JPS5942451B2 - 3−5族半導体化合物の拡散方法および拡散装置 - Google Patents

3−5族半導体化合物の拡散方法および拡散装置

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JPS5942451B2
JPS5942451B2 JP50091007A JP9100775A JPS5942451B2 JP S5942451 B2 JPS5942451 B2 JP S5942451B2 JP 50091007 A JP50091007 A JP 50091007A JP 9100775 A JP9100775 A JP 9100775A JP S5942451 B2 JPS5942451 B2 JP S5942451B2
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ampoule
diffusion
wafers
wafer
hollow tube
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JP50091007A
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ジヨ−ジ クラフオ−ド マグナス
マイケル ガラバグリア ポ−ル
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Monsanto Co
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • C30B31/10Reaction chambers; Selection of materials therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体材料の拡散方法および装置特に再使用
可能な半密封管内での■−V族半導体化合物の拡散に関
するものである。
従来の技術によれば、発光ダイオードを製造するため使
用するGaAsPまたはGaPのような■O−V族半導
体化合物のウェハは閉塞管を使用する方法かまたは開放
管を使用する方法かのいずれかによつて拡散している。
閉塞管による拡散の場合には拡散すべきドーパント材料
とウェハとを共に排気した石英アップル内に他のドーパ
ントと共に5 封入し、その後このアップルを加熱する
。この方法は非常に均一で再現性のある結果を生ずる利
点があるが、各拡散には高価で非常に時間のかかる石英
加工が必要であると共に非常に高い真空を発生させる必
要があるという欠点がある。0 開放管を使用する拡散
には2つの形式がある。
その第1の形式では、ウェハを開放管内に設置し、揮発
性物質供給源からドーパントとしての亜鉛をこの開放管
内に流下させる。この拡散は安価であるが、再現性ある
結果を得るための制御が困難で■5 あり、また表面の
損傷例えば点食を引き起すことが多い。更に酸素が汚染
を生じかつ表面損傷に寄与するのを防止するために流速
を高くする必要がある。開放管を使用する拡散の第2の
形式では、ウエハをまず濃密化酸化物被膜で次に亜鉛ド
ープ被膜で被覆して、開放炉内に入れ拡散させる。しか
しこの技術の基本的な欠点は、ウエハが余分な被覆工程
を受けなければならず、しかもそのウエハが均一な電気
的性質を呈しないことがしばしばあることである。本発
明は、一族半導体化合物の拡散のための方法と装置、特
に従来の方法および装置が有する上述した欠点を除去し
、しかも有効で経済的に再現性のある結果を与える単結
晶GaAsPまたはGaPのウエハを拡散する方法およ
び装置を提供する。
本発明のいくつかの目的のうち特に注目すべき目的は開
放管拡散方法および装置を安価に高速化するがウエハ表
面の損傷および酸素汚染等を実質的に防止するような方
法および装置を提供すること、再現性の高い結果を与え
るが、ウエハにドーパント被膜を適用する以前に付加的
な保護被覆を必要としないような方法および装置を提供
することおよび均一な電気的性質を呈するLED(発光
ダイオード)のウエハを製造するのに使用するドープ半
導体ウエハを与えるような方法および装置を提供するこ
とにある。本発明は装入および取出しが容易にできかつ
不活性ガスを封入することができる再使用可能な石英ア
ンプルを提供する。
このアンプルに、取外し可能なストツパまたは不活性ガ
ス導入用弁装置および圧力解放弁を設ける。本発明は拡
散すべき−V族半導体化合物と拡散源とを石英アンプル
内に入れ、次に取外し可能なストツパでシールすること
からなる−族半導体化合物の拡散方法を利用する。
不活性ガス(たとえば窒素)をこのアンプルの内部に導
入し、このアンプルを炉内に設置して拡散処理を完了す
る。拡散中、不活性ガス圧は増大するので、圧力解放弁
を通じて不活性ガスを排出する。本発明の上述の目的、
その他の目的、特徴および利点は添付図面に示す本発明
の好適な態様の以下の一層詳細な説明から明らかとなろ
う。
再使用可能な石英管またはアンプル10にストツパ12
を設け、このストツパのテーパ部14を石英管の開放端
に隣接するこの石英管の内部の類似のテーパ部14/に
補足し合うようにする。
これらのテーパ面を研削し緊密な嵌着連結が得られるよ
うにしてもよい。溝孔を構成する短軸11を石英管に設
け、ストツパ12のピン13を収容し、ストツパをこの
管内の密封位置にロツクする。石英管10の反対端に延
長部15を設け、その内部に内部通路を設ける。この延
長部15にソケツト部材16を設け、貫通する横通路2
0を有する止コツク18を収容する。横通路20を延長
部15の通路と一線にそろえて、適当な供給源(図示せ
ず)からの不活性ガスを石英管10の内部に供給する。
