JPS5943835A - SiCウイスカ−によるFRMの製造法 - Google Patents

SiCウイスカ−によるFRMの製造法

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JPS5943835A
JPS5943835A JP15464482A JP15464482A JPS5943835A JP S5943835 A JPS5943835 A JP S5943835A JP 15464482 A JP15464482 A JP 15464482A JP 15464482 A JP15464482 A JP 15464482A JP S5943835 A JPS5943835 A JP S5943835A
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JP
Japan
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precursor
frm
sic
whiskers
matrix metal
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JP15464482A
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Tsunayoshi Kuriyama
栗山 維吉
Masaru Akiyama
勝 秋山
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Tokai Carbon Co Ltd
Original Assignee
Tokai Carbon Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、SiCウィスカーを繊維強化相としてA/ 
、 MWまたはそれらの合金からなるマトリックス金属
を複合強化するために有効なFRMの製造法に関する。
SiCの針状単結晶から構成されるウィスカーは、祢め
て高水準の比強度、比弾性率を備えるうえに耐熱性なら
びに化学的安定性に優れているため、特に宇宙・航空機
あるいは自動車用の構造・機能部品となるkl 、 M
y等の軽金属複合材の強化物質として注目されている。
一般に、この@FRMの強化特性は、マトリックス金属
に対する繊a強仕材の複合界面における濡れ性ならびに
分散性の良否に大きく依存することが知られており、こ
れらの改善手段も数多く提案されている。しかしながら
、これらのうち濡れ性に効果的な強化緘維面に金属の蒸
着皮膜を予め被覆形成する方法、また均一分散に有効と
されている溶融金属浸透法(溶浸法)などは、いずれも
形態の整った長繊維を用いる場合には好結果を与えるも
のの、微細な短繊維であるウィスカーに適用する際には
著るしい処理の煩雑性を伴う上に所定の効果を得ること
が困難である。このようなことから、ウィスカーによる
FRMの製法は現在、ウィスカーを粉末状のマトリック
ス金属またはこれと適宜なフラックスと共に混合したの
ち熱間圧縮成形する方法(粉末法)が主流となっている
が、この方法では、同相聞の攪拌混合を必要とするため
にウィスカーの損傷しよび偏析を生ぜずに均一混合する
ことに困癲ト性があり、定常的に@軸度の置けるFRM
を縫産することができkい難点がある。
本発明は、従来技術とは異なる手法により界面濡れ性な
らびに均一分散性を改善し、よって高性能のSiCウィ
スカーによるFRMを得るための効果的な方法を提供す
るものである。すなわち、本発明のSiCウィスカーに
よるFRMの製造法は、sicウィスカーをA/l、M
Piたけそれらの合金からなるマトリックス金属と80
0℃以上の温度で相互接触させて@躯体を形成し、該前
駆体をマトリックス金属の溶湯中に攪拌分散してインゴ
ット化することを構成的特徴とする。
強化材となるEliCウィスカーは、例えば、E310
.含有粉末をカーボンブラックのような炭材と共に不活
性雰囲気下に1400〜1800℃の温度域で反応させ
て得られる欠陥のないSiCの針状単結晶で、性状とし
て直径0,2〜1.071m、アスペクト比100以上
のβ型結晶形のものが有効に用いられる。81Cウイス
カーの形態が、無数のウィスカー相互がランダムに絡み
合った団塊状のケーキ質生成組織体である場合には、こ
れを体積収縮比4〜X15oに圧縮したのちそのままも
しくは水中で数秒間攪拌処理することにより予め解体分
散してから使用に供することが望ましい。
SiCウィスカーは、マトリックス金属となる合金 kl、MWまたはそれらの鋒と800℃以上の温度で相
互接触させて前駆体を形成する。該前駆体の形成は、S
ICウィスカーを圧縮した成形体に800℃以上に加熱
融解したマトリックス金桝を含浸して相互接触を図る方
法、あるいはSiCウィスカーをマトリックス金属粉末
と混合して加圧成形したのち800℃以上の温度に加熱
し、マトリックス金属を融解して相互接触させる方法が
採られる。前者の方法による融解マトリックス金属の含
浸け、SiCウィスカーの圧縮成形体を耐熱耐圧容器に
装入し、これを800℃以上に保ちながらマトリックス
金属を入れて真空および/または加圧下に強制浸透する
手法によりおこなわれ、前駆体として最高約25チまで
の所望vf値を確保することができる。一方、後者の方
法は、SiCウィスカーを損傷を与えない程度の攪拌力
によりマトリックス金属粉末と混合し、これを一旦加圧
成形したのち800℃以上の温度下に熱圧するが、この
場合にはVf全全50程程まで高めることが可能となる
上記の相互接触処理に当っては、マトリックス金属を8
00℃以上の温度で融解することが重要なり件で、この
mA I’Jlを下廻るとSiCウィスカーに対するマ
トリックス金属の濡れが不均質となり最終的に得られる
FRMの特性劣化を招く。最も適切な融解温度範囲は、
1100〜1200℃である。
@躯体の形状寸法には特に制限はないが、次工程の攪拌
分散処理を円滑におこなうため適当な小塊として形成し
ておくことが便宜である。このためには、所定VfのA
il駆体小体小塊数準備しておくか、大型の形成前駆体
を適宜な大きさに切断しておくなどの手段で対拠できる
前駆体は、ついで所定址のマトリックス金属溶湯中に攪
拌しながら投入する。投入後の前駆体は急速に溶融解体
し、Ai1段の相互接触処理により予めSiCウィスカ
ー面を被包するマトリックス金属を介して濡れ性よく溶
湯中に拡散する。このため、急激かつ長時間の攪拌を施
す必要なしに迅速円滑な均一分散が達成される。この際
のVf値は、前駆体のVfと溶湯量を選定することによ
って所望の比率に制御することができる、 溶湯は鋳型に注入してインゴット化する。得られたイン
コ゛ットは、それ自体SiCウィスカーが極めて一様に
分散した均質組織の等方性FRMであるが、これを更に
熱間で圧延もしくは押出成形すると繊維方向性の揃った
板状ちるいは棒状のFRMを得ることができる。
このように本発明によれば、特定の条件で予めFRMの
前駆体を形成することにより従来至離とされていたウィ
スカー〇溶湯分散法に基く抱合化を可能とし、よって汎
用性のある高性能F It Mの安定!産技術を開発し
たものであるから産秦的効果は大である。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例 予め解体分散処理を施した直径0.2〜0.5μm、長
さtoo 〜20011mのβ型81Gウイスカー成し
た。
(I)  Sicウィスカーを50 Kg/carの加
圧力でモールド成形した嵩密度o、 63 y /lr
iの圧縮成形体を容器に入れ、−F部からA1合金(2
024)を充填してオートクレーブに設置した。引続き
オートクレーブを5mlllHfの真空状態に保持しな
がら昇温してA7j合金を溶解し、ついでArガスを導
入して目的の適用温度に到達させたのち系内を10y、
g7t−niの加圧下に5分間保った。このようにして
成形体組織内部全域に溶〜lBA/合金を含侵し十分に
相互接触させた後、引上げて冷却した。適用温度は、7
00℃、Boo℃および1100℃の三段階とした。
(n)sicウィスカーをA1合金(2024)粉末と
共に攪拌混合機に入れてIO分間混合し、10に9/l
〆の加圧力によりモールド成形した。成形物をオートク
レーブ中でAr芥囲気10 Kg/caの圧力を加えな
がら昇温し、目的の適用ahに達したのち5分間保持し
た。このようにしてSiCウィスカーと溶融A1合金を
十分に相互接触させ、処理物を取出して冷却した。適用
幅度は、Ail 142(1)と同un 700 ’C
1800T:およびl100nの三段階とした。
上記(す、(■)の処理により形成した各前駆体を70
0℃に加熱保持した同−槌類のA1合金溶湯中に投入し
、5分間緩やかに攪拌して解体分散した。次いでSiC
ウィスカーが分散した前記溶湯を鋳型に流し込んで冷却
し、VflO%のF R214を得た。
得られた各FRMを圧延加工した後の強度特性(T4)
を対比して下表に示した。
」 適用温間800℃以上の本発明によるFRMは高度の強
化特性を示し、組織的にもSICウィスカーの偏析現象
は認められなかったが、適用温風700℃の場合には個
れ性および分散性の改善が効果的に達成されず、十分な
強度特性が得られなかった。
なお、上記と同一の条件でMP系FRMを作製した場合
にも、同一の結果が得られた。
特許出願人 乗海カーボン株式会社 代理人 弁理士  高 畑 正 也

