JPS5942702A - 導体ペ−スト - Google Patents
導体ペ−ストInfo
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- JPS5942702A JPS5942702A JP15139682A JP15139682A JPS5942702A JP S5942702 A JPS5942702 A JP S5942702A JP 15139682 A JP15139682 A JP 15139682A JP 15139682 A JP15139682 A JP 15139682A JP S5942702 A JPS5942702 A JP S5942702A
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- Japan
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- powder
- conductor paste
- metal powder
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は導体ペーストの改良に関する、セラミック多層
配線板は高融点金属粉からなる導体ペーストにより導体
層を、セラミック質の粉末からなる絶縁ペーストにより
絶縁層を交圧に形成して製造される。
配線板は高融点金属粉からなる導体ペーストにより導体
層を、セラミック質の粉末からなる絶縁ペーストにより
絶縁層を交圧に形成して製造される。
高融点金属粉１例えばＷ（タングステン）とセラミック
質９例えばＡｌ１２０ｓとは熱膨張係数がそれぞれ約４
Ｘ １０−６／℃、 ８ Ｘ １０−６／”Ｃ（数値
は２０℃における値）と大きく異なるため９種々の熱衝
撃が加わると大きな応力が発生し、絶縁層中にき裂が発
生しやすい。従来は導体の層数が増加したり、１層あた
りの配線密度が増加した場合、すなわち配線板内に占め
る高融点金属粉の割合が増した場合、熱Ｍ撃による応力
が増太し、絶縁層内にき裂が発生していた。このような
き裂が絶縁層中に発生すると、リーク電流の増加−９耐
電圧の低下など絶縁特性に関する問題が発生しセラミッ
ク多層配線板の機能を著しく低下させる。
質９例えばＡｌ１２０ｓとは熱膨張係数がそれぞれ約４
Ｘ １０−６／℃、 ８ Ｘ １０−６／”Ｃ（数値
は２０℃における値）と大きく異なるため９種々の熱衝
撃が加わると大きな応力が発生し、絶縁層中にき裂が発
生しやすい。従来は導体の層数が増加したり、１層あた
りの配線密度が増加した場合、すなわち配線板内に占め
る高融点金属粉の割合が増した場合、熱Ｍ撃による応力
が増太し、絶縁層内にき裂が発生していた。このような
き裂が絶縁層中に発生すると、リーク電流の増加−９耐
電圧の低下など絶縁特性に関する問題が発生しセラミッ
ク多層配線板の機能を著しく低下させる。
本発明はかかる欠点のない導体ペーストを提供すること
を目的とするものである。
を目的とするものである。
本発明は高融点金属粉に融点が１０００ ℃Ｊ？、、１
上、比抵抗が１５μΩ・ｍ以下及び２０℃における線膨
張係数が７×１ｏブ／”Ｃ以上の金属粉を添加してなる
導体ペーストに関する。
上、比抵抗が１５μΩ・ｍ以下及び２０℃における線膨
張係数が７×１ｏブ／”Ｃ以上の金属粉を添加してなる
導体ペーストに関する。
本発明ハ上記のように構成することにより。
導体層と絶縁層との熱膨張係数を近似させ、熱衝撃に伴
う応力を減少させ、絶縁層中のき裂の発生を防止ないし
は減少させようとするものである。
う応力を減少させ、絶縁層中のき裂の発生を防止ないし
は減少させようとするものである。
なお本発明において高融点金属粉にはＷ、 Ｍ。
（モリブデン）、Ｍｎ（マンガン） 、 Ｍｏ −Ｍｎ
などが使用され、融点が１０００’Ｃ以上、比抵抗が１
５μΩ・（７）以下及び２０℃における線膨張係数が７
Ｘ １０ ＝／℃以上の金属粉にはＡｕ（金）。
などが使用され、融点が１０００’Ｃ以上、比抵抗が１
５μΩ・（７）以下及び２０℃における線膨張係数が７
Ｘ １０ ＝／℃以上の金属粉にはＡｕ（金）。
Ｃｕ（銅）、Ｎ１（−＝ブチル） 、 Ｐｄ （パラジ
ウム）などがある。
ウム）などがある。
また上記金属粉は、融点が１０００℃以上。
比抵抗が１５μΩ・口封下及び２０’Ｃにおける線膨張
係数が７ Ｘ １０−７’ｃ以上であることが必要であ
り、この範囲から外れた金属粉を使用すると熱衝撃によ
