JPS594188A - 光半導体素子の製造方法 - Google Patents
光半導体素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS594188A JPS594188A JP11315282A JP11315282A JPS594188A JP S594188 A JPS594188 A JP S594188A JP 11315282 A JP11315282 A JP 11315282A JP 11315282 A JP11315282 A JP 11315282A JP S594188 A JPS594188 A JP S594188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting unit
- resonator
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0203—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は光半導体素子の製造方法に関する。特に、共振
器型半導体レーザの共振器端面の形成をウェーハの状態
で、かつ、襞間法を使用してなす、光半導体素子の製造
方法に関する。
器型半導体レーザの共振器端面の形成をウェーハの状態
で、かつ、襞間法を使用してなす、光半導体素子の製造
方法に関する。
（２）技術の背景
光半導体素子、特に、共振器型半導体レーザは、発光効
率を向」ニさせるためにその共振器端面が互いに平行な
鏡面であることが望ましい。この共振器端面を形成する
方法にはエツチングによる方法と、襞間による方法とが
あり、工程の容易さでは前者がすぐれているが、素子の
特性に関しては後者がすぐれている、 （３）従来技術と問題点 従来技術にあっては後者、すなわち襞間法が多用されて
いる。通常の襞間法を使用して共振器端面を形成すると
、共振器端面のみならずウェーハ全体が襞間されてチッ
プまたはアレイに分割されるため、それに続（工程は一
辺の長さが数１０〜数１００〔μｍ〕のチップまたはア
レイ単位でなすこととなり、寸法が小さいため工程的に
煩瑣であり、また、自動化が困難であるという欠点を有
する。
率を向」ニさせるためにその共振器端面が互いに平行な
鏡面であることが望ましい。この共振器端面を形成する
方法にはエツチングによる方法と、襞間による方法とが
あり、工程の容易さでは前者がすぐれているが、素子の
特性に関しては後者がすぐれている、 （３）従来技術と問題点 従来技術にあっては後者、すなわち襞間法が多用されて
いる。通常の襞間法を使用して共振器端面を形成すると
、共振器端面のみならずウェーハ全体が襞間されてチッ
プまたはアレイに分割されるため、それに続（工程は一
辺の長さが数１０〜数１００〔μｍ〕のチップまたはア
レイ単位でなすこととなり、寸法が小さいため工程的に
煩瑣であり、また、自動化が困難であるという欠点を有
する。
したがって、襞間法を使用してなす共振器端面の製造方
法がウェーハの状態で実行できれば工業的に有利である
。
法がウェーハの状態で実行できれば工業的に有利である
。
（４）発明の目的
本発明の目的はこの要請に応えることにあり、ｎｒ−ｖ
族化合物半導体基板の（１００）面に形成されたＩＩＴ
−Ｖ族化合物半導体とその混晶とよりなる活性層、上
下クラッド層、バッファ層等の組み合わせ層構造を有す
る光半導体素子の製造方法において、ウェーハをチップ
またはアレイに切り放すことなく実行しうる、襞間法を
使用してなす共振器端面の形成工程を含む、光半導体素
子の製造方法を提供することにある。
族化合物半導体基板の（１００）面に形成されたＩＩＴ
−Ｖ族化合物半導体とその混晶とよりなる活性層、上
下クラッド層、バッファ層等の組み合わせ層構造を有す
る光半導体素子の製造方法において、ウェーハをチップ
またはアレイに切り放すことなく実行しうる、襞間法を
使用してなす共振器端面の形成工程を含む、光半導体素
子の製造方法を提供することにある。
（５）発明の構成
本発明の構成は、ＩＩＩ −Ｖ族化合物半導体基板の（
１００）面上に前記ｏｒ −ｖ族化合物半導体よりなる
層とその混晶よりなる層との組み合わせ層構造を有する
発光部を形成し、該発光部上に保護膜を形成し、該保護
膜に対し襞間面に平行な溝状パターンを有するマスク層
を形成し、次いで前記マスク層を用いて前記発光部を貫
通して前記基板番こ達する台形の開口を形成し、次いで
前記エツチング工程によって形成された前記発光部の突
出部分を骨間して共振器端面を形成する工程を含む、光
半導体素子の製造方法にある。
１００）面上に前記ｏｒ −ｖ族化合物半導体よりなる
層とその混晶よりなる層との組み合わせ層構造を有する
発光部を形成し、該発光部上に保護膜を形成し、該保護
膜に対し襞間面に平行な溝状パターンを有するマスク層
を形成し、次いで前記マスク層を用いて前記発光部を貫
通して前記基板番こ達する台形の開口を形成し、次いで
前記エツチング工程によって形成された前記発光部の突
出部分を骨間して共振器端面を形成する工程を含む、光