止コツク18を回転し、横通路20を延長部15内の通
路に横断させ、石英管10の端部を密封する。内部に通
路を有する延長部22をストツパ12に設け、延長部2
2の自由端24に弁部材28を収容する。
拡大部24に複数個の窪み26を設け弁部材28の拡大
端30を保持する。拡大端30を延長部22の通路と密
封関係で垂直に配置しそしてストツパ12が石英管と密
封関係にあるときこの石英管内に過大な圧力が発生する
と、弁部材28を強制的にその座から外して石英管内の
圧力を減少させる。1対のハンドル32,34を石英管
10とストツパ12とに設けて炉にアンプルを挿入除去
するのを助ける。
石英管10の底部に1対の安定脚36を設け、炉内に置
かれたとき転動するのを防止する。石英管、ストツパ、
止コツク、圧力解放弁、ハンドルおよび安定脚を含む全
体の組立体を石英またはその他適当な材料で造り、拡散
処理中炉内に存在する高温に耐えられるようにする。上
述の石英アンプルを使用して拡散処理を実施するに当り
、複数個の半導体ウエハ42を乗せた適当な石英ボート
40を石英管10の内部に挿入して拡散材料供給源44
から拡散材料を適切に供給する。拡散を調節するため酸
化物の薄い層をウェハの上に沈着(デポジシヨン)させ
ることによつてウエハをまず作製する。この酸化物は化
学的気相デポジシヨンによつてウエハ上に沈着させても
よいしあるいはシリカ被膜をウエハ上にスピニングする
ことによつてウエハ上に適用してもよい。次にストツパ
12を石英管10の開放端に密封関係に挿入し、短軸1
1とピン13とによつてそこにロツクする。次にN2の
ような不活性ガス媒体の供給源を延長部15に連結し、
次に止コツク18を回転し、横通路20を通じて石英管
10の内部にガスを通じ、所定の時間石英管をパージす
る。ストツパ12の圧力解放弁28を通じて過剰なガス
を強制的に排出させる。この石英管の内部をN2でパー
ジした後、ガス供給源を延長部15から外し、止コツク
18を閉止位置まで回転し、そしてこの密封されたアン
プルを高温の窪素中で所定時間の間適当な炉に入れて拡
散を行う。ここに「密封」と称するのは、圧力解放弁の
存在およびストツパ、止コツクおよび石英管の補足し合
う表面の精度によつてその達成した密封の度合が変化す
るようなものを意味するものとする。しかしすべての実
際の目的に対して、このシールされたアンプルは不活性
ガス雰囲気をこのアンプル内に保持し、空気がアンプル
内に入らないようにする。拡散が生じた際、このアンプ
ルを除去し、石英管を空にし次の拡散処理のためふたた
び装入を行なつ0次の実施例は、拡散処理のため排気密
封されたアンプルを使用して得られたものに匹敵するあ
るいはより一層好適な結果が得られる本発明の半密封ア
ンプルを使用する拡散処理の有効性を示すものである。
各実施例において、アンプルを標準法で1000℃で3
0分間十分に洗浄する。「トリトン」(TRITON)
の商標名で市販されている洗浄剤を利用する標準洗浄法
を使用してこの場合GaAsPの薄切片である試料をも
洗浄する。また次の実施例では管内に試料を挿入する以
前にこの半密封アンプルを窒素で浄化し、この管を次に
炉内に入れる。拡散処理中、各実施例に示した割合で管
に窒素を供給する。[シリカフイルム(Silicaf
ilm)」は、ニューシャーシ一州ミルパーツのエマル
ジトーン・コンパニ一から入手できるスピニング処理し
た酸化物を意味する。実施例 1シリカフイルムをGa
AsPの2枚のウエハ上に6000rp1でスピニング
し、そして約250℃で60秒間濃密化せしめた。
次にこのすべてのウエハを亜鉛供給源(0.5f!Zn
As2)の近くにあるボート上に載せた。この浄化した
アンプルを炉内の管に入れ、N2を毎分4000CC以
上供給しながら650℃で4時間拡散させた。次にこの
拡散に直ぐ続いて普通のぬれタオル法によつてこのアン
プルを急冷した。その後、このウエハをHCI中で2分
間洗浄しそしてHFの10%溶液にこのウエハを3分間
置いてこの酸化物を除去した。どちらのウエハも良好な
表面を有し、接合深さは1μであつた。最初に被覆され
た一方のウエハの表面は僅かに点食したが、最初に被膜
を施さなかつた同一寸法の他方のウエハの表面は可成り
侵されていた。実施例 2 GaAsPの4個のウエハを選択し、次にそのうちの2
個に6000rp?においてシリカフイルムで被覆し、
そして約250℃で60秒間濃密化した。
このウエハを0.3gのZnAs2と共にアンプル内に
装入し、この被覆したウエハをZn供給源に最も近くし
、アンプルを浄化した。650℃で4時間拡散を行ない
、毎分4000CCの割合でN2を供給した。
このウエハをHCI中で2分間洗浄し、酸化物を除去し
た。これらのウエハのうちの3個の表面が良好な外観で
あつた。最初に被覆を施さなかつたウエハのうちの1個
は認知し得る程度に表面が損傷した。2個の未被覆ウエ
ハについてはRsの値は単位面積当り22.5オームで
あり、被覆ウエハについては単位面積当り56オームで
あつた。
実施例 3 GaAsPの4個のウエハを選択し、シリカフイルムを
6000rp1で2個のウエハ上にスピニングし、そし
て約260℃で60秒間濃密化した。
すべてのウエハをボート上にのせてこれらのウエハをそ
の端に立たせて背面がZnAs2O.3gの亜鉛源に面
するようにした。650℃で4時間拡散を行ない、毎分
4000CCの割合でN2を供給した。
これらのウエハを取出し清掃した後、表面はすべて未被
覆ウエハの若干の区域を除き良好に見えた。Zn拡散後
未被覆ウエハの一つはやや褐色を帯びた部分を有してい
た。これらの褐色を帯びた部分はこのウエハの発光を生
じなかつた。最初に被覆した1個のウエハは10maで
検査してかろうじて発光した。最初に被覆しなかつたウ
エハに対するRRsの値は単位面積当り21オームで、