る応力が増大し、絶縁層中にき裂が多量に発生し本発明
の目的を達成することができない。
係数が７ Ｘ １０−７’ｃ以上であることが必要であ
り、この範囲から外れた金属粉を使用すると熱衝撃によ
る応力が増大し、絶縁層中にき裂が多量に発生し本発明
の目的を達成することができない。
金属粉は、高融点金属粉、バインダー及び溶剤と共に混
合しても′萩〈、高融点金属粉、バインダー及び溶剤を
先に混合してペースト状としたものに後から添加して混
合してもよく特に制限はない。
合しても′萩〈、高融点金属粉、バインダー及び溶剤を
先に混合してペースト状としたものに後から添加して混
合してもよく特に制限はない。
金属粉の添加量はＡｕ及びｐｂの場合は導体ペースト中
に５〜４０重景％、Ｃｕの場合は導体ペースト中に２〜
２０重［％、Ｎｉの場合は導体ペースト中に３〜３０爪
／ｆ％の範囲で添加すれば。
に５〜４０重景％、Ｃｕの場合は導体ペースト中に２〜
２０重［％、Ｎｉの場合は導体ペースト中に３〜３０爪
／ｆ％の範囲で添加すれば。
導体層と絶縁層との熱膨張係数を近似させ絶縁層中のき
裂の発生を防止ないしは減少させることができる。
裂の発生を防止ないしは減少させることができる。
な於導体ペーストの印刷厚さについては制限はない。
また絶縁層に用いられる絶縁ペーストの種類。
印刷厚さについても特に制限はないが、グリーンシート
と同村ｒｔの絶縁ペーストを使用することが奸ましい。
と同村ｒｔの絶縁ペーストを使用することが奸ましい。
以Ｆ実施例により本発明を説明する。
実施例Ｉ
Ａ、１Ｊ２０３９５．３ Ｎ諭係＋ ５Ｌ０２３．３
Ｉｌ扇［、Ｍｇ０１．２重量係及びＣａ０Ｏ，２重ｆＪ
ｒ４の１１１１成からなる平均粒径４７ｆｆｌ＋ｎのセ
ラミック粉末１０００’Ｃ部にポリビニルブチラール６
型面部、ブチルベンジルフタレート３重量部及びエチレ
ンクロライド系溶剤を適量添加したものをボールミルＶ
こより均一混合してスリップを得、これをキャスティン
グ法によりグリーンシートを得た。
Ｉｌ扇［、Ｍｇ０１．２重量係及びＣａ０Ｏ，２重ｆＪ
ｒ４の１１１１成からなる平均粒径４７ｆｆｌ＋ｎのセ
ラミック粉末１０００’Ｃ部にポリビニルブチラール６
型面部、ブチルベンジルフタレート３重量部及びエチレ
ンクロライド系溶剤を適量添加したものをボールミルＶ
こより均一混合してスリップを得、これをキャスティン
グ法によりグリーンシートを得た。
次に同様にして作製］−だスリップにブチルカルピトー
ルを適量添加し、加熱攪拌しながら吸引してスリップ中
のエチレンクロライド系溶剤を除去して絶縁ペーストを
得た。
ルを適量添加し、加熱攪拌しながら吸引してスリップ中
のエチレンクロライド系溶剤を除去して絶縁ペーストを
得た。
さらに上記とは別に平均粒径２μｍ、１μｍ及び０．５
μｍのＷ粉末をそれぞれ６０．２０及び２０重計係の割
合で混合したもの１０ （］ 「［Ｗ部にニトロセルロ
ース２ 取計部、エチルセルロース２ ＠肴６Ｂ及びブ
チルカルピトールとテレピネオールとを重量比１：２に
混合した溶剤を適串加え、これをらいかい機で混合して
Ｗ粉末入りペーストを製剤した。
μｍのＷ粉末をそれぞれ６０．２０及び２０重計係の割
合で混合したもの１０ （］ 「［Ｗ部にニトロセルロ
ース２ 取計部、エチルセルロース２ ＠肴６Ｂ及びブ
チルカルピトールとテレピネオールとを重量比１：２に
混合した溶剤を適串加え、これをらいかい機で混合して
Ｗ粉末入りペーストを製剤した。
さらに前述のＷ粉末入りペーストに平均粒径が０．５μ
ｒｎで、融点が１０６３℃、比抵抗が２４μｍｎ−−及
び２０゛Ｃにおける１１ｉ！膨張係数が１４．４ Ｘ
１０−’／℃のＡｕ粉を第１図に示す割合で添加し、三
本ロールで均一に混合してＡｌｌ粉含有導体ペーストを
得た。
ｒｎで、融点が１０６３℃、比抵抗が２４μｍｎ−−及
び２０゛Ｃにおける１１ｉ！膨張係数が１４．４ Ｘ
１０−’／℃のＡｕ粉を第１図に示す割合で添加し、三
本ロールで均一に混合してＡｌｌ粉含有導体ペーストを
得た。
次に前述で得たグリーンシート上に前述のＡｕ粉含有導
体ペーストを印刷して導体回路を形成した後その上部に
前述の絶縁ペーストを印刷し、この工程を１０回くり返
し１０層の多層回路を形成した。
体ペーストを印刷して導体回路を形成した後その上部に
前述の絶縁ペーストを印刷し、この工程を１０回くり返
し１０層の多層回路を形成した。
その後審素９４モル係、水素４モル係および水蒸気２モ
ルチの組成からなる混合ガスノ、ｙ囲気中で１５６０℃
の焼成温度で焼成をおこないセラミック多層配線板を得