半導体素子の製造方法にある。
本発明の発明者は、第１図に示す如き開口部３を基板Ｊ
に達するように発光部２に形成することが可能であれば
、発光部２の上記開口部３に面した突出部４を破線４′
に沿って骨間することにより」１記の目的を達成しうる
との着想を得た。
に達するように発光部２に形成することが可能であれば
、発光部２の上記開口部３に面した突出部４を破線４′
に沿って骨間することにより」１記の目的を達成しうる
との着想を得た。
一方、すべての結晶は襞間面にもとづいてエツチングに
対する異方性を示すことが知られている。
対する異方性を示すことが知られている。
すなわち、襞間面の一つに平行な面にエツチングをなす
と第２図に５をもって示すように台形、すなわち、逆メ
サ型の突出部を有する開口となり、これと直交する方向
に同様のエツチングをなすと第３図に６をもって示すよ
うにメサ型の開口となることは公知である。
と第２図に５をもって示すように台形、すなわち、逆メ
サ型の突出部を有する開口となり、これと直交する方向
に同様のエツチングをなすと第３図に６をもって示すよ
うにメサ型の開口となることは公知である。
そこＣ１本発明者はこの現象を利用し、エツチングをな
すことにより発光部の一つの面に逆メサ型の突出部を形
成し、しかるのちにこの突出部を襞間法を用いて切り放
す工程を導入して上記の着想を具体化することにより本
発明を完成した。
すことにより発光部の一つの面に逆メサ型の突出部を形
成し、しかるのちにこの突出部を襞間法を用いて切り放
す工程を導入して上記の着想を具体化することにより本
発明を完成した。
（６）発明の実施例
以下図面を参照しつつ、本発明の一実施例に係る光半導
体素子の製造方法について説明し、本発明の構成と特有
の効果とを明らかにする。
体素子の製造方法について説明し、本発明の構成と特有
の効果とを明らかにする。
−例として、アルミニウムガリウムヒ素（Ａ ＩＧａＡ
、ｓ）上化ガリウム（ＧａＡｓ）よりなり、ダブルへテ
ロ構造を有する半導体レーザについて述べる。
、ｓ）上化ガリウム（ＧａＡｓ）よりなり、ダブルへテ
ロ構造を有する半導体レーザについて述べる。
第４図参照
ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）よりなる基板１の（１００）
面上にヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）とアルミニウムガリウ
ム（ＡＩＧａＡｓ）とよりなるバッファ層、下部クラッ
ド層、活性層、上部クラッド層、電極コンタクト層（キ
ャップ層）等の層構造を有し、その（１１０）面を共振
器端面とする発光部２を有する半導体レーザにおいて、
この発光部２の全面に二酸化シリコン（ＳＩ０２）より
なる絶縁保護膜７を化学気相成長法（ＣＶ Ｉ）法）を
使用して形成する。
面上にヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）とアルミニウムガリウ
ム（ＡＩＧａＡｓ）とよりなるバッファ層、下部クラッ
ド層、活性層、上部クラッド層、電極コンタクト層（キ
ャップ層）等の層構造を有し、その（１１０）面を共振
器端面とする発光部２を有する半導体レーザにおいて、
この発光部２の全面に二酸化シリコン（ＳＩ０２）より
なる絶縁保護膜７を化学気相成長法（ＣＶ Ｉ）法）を
使用して形成する。
第５図参照
上記の保護膜７に、公知の方法を使用して共振器端面す
なわち発光部の（１１０）面（紙面に垂直な方向）に沿
ってエツチング用のパターンを選択的に形°成して、こ
の溝状開口を有する保護膜７を次工程におけるエツチン
グ用のマスクとする。しかるのち、水酸化ナトリウム（
ＮａＯＨ）水溶液と過酸化水素水（Ｉｈ（’）ｚ）との
混合液をエツチング液としてなすウェットエツチング法
を用いて上記基板１に達する線状の開口８を形成する。
なわち発光部の（１１０）面（紙面に垂直な方向）に沿
ってエツチング用のパターンを選択的に形°成して、こ
の溝状開口を有する保護膜７を次工程におけるエツチン
グ用のマスクとする。しかるのち、水酸化ナトリウム（
ＮａＯＨ）水溶液と過酸化水素水（Ｉｈ（’）ｚ）との
混合液をエツチング液としてなすウェットエツチング法
を用いて上記基板１に達する線状の開口８を形成する。
このとき、開口８の底面の幅が３０〜４０〔μ＋ｎ）と
なったところでエツチングの進行を停止すると好都合で
ある。
なったところでエツチングの進行を停止すると好都合で
ある。
この工程終了後、開口８の形状は逆メサ型、の突出部を
有する形状となる。しかるのち、保護膜７を公知の方法
を使用して除去する。
有する形状となる。しかるのち、保護膜７を公知の方法
を使用して除去する。
第６図参照
第５図に示される破線８′に沿い、カッタ、ローラ等を
使用して上記突出部を骨間することにより、第６図に示
される如き、一対の共振器端面９および９′が形成され
る。
使用して上記突出部を骨間することにより、第６図に示
される如き、一対の共振器端面９および９′が形成され
る。
上記の工程により半導体レーザの共振器端面を形成すれ
ば、それに続く工程や特性評価試験等をウェーハの状態