被覆ウエハに対する単位面積当り300オームより一層
大きかつた。゛実施例 4 GaAsPの4個のウエハを選択しそしてシリカフイル
ムを6000rpmでスピニングして、2個のウエハに
適用した。
この被膜を約250℃で60秒間濃密化した。ZnAs
2O.59の亜鉛源をアンプルの底部に拡げそしてこれ
らのウエハをアンプルの前方に向くように直立させた。
6500Cで2時間拡散を行ない、毎分4000CCの
割合でN2を供給した。
次にこれらのウエハをHCI中で2分間洗浄し、これら
の薄切片から酸化物を除去した。被膜を被覆しなかつた
ウエハの表面はかなり点食したが被覆したウエハの表面
は良好であつた。未被覆ウエハのRsは単位面積当り2
5オームで、被覆ウエハのRsは単位面積当り75オー
ムであつた。2個の被覆ウエハの接合深さは0.8μで
あり、明るさはB/JはIOA/c−dでそれぞれ71
および82であつた。
未被覆ウエハの接合深さは1μであり、明るさB/Jは
10A/Cnlでそれぞれ66および69であつた。実
施例 5 4個のGaAsPウエハのうちの2個に6000rp1
でスピニングしてシリカフイルムを適用した。
この被膜を次に約250℃で60秒間濃密化した。これ
らのウエハをアンプル内に装入し、0.5IのZnAs
2を底に沿つて拡げた。次に上述の実施例におけるよう
にこのアンプルをN2で浄化し拡散炉内に入れた。拡散
を650℃で4時間行ない、上述の実施例のようにN2
を毎分4000ccの割合で拡散炉に供給した。このよ
うにして拡散炉に窒素を供給することによつてアンプル
のまわりに不活性雰囲気を生ぜしめ、これにより汚染を
一層確実に防止する。これらのウエハをHC6中で洗浄
し酸化物を除去した後は、最初に被覆したウエ.ハは良
好な外観であつたが、最初に被覆しなかつたウエハはか
なり点食した。未被覆ウエハのRsは単位面積当り18
オームであり、被覆ウエハのRsは単位面積当り55オ
ームであつた。一方の被覆ウエハの接合深さは1μであ
り、明るさB/Jは10A/(−JモViで111であつ
た。他方の被覆ウエハは接合深さは1.5μであり、明
るさB/Jは10A/CIILで128であつた。未被
覆ウエハの接合深さは2μであり、明るさB/JはIO
A/Cdで88であつた。実施例 6 各異なる供給源から4個のGaAsPウエハを選択し、
すべてのウエハに6000rp1でシリカフイルムをス
ピニング適用し、そして約250℃で60秒間で濃密化
した。
このウエハをポート内に装入し前面に向けて直立させた
。0.59のZnAs2と共にこのポートをアンプル内
に入れ、このZnAs2をポートの底に沿つて拡げた。
上述の実施例のようにN2によつてこのアンプルを浄化
した。拡散を700℃で4時間実施し、毎分4000C
Cの割合でN2を拡散炉に供給した。拡散後、このウエ
ハをHCI中で2分間洗浄し、酸化物を除去し清掃した
。すべてのウエハの表面は良好な外観であつた。このウ
エハのRsの値は単位面積当り31〜36オームの範囲
であつた。同一の4個の供給源からの他の4個のウエハ
も標準の閉塞管拡散処理によつて拡散した。接合深さに
対する比較明るさは次の表の通りである。実施例 7 7個の異なる供給源からのGaAsPの7個の薄切片を
選択し、シリカフイルムを6000rpmでスピニング
して、そのうちの4個に適用した。
ほぼ250℃で約60秒間でこの被膜を濃密化した。こ
れらのウエハを0.5I(1)ZnAs2と共に半密封
アンプル内に置き、このZnAs2をアンプルの内側に
拡げた。このアンプルをN2で浄化した。毎分4000
cCの割合で供給するN2で3時間650℃で拡散を実
施した。被覆したウエハの表面は清潔であつたが、その
他のウエハはかなりひどく損傷した。未被覆ウエハのR
sの値は単位面積当り21オームであり、被覆ウエハの
Rsの値は単位面積当り66オームであつた。同一の7
個の供給源から7個の同一のウエハを用意し、標準封管
処理によつて拡散した。その比較結果は次の表の通りで
ある。実施例 8 公称組成GaASO.6PO.4を有する2個のウニハ
の一方のウエハにはマスクをせず、他方のウニハには窒
化物拡散マスクを適用した。
これらのウエハを2分間、普通の化学的気相デポジシヨ
ン反応装置内に置き約600Aの厚さのSiO2層を沈
着した。次にこれらのウエハを1.0f1(7)ZnA
s2と共にアンプル内に装入した。このアンプルを5分
間N2で浄化した。拡散炉にN2を供給しながら、82
5℃で30分間拡散を実施した。次にこのアンプルを普
通にタオル冷却した。このウエハをHCI内に90秒間
置いて被膜を除去した。次にこのウエハを洗浄し、普通
に石鹸洗浄した。このウエハは良好な表面を呈し、接合
深さは2μであつた。従来の閉塞管による処理に従つて
製造した発光ダイオードと、本発明の半密封管処理とを
上述のように比較すれば、本発明方法は従来の密封管処
理法より著しく良好であることが明らかである。
上述したように、石英管を非常に多くの回数再使用する
ことができるから、従来の閉塞管処理に比較し非常に節
約になる。従来のものは各拡散毎に密封管または閉塞管
を破壊して開放する必要があつた。本発明方法と装置は
本発明の範囲内で種々の変更を加えることができる。た
とえば、本明細書中に開示した導入弁や圧力解放弁の代
りに種々の他の形式、構造の弁を利用でき、管の閉位置
にストツパを保持するため他の形式のロツク装置を使用
することができる。さらにGaAsPおよびGaP以外
の種々の組成の−族化合物半導体を本発明により処理す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明装置の石英アンプルと取外し得るストツ
パとを示す一部を断面とした正面図、そして第2図は第
