JPS5936976A - 太陽電池装置 - Google Patents
太陽電池装置Info
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- JPS5936976A JPS5936976A JP57147333A JP14733382A JPS5936976A JP S5936976 A JPS5936976 A JP S5936976A JP 57147333 A JP57147333 A JP 57147333A JP 14733382 A JP14733382 A JP 14733382A JP S5936976 A JPS5936976 A JP S5936976A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
用いて形成される太陽電池装置に関する。
第１図はそのような太陽電池の断面図を示す。
ガラス々ｆの透明絶縁基板１の上にＩＴＯ等の透明導電
膜３を被着し、その上に薄膜半導体活性層３を堆積する
。これはグロー放電中でのシランガスの分解などにより
、アモルファスシリコンのｐ１−。
膜３を被着し、その上に薄膜半導体活性層３を堆積する
。これはグロー放電中でのシランガスの分解などにより
、アモルファスシリコンのｐ１−。
ｉ層およびｎ Ｊ１７１から形成されたものである。こ
の薄膜半導体活性層３の上でガラス基板１と反対の側に
金属電極４を蒸着などに設ける。第２図、第３図はこの
薄膜太陽電池の複数を、１枚の共通透明絶縁基板１１の
上に作成した例を示す。ＩＴＯ膜１膜上２通電極とし、
その上に複数ｌこ分割された薄膜半導体活性層１３を形
成する。この分割された活性層領域１３は、半導体層を
一面に形成後印刷才たは光蝕刻によりその上に必少なパ
ターンのマスクを設け、エツチングすることにより形成
される。各分割半導体層領域１３にそれぞれ金属′電極
層１４を被着する。金属電極層１４も半導体層同様、エ
ツチング工程によりパターンが形成される。この場合、
Ｉ’ｌ”０膜１２と金属電極１４が絶縁されるように、
半導体層１３の端部１５がＩＴＯ膜１膜上２僅かにはみ
出した構造をとっておく必要がある。
の薄膜半導体活性層３の上でガラス基板１と反対の側に
金属電極４を蒸着などに設ける。第２図、第３図はこの
薄膜太陽電池の複数を、１枚の共通透明絶縁基板１１の
上に作成した例を示す。ＩＴＯ膜１膜上２通電極とし、
その上に複数ｌこ分割された薄膜半導体活性層１３を形
成する。この分割された活性層領域１３は、半導体層を
一面に形成後印刷才たは光蝕刻によりその上に必少なパ
ターンのマスクを設け、エツチングすることにより形成
される。各分割半導体層領域１３にそれぞれ金属′電極
層１４を被着する。金属電極層１４も半導体層同様、エ
ツチング工程によりパターンが形成される。この場合、
Ｉ’ｌ”０膜１２と金属電極１４が絶縁されるように、
半導体層１３の端部１５がＩＴＯ膜１膜上２僅かにはみ
出した構造をとっておく必要がある。
これらの薄膜太陽電池にリード線を付けるために、金属
電極１４をガラス基板１１の上に延長して、リード接続
部１６を形成するが、薄膜半導体Ｊ−１３は少なくとも
１μｎ、ＩＴＯ層１２は約０．１μＩｎの厚さがあるの
で、金属電極１４が半導体層１３の−Ｌからガラス基板
１１の上に移るときには１μＩｎ以上の段差が存在する
ことになる。この段差によって、金属膜厚の段差部での
減少が生じ、ひいてはパターン形成の際のエツチング工
程において、断線を生ずる場合がみられた。
電極１４をガラス基板１１の上に延長して、リード接続
部１６を形成するが、薄膜半導体Ｊ−１３は少なくとも
１μｎ、ＩＴＯ層１２は約０．１μＩｎの厚さがあるの
で、金属電極１４が半導体層１３の−Ｌからガラス基板
１１の上に移るときには１μＩｎ以上の段差が存在する
ことになる。この段差によって、金属膜厚の段差部での
減少が生じ、ひいてはパターン形成の際のエツチング工
程において、断線を生ずる場合がみられた。
本発明はこの欠点を除去し、１枚の基板上の複数のセル
からなる太陽電池装置の接続導体の断線のおそれをなく
することを目的とする。
からなる太陽電池装置の接続導体の断線のおそれをなく
することを目的とする。
この目的は、１枚の共通絶縁基板上に透明導電膜を介し
て複数の薄膜半導体活性層領域が被着され、その半導体
活性層領域の上にさらにそれぞれ金ＩＡ電極層が設けら
れるものにおいて、透明導電膜よりはみ出して被着され
る薄膜半導体層の中央部がはみ出し方向に延長され、金
属電極層がその延長部の先端までを覆って設けられるこ
とにより達成′される。この場合延長部を覆う金属電極
の下側の基板上に元来の透明導電膜と分離絶縁された透
明導電膜領域が設けられることも有効である。
て複数の薄膜半導体活性層領域が被着され、その半導体
活性層領域の上にさらにそれぞれ金ＩＡ電極層が設けら
れるものにおいて、透明導電膜よりはみ出して被着され
る薄膜半導体層の中央部がはみ出し方向に延長され、金
属電極層がその延長部の先端までを覆って設けられるこ
とにより達成′される。この場合延長部を覆う金属電極
の下側の基板上に元来の透明導電膜と分離絶縁された透
明導電膜領域が設けられることも有効である。
以下図を引用して本発明の実施例について説、明する。
各図において第２．第３図と共通の部分には同一の符号
が付されている。第４．第５図に示した実施例では、透
明導’ｔＫ膜１２からはみ出した薄膜半導体層１３の中
央部１７が延長されている。
が付されている。第４．第５図に示した実施例では、透
明導’ｔＫ膜１２からはみ出した薄膜半導体層１３の中
央部１７が延長されている。
金鳩電極層の端部１６はこの延長部１７を＋’ｕつで設
けられている。この結果、中央部１７を通る線Ｃ−Ｃの
断面では第６図に示すように金属′電極層１．４に大き
な段差がなく、金属層のノ（ターン形成の際に断線の生
ずるおそれがない。
けられている。この結果、中央部１７を通る線Ｃ−Ｃの
断面では第６図に示すように金属′電極層１．４に大き
な段差がなく、金属層のノ（ターン形成の際に断線の生
ずるおそれがない。
パターン形成工程を経ると、金属電極１４と半導体層１
３、金属電極層１４とガラス基板１１、金属電極層１４
と透明導電膜１２の間の接着強度に若干差が生じ、金属
とガラスの接着強度の方が金属と半導体の接着強度より
大きい。このため本発明では、半導体層１３の延長部１
７の両側に金属電極層１４とガラス基板１１との接着部
を形成し、金属電極層］４の剥離を防止している。