で実行することができ、作業１能率の向上に有効に寄与
し、また共振器端面形成工程を自動化する上で極めて有
利である。なお、当然のことながらダイシング等によっ
てチップに分割する工程は上記の共振器端面形成工程や
特性評価試験等の完了後に行うことができる。又、自動
化も容易である。
ば、それに続く工程や特性評価試験等をウェーハの状態
で実行することができ、作業１能率の向上に有効に寄与
し、また共振器端面形成工程を自動化する上で極めて有
利である。なお、当然のことながらダイシング等によっ
てチップに分割する工程は上記の共振器端面形成工程や
特性評価試験等の完了後に行うことができる。又、自動
化も容易である。
（力発明の詳細
な説明せるとおり、本発明によれば、ＩＩＩ −Ｖ族化
合物半導体基板の（１００）面に形成されたＩＩＴ−Ｖ
族化合物半導体とその混晶とよりなる活性層、」１下ク
ラッド層、バッファ層等の組み合わせ層構造を有する光
半導体素子の製造方法において、ウェーハをチップまた
はアレイに切り放すことなく実行しうる、襞間法を使用
してなす共振器端面の形成工程を含む、光半導体素子の
製造方法を提供することができる。
合物半導体基板の（１００）面に形成されたＩＩＴ−Ｖ
族化合物半導体とその混晶とよりなる活性層、」１下ク
ラッド層、バッファ層等の組み合わせ層構造を有する光
半導体素子の製造方法において、ウェーハをチップまた
はアレイに切り放すことなく実行しうる、襞間法を使用
してなす共振器端面の形成工程を含む、光半導体素子の
製造方法を提供することができる。
第１図は本発明の発明者の着想である突出部を有する開
口を模式的に表わしたものであり、第２図及び第３図は
結晶においである一方向とそれに直交する方向とのエツ
チング異方性を模式的に表わしたものである、第４図乃
至第６図は本発明の一実施例に係る光半導体素子の製造
方法の要旨である、共振器端面形成工程の主要製造工程
完了後の基板断面図である。 １・・・・・・基板（（↑ａＡｓ） 、］’・・・・・
・結晶、２・・・・・・発光部、３・・・・・・本発明
の発明者の着想である開口、４・・・・・・本発明の発
明者の着想である開口に形成された突出部、４′・・・
・・・本発明の発明者の着想における襞間面を示す破線
、５．６・・・・・・結晶のエツチング異方性を示す開
口、７・・・・・・保護膜（Ｓｉ（Ｊ＋） 、８・・・
・・・本発明の一実施例に係る半導体レーザの発光部に
形成された開口、８′・・・・・・本発明の一実施例に
係る半導体レーザの共振器端面形成用襞間面を示す破線
、９．９′・・・・・・互いに平行な共振器端面。 ４２５
口を模式的に表わしたものであり、第２図及び第３図は
結晶においである一方向とそれに直交する方向とのエツ
チング異方性を模式的に表わしたものである、第４図乃
至第６図は本発明の一実施例に係る光半導体素子の製造
方法の要旨である、共振器端面形成工程の主要製造工程
完了後の基板断面図である。 １・・・・・・基板（（↑ａＡｓ） 、］’・・・・・
・結晶、２・・・・・・発光部、３・・・・・・本発明
の発明者の着想である開口、４・・・・・・本発明の発
明者の着想である開口に形成された突出部、４′・・・
・・・本発明の発明者の着想における襞間面を示す破線
、５．６・・・・・・結晶のエツチング異方性を示す開
口、７・・・・・・保護膜（Ｓｉ（Ｊ＋） 、８・・・
・・・本発明の一実施例に係る半導体レーザの発光部に
形成された開口、８′・・・・・・本発明の一実施例に
係る半導体レーザの共振器端面形成用襞間面を示す破線
、９．９′・・・・・・互いに平行な共振器端面。 ４２５
Claims (1)
- ＋１１− Ｖ族化合物半導体基板の（１００）面上に前
記■−ｖ族化合物半導体よりなる層とその混晶よりなる
層との組み合わせ層構造を有する発光部を形成し、該発
光部」二に襞間面に平行な溝状パターンを有するマスク
層を形成し、次いで前記マスク層を用いて前記発光部を
貫通して前記基板に達する台形の開口を形成し、次いで
前記エツチング工程によって形成された前記発光部の突
出部分を襞間して共振器端面を形成する工程を含むこと
を特徴とする光半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11315282A JPS594188A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 光半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11315282A JPS594188A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 光半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594188A true JPS594188A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14604881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11315282A