1図の石英アンプルとストツパとの平面図である。 10・・・・・・石英管またはアンプル、12・・・・
・・ストツパ、14,147・・・・・・テーパ部、1
5・・・・・・延長部、16・・・・・・ソケツト部材
、18・・・・・・止コツク、20・・・・・・横通路
、22・・・・・・延長部、24・・・・・・遊端また
は膨脹部、26・・・・・・窪み、28・・・・・・弁
部材、30・・・・・・拡大端、32,34・・・・・
・ハンドル、36・・・・・・安定脚、40・・・・・
・石英ボート、42・・・・・・半導体ウエハ 44・
・・・・・拡散材料供給源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 拡散によりIII−V族半導体化合物にドーパントを
    導入するにあたり、ドーパント供給源を有するアンプル
    内に前記半導体化合物を装入し、次にこのアンプルを密
    封はするがこのアンプルのための圧力解放弁を設け、さ
    らに前記アンプルに不活性ガスを通じることによつて前
    記アンプルの内部を浄化し、さらに前記半導体化合物に
    ドーパントを拡散させるために所定時間前記アンプルを
    加熱し、この拡散中前記圧力解放弁によつて前記アンプ
    ル内のガス圧を排出させることを特徴とするIII−V族
    半導体化合物の拡散方法。 2 III−V族半導体化合物をドープするためにこの半
    導体化合物に半密封拡散を行なう装置において、耐熱材
    料の中空管と、この中空管に対し前記半導体化合物を装
    填および取出すために選択的に取外すことができる前記
    中空管の一端を閉じるための耐熱性ストッパ手段と、前
    記中空管の他端にあつてその他端を選択的に閉じるため
    の閉塞手段と、前記中空管内に過大な圧力が生ずるのを
    防止すると共に前記中空管内に汚染物質が侵入するのを
    防止するため前記中空管の内部に連通する圧力解放弁手
    段とを備えることを特徴とするIII−V族半導体化合物
    の拡散装置。
JP50091007A 1974-07-26 1975-07-25 3−5族半導体化合物の拡散方法および拡散装置 Expired JPS5942451B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

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US05/492,095 US3984267A (en) 1974-07-26 1974-07-26 Process and apparatus for diffusion of semiconductor materials
US492095 2000-01-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5140760A JPS5140760A (en) 1976-04-05
JPS5942451B2 true JPS5942451B2 (ja) 1984-10-15

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DE (1) DE2533433C2 (ja)
GB (1) GB1518986A (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2554399C3 (de) * 1975-12-03 1979-09-06 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren zum Herstellen von aus Silicium oder Siliciumcarbid bestehenden, direkt-beheizbaren Rohren
US4275094A (en) * 1977-10-31 1981-06-23 Fujitsu Limited Process for high pressure oxidation of silicon
DE2907371C2 (de) * 1979-02-24 1981-03-12 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Hochtemperaturfestes Schutzrohr für Wärmebehandlung von Halbleiterbauelementen
US4762576A (en) * 1982-09-29 1988-08-09 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Close space epitaxy process
US4699084A (en) * 1982-12-23 1987-10-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Apparatus for producing high quality epitaxially grown semiconductors
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4725565A (en) * 1986-06-26 1988-02-16 Gte Laboratories Incorporated Method of diffusing conductivity type imparting material into III-V compound semiconductor material