た。
ルチの組成からなる混合ガスノ、ｙ囲気中で１５６０℃
の焼成温度で焼成をおこないセラミック多層配線板を得
た。
次に上記で得られたセラミック多層配線板についｉ熱衝
撃試験を行なった。その試験結果を第１図に示す。
撃試験を行なった。その試験結果を第１図に示す。
なお熱衝撃試験は１００℃の水中に５分間浸漬後、即座
に０℃の水中に５分間浸漬し、この後再び１００℃の水
中に浸漬することを１５回繰返して行なった。
に０℃の水中に５分間浸漬し、この後再び１００℃の水
中に浸漬することを１５回繰返して行なった。
第１図より明らかなようにＡ ｌｌ粉の添加量の増加に
伴いき裂発生率は減少し、無添加の場合はき裂が約４５
チ発生するのに対し添加量５爪量チ以上では全く発生し
ない。すなわちＷ粉末にＡｕ粉を添加することによりセ
ラミツ゛り多層配線板の耐熱衝撃性を向上させることが
でき、Ａｕ粉の添加側・５〜４０重景係で最も良い結果
を得ることができた。
伴いき裂発生率は減少し、無添加の場合はき裂が約４５
チ発生するのに対し添加量５爪量チ以上では全く発生し
ない。すなわちＷ粉末にＡｕ粉を添加することによりセ
ラミツ゛り多層配線板の耐熱衝撃性を向上させることが
でき、Ａｕ粉の添加側・５〜４０重景係で最も良い結果
を得ることができた。
実施例２
実施例１で得たＷ粉末入りペーストに平均粒径が０．５
μｍで、融点が１０８３°Ｃ１比抵抗が１．７μΩ’ｆ
ｆｉ及び２０℃における線膨張係数が１６．８Ｘ１０
７℃のＣｕ粉を第２図に示す割合で添加し、三本ロール
で均一に混合してＣｕ粉含有導体ペーストを得た。
μｍで、融点が１０８３°Ｃ１比抵抗が１．７μΩ’ｆ
ｆｉ及び２０℃における線膨張係数が１６．８Ｘ１０
７℃のＣｕ粉を第２図に示す割合で添加し、三本ロール
で均一に混合してＣｕ粉含有導体ペーストを得た。
次に実施例１で得たグリーンシート上に前述のＣｕ粉含
有導体ペーストを印刷し、以下実施例】と同様の工程を
経てセラミック多層配線板を得た。
有導体ペーストを印刷し、以下実施例】と同様の工程を
経てセラミック多層配線板を得た。
上記で得られたセラミック多層配線板について実施例Ｊ
と同様の方法で熱衝撃試験を行なった。
と同様の方法で熱衝撃試験を行なった。
その結果を第２図に示す。
第２図より明らかなようにＣｕ粉の添加量の増加に伴い
き裂発生率は減少し、無添加の場合はき裂が約４５係発
生するのに対し添加量２重量係以上では全く発生しない
。すなわちＷ粉末にＣｕ粉を添加することによりセラミ
ック多層配線板の耐熱衝撃性を向上させることができ、
添加量２〜２０重量係で最も良い結果を得ることができ
た。
き裂発生率は減少し、無添加の場合はき裂が約４５係発
生するのに対し添加量２重量係以上では全く発生しない
。すなわちＷ粉末にＣｕ粉を添加することによりセラミ
ック多層配線板の耐熱衝撃性を向上させることができ、
添加量２〜２０重量係で最も良い結果を得ることができ
た。
実施例３
実施例１で得たＷ粉末入りペーストに平均粒径が０５μ
ｍで、融点が１４５５℃、比抵抗が７．８ ｔｔΩ・箭
及び２０℃における線膨張係数が１２．８ Ｘ １０−
６重℃のＮｉ粉を第３図に示す割合で添加し、三本ロー
ルで均一に混合してＮｉ粉含有導体ペーストを得た。
ｍで、融点が１４５５℃、比抵抗が７．８ ｔｔΩ・箭
及び２０℃における線膨張係数が１２．８ Ｘ １０−
６重℃のＮｉ粉を第３図に示す割合で添加し、三本ロー
ルで均一に混合してＮｉ粉含有導体ペーストを得た。
次に実施例１で得たグリーンシート上に前述のＮｉ粉含
有導体ペーストを印刷し、１′Ｊ下実施例１と同様の工
程を経てセラミック多層配線板を得た。
有導体ペーストを印刷し、１′Ｊ下実施例１と同様の工
程を経てセラミック多層配線板を得た。
上記で得られたセラミック多層配線板について実施例１
と同様の方法で熱衝゛車状１いを行なった。
と同様の方法で熱衝゛車状１いを行なった。
その試験結果を第３図に示す。
第３図より明らかなようにＮｉ粉の添加量に伴いき裂発
生率は減少し、無添加の場合はき裂が約４５ｃｌＩ発生
するのに対し添加瞭３屯ｍ係以上では全く発生しない。
生率は減少し、無添加の場合はき裂が約４５ｃｌＩ発生
するのに対し添加瞭３屯ｍ係以上では全く発生しない。
すなわちＷ粉末にＮｉ粉を添加することによりセラミッ
ク多層配線板の耐熱衝撃性を向上させることができ、添
加降３〜３０重肴チで最も良い結果を得ることができた
。
ク多層配線板の耐熱衝撃性を向上させることができ、添
