JPS5943827Y2 - ゲ−トタ−ンオフサイリスタの過電流保護装置 - Google Patents

ゲ−トタ−ンオフサイリスタの過電流保護装置

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JPS5943827Y2
JPS5943827Y2 JP1978166100U JP16610078U JPS5943827Y2 JP S5943827 Y2 JPS5943827 Y2 JP S5943827Y2 JP 1978166100 U JP1978166100 U JP 1978166100U JP 16610078 U JP16610078 U JP 16610078U JP S5943827 Y2 JPS5943827 Y2 JP S5943827Y2
Authority
JP
Japan
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thyristor
overcurrent
gate
gate turn
turn
Prior art date
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Expired
Application number
JP1978166100U
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English (en)
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JPS5582088U (ja
Inventor
重男 吉永
英雄 岩本
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はゲートターンオフサイリスタ(以下、GTOと
略称する)を過電流から保護する過電流保護装置に係り
、特に簡単な構成によって確実にGTOを保護すること
ができるGTOの過電流保護装置に関するものである。
従来のこの種の装置の一例を第1図に示し説明すると、
図において1はGTO12はこのGTOlを制御するた
めのゲート制御回路で、このゲート制御回路2はGTO
lをターンオフさせるためノケート順電流を供給する機
能とGTOlをターンオフさせるためのゲート逆電流&
GTO1に供給する機能を備えている。
3はGTOlに流れる過電流検出するための過電流回路
である。
このような構成の装置において、GTOlに流れるオン
電流を過電流検出回路3で検出し、このオン電流が所定
の値以上に達すると、ゲート制御回路2からGTOlの
ゲート・陰極間に逆電流を流してGTOlをターンオフ
させ、過電流を遮断し、GTOlを過電流より保護して
いた。
しかしながら、このようなGTOの過電流保護装置にお
いては、過電流が大きい場合は保護が容易でなく、特に
、オン電流が大きい場合には、ターンオフ時に発生する
電力損失によりGTOが破損してしまうという欠点があ
りtも 本考案は以上の点に鑑み、このような問題を解決すべく
なされたもので、GTOに流れるオン電流の一部あるい
は全部を外部回路に分流して、GTOが容易にターンオ
フできるようにして過電流を遮断し、GTOの破損を防
止するようにしたものである。
以下、図面に基づき本考案の実施例を詳細に説明する。
第2図は本考案によるGTOの過電流防止装置の一実施
例を示す構成図で、説明に必要な部分のみを示す。
第2図において第1図と同一符号のものは相当部分を示
す。
4は過電流検出回路3の出力に基いて制御されるスイッ
チング素子であり、ここでは逆阻止3端子サイリスタ(
以下、サイリスタと略称する)の場合を示す。
20はサイリスタ4のゲート制御回路であり、サイリス
タをターンオンさせるためのゲート順電流を供給する。
5は整流ダイオード(以下、ダイオードと略称する〕6
は抵抗、7はコンデンサ、8はコンデンv7を充電する
ための充電装置である。
そして、サイリスタ4と抵抗6およびコンデンサ7は直
列に接続され、この直列体はダイオード5を介してGT
Olと並列に接続され、GTOIに過電流が通電される
と、サイリスタ4をターンオンさせてGTOlに流れる
電流をサイリスタ4に分流させると共に、GTOIのゲ
ートに逆バイアス電圧を印加してターンオフさせるよう
に構成されている。
第3図は第2図の動作を説明するための各部の動作波形
を示し、aはGTO1のオン電流を示したものであり、
bはGTOlの°陽極・陰極間電圧を示したものである
Cはサイリスタ4のオン電流、dはゲート制御回路2の
