JPS5940400A - 半導体外部記憶制御装置 - Google Patents

半導体外部記憶制御装置

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JPS5940400A
JPS5940400A JP57151105A JP15110582A JPS5940400A JP S5940400 A JPS5940400 A JP S5940400A JP 57151105 A JP57151105 A JP 57151105A JP 15110582 A JP15110582 A JP 15110582A JP S5940400 A JPS5940400 A JP S5940400A
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JP
Japan
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external memory
semiconductor
circuit
semiconductor external
external storage
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JP57151105A
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Toujiyuurou Uchida
内田 藤十郎
Tatsuo Ishikawa
達夫 石川
Yasuo Kaneko
金子 泰郎
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/0703Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
    • G06F11/0751Error or fault detection not based on redundancy
    • G06F11/0763Error or fault detection not based on redundancy by bit configuration check, e.g. of formats or tags

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は計算機等における主記憶装置(以下、主メモリ
)と半導体外部記憶装置(以下、半導体外部メモリ)間
のデータ転送を制御する半導体外部記憶制御装置(以下
、外部メモリコントローラ)に関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
従来の外部メモリには、磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置などの回転系のメモリが多く用いられていた。しか
し、最近では半導体素子の高性能化に伴ない中央処理装
置(以下、cpu)あるいはその他の周辺装置の高速化
が進み、従来の回転系メモリに代えて半導体メモリが多
く用いられるようになってきた。
半導体メモリは、いわゆる静止型の外部メモリに属し、
大容量化が可能でアクセス時間が速く。
価格面においても優れている。しかし、半導体メモリは
その構造上電源がしゃ断された場合には記憶内容が揮発
してしまうという不都合がある。実際には、停電等によ
り電源がしゃ断された場合にはただちにバックアップ電
源に切替える等の手段によシ手当てしている。しかし、
バックアップ電源の多くはバッテリーを使用するもので
あり、停電がバッテリ容量を越えて長時間に及ぶ場合に
は記憶内存が消失するっ 従来では、外部メモリの記憶内存が揮発したとしても正
確にその事実を知る手段がなく、揮発あるいは誤データ
となったデータをそのまま使ってしまうという不具合が
あった。
〔発明の目的〕
本発明はかかる従来の不具合を解消すべく、外部メモリ
の内界が何らかの原因により揮発している場合、その事
実を記憶し、計算機のエラー動作を防止しうる半導体外
部メモリコントローラを提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために、本発明による半導体外部メ
モリコントローラは、半導体外部メモリの記憶内容が揮
発したことを示す揮発検出信号を記憶する回路を設け、
当該記憶回路に基づいてデータ転送等に制限を加えるよ
うにした点に特徴を有する。
この場合、主メモリと半導体外部メモリとの数の関係が
、i :1.i :N、N:1 、NUNの態様のシス
テムに適用可能である。
また1本発明において前記揮発検出信号記憶回路に基づ
く制限とは、上述のデータ転送の制限(すなわち、デー
タ転送の禁止)の他、当該外部メモリへのアクセスの禁
止、当該外部メモリの表示等をも含むものとする。
かかる構成を有する本発明によれば、半導体外部メモリ
の記憶内存が抽発したことを正確に認識することができ