加降３〜３０重肴チで最も良い結果を得ることができた
。
実施例４
実施例１で得たＷ粉末入りペーストに平均粒径が０．５
μｍで、融点が１５５５℃、比抵抗が１０．４μΩ・釧
及び２０℃における線膨張係数が１１．８Ｘ１０−ンＣ
のＰｄ粉を第４図に示す割合で添加し、三本ロールで均
一に混合してＰｄ粉含有導体ペーストを得た。
μｍで、融点が１５５５℃、比抵抗が１０．４μΩ・釧
及び２０℃における線膨張係数が１１．８Ｘ１０−ンＣ
のＰｄ粉を第４図に示す割合で添加し、三本ロールで均
一に混合してＰｄ粉含有導体ペーストを得た。
次に実施例１で得たグリーンシート上に前述のＰｄ粉含
有導体ペーストを印刷し、１ソ下実施例１と同様の工程
を経てセラミック多層配線板をイξ）だ。
有導体ペーストを印刷し、１ソ下実施例１と同様の工程
を経てセラミック多層配線板をイξ）だ。
上記で得られたセラミック多層配線板について実施例１
と同様の方法で熱衝撃試験を行なった。
と同様の方法で熱衝撃試験を行なった。
その試験結果を第４図に示す。
第４図から明らかなようにＰｄ粉の添加量に伴いき裂発
生率は減少し、無添加の場合はき裂が約４５係発生する
のに対し添加！５重景係以上では全く発生しない。すな
わちＷ粉末にＰｄ粉を添加することによりセラミック多
層配線板の１ｍ”熱衝撃性を向上させることができ、添
加量５〜４０改歌チで最も良い結果を得ることができた
。
生率は減少し、無添加の場合はき裂が約４５係発生する
のに対し添加！５重景係以上では全く発生しない。すな
わちＷ粉末にＰｄ粉を添加することによりセラミック多
層配線板の１ｍ”熱衝撃性を向上させることができ、添
加量５〜４０改歌チで最も良い結果を得ることができた
。
本発明は高融点金属粉に融点が１０００℃以上。
比抵抗が１５μΩ・ｏｎ以下及び２０′Ｃにおける線膨
張係数が７Ｘ１０／’Ｃ以上の金凧粉を含有させた導体
ペーストを使用するので、導体層と絶縁層との熱膨張係
数を近似させ、熱雨寧に伴う応力を減少させ、き裂発生
を防止ないしけ減少させることができるため絶縁層中の
き裂にＪ、りもたらされるリーク１．ｉｔ流の増加、耐
重圧の低下などの絶縁特性に関する問題が生じないセラ
ミック多層配線板を製造することができる。
張係数が７Ｘ１０／’Ｃ以上の金凧粉を含有させた導体
ペーストを使用するので、導体層と絶縁層との熱膨張係
数を近似させ、熱雨寧に伴う応力を減少させ、き裂発生
を防止ないしけ減少させることができるため絶縁層中の
き裂にＪ、りもたらされるリーク１．ｉｔ流の増加、耐
重圧の低下などの絶縁特性に関する問題が生じないセラ
ミック多層配線板を製造することができる。
第１図はＡｕ粉添加州とき裂発生率との関係を示すグラ
フ、第２図ばＣｕ粉添加犀゛とき裂発生率との関係を示
すグラフ、９３３図はＮｉ粉添加騎とき裂発生率との関
係を示すグラフ及び第４図はＰｄ粉添加量とき裂発生率
との関係を示すグラフである。 芽 、１ 図 第 Ｚ 図 Ｃμ＃ン喬力り量 （吏１１２イ） 第 ３ 図 χ ＋ 図 ｒｄ 粉４ｍｆ（１１％） 手続補正書（１暮ｌ 昭和 「、ｆヅ［１８３１１日 特許庁長官殿 １市件の表示 昭和５７年特許願第１５１３９６号 ２、発明の名称 導体ペースト ３補正をする者 ＩＬＩｔ＃の関係 特許出願人 名 称 ＋４４５１日立化成工業株式会（」４ 代
理 人 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の欄６
補Ｉ［の内容 Ｍｎ（マンガン）、Ｍｃ、−Ｍｎなどが使用され、」と
あるのを「（モリブデン） 、 Ｍｏ−Ｍｎ （マンガ
ン）などが使用され、」と訂正します。 （３）同第４酊第９行から第１３行に［膨張係数が７
Ｘ １０””／℃・・・・・・達成することができない
。」とあるのを「膨張係数が７Ｘ１０／’Ｃであること
が必要である。融点が１０００℃未満の金属粉を使用す
ると高融点金属粉が焼結する前に溶融し導体層から流出
して金属粉の添加効果がなくなる。比抵抗が１５μΩ・
釧を越える金、属粉を使用すると導体層の比抵抗が噌太
し市気特性が低下する。２０℃における線膨張係数が７
×１０−７℃未満の金属粉を使用すると熱衝ツ峠による
応力が増大し、絶縁層中にき裂が多量に発生し本発明の
目的を達成することができない。」と訂正します。 中 同＃’） ｆ！ ＃ ｌ’ｔｆｆｌｃ ”Ｐｂｎ
Ｌｈｂ ’） ’ｋ ｒＰｔＬｒ ”ｉ訂ｉ＋。 ます。 別紙 特許請求の範囲 １、高融点金属粉に融点が１ｏｏｏ℃以上、比抵抗が１
５μΩ・ｍ以下及び２０℃における線膨張 □係数が