NL8801631A (nl) * 1988-06-27 1990-01-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een optoelektronische inrichting.
JPH0793277B2 (ja) * 1989-02-28 1995-10-09 インダストリアル・テクノロジー・リサーチ・インステイテユート InP基板中へのCd拡散方法
US5374589A (en) * 1994-04-05 1994-12-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Process of making a bistable photoconductive component
US6520348B1 (en) 2000-04-04 2003-02-18 Lucent Technologies Inc. Multiple inclined wafer holder for improved vapor transport and reflux for sealed ampoule diffusion process
US7955649B2 (en) * 2007-01-17 2011-06-07 Visichem Technology, Ltd. Forming thin films using a resealable vial carrier of amphiphilic molecules
US20170095861A1 (en) * 2014-06-02 2017-04-06 Temper Ip, Llc Powdered material preform and process of forming same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5068052A (ja) * 1973-10-17 1975-06-07

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3127285A (en) * 1961-02-21 1964-03-31 Vapor condensation doping method
US3189494A (en) * 1963-08-22 1965-06-15 Texas Instruments Inc Epitaxial crystal growth onto a stabilizing layer which prevents diffusion from the substrate
US3264707A (en) * 1963-12-30 1966-08-09 Rca Corp Method of fabricating semiconductor devices
US3298879A (en) * 1964-03-23 1967-01-17 Rca Corp Method of fabricating a semiconductor by masking
US3485685A (en) * 1967-05-31 1969-12-23 Bell Telephone Labor Inc Method and source composition for reproducible diffusion of zinc into gallium arsenide
DE1769392A1 (de) * 1968-05-17 1971-09-02 Telefunken Patent Diffusionsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen
US3666574A (en) * 1968-09-06 1972-05-30 Westinghouse Electric Corp Phosphorus diffusion technique
US3632434A (en) * 1969-01-21 1972-01-04 Jerald L Hutson Process for glass passivating silicon semiconductor junctions
DE2331516A1 (de) * 1972-06-21 1974-01-17 Monsanto Co Verfahren zur herstellung von tiefdiffundierten halbleitenden bauteilen
US3856588A (en) * 1972-10-11 1974-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Stabilizing insulation for diffused group iii-v devices
US3895137A (en) * 1973-12-03 1975-07-15 Fmc Corp Method of plating articles having small clearances or crevices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5068052A (ja) * 1973-10-17 1975-06-07

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Publication number Publication date
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DE2533433C2 (de) 1984-03-15
BE831727A (fr) 1976-01-26
CA1027260A (en) 1978-02-28

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