出力電圧、Cはゲート制価回路20の出力電圧、fはダ
イオード5の印加電圧の波形を示す。
つき゛に第2図に示す実施例の動作を第3図を参照して
説明する。
まず、コンデンサ7は充電装置8によって図示の極性に
充電されているものとし、また、第3図に示す時点to
において、GTOlのゲートにゲート制御回路2からゲ
ート順電流が供給されてGT 01 vt第第3図区示
す如くターンオンし、セして、所定のオン電流が流れて
いる状態とする。
つき゛に、第3図の時点ti において装置の異常あ
るいは事故か発生してGTOlの電流が第3図aに示す
如く増加し始めと、この電流は過電流検出回路3によっ
て検出され、この検出電流値が時点t2においが設定値
に達すると、GTOIのゲート制御回路2およびサイリ
スタ4のゲート制御回路20に信号が与えられる。
ゲート制御回路2および20に上記信号が与えられると
、ゲート制御回路2からGTOlのゲート・陰極間に第
3図dに示すようなゲート逆電圧が与えられ、また、サ
イリスタ4のゲート・陰極間にゲート制御回路20かも
第3図eに示すようなゲートトリが信号が与えられる。
一方、コンデンサIは図示のような極性で充電されてい
たので、サイリスタ4がターンオンすると、コンデンサ
7が蓄積された電荷は、コンデンサI、抵抗6、サイリ
スタ4および図示しない負荷回路、電源回路を通して放
電する。
そして、第3図aに示すGTOlのオン電流は時点t3
で零となる。
その後、時点t4までは主回路の過負荷電流は、コンデ
ンサI、抵抗6、サイリスタ4を通して流れ、GTO1
の陽極・陰極間には過電流が流れない。
つき゛に、GTOIのゲート・陰極間にゲート逆電流が
流れた後(第3図すの時点t2)、このGTOlは陽極
・陰極間の電圧阻止能力を回復し始める。
その後、GTOIのオン電流が減少し、第3図Cの時点
t3〜t4の間は、GTOlに流れるオン電流力漣断さ
れる(第3図a参照)ため、GTOlは陽極・陰極間電
圧阻止能力が急速に回復し、オン状態へと移行する。
そして、第3図Cの時点t4から主回路の過負荷電流は
コンデンサ7を第2図の極性とは反対の極性に充電して
いく。
そして、時点t5でコンデンサ7は第2図の図示極性と
は逆極性で電源回路(図示せず)の電圧にほぼ等しい電
圧筺で充電される。
したがって、時点t6で過電流は第3図dに示す如く零
に減少する。
このように、時点t4においてGTOlはほとんどオフ
状態に回復しているとすれば、GTOlの過電流は完全
に遮断される。
そして、時点t7においてゲート制御回路2の出力電圧
は零となる。
なお、GTOlに流れる過電流を側路する分流回路に直
列接続された抵抗6は、サイリスタ4に流れる電流を抑
制するために設けたものであり、この抵抗6は場合によ
っては省略(抵抗値二〇)することもできる。
このように、GTOlのオン電流がサイリスタ42含む
外部回路により遮断されるため、極のて容易KGTO1
をターンオフさせ過電流ヲ確実に遮断させることができ
る。
前述したところから明らかなように、本考案にヨレハ、
GTOlのターンオフを容易にし、コノため、過電流を
短時間にかつ確実に遮断できるので、GTOIの損失上
大幅に減少でき、GTO1を過電流から保護することが
できる。
第4図は本考案の他の実施例を示す構成図である。
第4図において第3図と同一部分には同一符号を付して
説明を省略する。
図において、9は直流電源で、抵抗21とサイリスタ4
の直列回路が接続されている。
10は負荷である。このように構成された装置において
、GTOlが正常に動作しているときに、コンデンサ7
は図示ノ極性に充電される。
すなわち、GTQlがオン状態になると、直流電源9か
も負荷10が所要の電力が供給されると共に、抵抗21
.コンデンサI、過電流検出回路3、GTOlおよびダ
イオード5を通してオン電流が流れ コンデンサ7は図
示の極性に充電される。
そして、過電流通電時の保護動作は前述の第3図の場合
と変わらないので、ここでの説明を省略する。
第5図は本考案の更に他の実施例を示す構成図で、本考
案をインバータ回路に適用した場合の一例を示すもので
ある。
第5図において第2図および第4図と同一符号のものは
相当部分を示し、11.12・13.14はGTO11
5は回路のインピーダンスである。
そして、直流電源9、GT011〜14およびゲート制
御回路2.20等によつ“〔インバータ回路を構成して
いる。
つぎにこの第5図に示す実施例の動作を説明する。
まず、インバータ回路の動作は一般によく知られている
ので、その詳細な説明は省略するが、直流電源9の直流