７×１０ｙ℃以上の金属粉を添加してなる導体ペースト
。 ２ 金属粉がＡｕである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ３、 Ａｕを導体ペースト中に５〜４０重量％の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第２項記載の導体
ペースト。 ４、金属粉がＰｄである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ５、 Ｐｄを導体ペースト中に５〜４０重量−の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第４項記載の導体
ペースト。 ６、金属粉がＣｕである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ７、 Ｃｕを導体ペースト中［２〜２０重量％の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第６項記載の導体
ペースト。 ８、金属粉がＮｉである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ９、 Ｎｉを導体ペースト中に３〜３０重量％の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第８項記載の導体
ペースト。
フ、第２図ばＣｕ粉添加犀゛とき裂発生率との関係を示
すグラフ、９３３図はＮｉ粉添加騎とき裂発生率との関
係を示すグラフ及び第４図はＰｄ粉添加量とき裂発生率
との関係を示すグラフである。 芽 、１ 図 第 Ｚ 図 Ｃμ＃ン喬力り量 （吏１１２イ） 第 ３ 図 χ ＋ 図 ｒｄ 粉４ｍｆ（１１％） 手続補正書（１暮ｌ 昭和 「、ｆヅ［１８３１１日 特許庁長官殿 １市件の表示 昭和５７年特許願第１５１３９６号 ２、発明の名称 導体ペースト ３補正をする者 ＩＬＩｔ＃の関係 特許出願人 名 称 ＋４４５１日立化成工業株式会（」４ 代
理 人 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲および発明の詳細な説明の欄６
補Ｉ［の内容 Ｍｎ（マンガン）、Ｍｃ、−Ｍｎなどが使用され、」と
あるのを「（モリブデン） 、 Ｍｏ−Ｍｎ （マンガ
ン）などが使用され、」と訂正します。 （３）同第４酊第９行から第１３行に［膨張係数が７
Ｘ １０””／℃・・・・・・達成することができない
。」とあるのを「膨張係数が７Ｘ１０／’Ｃであること
が必要である。融点が１０００℃未満の金属粉を使用す
ると高融点金属粉が焼結する前に溶融し導体層から流出
して金属粉の添加効果がなくなる。比抵抗が１５μΩ・
釧を越える金、属粉を使用すると導体層の比抵抗が噌太
し市気特性が低下する。２０℃における線膨張係数が７
×１０−７℃未満の金属粉を使用すると熱衝ツ峠による
応力が増大し、絶縁層中にき裂が多量に発生し本発明の
目的を達成することができない。」と訂正します。 中 同＃’） ｆ！ ＃ ｌ’ｔｆｆｌｃ ”Ｐｂｎ
Ｌｈｂ ’） ’ｋ ｒＰｔＬｒ ”ｉ訂ｉ＋。 ます。 別紙 特許請求の範囲 １、高融点金属粉に融点が１ｏｏｏ℃以上、比抵抗が１
５μΩ・ｍ以下及び２０℃における線膨張 □係数が
７×１０ｙ℃以上の金属粉を添加してなる導体ペースト
。 ２ 金属粉がＡｕである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ３、 Ａｕを導体ペースト中に５〜４０重量％の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第２項記載の導体
ペースト。 ４、金属粉がＰｄである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ５、 Ｐｄを導体ペースト中に５〜４０重量−の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第４項記載の導体
ペースト。 ６、金属粉がＣｕである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ７、 Ｃｕを導体ペースト中［２〜２０重量％の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第６項記載の導体
