JPS5943539A - 真空吸着台 - Google Patents
真空吸着台Info
- Publication number
- JPS5943539A JPS5943539A JP15260782A JP15260782A JPS5943539A JP S5943539 A JPS5943539 A JP S5943539A JP 15260782 A JP15260782 A JP 15260782A JP 15260782 A JP15260782 A JP 15260782A JP S5943539 A JPS5943539 A JP S5943539A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum
- stand
- sucking
- suction
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェハなどの真空吸着台に係り特に吸着
の際の氏空圧によりウェハが変形することができ、かつ
、異なるサイズのウェハ金ひとつの７（空吸着台で吸着
することのできる真空吸着台に関する。
の際の氏空圧によりウェハが変形することができ、かつ
、異なるサイズのウェハ金ひとつの７（空吸着台で吸着
することのできる真空吸着台に関する。
従−〉）（のｆｉ梁吸着台は第１図、第２１′ン１に示
す如き（１ｑ成衛イ」しごいる。すなイノち、ベース３
内には、ニップル４の股＆Ｊられる真空４．ＩＩ気〕１
０路が形成されている。この↓′〔空排気）ｉｊ３路は
、四部Ｂにおいて開放されでおり、この四部の上方ベー
ス３に、吸着孔Ａ剖の設けられている吸着板２が設けら
れている。この吸着板２のにに被吸着物１が載１眞され
、ニップル４から真空引きされて吸頒板２に被吸着物ｌ
が吸着される。
す如き（１ｑ成衛イ」しごいる。すなイノち、ベース３
内には、ニップル４の股＆Ｊられる真空４．ＩＩ気〕１
０路が形成されている。この↓′〔空排気）ｉｊ３路は
、四部Ｂにおいて開放されでおり、この四部の上方ベー
ス３に、吸着孔Ａ剖の設けられている吸着板２が設けら
れている。この吸着板２のにに被吸着物１が載１眞され
、ニップル４から真空引きされて吸頒板２に被吸着物ｌ
が吸着される。
このように構成される従来の真７Ｆ吸着台は、直空刊気
通路と直結されている四部Ｂの１吸着板２σ）支持間の
距離が長く、また、吸着板２が、氏空ＬＥに対して薄く
形成されているため、第３図に示゛す如く吸着板２が変
形してしまうという欠点を有［２ている。この吸着板２
？ｉｌ−真空圧に対して充分厚くすれば、吸着板２の変
形を１！、’ｊぐことかできるが、真蹟吸着台は軽ｔｄ
化が要求されるところより吸着板２の板ｐ）を？ＩＱぐ
する必要がある。このように、吸着板２の変形が、ウニ
／・の変形を−きだ才グξめ、ウェハのサイズが変化す
る。とのウェハのサイズの変化が生じると貞突吸着台自
体を交換することが行われている。
通路と直結されている四部Ｂの１吸着板２σ）支持間の
距離が長く、また、吸着板２が、氏空ＬＥに対して薄く
形成されているため、第３図に示゛す如く吸着板２が変
形してしまうという欠点を有［２ている。この吸着板２
？ｉｌ−真空圧に対して充分厚くすれば、吸着板２の変
形を１！、’ｊぐことかできるが、真蹟吸着台は軽ｔｄ
化が要求されるところより吸着板２の板ｐ）を？ＩＱぐ
する必要がある。このように、吸着板２の変形が、ウニ
／・の変形を−きだ才グξめ、ウェハのサイズが変化す
る。とのウェハのサイズの変化が生じると貞突吸着台自
体を交換することが行われている。
本発明の目的は、ウェハの変形をなくし、かつ異なるサ
イズのウェハにも対応することのできる真空吸着台を提
供することにある。
イズのウェハにも対応することのできる真空吸着台を提
供することにある。
本発明は、、真空吸着台表面に互に父差しないように円
周状の溝を複数本設けると共に五空吸Ｉｔ合の下ｆｊ！
にｉ’ｊ ２ｐ、吸気用の？ｊ”ｌ ’ｋ ｋ形成し、
該横穴と前記ニアｊｊ＃と全結ぶ吸着孔を設けることに
よシ、真空吸；ｉ１台」二に；＋：ｇ ｓする波膜着板
たるウニ・・の九空王による変形金なくシ、かつ異なる
ザ・ｆズのウェハにも９・（応できるようにしようとい
うものである。
周状の溝を複数本設けると共に五空吸Ｉｔ合の下ｆｊ！
にｉ’ｊ ２ｐ、吸気用の？ｊ”ｌ ’ｋ ｋ形成し、
該横穴と前記ニアｊｊ＃と全結ぶ吸着孔を設けることに
よシ、真空吸；ｉ１台」二に；＋：ｇ ｓする波膜着板
たるウニ・・の九空王による変形金なくシ、かつ異なる
ザ・ｆズのウェハにも９・（応できるようにしようとい
うものである。
以下、本、）６明の実画例について説明する。
第４図にＶま、本発明の一実ｈｍ イ９１Ｊが示されて
おり、第５図は第４図の断ｉＭｉ ｉＥ而面、第６図Ｖ
