 JP JP57154236A patent/JPS5943873A/ja active Granted
-
1983
- 1983-08-30 US US06/527,667 patent/US4576797A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-09-02 DE DE19833331653 patent/DE3331653A1/de active Granted
- 1983-09-05 GB GB08323731A patent/GB2127315B/en not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102677000A (zh) * | 2011-03-10 | 2012-09-19 | 松下电器产业株式会社 | 蒸镀用舟皿和使用该蒸镀用舟皿的成膜方法 |
| CN102703871A (zh) * | 2012-05-18 | 2012-10-03 | 常熟晶玻光学科技有限公司 | 触控面板镀膜工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3331653A1 (de) | 1984-03-08 |
| GB8323731D0 (en) | 1983-10-05 |
| JPH0254426B2 (ja) | 1990-11-21 |
| DE3331653C2 (ja) | 1990-10-31 |
| GB2127315A (en) | 1984-04-11 |
| GB2127315B (en) | 1986-02-26 |
| US4576797A (en) | 1986-03-18 |
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