ペースト。 ８、金属粉がＮｉである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ９、 Ｎｉを導体ペースト中に３〜３０重量％の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第８項記載の導体
ペースト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高融点金属粉に融点が１０００℃以上、比抵抗が１
５μΩ・ｃｍ Ｊ”Ｊ下及び２０℃における純膨張係数
が７ Ｘ １０−６／’Ｃ以上の金属粉を添加してなる
導体ペースト。 ２、金属粉がＡｕである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ３、 Ａｕを導体ペースト中に５〜４０重は係の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第２項記載の導体
ペースト。 ４、金属粉がＰｂである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ５、 Ｐｂを導体ペースト中に５〜４０重量％の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第４項記載の導体
ペースト。 ６、金属粉がＣｕである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ７、 Ｃｕを導体ペースト中に２〜２０重量％の範囲
で添加した特許請求の範囲第１項又は第６項記載の導体
ペースト。 ８、金属粉がＮｉである特許請求の範囲第１項記載の導
体ペースト。 ９、Ｎｉを導体ペースト中に３〜３０重量％の範囲で添
加した特許請求の範囲第１項又は第８項゛記載の導体ペ
ースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15139682A JPS5942702A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 導体ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15139682A JPS5942702A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 導体ペ−スト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5942702A true JPS5942702A (ja) | 1984-03-09 |
Family
ID=15517665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15139682A Pending JPS5942702A (ja) | 1982-08-31 | 1982-08-31 | 導体ペ−スト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5942702A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9333798B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-05-10 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Vehicle wheel, running wheel, vehicle and method of assembling and disassembling vehicle wheel |
-
1982
- 1982-08-31 JP JP15139682A patent/JPS5942702A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9333798B2 (en) | 2010-12-21 | 2016-05-10 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Vehicle wheel, running wheel, vehicle and method of assembling and disassembling vehicle wheel |
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