、したがって誤シデータに基づいて計算処理してしまう
ようなことを防止できる。
〔発明の実施例〕
!!実施例  第1図に本発明による半導体外部メモリ
コントローラを用いた第1の実施例を示す。舶1図にお
いで、符号1はηブシステムを示しており、主メモリ3
.CPU2を備えてい5o4は本発明の対象となる外部
メモリコントローラを示しており、CPLJ2の指令に
基づいて半導体外部メモリ5を制御し、当該半導体外部
メモリ5と主メモリ3間のr−夕転送を行う。すなわち
、この例はサブシステム1が1台に対し、半導体外部メ
モリ5が1台の組み合せからなるシステムに適用したも
のである。
外部メモリコントローラ4は半導体外部メモリ5の記憶
データが何らかの原因により揮発したこトラ記憶してお
くためのフリツプフ・1ツノ回路6Aを有している。
い1、伺らかの原因、例えば電源のしゃ断等により半導
体外部メモリ5の記憶内存が揮発したとすると、外部メ
モリコントローラ4はフリップフロソノ回路6に記憶内
存が消えたことを示すフラッグをセットする。
一方、CPLJ2から半導体外部メモリ5に対するアク
セス命令が出された場合、半導体外部メモリコントロー
ラ4は自己の持つフリップフロソノ回路6の内界を調べ
る。その結果、フリラグフロソノ回路6内にフラッグが
セットされていたとすると、半停体外部メモリ5内の1
−夕が揮発していることをCPU2に知らせるとともに
以後当該半導体外部メモリ5に対するアクセスを禁止す
る。
フラッグがセットされていない場合には通常の制御によ
シンータ転送やアクセスを行う。
なお、半導体外部メモリ5内のr−夕の揮発していた場
合は、その事実をオペレータに知らせるため、CPU2
の詣今によりCR7表示装置7に表示するようにしても
工い。その場合にはグログラムにより設定すればよい。
また、半導体外部メモリ5内のデータの揮発をバックア
ップするために不揮発性の外部メモリを並列使用するよ
うなシステムの場合、フリップフロツノ回路6のフラッ
グに基づいて不揮発性の外部メモリ側から半導体外部メ
モリ5にデータをそっくり書込んで以後の業務を続行す
ることができる。その場合にはCPU2からの指令によ
りフリップフロツノ回路6のフラッグをリセットし、C
RT7の表示を解除する。
、第」L寒J嶋烈、  第2図は、ナシシステム1が1
台であるのに対し、半導体外部メモリを複数台(5a、
5b・・・5n)用いるシステムに本発明を適用した例
を示す。この実施例の場合、半導体外部メモリコントロ
ーラ4には各半導体外部メモリ5a、5b・・・5nに
対応したフラッグを個別的にセット可能に複数の7リツ
プフロツノからなるフリップフロツノ回路6Bが設けら
れている。その他は同様なので説明は省略する。
いま、半導体外部メモリ5 nの記憶データが揮発して
いるとすると、対応するフリップフロツノ回路6Bにフ
ラッグがセットされる。したがって2CPU2の指令に
よシ半導体外部メモリ5nにアクセス命令が出された場
合、外部メモリコントローラ4はフリップフロツノ回路
6Bの対応する部分のフラッグを調べ、半導体外部メモ
リ5nの記憶データが揮発していることecPU2に知
らせるとともに、以後当該半導体メモリ5nに対するア
クセスを禁止する。このアクセスの禁止は外部メモリコ
ントローラ4自身が行ってもよいし、CPU2の命令に
基づいてもよい。その他、揮発の旨をCRT7に表示す
る等については第1図の場合と同様である。
このような構成とすることにより、揮発データをもつ半
導体外部メモリをアクセスして誤動作を招くことを防止
することができるとともに、いずれの半導体外部メモリ
の記憶データが正しいものかを明確に保証できる。
第3実施例  第3図(a)は複数のサツシステムla
、lb・・・1nによシ1つの半導体外部メモリ5を共
用するようなシステムに本発明を適用した例を示してい
る。この実施例の場合、外部メモリコントローラ4には
各サブシステムla、lb・・・1nにそれぞれ対応し
たフラッグを個別的にセット可能なように複数の7リツ
プフロツノ回路からなるフリップフロツノ回路6Cが設
けられている。
いま、半導体外部メモリ5の記憶データが揮発している
ものとすると、フリップフロラ!回路軸の全てにフラッ
グがセットされる。もし、サブシステムla、lb・・
・1nのいずれか、例えば1aのCPU2aから半導体
外部メモリ5にアクセス命令が出された場合、外部メモ
リコントa−ラ4は対応する(この場合、CPU2a)
フリップフロツノ回路のフラッグを調べ、半導体外部メ
モリ5の記憶データが揮発していることを当該cpu2
aに知らせる。そして当該半導体外部メモリ5に対する
アクセスを禁止する。このことは、他のcpu、他えば
2nからアクセス命令があった場合でも同様である。そ
の他は第1図、第2図と同様である。
このような構成とすることにより、複数のサブシステム
で1つの外部メモリを共用するようなシステムにおいて
、外部メモリの記憶データの信頼性を確認できる。
第4実施例  第4図(a)は、複数のサブシステムI