よ第４図の右１析而図である。
おり、第５図は第４図の断ｉＭｉ ｉＥ而面、第６図Ｖ
よ第４図の右１析而図である。
（′＞りｊにおいて、１空吸着台本体１（）の表＋Ｎｉ
には、円周状の溝１１Ａ、１１ｒ３．ＩＩＣ，１１１，
）が、それぞれ小さい方から径が大きい力に設けられて
いる。
には、円周状の溝１１Ａ、１１ｒ３．ＩＩＣ，１１１，
）が、それぞれ小さい方から径が大きい力に設けられて
いる。
才だ１九りと吸着台本体１００丁部には、溝］、ＩＡ、
ＩＩＢに係るように横穴１２が、また、溝ｘｔｃ、ｉＪ
、ｔ）に係るように横穴１３がそれぞれ設けられており
、この横穴１２と横穴１３は略・賛行に設けられている
。また、溝１１Ａ、１１Ｂと横穴１２とは、吸着孔１４
Ａ、１４Ｂ、１５Ａ。
ＩＩＢに係るように横穴１２が、また、溝ｘｔｃ、ｉＪ
、ｔ）に係るように横穴１３がそれぞれ設けられており
、この横穴１２と横穴１３は略・賛行に設けられている
。また、溝１１Ａ、１１Ｂと横穴１２とは、吸着孔１４
Ａ、１４Ｂ、１５Ａ。
１５］３によってそＪｔそれ直結きれている。また、溝
１ｉＡの中心には吸着孔１６が設けられており、横穴工
２に接続されている。さらに、／ｆｒ７ ｙ、 １ ｃ
。
１ｉＡの中心には吸着孔１６が設けられており、横穴工
２に接続されている。さらに、／ｆｒ７ ｙ、 １ ｃ
。
１１１）と横穴１３とは、吸着孔１７，１８Ａ。
１８（３とによって接続烙れている。
寸だ、真空吸着台本体１０の上部には、前ｄ［〕横穴１
２．１３に平行して空気吹き出し用の横穴１９が形成さ
れており、この横穴１９に垂直に横穴２０．２１が設け
られている。この枠穴２０には、適宜間隔に空気吹き出
し孔２０Ａ、２０１３゜２０Ｃ，２，０Ｄ、２０Ｉじが
、横穴２１には、適宜間隔に空気吹き出し孔２１Ａ、２
１８．２ＩＣ。
２．１３に平行して空気吹き出し用の横穴１９が形成さ
れており、この横穴１９に垂直に横穴２０．２１が設け
られている。この枠穴２０には、適宜間隔に空気吹き出
し孔２０Ａ、２０１３゜２０Ｃ，２，０Ｄ、２０Ｉじが
、横穴２１には、適宜間隔に空気吹き出し孔２１Ａ、２
１８．２ＩＣ。
２１１）、２１Ｅがそれぞれ設けられている。
なお、横穴１２，１３．１９の一方にはニンプル２２，
２３．２４がそれぞれ設けられており、ｆｉｈ方は、メ
クラ２５が設けられている。
２３．２４がそれぞれ設けられており、ｆｉｈ方は、メ
クラ２５が設けられている。
このように構成されるものであるから、小さいウェハ３
０が載１バーされているときは、二ンプル２２からのみ
れ空吸気すれば、ウェハ３０は吸着される。また、大き
いウェハ４０が載１．イされていルトキは、ニップル乏
２，２３の両方から真空吸気することにより、ウエノ・
企光今に吸着することができる。
０が載１バーされているときは、二ンプル２２からのみ
れ空吸気すれば、ウェハ３０は吸着される。また、大き
いウェハ４０が載１．イされていルトキは、ニップル乏
２，２３の両方から真空吸気することにより、ウエノ・
企光今に吸着することができる。
１だ、ウニハゲ脱着するときは、脚；空ｉｔ）電通路中
のＮ 孕＞−ｗｆ除し、二ンプル２４から空気を・送る
。
のＮ 孕＞−ｗｆ除し、二ンプル２４から空気を・送る
。
これによりワエハー、冗全に１＜ ２Ｓ吸ＩＩ台から分
離する。
離する。
したがって、本実施例によれし１′、イｌｔ米のように
吸着根金設け、その下衡氏空室にするのと黄り、横穴を
真空室とすることにより、吸着時の変形（吸着台ｆミ面
Ｉのたわみ）を抑制し、かつ、吸肘台の変形をウニ・・
に伝ぐ、ることかない。
吸着根金設け、その下衡氏空室にするのと黄り、横穴を
真空室とすることにより、吸着時の変形（吸着台ｆミ面
Ｉのたわみ）を抑制し、かつ、吸肘台の変形をウニ・・
に伝ぐ、ることかない。
十だ、本実施例によれば、吸着台表面の溝の数卦よび横
穴の数百゛」“ごすことにより、容易に貞窒排気回路を
噌すことができる。
穴の数百゛」“ごすことにより、容易に貞窒排気回路を
噌すことができる。
べらに本実がｑ賃（」（（−よれげ、吸着台表面の溝に
よる真空Ｙ奸気化路全扇形の周の形にすることによって
異するサイズのウェハのオリフラ（Ｘ’！’、 ｌｆ３
’を一致させることができる。
よる真空Ｙ奸気化路全扇形の周の形にすることによって
異するサイズのウェハのオリフラ（Ｘ’！’、 ｌｆ３
’を一致させることができる。
以に説明したＪ：うに、本発明によれし１゛、ウエノ・
（７）変形をなく１．７、かつ、異なるサイズのウェハ
にむ対応することができる。
（７）変形をなく１．７、かつ、異なるサイズのウェハ
にむ対応することができる。
（〉く１而の簡（）１．な説明
第１図はイｉＬ米のｒｌ、窒吸着台ケ示す図、第２図−
２第１図の断面図、第３しｊは第１図図示従来例の′侍
：Ｘ′４現象を・示ｆ’ ［ｇ＋ 、第４図は水元ψＪ