電圧を上記インバータ回路により交流電力に変換し、そ
の出力を負荷10に供給する。
つき゛に、GTO11〜14の過電流保護動作について
説明する。
GTO11〜14に過電流か通電されると、この過電流
を過電流検出回路3で検出し、ゲート制御回路2よりG
TOl 1〜14のゲート・陰極間にゲート逆電流を供
給してGTOI 1〜14をターンオフさせると同時に
、ゲート制御回路20を介してサイリスタ4のゲート・
陰極間にゲートトリガ信号を印加してサイリスタ4をタ
ーンオフさせる。
そして、前述したように、コンデンサ7に蓄積された電
荷を抵抗6、サイリスタ4、直流電源9および回路のイ
ンピーダンス15を通して放電さゼ、GTO11〜14
の過電流を遮断し、GTO11〜14を過電流から保護
することができる。
なお、GTO11〜14のゲート逆バイアス電圧はGT
O11〜14が十分ターンオフするまで印加する必要が
あり、一般に陽極電流が保持電流以下になる時間以上与
えればよい。
以上、本考案なGTOを用いたインバータ回路に適用し
た場合を例にとって説明したが、本考案の適用範囲はこ
れに限定されるものではなく、チョッパ、DC−DCコ
ンバータ等の各種電力変換装置に応用することもでき、
その他実用上甚だ広い応用効果をもつものである。
以上説明したように、本考案によれば、複雑な手段を用
いることなく比較的簡単な回路構成によ−って、容易に
かつ短時間にGTOに流れる過電流を遮断してGTOを
確実に保護することができ、また、GTOの過負荷状態
が回復すれば、自動的に元に復することができるので、
実用上の効果は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のGTOの過電流保護装置の一例を示す回
路構成図、第2図は本考案によるGTOの過電流保護装
置の一実施例を示す回路構成図、第3図は第2図の動作
説明図、第4図、第5図は本考案の他の実施例を示す回
路構成図である。 1・・・・・・GTO12,20・・・・・・ゲート制
御回路、3・・・・・・過電流検出回路、4・・・・・
・逆阻止3端子ブイリスタ、5・・・・・・整流ダイオ
ード、6・・・・・・抵抗、7・・・・・・コンデンサ
、8・・・・・・充電装置、9・・・・・・直流電源、
10・・・・・・負荷、11〜14・・・・・・GTO
115・・・・・・回路のインピーダンス。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. ゲートターンオフサイリスタと過電流検出回路を直列に
    接続して、ゲートターンオフサイリスタに流れる過電流
    を検出する手段と、前記ゲートターンオフサイリスタと
    整流ダイオードとの直列回路に少なくとも、前記過電流
    検出回路の出力にて制御されるスイッチング素子とコン
    デンサの直列体を並列に接続して、前記ゲートターンオ
    フサイリスタに流れる過電流を側路せしめる手段とを備
    え、前記ゲートターンオフサイリスタに過電流が通電さ
    れると前記スイッチング素子をターンオンさせて前記ゲ
    ートターンオフサイリスタに流れる電流を前記スイッチ
    ング素子に分流させると共k、前記ゲートターンオフサ
    イリスタのゲートに逆バイアス電圧を印加してターンオ
    フさせる如く制御せしめるようにしたことを特徴とする
    ゲートターンオフサイリスタの過電流保護装置。
JP1978166100U 1978-12-01 1978-12-01 ゲ−トタ−ンオフサイリスタの過電流保護装置 Expired JPS5943827Y2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53100433A (en) * 1977-02-14 1978-09-01 Toshiba Corp Protective device of gto inverter

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS53100433A (en) * 1977-02-14 1978-09-01 Toshiba Corp Protective device of gto inverter

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JPS5582088U (ja) 1980-06-06

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