a、lb・・・1nに対し、複数の半導体外部メモリ5
a 、 5b・・・5nが本発明に係る外部メモリコン
トローラ4を介して接続された例を示している。この実
施例の場合、外部メモリコントローラ4には各半導体外
部メモIJ 5 a 、 5 b・・・5nにそれぞれ
対応したフラッグを個別的にセット可能なように複数の
フリップフロツノ回路からなるフリップフロツノ回路6
Dが設けられている。
いま、半導体外部メモI75 nの記憶データが揮発し
ているものとすると、それに対応するフリツノフロッグ
回路6Cにフラッグがセットされる。
もし、サブシステムla、io・・・1nのいずれか、
例えば1aのCPU2aから半導体外部メモI) 5n
にアクセス命令が出された場合、外部メモリコントロー
ラ4はフリップフロツノ回路6Dの対応するフリップフ
ロップ回路のフラッグを調べ、半導体外部メモリ5 n
の記憶データが揮発していることをCPU2aならびに
他のサブシステムの各cpuに知らせる。そして当該半
導体外部メモリ5nに対するアクセスを禁止する。アク
セスの禁止は外部メモリコントローラ自身が行なっても
よいし、各CPU2a 、2b・・・2nからの命令に
基づくようにしてもよい。
このような構成とすることにより、各外部メモリの記憶
データの信頼性を個別的に向上することができる。
第3図(b)はフリップフロッグ回路6DK谷半導体外
部メモIJ 5 a 、 5 b・・・5cに対応して
個別的にフラッグをセットする場合のテーブルを示した
ものである。
一第」L寒a   第5図(a)は第4図のシステムを
さらに拡大し、複数のサブシステムla、lb・・・1
nを1つのグループとし、そのグループを複数Sl 、
S2・・・Sn設け、外部メモリについても機数の外部
メモリ5a 、 5b・・・5nを1つのグループとし
、そのグループを複数Ml 、M2 、・・・Mn設け
て構成されたシステムに本発明を適用した例を示すもの
である。
この実施例の場合、外部メモリコントローラ4には各サ
ブシステムグルー7’ 31 、S2・・・Snおよび
外部メモリグルーツMl 、M2・・・rψnにそれぞ
れ対応したフラッグをグループ単位で個別的にセット可
能なように複数のフリップフロップ回路からなるフリッ
プフロツノ回路6Eが設けられている。
なお、この実施例の場合のフラッグはアベイラブルフラ
ッグを用いる。その理由は、半導体外部メモリをグルー
プ単位で扱う場合、当該グループの中に1つでも記憶デ
ータが揮発したものがある場合、信頼性の面から好まし
くなく当該グループの全ての外部メモリが健全なデータ
を壱するものでなければならないからである。したがっ
て、この実施例では全ての外部メモリの記憶データが有
効である場合にのみ当該グループに対するフラグとして
アベイラブルフラッグを立てることとしたものである。
この場合のアベイラブルフラッグの組み合せテーブルを
第5図(b)に示す。
次に動作を説明する。例えばサブシステムグルーfSl
と半導体外部メモリグループMn の場合で考える。サ
ブシステムグルー7’SL におけるサブシステム1a
のCPUから半導体外部メモリグループMn のメモI
J5nに対するアクセス命令が生じたとする。このとき
、外部メモリコントローラ4のフリップフロップ回路6
Eの半導体外部メモリグループMn に対応するフリラ
フ0フロツグ回路にアベイラブルフラッグが−ごットさ
れていた場合、当該アクセス命令は半導体外部メモリ5
 nに対して与えられる。一方、アベイラブルフラッグ
がセットされていない場合はいずれかのメモリのデータ
が揮発している場合であるから外部メモリコントローラ
4は当該外部メモリグルーフ0Mnのデータは有効でな
い旨をサブシステム1aのCPUに知らせるとともにア
クセスを禁止する。
以下同様に各グループ単位でアベイラブルフラッグを調
べつつアクセスを実行する。なお、いずれの外部メモリ
ダルーノが有効か否かf:cRTにより表示してもよい
このように、大形のシステムの場合にも半導体外部メモ
リの信頼性を個々に確認することができる。
〔発明の動子〕
かかる構成を有する本発明によれば、半導体外部メモリ
の記憶内容が揮発したことを正確に認識することができ
、したがって誤りデータに基づいて計算処理してしまう
ようなことを防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による外部メモリコントローラの第1実
施例を示すブロック図。 第2図は同第2実施例を示すブロック図。 第3図は同第3実施例を示すブロック図。 第4図(a)は同第4実施例を示すブロック図、(b)
はフラッグのセット状態を示すテーブルの説明図。 第5図(a)は同第5実施例を示すブロック図、(b)
はアベイラブルフラッグのセット状態を示すテーブルの
説明図である。 l・・・サブシステム。 2・・・cpu。 3・・・主メモリ、 4・・・半導体外部メモリコントローラ。 5・・・半導体外部メモリ、 6A〜6E・・・フリツプフロツゾ回路。 出願人代理人  猪  股   清