３、金属電極層１４とガラス基板１１、金属電極層１４
と透明導電膜１２の間の接着強度に若干差が生じ、金属
とガラスの接着強度の方が金属と半導体の接着強度より
大きい。このため本発明では、半導体層１３の延長部１
７の両側に金属電極層１４とガラス基板１１との接着部
を形成し、金属電極層］４の剥離を防止している。
さらに金属と透明導電膜の接着強度は金属とガラスの接
着強度より大きいので、第７．第８図に示す実施例では
それを利用している。すなわちリード接続部１６の下に
もＩＴＯ膜領域１８が設けられている。半導体層１３の
延長部１７の両側では金稙対Δり開環電膜の接着部が形
成されるので一層強固となる。この場合、付加されたＩ
ＴＯ膜領域１８と太陽電池の一方の電極であるＩＴＯ膜
１２とは絶縁されていなければならない。
着強度より大きいので、第７．第８図に示す実施例では
それを利用している。すなわちリード接続部１６の下に
もＩＴＯ膜領域１８が設けられている。半導体層１３の
延長部１７の両側では金稙対Δり開環電膜の接着部が形
成されるので一層強固となる。この場合、付加されたＩ
ＴＯ膜領域１８と太陽電池の一方の電極であるＩＴＯ膜
１２とは絶縁されていなければならない。
以−Ｌ述べたように本発明はリード線の接続のために延
反される金属電極層が絶縁基板上に直接設けられる際に
生ずる急激な段差を避けるため、中央部においては基板
との間に少なくとも半導体層が存在するようにして段差
を小さくシバターン形成時と′電極の切断発生を防止す
るもので、信頼性のあ５い太陽電池装置の構造として極
めて有効である。
反される金属電極層が絶縁基板上に直接設けられる際に
生ずる急激な段差を避けるため、中央部においては基板
との間に少なくとも半導体層が存在するようにして段差
を小さくシバターン形成時と′電極の切断発生を防止す
るもので、信頼性のあ５い太陽電池装置の構造として極
めて有効である。
第１図はガラス＾（根土に形成される太陽′電池の一般
的構造を示す断面図、第２図、第３図は太陽電池装置の
従来例を示し、第２図は第３図のＡ−Ａ線断面図、第３
図は平面図、第４図、第５図、第６図は本発明の一実施
例を示し、第４図は第５図のＢ −Ｂ ｉ断面図、第５
図は平面図、第６図は第５図のｃ−”ｃ線断面図、第７
図、第８図は別の実施例を示し、第７図は第８図のＤ−
Ｄ線断面図、第８図は平面図である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・ＩＴＯ膜、１３・・
・薄膜半導体活性病、１４・・・金属電極層、１７・・
・半導体層延長部、１８・・・ＩＴＯ膜領域。
的構造を示す断面図、第２図、第３図は太陽電池装置の
従来例を示し、第２図は第３図のＡ−Ａ線断面図、第３
図は平面図、第４図、第５図、第６図は本発明の一実施
例を示し、第４図は第５図のＢ −Ｂ ｉ断面図、第５
図は平面図、第６図は第５図のｃ−”ｃ線断面図、第７
図、第８図は別の実施例を示し、第７図は第８図のＤ−
Ｄ線断面図、第８図は平面図である。 １１・・・ガラス基板、１２・・・ＩＴＯ膜、１３・・
・薄膜半導体活性病、１４・・・金属電極層、１７・・
・半導体層延長部、１８・・・ＩＴＯ膜領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）１枚の共通絶縁基板上に透明導電膜を介して複数の
薄膜半導体活性層領域が被着され、該半導体活性層領域
の上にさらにそれぞれ金属電極層が設けられるものにお
いて、透明導電膜よりはみ出して被着される薄膜半導体
層の中央部が少なくとも一つのはみ出し方向に延長され
、金属電極層が該延長部を先端まで檜って設けられるこ
とを特徴とする太陽′電池装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、延長部
を榎う金属電極層の下側の基板上に元来の透明導電膜と
分離絶縁された透明導電膜領域が設けられたことを特徴
とする太陽電池装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147333A JPS5936976A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 太陽電池装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147333A JPS5936976A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 太陽電池装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936976A true JPS5936976A (ja) | 1984-02-29 |
| JPS6327869B2 JPS6327869B2 (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=15427805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147333A Granted JPS5936976A (ja) | 1982-08-25 | 1982-08-25 | 太陽電池装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936976A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721874A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Seiko Epson Corp | Amorphous solar battery |
-
1982
- 1982-08-25 JP JP57147333A patent/JPS5936976A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721874A (en) * | 1980-07-15 | 1982-02-04 | Seiko Epson Corp | Amorphous solar battery |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6327869B2 (ja) | 1988-06-06 |
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