の人倫例ケ示す図、第５図は第４図の１唐面正面図、第
６図は第４図の右側面１祈而図である。
２第１図の断面図、第３しｊは第１図図示従来例の′侍
：Ｘ′４現象を・示ｆ’ ［ｇ＋ 、第４図は水元ψＪ
の人倫例ケ示す図、第５図は第４図の１唐面正面図、第
６図は第４図の右側面１祈而図である。
１１Ａ、ＩＩＬＩ、ＩＩＣ，１１１）・・・溝、１２゜
１３．１．９，２０．２１・・・横穴、１４Ａ、１４Ｂ
。
１３．１．９，２０．２１・・・横穴、１４Ａ、１４Ｂ
。
１５ Ａ 、 １５ Ｂ 、 １６ 、 ｌ ７
、 １８Δ、１８Ｂ・・・吸１’を孔、２２，２３．
２４・・・二ングル。
、 １８Δ、１８Ｂ・・・吸１’を孔、２２，２３．
２４・・・二ングル。
“５”９！Ａ１“ｔ’ｌ −ｆｒ ＋ＵＳ″１′；′）
！−Ｑ、７−ｔ：
！−Ｑ、７−ｔ：
Claims (1)
- ］、 ｒｓ、窒吸Ｎｆ台本体下部に平行に形成される
複数の横穴と、汽望吸着台本体表面に扇形の周の形状に
形成される溝と、前ｉｔＣ横穴と前記溝と全接続する吸
着Ｔ１と全設けたこと全特徴とする真空吸着゛台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15260782A JPS5943539A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 真空吸着台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15260782A JPS5943539A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 真空吸着台 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943539A true JPS5943539A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15544092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15260782A Pending JPS5943539A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 真空吸着台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943539A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01201936A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Canon Inc | プレートチャック |
| CN103765573A (zh) * | 2011-08-26 | 2014-04-30 | Lg矽得荣株式会社 | 衬托器 |
| CN107452665A (zh) * | 2016-05-25 | 2017-12-08 | 日本特殊陶业株式会社 | 基板保持装置 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15260782A patent/JPS5943539A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01201936A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-14 | Canon Inc | プレートチャック |
| CN103765573A (zh) * | 2011-08-26 | 2014-04-30 | Lg矽得荣株式会社 | 衬托器 |
| JP2014532292A (ja) * | 2011-08-26 | 2014-12-04 | エルジー シルトロン インコーポレイテッド | サセプタ |
| TWI505400B (zh) * | 2011-08-26 | 2015-10-21 | Lg Siltron Inc | 基座 |
| US9638376B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-05-02 | Lg Siltron Inc. | Susceptor |
| CN107452665A (zh) * | 2016-05-25 | 2017-12-08 | 日本特殊陶业株式会社 | 基板保持装置 |
| CN107452665B (zh) * | 2016-05-25 | 2021-09-24 | 日本特殊陶业株式会社 | 基板保持装置 |
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