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、主記憶を含む少くとも1個の中央処理装置と半導体
    記憶素子により構成される少くとも1個の外部記憶装置
    間のr−夕転送を制御する半導体外部記憶制御装置にお
    いて、 前記半導体外部記憶装置内に格納されたデータが揮発し
    たことを示す揮発検出信号を記憶する回路を設け、該回
    路の内容を前記中央処理装置に知らしめることを特徴と
    する半導体外部記憶制御装置。 2、上記揮発検出信号を記憶する回路は、中央処理装置
    のそれぞれに対応するフラッグを附して記憶することを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導体外部記憶
    制御装置。 3、揮発検出信号を記憶する回路に揮発検出信号が記憶
    された場合、対応する半導体外部記憶装置の格納データ
    は無効である旨を表示する信号を出力するよう構成され
    たことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の半導体
    外部記憶制御装置。 46揮発検出信号を記憶する回路に揮発検出信号が記憶
    された場合、対応する半導体外部記憶装置に対するアク
    セスを禁止する信号を出力するよう構成されたことを特
    徴とする特許請求の範囲第2項記載の半導体外部記憶制
    御装置。
JP57151105A 1982-08-31 1982-08-31 半導体外部記憶制御装置 Granted JPS5940400A (ja)

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JP57151105A JPS5940400A (ja) 1982-08-31 1982-08-31 半導体外部記憶制御装置

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JPS5940400A true JPS5940400A (ja) 1984-03-06
JPH0417465B2 JPH0417465B2 (ja) 1992-03-26

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ID=15511452

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0213534A2 (en) * 1985-08-22 1987-03-11 Casio Computer Company Limited IC card
JPS63153656A (ja) * 1986-12-17 1988-06-27 Oki Electric Ind Co Ltd 記憶装置のバツクアツプ方式

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5640927A (en) * 1979-09-12 1981-04-17 Toshiba Corp Memory device

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JPH0417465B2 (ja) 1992-03-26

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