Pending JPS594188A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 光半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594188A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123191A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| CN111541149A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-14 | 陕西源杰半导体技术有限公司 | 一种10g抗反射激光器及其制备工艺 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11315282A patent/JPS594188A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61123191A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの製造方法 |
| CN111541149A (zh) * | 2020-05-15 | 2020-08-14 | 陕西源杰半导体技术有限公司 | 一种10g抗反射激光器及其制备工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10044170B1 (en) | Semiconductor laser diode on tiled gallium containing material | |
| JP4802556B2 (ja) | チップ状電子部品の製造方法 | |
| JPH10275936A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| US6335559B1 (en) | Semiconductor device cleave initiation | |
| KR910007153A (ko) | 메사형으로 이루어진 반도체 보디의 제조방법 | |
| JPH05343742A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 | |
| JPH10125958A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法 | |
| JP2002252185A (ja) | 窒化物半導体チップの製造方法 | |
| JPH08153931A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS594188A (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| JPH02132844A (ja) | 化合物半導体ウェハの分割方法 | |
| JPS62105446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0983081A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPH08111563A (ja) | 半導体レーザーの作製方法及びチップ | |
| JP2001217497A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JPH02192753A (ja) | 化合物半導体基板の分割方法 | |
| US4731344A (en) | Method of making a single heterostructure laser chip having sawn cavities and secondary saw cuts | |
| JP2001358404A (ja) | 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP3473134B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS6223191A (ja) | リツジ型半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPH0141268B2 (ja) | ||
| JPS6199395A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH01215086A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2000164964A (ja) | 半導体レ―ザ装置の製造方法 | |
| JPH07283484A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 |