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 L Aぎ、Mfまたはそれらの合金からなるマトリック
    ス金属をSiCウィスカーで複合強化する方法において
    、SiCウィスカーを前記マトリックス金属とaoo℃
    以上の温度で相互接触させて前駆体を形成し、該前駆体
    をマ) IJソックス属の溶湯中に攪拌分散してインゴ
    ット化する仁とを特徴とするSiCウィスカーによるF
    ’RMの製造法。 2、SiCウィスカーを圧縮した成形体にaOO℃以上
    に加熱融解したマトリックス金属を含浸して相互接触さ
    せることKよりMll鉢体形成する特許請求の範囲第1
    項記載のSiCウィスカーによるFRMの製造法。 3、Si(:ウィスヵーをマトリックス金属粉末と混合
    成形したのち800C以上の温度−加熱し、マトリック
    ス金属を融解して相互接触させることにより前駆体を形
    成する特許請求の範囲第1項記載のSiCウィスカーに
    よるFRMの製造法。 4、インゴット化したFRMを、目的に応じて熱間で圧
    延もしくは押出成形する特許請求の範囲第1項記載のS
    iCウィスカーによるFRMの製造法。
JP15464482A 1982-09-07 1982-09-07 SiCウイスカ−によるFRMの製造法 Granted JPS5943835A (ja)

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